CN106179179B - 一种二氧化碳吸附剂、二氧化碳吸附装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种二氧化碳吸附剂、二氧化碳吸附装置及其制造方法，所述二氧化碳吸附剂，按重量份计包括：氧化钛20～60份；氧化铝30～70份；氧化镁10～50份；该吸附剂对笑气中的二氧化碳进行高效吸附，纯化笑气；所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，包括1)在水热釜中放入去离子水；2)钛盐、铝盐和镁盐加入水热釜中；3)将改性剂配制为盐溶液，然后加入水热釜中；4)将空白的填充层放入水热釜中，进行水热处理；5)将填充层取出，得到吸附剂填充层；6)将吸附剂填充层安装在二氧化碳吸附装置的过滤通道上；该制造方法在填充层上均匀附着纳米级的二氧化碳吸附剂，使吸附剂填充层具有高效的二氧化碳吸附性能。

Description

一种二氧化碳吸附剂、二氧化碳吸附装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种二氧化碳吸附剂、二氧化碳吸附装置及其制造方法，属于气体过滤提纯技术领域。
背景技术
在中国的笑气应用市场中，最大的客户群体为液晶面板行业，该行业需求的均是5N高纯笑气。目前主流的液晶面板厂均在研究更高水平的显示技术，而LTPS以及Oxide两大技术已经开始在国外主流工厂开始量产，目前中国国内还处于研发或试生产阶段，而这两种工艺，均需要大量使用高纯笑气，而原本的液晶面板工艺几乎不使用，所以促进了笑气应用的大爆发。
其他亚太地区的应用主要在韩国，中国台湾地区以及日本。韩国拥有世界第一以及第三的液晶面板工厂即三星以及LG公司；台湾拥有世界第2以及第4的群创(富士康)以及友达，并在世界前10的液晶面板工厂中有4家工厂是在台湾；日本地区有老牌的夏普。日本的公司虽然生产能力较小但是技术实力领先，这三个地区加上中国基本上就占有目前全世界制造液晶面板显示器的九成五以上了。
由以上分析看出，在未来5N高纯笑气的市场需求量是非常巨大的，并且主要都在中国地区或中国附近。所以，5N高纯笑气的过滤和纯化工艺，是非常值得研究的方向。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的第一个目的在于提供一种二氧化碳吸附剂，该吸附剂以氧化钛、氧化铝和氧化镁为主体材料，对笑气中的二氧化碳进行高效吸附，纯化笑气。
实现本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到：一种二氧化碳吸附剂，按重量份计包括以下成分：
氧化钛 20～60份；
氧化铝 30～70份；
氧化镁 10～50份。
作为优选，所述二氧化碳吸附剂还包括改性剂；所述改性剂包括锶、铟、磷和砷中的至少一种。
再优选地，所述改性剂按总二氧化碳吸附剂的重量份计，包括：
再优选地，所述改性剂按总二氧化碳吸附剂的重量份计，包括：
本发明的第二个目的是为了提供一种二氧化碳吸附装置，将笑气通入吸附装置，装置中的吸附剂填充层高效吸附二氧化碳，纯化笑气。
实现本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到：一种二氧化碳吸附装置，包括进气口、出气口、过滤通道和至少一个吸附剂填充层；所述吸附剂填充层设置在过滤通道中；所述吸附剂填充层上附着有如上述的二氧化碳吸附剂。
本发明的第三个目的是为了提供一种如上所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，该制造方法在填充层上均匀附着纳米级的二氧化碳吸附剂，使吸附剂填充层具有高效的二氧化碳吸附性能，可将吸附剂填充层灵活安装到二氧化碳吸附装置中使用。
实现本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到：一种如上所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，包括以下步骤：
1)在水热釜中放入水热釜容积的65～90％的去离子水；
2)将钛盐、铝盐和镁盐加入水热釜中，并搅拌均匀；
3)将改性剂配制为盐溶液，然后加入水热釜中；
4)将空白的填充层放入水热釜中，盖合水热釜后，置于温度为110～160℃的条件下进行水热处理40～70min；
5)将经步骤4)处理的水热釜冷却，取出填充层，得到吸附剂填充层；
6)将步骤5)得到的吸附剂填充层安装在二氧化碳吸附装置的过滤通道上，得到二氧化碳吸附装置。
作为优选，步骤3)中，将改性剂的盐溶液加入水热釜至水热釜中总溶液的体积为水热釜容积的70～95％。
作为优选，步骤4)中，所述温度为150℃。
作为优选，所述填充层为金属丝网填料。
作为优选，所述二氧化碳吸附装置为二氧化碳吸附柱。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
1、本发明的二氧化碳吸附剂以氧化钛、氧化铝和氧化镁作为主体材料，对二氧化碳气体具有较好的吸附性能，吸附过程不产生副产物，可通过将改性剂以相应比例加入主体材料中，增强了主体材料的表面势能，进一步提高二氧化碳吸附剂的吸附效率；
2、本发明的二氧化碳吸附装置的制造方法，把纳米级的主体材料和改性剂均匀附着在填充层上，再把一层或多层的吸附剂填充层安装到二氧化碳吸附装置中，使用灵活方便，适用于多种纯化场合；
3、本发明利用加热促进水分子布朗运动，将吸附剂分散均匀，得到的吸附剂为纳米结构，具有较大的比表面积，孔径分布均匀，具有较好的热稳定性，能牢固稳定地附着在填充层上。
具体实施方式
下面，结合具体实施方式，对本发明做进一步描述：
一种二氧化碳吸附剂，按重量份计包括以下成分：
氧化钛、氧化铝和氧化镁作为主体材料具有多孔物理形态，对二氧化碳气体具有高吸附性能，一般的混合气体中还掺杂水分，氧化物和二氧化碳在有水分的气体中进行化学反应，将二氧化碳吸附，吸附时不产生副产物，然后通过改性剂：锶、铟、磷和砷元素的加入，改性剂在氧化钛、氧化铝和氧化镁的表面形成活性中心，增大了氧化钛、氧化铝和氧化镁的表面势能，进一步提高了主体材料对二氧化碳的吸附效率；其中对加入的锶、铟、磷和砷的加入量的把控要求高，需要根据主体材料及其配比和制造条件对成分的影响进行设置，如果加入过量，会形成新的半导体氧化物，改变了吸附剂的性能。
将上述的二氧化碳吸附剂应用于二氧化碳吸附装置，该二氧化碳吸附装置包括进气口、出气口、过滤通道和至少一个吸附剂填充层；所述吸附剂填充层设置在过滤通道中；所述吸附剂填充层上附着有如上所述的二氧化碳吸附剂。
上述二氧化碳吸附装置，通过以下制造方法获得：
1)在水热釜中放入水热釜容积的65～90％的去离子水；
对去离子水体积的设定，保证水热釜的上部有蒸汽空间，维持水热釜中进行水热反应时的压力；
2)将钛盐、铝盐和镁盐加入水热釜中，并搅拌均匀；
3)将锶、铟、磷和砷配制为盐溶液，然后加入水热釜，至水热釜中总溶液的体积为水热釜容积的70～95％；
所述钛盐、铝盐和镁盐包括但不限于氯盐，例如四氯化钛、三氯化铝和氯化镁；还可以是硝酸盐或硫酸盐；
所述锶、铟、磷和砷的盐溶液包括但不限于氯盐，例如氯化锶、三氯化铟、五氯化磷和三氯化砷；还可以是硝酸盐或硫酸盐；
4)将空白的填充层放入水热釜中，盖合水热釜后，置于温度为110～160℃的条件下进行水热处理40～70min；
水热釜中的水热反应在压力、温度和时间的条件下进行，其中钛盐、铝盐和镁盐在水热釜中形成氧化物，氧化物和改性剂元素锶、铟、磷和砷共同形成均匀的组合物，在水热釜中，粒子的流动性强，最后大量附着在填充层中，形成高密度的吸附剂填充层；
5)将经步骤4)处理的水热釜冷却，取出填充层，得到吸附剂填充层；
6)将步骤5)得到的吸附剂填充层安装在二氧化碳吸附装置的过滤通道上，得到二氧化碳吸附装置。
实施例1～3按表1准备原料：
表1实施例1～3的原料重量份
并根据表2所示的参数调整制造方法进行二氧化碳吸附装置的制造：
表2实施例1～3的制造条件
将通过实施例1～3获得的二氧化碳吸附装置用于笑气中二氧化碳的吸附，二氧化碳吸附装置的过滤通道中装有两层吸附剂填充层，将笑气从二氧化碳吸附装置的进气口一次通入，然后从出气口排出，检测通入前和通入后的笑气中的二氧化碳含量，检测结果如表3所示：
表3实施例1～3的二氧化碳吸附检测结果
二氧化碳含量 实施例1 实施例2 实施例3
通入前 0.2％ 0.3％ 0.2％
通入后 0.001％ 0.0002％ 0.0005％
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种二氧化碳吸附剂，其特征在于：按重量份计包括以下成分：
氧化钛 20～60份；
氧化铝 30～70份；
氧化镁 10～50份；
所述二氧化碳吸附剂还包括改性剂；所述改性剂包括锶、铟、磷和砷；
所述改性剂按总二氧化碳吸附剂的重量份计，包括：
2.如权利要求1所述的二氧化碳吸附剂，其特征在于：所述改性剂按总二氧化碳吸附剂的重量份计，包括：
3.一种二氧化碳吸附装置，其特征在于：包括进气口、出气口、过滤通道和至少一个吸附剂填充层；所述吸附剂填充层设置在过滤通道中；所述吸附剂填充层上附着有如权利要求1-2任一所述的二氧化碳吸附剂。
4.一种如权利要求3所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在水热釜中放入水热釜容积的65～90％的去离子水；
2)将钛盐、铝盐和镁盐加入水热釜中，并搅拌均匀；
3)将改性剂配制为盐溶液，然后加入水热釜中；
4)将空白的填充层放入水热釜中，盖合水热釜后，置于温度为110～160℃的条件下进行水热处理40～70min；
5)将经步骤4)处理的水热釜冷却，取出填充层，得到吸附剂填充层；
6)将步骤5)得到的吸附剂填充层安装在二氧化碳吸附装置的过滤通道上，得到二氧化碳吸附装置。
5.如权利要求4所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，其特征在于：步骤3)中，将改性剂的盐溶液加入水热釜至水热釜中总溶液的体积为水热釜容积的70～95％。
6.如权利要求4所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，其特征在于：步骤4)中，所述温度为150℃。
7.如权利要求4所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，其特征在于：所述填充层为金属丝网填料。
8.如权利要求4所述的二氧化碳吸附装置的制造方法，其特征在于：所述二氧化碳吸附装置为二氧化碳吸附柱。
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