CN109342915A - 一种漏电led芯片的检测方法 - Google Patents

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陈凯
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Abstract

本发明公开了一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电LED芯片检测率高。

Description

一种漏电LED芯片的检测方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种漏电LED芯片的检测方法。
背景技术
Micro LED作为一项新兴技术，Micro LED既继承了OLED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性。
传统LED芯片漏电检测方式是采用点测机进行检测，点测机检测过程为机器将蓝膜真空吸附固定后，其视觉系统对蓝膜上的LED晶粒进行全片扫描，得到LED晶粒的逻辑位置图(MAP)，根据LED晶粒的物理位置，将待测的LED晶粒移动到测针下，使LED晶粒的两极与探针接触，提供测试回路。
但由于Micro LED芯片面积过小，尺寸一般小于100微米，测针难以与Micro LED芯片的两极接触，容易出现漏测或者检测不正常。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电LED芯片的检测方法，可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电LED芯片检测率高。
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种漏电LED芯片的检测方法，操作简单，效率高。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；
采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。
作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为100-650℃。
作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为300-600℃。
作为上述方案的改进，LED芯片的加热温度为500-600℃。
作为上述方案的改进，LED芯片的尺寸为30-100微米。
作为上述方案的改进，LED芯片的尺寸为30-60微米。
作为上述方案的改进，采用红外光显微镜对加热后的LED芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电LED芯片。
作为上述方案的改进，所述LED芯片为倒装LED芯片或垂直LED芯片。
作为上述方案的改进，对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热的方法包括：将LED芯片放在烤盘上，然后将装有LED芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。
作为上述方案的改进，所述烤盘为透明烤盘。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明将LED芯片进行加热，其中，有缺陷的LED芯片(漏电LED芯片)经高温加热后，放电放热会聚集在缺陷区域，然后对LED芯片进行红外扫描，由于漏电LED芯片的热量聚集在缺陷区域，LED芯片自发光谱，通过红外扫描，就可以检测出哪些LED芯片存在缺陷，从而检测出漏电LED芯片。具体的，在显示界面上漏电LED芯片的地方会显示颜色，正常LED芯片的扫描显示区域为黑白色。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，准确率高。
附图说明
图1是本发明一种漏电LED芯片的检测方法流程图；
图2是本发明LED芯片加热后放电与放热聚集在缺陷区域的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，图1是本发明一种漏电LED芯片的检测方法流程图，本发明提供的一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；
S102、采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。
由于一般LED芯片的外延层是采用金属氧化物化学气相沉积法(MOCVD)形成的，具体是三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝等反应物在腔体内部进行气体化学反应及表面反应，以高温气体解离反应生成三族Ga及五族N原子，进而在蓝宝石衬底上生成固态氮化镓。蓝宝石衬底的主要成分是Al2O3，Al2O3和GaN的晶格不匹配度达到14％，所以氮化镓与蓝宝石衬底之间存在晶格不匹配问题，外延生长完成后外延层会存在缺陷，缺陷会导致LED芯片漏电。
本发明将LED芯片进行加热，其中，有缺陷的LED芯片(漏电LED芯片)经高温加热后，放电放热会聚集在缺陷区域，然后对LED芯片进行红外扫描，由于漏电LED芯片的热量聚集在缺陷区域，LED芯片自发光谱，通过红外扫描，就可以检测出哪些LED芯片存在缺陷，从而检测出漏电LED芯片。具体的，在显示界面上漏电LED芯片的地方会显示颜色，正常LED芯片的扫描显示区域为黑白色。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，准确率高。
具体的，LED芯片的加热温度为100-650℃。当加热温度小于100℃，温度过低，聚集在LED芯片缺陷区域的热量较少，红外扫描之后，显示界面上不容易显示出颜色。由于一般LED芯片量子阱的形成温度为680℃左右，若果LED芯片的加热温度大于650℃，容易破坏量子阱的结构，影响芯片发光。优选的，LED芯片的加热温度为300-600℃。
更佳的，LED芯片的加热温度为500-600℃。参见图2，在这个加热温度范围，LED芯片的放电放热聚集在缺陷区域的尖端，经过红色扫描时更容易被检测出来。
由于大尺寸的LED芯片可以采用点测机来进行漏电检测，而小尺寸的Micro LED不能。优选的，本发明LED芯片的尺寸为30-100微米。当LED芯片的尺寸小于30微米时，LED芯片在加热时容易被损伤。更优的，LED芯片的尺寸为30-60微米。
优选的，本发明的LED芯片为倒装LED芯片或垂直LED芯片。由于这两种类型的LED芯片对点测机的要求更高，而本发明的检测方法也适用于这两类的LED芯片。
具体的，采用红外光显微镜对加热后的LED芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电LED芯片。进一步地，本发明采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的地方为漏电LED芯片。
本发明对LED芯片的加热方法可以是电加热、红外加热、电磁加热等。
具体的，本发明对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热的方法包括：将LED芯片放在烤盘上，然后将装有LED芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。本发明将LED芯片放在烤箱内进行加热，可以使芯片加热得更加均匀，使得热量更加集中地聚集在缺陷区域，提高漏电LED芯片的检测精度。进一步地，所述烤盘为透明烤盘，便于红外线直接穿过烤盘，提高加热效果。此外，加热后LED芯片不需要进行转移，可以连同透明烤盘一起进行红外扫描，操作简单，提高效率。
下面以具体实施例来阐述本发明
实施例1
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为90微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例2
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例3
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为40微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例4
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为30微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为600℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例5
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为500℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例6
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为400℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为100％。
实施例7
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为300℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有98颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为98％。
实施例8
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为200℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有93颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为93％。
实施例9
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为100℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有100颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为90％。
对比实施1
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为80℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有60颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为60％。
本实施有100颗LED芯片不能被扫描到，检测率为60％。
对比实施2
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在透明烤盘上，将烤盘和LED芯片放在烤箱内进行加热，加热温度为700℃；
S102、采用Emmi显微镜来对加热后的LED芯片进行扫描，扫描后显示红色的LED芯片有200颗。
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例有100颗LED芯片因为高温加热而发生漏电。
对比实施3
一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：
S101、将1000颗尺寸为50微米的LED芯片放在点测机上进行漏电检测，点测机显示出只有10颗LED芯片漏电；
其中，1000颗LED芯片中有100颗为漏电LED芯片，本实施例漏电LED芯片的检测率为10％。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；
采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。
2.如权利要求1所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，LED芯片的加热温度为100-650℃。
3.如权利要求2所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，LED芯片的加热温度为300-600℃。
4.如权利要求3所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，LED芯片的加热温度为500-600℃。
5.如权利要求1所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，LED芯片的尺寸为30-100微米。
6.如权利要求5所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，LED芯片的尺寸为30-60微米。
7.如权利要求1所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，采用红外光显微镜对加热后的LED芯片进行扫描，红外光显微镜上显示颜色的地方为漏电LED芯片。
8.如权利要求1所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，所述LED芯片为倒装LED芯片或垂直LED芯片。
9.如权利要求1所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热的方法包括：将LED芯片放在烤盘上，然后将装有LED芯片的烤盘放在烤箱内进行加热。
10.如权利要求9所述的漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，所述烤盘为透明烤盘。
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