CN106165108A - 光传感器装置 - Google Patents

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Abstract

为了提供不损害小型化、薄型化而提高器件的可靠性的高可靠性光传感器装置,设为以下构成。将以下盖体与具有空腔的元件安装部3粘附嵌合而构成光传感器装置,所述盖体由通过调整组成而具有与视感度特性近似的物性的磷酸盐类玻璃的窗2和具有遮光性的磷酸盐类玻璃的框1构成,其是将单片化的具有视感度特性的磷酸盐类玻璃埋入在设置为具有遮光性的磷酸盐类玻璃1空腔尺寸程度的开口部位进行熔融而一体化的夹层玻璃体。

Description

光传感器装置
技术领域
本发明涉及使用磷酸盐类玻璃的光传感器装置。
背景技术
由于搭载有以往所没有的新功能的电子设备或家电制品、车载制品等,近年来的生活环境的便利性越发提高。作为这样的背景之一,可以说补充人类具有的五感功能的传感器功能的作用巨大。预计这些制品今后会在多个领域显著扩展。传感器多为使用半导体的传感器,以压力传感器、流量传感器、人感传感器、照度传感器、测距传感器等为代表,多种多样的传感器得到制品化。
其中包含照度传感器在内的光传感器得到大量使用,由于对从办公或家庭用的照明器具到便携终端、个人计算机等伴有低耗电量的用途的搭载增加而显著普及。搭载有这样的传感器零件的制品具有优选应用的多样化、功能的丰富性、富于便携性的设计等的特征,无一例外地要求小型化、薄型化、低成本以及高可靠性,其中关于封装体的要求占据大量的比例。因此,在封装体的开发中以往技术的应用和新的尝试变得更为重要。
图7是封装的光传感器的截面图的一个实例。向通过金属化形成有配线图案21的绝缘性基板22上安装光传感器元件24,在光传感器元件24的周围使透光性环氧树脂29模塑(专利文献1的图2)。封装体由以下结构形成,所述结构中,用透光性的环氧树脂将光传感器元件的周围模塑,在透光性的环氧树脂的外侧表面、在光传感器元件正上方向的平坦面,呈层状地重叠设置使用截断红外光的组成的树脂23。
在安装的光传感器元件24中使用受光传感器元件。利用金属化得到的配线图案21通过导线25与在光传感器元件24上面设置的电极电气连接,用作向外部的连接端子。由向受光光传感器元件入射的光产生的电动势经由导线25传导至外部连接端子。从外部沿光传感器元件的正上方向入射的光被树脂23截断红外光而在透光性环氧树脂中透过,因而光传感器元件可接受与人类固有的视感度特性接近的光。
但是,专利文献1所记载的封装体结构中,只在将元件周围模塑的透光性树脂的外侧表面的元件正上方设置截断红外光的组成的树脂,因此对于从斜向入射的光或从横向入射的光,元件无法截断红外光从而无法接受具有反映视感度特性的特性的光。因此,对于从横向或斜向入射的光变得难以得到充分的视感度特性,难以得到高受光特性。
另外,封装体是只用具有透光性的透明环氧树脂将元件周围模塑而成的结构。已知透光透明的环氧树脂不耐热、水分,因热而发生树脂的变色,由此透过率降低,因此从外部入射的光衰减,由此元件所接受的光强度也降低,导致受光灵敏度降低。另外,树脂因热而脆化,在与元件之间容易产生剥离或裂纹,从外部入射的光衰减,导致元件所接受的光强度降低和受光灵敏度降低。
另外,透光透明的环氧树脂容易因水分的影响而溶胀,溶胀的树脂的强度容易降低,有模塑的树脂因从外部的冲击而变形、破坏之虞。另外,树脂的粘附性因水分的影响而降低,水分变得容易从树脂与元件的界面渗入。在与树脂的粘附面存在水分的情况下,树脂的粘附性显著降低,导致产生树脂与元件的界面剥离。此外,由于水分因加热而急剧蒸发,所以除了产生爆米花(popcorn)现象从而界面剥离扩大以外,还伴有树脂裂纹的产生。由此,在从外部入射的光衰减从而导致元件所接受的光强度降低的同时,导致模塑树脂的部分破坏等,难以得到高可靠性。
另外,由于在透光透明的模塑树脂的外表面设置的截断红外光的树脂也是树脂类染料,所以同样地有因热、水分而容易对树脂的特性降低产生影响之虞。通常指出,特别是在通过树脂的组成或结构来设置截断红外光的特有性质的树脂的情况下,对于热或水分等外部因素,有可列举出染料脱落的产生等的特性不稳定的倾向。由于将元件周围模塑的透光透明性树脂和截断红外光的树脂这两者都会劣化,因而存在多种对可靠性造成影响的树脂因素,难以得到高可靠性。
此外,通过进行封装体的小型化、薄型化,模塑树脂进一步薄壁化。由此,在变得更容易产生所述树脂的剥离、裂纹、变色等的同时,也伴有机械强度的降低、容易变形,因此容易导致封装体的可靠性越发降低。
其中,使用树脂以外的物质得到视感度特性的方法、未通过树脂将元件周围模塑使用的中空结构的封装体部分地得到实际应用。在使用可靠性比树脂类染料高的物质得到视感度特性的方法的情况下,不再有树脂的劣化或剥离、裂纹等的树脂因素所伴有的视感度特性的变化或元件受光灵敏度的降低,实现长期的特性的稳定。另外,通过制成未将元件周围用树脂进行模塑的中空结构,不再受到由树脂产生的应力,也可消除对元件的应力破坏或导线断线之类的大幅损害作为制品的功能的要素,可导致实现具有高可靠性的封装体。
先前技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-36264号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
因此,本发明的课题在于,在新制备具有高可靠性且具有视感度特性的组成的玻璃的同时,使用得到的新玻璃,提供作为封装体也可小型化的、具有可靠性高的中空结构的光传感器装置。
解决课题的手段
在本发明的光传感器装置中,通过以下封装体构成,其中,使用调整为特有组成的具有视感度特性的磷酸盐类玻璃制成盖体,并且包含由得到的盖体覆盖的具有空腔的元件安装部;盖体由以下结构构成,其中,在安装于元件安装部的元件的正上部分配置具有视感度特性的磷酸盐类玻璃,且用具有以2%以下吸收从紫外光至可见光、红外光的波长的光的遮光性的磷酸盐类玻璃构成其周围。关于盖体,制成预先在晶片状的具有遮光性的磷酸盐类玻璃上将中央部开口的结构,并制成向开口部位埋入单片化的具有视感度特性的磷酸盐类玻璃,进行熔融而一体化的夹层玻璃体,由此制成盖体。由此,相对于使用树脂截断红外光得到视感度特性的结构,可消除树脂应力,可消灭树脂的变色或剥离、裂纹的产生所伴随的视感度特性的变化或受光灵敏度的降低。
另外,所述具有视感度特性的磷酸盐类玻璃中使用具有以下透过率特性的材料:在透过率的中心峰具有540nm~560nm的波长范围,700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下,300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下。
另外,所述具有遮光性的磷酸盐类玻璃中使用具有300nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的透过率特性的材料。
另外,所述具有空腔的元件安装部使用由树脂、陶瓷、金属、玻璃形成的材料。
发明的效果
本发明的光传感器装置为由使用磷酸盐类玻璃的盖体和具有空腔的元件安装部构成的封装体,其中,使用将具有视感度特性的磷酸盐类玻璃和具有遮光性的磷酸盐类玻璃合在一起一体化而成的盖体,由此可制成能够维持难以受到热或水分等周围环境影响的稳定的视感度特性的可靠性高的封装体。
盖体制成将具有视感度特性的磷酸盐类玻璃与晶片状的具有遮光性的磷酸盐类玻璃组合而成的结构,且向元件正上方向配置具有视感度特性的磷酸盐类玻璃。具有视感度特性的磷酸盐类玻璃具有以下透过率特性:在透过率的中心峰具有540nm~560nm的波长范围,700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下,300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下;为单片化并向具有遮光性的磷酸盐类玻璃埋入而成的结构。具有遮光性的磷酸盐类玻璃由具有300nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的透过率特性的晶片状玻璃形成,预先设置开口部位,制成可向开口部位埋入所述单片化的所述具有视感度特性的磷酸盐类玻璃的结构。
具有视感度特性的磷酸盐类玻璃和具有遮光性的磷酸盐类玻璃通过由调整了特有组成的材料形成而具有光透过特性,因此在可使膨胀系数相同的同时,兼具对高温高湿环境等耐气候性强力的可靠性。由此,从元件正上方向和倾斜方向入射的光中透过具有视感度特性的磷酸盐类玻璃的光向元件入射,另外从比倾斜方向更广角方向入射的光被具有遮光性的磷酸盐类玻璃完全遮光,所以元件可经常稳定地接受可得到视感度特性的光,同时,由于拥有的玻璃组成具有不易产生水合物的高耐气候性,因此可提供可靠性高的光传感器装置。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的半导体装置的构成的截面图。
图2为示意性地表示本发明的半导体装置的构成的正视图。
图3为示意性地表示本发明的半导体装置的构成的截面图。
图4为示意性地表示本发明的半导体装置的构成的截面图。
图5为示意性地表示本发明的半导体装置的构成的截面图。
图6为表示本发明的半导体装置的光谱特性的图。
图7为示意性地表示以往公知的半导体装置的构成的截面图。
具体实施方式
本发明的光传感器装置由以下结构构成:将通过调整组成而具有不同的光透过特性的2种磷酸盐类玻璃合在一起埋入而成的盖体、具有空腔的元件安装部、在元件安装部上通过粘接剂粘着的元件、和在元件的上面设置的电极通过导线向未安装元件的配线表面电气连接,且所述元件以被具有空腔的元件安装部包围的方式固定。在图1中示意性地示出本发明的光传感器装置的截面构成。
盖体由通过对组成进行特有的调整而具有不同的光特性的2种磷酸盐类玻璃构成,元件安装部的正上方向为由具有视感度特性的磷酸盐类玻璃形成的窗,其周围为由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框。晶片状的具有遮光性的磷酸盐类玻璃中预先设置开口部位,通过制成向开口部位埋入具有视感度特性的磷酸盐类玻璃的结构从而一体化。
换算为重量%,具有视感度特性的磷酸盐类玻璃的组成包含:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CuO 3~10%,
7) V2O5 1~5%,
8) NiO 1~5%;
换算为重量%,具有遮光性的磷酸盐类玻璃的组成包含:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CoO 1~5%,
7) CuO 3~10%,
8) V2O5 5~15%,
9) NiO 1~5%。
通过上述组成,与以往的磷酸盐类玻璃相比,制成具有视感度特性、遮光特性和高耐气候性的材料。
具有视感度特性的磷酸盐类玻璃由单片化的材料构成,在晶片状的具有遮光性的磷酸盐类玻璃上预先设置开口部位,构成向开口部位埋入所述单片化的磷酸盐类玻璃并通过加热从而熔融一体化而成的夹层玻璃体。
具有空腔的元件安装部使用由树脂、陶瓷、金属、玻璃、硅形成的部件。
具有空腔的元件安装部制成将空腔的上面和玻璃盖体粘附嵌合而成的中空结构。
实施例1
以下基于附图说明本实施例的光传感器装置的构成。
图1为本实施例的光传感器装置12的示意图。图1为光传感器装置12的纵截面图。图2为光传感器装置12的正视图。通过在具有空腔的元件安装部3的上面粘附嵌合以下盖体从而形成中空结构,所述盖体是将由具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃形成的窗2组装到将其周围包围的由具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃形成的框1中作为夹层玻璃体一体化而成。具有空腔的元件安装部3为嵌合有引线框6a、6b的结构。引线框6a、6b的一部分向空腔的有底部露出表面,经由空腔向外部露出的另外的引线框作为外部端子起作用。在空腔有底部有元件支架部,在其中央通过粘接剂7粘着元件4。
在这里,由磷酸盐类玻璃构成的盖体由窗2和框1构成,所述窗2由具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃形成,所述框1由具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃形成,在晶片状的磷酸盐类玻璃上预先设置开口部位,形成埋入有单片化的所述磷酸盐类玻璃而成的结构。
构成窗2的第1磷酸盐类玻璃具有如下所示的视感度特性,换算为重量%,其组成由以下构成:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CuO 3~10%,
7) V2O5 1~5%,
8) NiO 1~5%。
由于该组成,可以在具有视感度特性的同时,也具有比以往的磷酸盐类玻璃高的耐气候性,所述视感度特性具有以下特性:在透过率的中心峰具有540nm~560nm的波长范围,700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下,300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下。在图6中示出得到的视感度特性的光谱。
将表示该组成的有效性的本实施例和比较例的比较结果示出于表1中。虽然是相对评价,但可确认通过基于表1中的本实施例的本实施例A的组成和添加量,可使图6所示的视感度特性和高耐候性并存。在比较实验中发现比较例B中BaO的不存在、或比较例C或D中B2O3或SiO2的存在造成不优选的影响。
[表1]
组成/添加量(%) 本实施例A 比较例B 比较例C 比较例D
P2O5 40~60 50~70 40~60 40~60
BaO 20~40
B2O3 1~10
SiO2 1~5
(Al2O3+La2O3+Y2O3) 1~8 10~30 10~30
(ZnO+MgO+CaO+SrO) 1~15 1~15 1~10
(Li2O+Na2O+K2O) 1~15 1~15 10~30 10~30
CuO 3~10 3~10 3~10 3~10
V2O5 1~5 1~5 1~5 1~5
NiO 1~5 1~5 1~5 1~5
视感度特性 ×
耐气候性 × ×
另外,构成框1的第2磷酸盐类玻璃为了具有以下遮光特性,所述遮光特性具有300nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的特性,换算为重量%,其组成由以下构成:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CoO 1~5%,
7) CuO 3~10%,
8) V2O5 5~15%,
9) NiO 1~5%。
通过将如上所述的2种磷酸盐类玻璃夹层玻璃化并组装,使得以膨胀系数为代表的物性近似,在制成磷酸盐类玻璃组装而成的夹层玻璃体的情况下膨胀系数的差异不再成为问题,可得到拥有同样的高耐气候水平的一体化的夹层玻璃的盖体。
另外,盖体设为以下结构:在安装于具有空腔的元件安装部3的有底部中央的光传感器元件4的正上方向中心,配置并组装采用空腔上部内径以下的尺寸、由第1磷酸盐类玻璃形成的窗2。由此,可透过由具有视感度特性的磷酸盐类玻璃形成的窗2并由光传感器元件受光的受光角范围不只是正上方向,对于来自广角化的角度范围的光,也可有效地接受透过视感度特性的光,可大幅提高受光特性的角度依赖性。
另外,盖体中,在晶片状的具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃上设置开口部位,埋入具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃,熔融一体化而制成夹层玻璃体,由此,由具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃形成的窗2中在将玻璃单片化的情况下产生的切断面消失。在切断面存在微小的凹凸,且在残留凹凸的状态下组装时,在进行埋入的情况下在玻璃间容易产生空气层。在产生空气层的情况下,由于光反射,所以空气层的残留界面状态不令人满意,对于外来光,变得难以得到具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃与具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃的吸收波长特性的彻底的转换特性。另外,通过不残留空气层,可防止在加热的情况下空气膨胀而在玻璃上产生裂纹或剥离。
对开口部位的形成方法进行说明。关于在晶片状的具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃上设置的开口部位,向设置有突起的模具中设置晶片状态的遮光性玻璃,并在施加负荷的状态下投入软化温度环境中。在取出后,研磨形成有凹陷的遮光性玻璃从而制成开口部位。或者,对晶片状态的遮光性玻璃施加掩模,达到使形成开口部位的部分露出的状态,然后通过蚀刻来设置开口部位。由此,开口部位的厚度方向的露出表面不会成为断裂面,切断的面也不会残留各种细小的凹凸。由此,在埋入具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃2的情况下,可使得空气难以卷入界面中。
另外,为了形成向在具有遮光性的磷酸盐类玻璃上设置的开口部位埋入的具有视感度特性的磷酸盐类玻璃,通过切割(dicing)或线锯将铸锭制成晶片状态,然后通过切割或线锯将晶片单片化为容纳于开口部位的尺寸。将单片化的具有视感度特性的磷酸盐类玻璃设置在晶片状的具有遮光性的磷酸盐类玻璃上设置的开口部位,在施加负荷的状态下投入软化温度环境中。具有遮光性的磷酸盐类玻璃和具有视感度特性的磷酸盐类玻璃处于软化温度接近的温度范围,通过为施加负荷的状态,上述玻璃可在逐渐软化的状态下缓慢地向开口部位内变形流动,熔融一体化。
另外,具有视感度特性的磷酸盐类玻璃在通过切割或线锯而从晶片状态单片化后,投入软化温度下限程度的环境中,由此缓和在加工面残留的凹凸、碎片等,从而可提高埋入时玻璃界面的气密性。
另外,由于盖体由玻璃构成,所以与由树脂等构成的盖体相比,对热或水分等环境具有高可靠性。由此,特性的变化可长时间不变化。另外,在变更玻璃的厚度、尺寸的情况下自由度也高,在对封装体进行薄型化或小型化设计的情况下,通过玻璃研磨厚度的调整或单片化尺寸的变更可容易地应对。
实施例2
图3为本实施例的光传感器装置12的截面图。除了包含具有空腔的元件安装部3和盖体(通过由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框1、和在其开口部位埋入由具有视感度特性的磷酸盐类玻璃形成的窗2的结构构成)的与上述图1同样的光传感器装置以外,通过粘接剂粘着有光传感器元件4的元件安装部分包含支架部11,所述支架部11由具有放热性的材质形成,支架部11制成将粘着有元件4的面的相反侧即背面向外部露出的形状。由此,可经由支架部11将元件4中产生的热向外部放热。
实施例3
图4为本实施例的光传感器装置12的截面图。制成由具有空腔的元件安装部3和玻璃盖体构成的中空结构,所述玻璃盖体是在粘附嵌合的盖体中、由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框1和在其开口部位组装的由磷酸盐类玻璃形成的窗中组装以下部件制成夹层玻璃体并一体化而成的玻璃盖体,所述部件是将700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的吸收红外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃9和300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下的吸收紫外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃10重叠而成的玻璃单片化而得到的。
在这里,由磷酸盐类玻璃构成的盖体由以下结构的玻璃和框1构成,所述结构是将吸收红外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃9与吸收紫外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃10重叠而成,所述框1由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成;预先在上述由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框上设置开口部位,形成将所述磷酸盐类玻璃9和10重叠在一起并单片化而得到的部件埋入开口部位而成的结构。在这里,将所述磷酸盐类玻璃9和所述磷酸盐类玻璃10重叠的顺序无特殊限制。
磷酸盐类玻璃9为了吸收红外光波长区域的光,700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下,换算为重量%,其组成由以下构成:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CoO 1~5%,
7) CuO 3~10%,
8) V2O5 5~15%,
9) NiO 1~5%。
另外,磷酸盐类玻璃10为了吸收紫外光波长区域的光,300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下,换算为重量%,其组成由以下构成:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CuO 3~10%,
7) V2O5 1~5%,
8) NiO 1~5%。
通过该组成,所述磷酸盐类玻璃9、10可拥有上述光透过特性和高耐气候性。在图6中示出得到的视感度特性的光谱。纵轴为透过率,横轴为波长。虽然所述磷酸盐类玻璃9和10以及具有遮光性的磷酸盐类玻璃吸收的波长范围不同,但由于通过使用磷酸盐类玻璃而变更组成来构成,所以使得以膨胀系数之差为代表的物性近似,作为夹层玻璃体一体化而成的盖体不产生裂纹或剥离,也可同时具有比以往的磷酸盐类玻璃高的耐气候性。
另外,将700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的吸收红外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃9和300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下的吸收紫外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃10重叠而成的夹层玻璃通过以下方法来夹层玻璃化:在将通过研磨而高度平坦化的玻璃晶片彼此重叠在一起后,施加负荷,投入设为真空气氛内或氮气气氛内的软化温度气氛炉中。另外,可通过以下方法来夹层玻璃化:对研磨后的玻璃晶片实施使用酸的药品处理并进行干燥和退火,将达到活化状态的玻璃晶片彼此重叠在一起,设为施加负荷的状态,投入设为真空或氮气气氛内的高温炉中。
另外,将所述磷酸盐类玻璃9和10重叠而成的夹层玻璃也可通过以下方法来夹层玻璃化:在通过研磨而高度平坦化后,实施使用酸的药品处理,在进行干燥和退火后,通过粘接剂将玻璃晶片彼此重叠在一起并固化。另外,粘接剂也可使用将偶联剂稀释而得到的材料,在这种情况下,在可形成极薄的粘接层的同时,可达成具有高粘接力的夹层玻璃化。
将所述磷酸盐类玻璃9和19重叠而成的夹层玻璃通过切割或线锯而被单片化为埋入尺寸,埋入在所述由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框1上设置的开口部位并熔融一体化,制成玻璃盖体。
实施例4
图5为本实施例的光传感器装置12的截面图。除了具有空腔的元件安装部3、且粘附嵌合的盖体具有将700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的吸收红外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃9和300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下的吸收紫外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃10重叠而成的玻璃单片化所得部件埋入在由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框1上设置的开口部位的结构的上述图3的光传感器装置以外,通过粘接剂粘着有元件4的元件安装部分包含支架部11,所述支架部11由具有放热性的材质形成,支架部11制成将粘着有元件4的面的相反侧即背面向外部露出的形状,使得可经由支架部11将元件4中产生的热向外部放热。
产业上的可利用性
在使用将盖体与具有空腔的元件安装部粘附嵌合而成的封装体的光传感器装置中,通过制成在盖体中使用兼具视感度特性和高耐气候性的夹层玻璃化的磷酸盐类玻璃的中空结构,具有难以受到热或水分等的影响的视感度特性和高可靠性。另外,受光元件接受的光的视感度特性不只是元件正上方向,范围可扩大至包含倾斜方向在内的广角,可大幅改善角度依赖性。
另外,由于磷酸盐类玻璃为在视感度特性方面具有使紫外区波长的光和红外区波长的光为3%~2%以下的透过率特性的同时、具有高耐气候性的组成,所以紫外波长和红外波长的吸收率比通过树脂而具有视感度特性的材料高,除了可得到良好的视感度特性以外,也难以受到周围环境的影响从而经时变化也少,因此可提供特性的降低极少的光传感器装置,因而可有助于向以电视机或家电制品、便携终端为代表的、甚至照顾到用于环境更苛酷的车载或室外用途的搭载光传感器装置的设备的供给。
符号说明
1 盖体的由具有遮光性的磷酸盐类玻璃形成的框
2 盖体的由具有视感度特性的磷酸盐类玻璃形成的窗
3 具有空腔的元件安装部
4 光传感器元件
5 导线
6a、6b、6c、6d 引线框
7 元件的粘接剂
8 盖体的粘着剂
9 吸收红外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃
10 吸收紫外光波长区域的光的磷酸盐类玻璃
11 具有放热性的光传感器元件支架部
12 光传感器装置

Claims (7)

1. 光传感器装置,其是具有将盖体与具有空腔的元件安装部粘附嵌合而成的中空结构的光传感器装置,其特征在于,具有:
在所述元件安装部的有底部放置的光传感器元件,和
引线框,所述引线框的一端在所述空腔内露出,另一端在所述元件安装部的外侧引出而形成外部端子;
所述盖体和所述元件安装部由磷酸盐类玻璃形成,
所述盖体由窗和框构成,所述窗由具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃形成,所述框由具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃形成,所述盖体是在所述元件安装部的中央正上方向、将由具有视感度特性的所述第1磷酸盐类玻璃形成的窗埋入将周围包围的由具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃形成的框中并一体化而成的结构。
2.权利要求1所述的光传感器装置,其特征在于,所述盖体由夹层玻璃体构成,所述夹层玻璃体是向在晶片状的所述具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃上设置的开口部位、埋入将所述具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃单片化而得到的玻璃并进行熔融一体化而成的夹层玻璃体。
3.权利要求1或2所述的光传感器装置,其特征在于,所述具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃具有以下特性:在透过率的中心峰具有540nm~560nm的波长范围,700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下,且300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下;所述具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃具有300nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的特性。
4.权利要求1~3中任一项所述的光传感器装置,其特征在于,所述具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃是由具有在透过率的中心峰具有540nm~560nm的波长范围、700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下、且300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下的特性的1种玻璃形成的单片化玻璃,或者是由700nm~1200nm的波长范围的透过率为2%以下的磷酸盐类玻璃和300nm~430nm的波长范围的透过率为3%以下的磷酸盐类玻璃这2种玻璃重叠而成的单片化玻璃。
5.权利要求1~4中任一项所述的光传感器装置,其特征在于,换算为重量%,所述具有视感度特性的第1磷酸盐类玻璃的组成含有:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CuO 3~10%,
7) V2O5 1~5%,
8) NiO 1~5%。
6.权利要求1~5中任一项所述的光传感器装置,其特征在于,换算为重量%,所述具有遮光性的第2磷酸盐类玻璃的组成含有:
1) P2O5 40~60%,
2) BaO 20~40%,
3) 含有Al2O3、La2O3和Y2O3
进而Al2O3+La2O3+Y2O3 1~8%,
4) 含有ZnO、MgO、CaO和SrO,
进而ZnO+MgO+CaO+SrO 1~15%,
5) 含有Li2O、Na2O、K2O,
进而Li2O+Na2O+K2O 1~15%,
6) CoO 1~5%,
7) CuO 3~10%,
8) V2O5 5~15%,
9) NiO 1~5%。
7.权利要求1~6中任一项所述的光传感器装置,其中,在所述有底部具有用于放置所述光传感器元件的支架部,所述支架部是放置所述光传感器元件的面的相反侧即背面从所述元件安装部向外部露出的形状。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109962041A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 意法半导体有限公司 具有光保护的环境光传感器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI540479B (zh) * 2014-11-21 2016-07-01 群創光電股份有限公司 觸控顯示裝置及其製造方法
CN106380073B (zh) * 2016-08-27 2019-03-29 赵碧华 一种硬质抗冲击型玻璃幕墙材料及其制备方法
WO2018131471A1 (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本電気硝子株式会社 気密パッケージ及びガラス蓋
JP2020072100A (ja) * 2018-10-29 2020-05-07 新日本無線株式会社 紫外線センサの製造方法
JP2022048649A (ja) 2020-09-15 2022-03-28 株式会社デンソー 電子装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001808A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Isuzu Seiko Glass Kk 近赤外線カットガラス
CN101823341A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 住友化学株式会社 用于将液晶聚合物的模制品和玻璃基体彼此熔融结合的方法和由该方法得到的复合制品
JP2012238812A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Seiko Instruments Inc 受光デバイス
CN102854556A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 用于照度传感器的滤光器的制造方法
CN102856396A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 光传感器装置
CN103258833A (zh) * 2012-01-05 2013-08-21 苹果公司 具有光吸收层的图像传感器组件的盖

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ccd半導体装置、その製造方法、及び、ccd半導体装置用パッケージ
JP2007036264A (ja) 2003-01-20 2007-02-08 Sharp Corp 光センサ用透光性樹脂組成物
WO2005022155A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Kabushiki Kaisha Toshiba 発色試薬、濃度測定用キット、濃度測定方法及びそれに用いるセンサチップ
JP4553250B2 (ja) * 2005-02-02 2010-09-29 Hoya株式会社 ガラスの製造方法および赤外カットフィルター
JP5407490B2 (ja) 2008-03-31 2014-02-05 旭硝子株式会社 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス
JP5256388B2 (ja) * 2008-06-17 2013-08-07 株式会社藤商事 弾球遊技機
JP2010040672A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Oki Semiconductor Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2013110307A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Seiko Instruments Inc 半導体素子搭載用パッケージ及びその製造方法
US9154869B2 (en) * 2012-01-04 2015-10-06 Apple Inc. Speaker with a large volume chamber and a smaller volume chamber
EP3041897B1 (en) * 2013-09-03 2017-05-24 Dow Corning Corporation Additive for a silicone encapsulant
JP6429621B2 (ja) * 2014-02-18 2018-11-28 エイブリック株式会社 光センサ装置および光センサ装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001808A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Isuzu Seiko Glass Kk 近赤外線カットガラス
CN101823341A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 住友化学株式会社 用于将液晶聚合物的模制品和玻璃基体彼此熔融结合的方法和由该方法得到的复合制品
JP2012238812A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Seiko Instruments Inc 受光デバイス
CN102854556A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 用于照度传感器的滤光器的制造方法
CN102856396A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 光传感器装置
CN103258833A (zh) * 2012-01-05 2013-08-21 苹果公司 具有光吸收层的图像传感器组件的盖

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109962041A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 意法半导体有限公司 具有光保护的环境光传感器
CN109962041B (zh) * 2017-12-26 2023-10-24 意法半导体有限公司 具有光保护的环境光传感器

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