CN106162477A - 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风 - Google Patents

一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN106162477A
CN106162477A CN201610567162.2A CN201610567162A CN106162477A CN 106162477 A CN106162477 A CN 106162477A CN 201610567162 A CN201610567162 A CN 201610567162A CN 106162477 A CN106162477 A CN 106162477A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal
metal layer
appearance structure
dielectric material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610567162.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106162477B (zh
Inventor
王凯
陈虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Pte Ltd
Original Assignee
AAC Technologies Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Technologies Pte Ltd filed Critical AAC Technologies Pte Ltd
Priority to CN201610567162.2A priority Critical patent/CN106162477B/zh
Publication of CN106162477A publication Critical patent/CN106162477A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106162477B publication Critical patent/CN106162477B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本发明提供了一种埋容结构，其可用于线路板中，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。本发明还提供了埋容结构的制作方法及应用该埋容结构的MEMS麦克风。本发明提供的埋容结构的容值增加并且制作方法简单。

Description

一种埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风
技术领域
本发明涉及一种埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风。
背景技术
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。
而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，与本发明相关的麦克风包括线路板、置于线路板上的控制电路芯片和微机电芯片、与线路板盖接形成收容空腔的外壳。所述线路板中的埋容结构包括一层金属层及一层介电层，此种结构的埋容结构的电容值太低，影响产品的性能。
因此，有必要提供一种埋容结构来解决上述问题。
发明内容
本发明需解决的技术问题是提供一种可以提高产品性能的埋容结构、埋容结构的制作方法和MEMS麦克风。
根据上述需解决的技术问题，设计了一种埋容结构，其可用于线路板中，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。
优选的，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层为铜箔。
优选的，所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层并联作为电容的另一极。
本发明还提供了一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，所述线路板中设有如前所述的埋容结构。
本发明还提供了一种埋容结构的制作方法，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；
S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层；
S3：提供第二介电材料，将所述第二介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的下表面；
S4：将丝印了第二介电材料的第一金属层和第一介电层放入高温炉中烘烤固化，以使得第二介电材料在第一金属层的下表面形成第二介电层；
S5：将上下表面分别设有第一介电层和第二介电层的第一金属层置于电镀液中，从而在第一介电层远离所述第一金属层的表面形成第三金属层，在第二介电层远离所述第一金属层的表面形成第二金属层；
S6：水洗烘干，得到埋容结构。
优选的，所述第一介电材料和第二介电材料均为聚酰亚胺。
优选的，所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。
优选的，在步骤S2中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟,所述第一介电层的厚度为20μm。
优选的，在步骤S4中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第二介电层的厚度为20μm。
本发明的有益效果在于：由于本发明的埋容结构第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层钻孔后并联作为电容的另一极，从而实现电容的并联，最终增加埋容结构的容值。另外，本发明的埋容结构制作过程简单。
附图说明
图1是本发明MEMS麦克风的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明提供了一种MEMS麦克风，其包括壳体10、与所述壳体10盖接形成收容空间的线路板20以及置于所述收容空间中的MEMS芯片31和ASIC芯片32，壳体10上设有入声孔11。
所述线路板20中嵌设有埋容结构201，该埋容结构201从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层223、第一介电层211、第一金属层221、第二介电层212以及第二金属层222。所述第一金属层221、第二金属层222以及第三金属层223为铜箔。所述第一金属层221、第二金属层222以及第三金属层223形成电容，所述第一金属层221接地作为电容的一极，所述第二金属层222和第三金属层223钻孔后并联作为电容的另一极，从而实现电容的并联，最终增加埋容结构201的容值。
本发明还提供了上述埋容结构的制作方法，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层221和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层221的上表面；
S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层221放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层211，其中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第一介电层211的厚度为20μm，在其它实施方式中，所述高温炉的温度、烘烤时间，可以根据所需第一介电层的厚度在调整；
S3：提供第二介电材料，将所述第二介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层221的下表面；
S4：将丝印了第二介电材料的第一金属层221和第一介电层211放入高温炉中烘烤固化，以使得第二介电材料在第一金属层的下表面形成第二介电层212，其中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第二介电层212的厚度为20μm，在其它实施方式中，所述高温炉的温度、烘烤时间，可以根据所需第二介电层的厚度在调整；
S5：将上下表面分别设有第一介电层211和第二介电层212的第一金属层221置于电镀液中，从而在第一介电层211远离所述第一金属层221的表面形成第三金属层223，在第二介电层212远离所述第一金属层221的表面形成第二金属层222；
S6：水洗烘干，得到埋容结构201。
具体的，所述第一介电材料和第二介电材料均为聚酰亚胺。所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。
利用上述方法得到的埋容结构，不但可以简化制作工艺、降低生产成本，还可以使得埋容结构厚度变薄，从而便于MEMS麦克风的微型化发展。
本发明的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本发明所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。

Claims (9)

1.一种埋容结构，其可用于线路板中，其特征在于，所述埋容结构从上到下依次包括堆叠设置的第三金属层、第一介电层、第一金属层、第二介电层以及第二金属层。
2.根据权利要求1所述的埋容结构，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层为铜箔。
3.根据权利要求1所述的埋容结构，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层形成电容，所述第一金属层接地作为电容的一极，所述第二金属层和第三金属层并联作为电容的另一极。
4.一种MEMS麦克风，其包括壳体、与所述壳体盖接形成收容空间的线路板以及置于所述收容空间中的MEMS芯片和ASIC芯片，其特征在于，所述线路板中设有如权利要求1-3中任一权利要求所述的埋容结构。
5.一种埋容结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
S1：提供一第一金属层和第一介电材料，将所述第一介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；
S2：将丝印了第一介电材料的第一金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得第一介电材料在第一金属层的上表面形成第一介电层；
S3：提供第二介电材料，将所述第二介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的下表面；
S4：将丝印了第二介电材料的第一金属层和第一介电层放入高温炉中烘烤固化，以使得第二介电材料在第一金属层的下表面形成第二介电层；
S5：将上下表面分别设有第一介电层和第二介电层的第一金属层置于电镀液中，从而在第一介电层远离所述第一金属层的表面形成第三金属层，在第二介电层远离所述第一金属层的表面形成第二金属层；
S6：水洗烘干，得到埋容结构。
6.根据权利要求5所述的埋容结构的制作方法，其特征在于：所述第一介电材料和第二介电材料均为聚酰亚胺。
7.根据权利要求6所述的埋容结构的制作方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层和第三金属层均为铜箔。
8.根据权利要求5所述的埋容结构的制作方法，其特征在于：在步骤S2中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟,所述第一介电层的厚度为20μm。
9.根据权利要求5所述的埋容结构的制作方法，其特征在于：在步骤S4中，高温炉中的温度为220℃，烘烤时间为20分钟，所述第二介电层的厚度为20μm。
CN201610567162.2A 2016-07-18 2016-07-18 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风 Active CN106162477B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610567162.2A CN106162477B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610567162.2A CN106162477B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106162477A true CN106162477A (zh) 2016-11-23
CN106162477B CN106162477B (zh) 2020-01-03

Family

ID=58059129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610567162.2A Active CN106162477B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106162477B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716480A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 E.I.内穆尔杜邦公司 厚膜电容器、嵌有厚膜电容器的印刷电路板以及这种厚膜电容器和印刷电路板的制备方法
CN101409981A (zh) * 2007-10-09 2009-04-15 欣兴电子股份有限公司 具有内埋式电容及电阻结构的电路板
CN101934619A (zh) * 2010-07-06 2011-01-05 广东生益科技股份有限公司 聚酰亚胺复合膜及使用其制作的埋容电路用双面挠性覆铜板
CN201854504U (zh) * 2010-09-20 2011-06-01 苏州市三生电子有限公司 一种埋容电路板
CN202587371U (zh) * 2012-05-03 2012-12-05 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN202773184U (zh) * 2012-08-24 2013-03-06 苏州市三生电子有限公司 一种埋容、埋阻电路板
CN105228344A (zh) * 2015-09-10 2016-01-06 安捷利（番禺）电子实业有限公司 一种埋入式电容的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1716480A (zh) * 2004-07-01 2006-01-04 E.I.内穆尔杜邦公司 厚膜电容器、嵌有厚膜电容器的印刷电路板以及这种厚膜电容器和印刷电路板的制备方法
CN101409981A (zh) * 2007-10-09 2009-04-15 欣兴电子股份有限公司 具有内埋式电容及电阻结构的电路板
CN101934619A (zh) * 2010-07-06 2011-01-05 广东生益科技股份有限公司 聚酰亚胺复合膜及使用其制作的埋容电路用双面挠性覆铜板
CN201854504U (zh) * 2010-09-20 2011-06-01 苏州市三生电子有限公司 一种埋容电路板
CN202587371U (zh) * 2012-05-03 2012-12-05 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN202773184U (zh) * 2012-08-24 2013-03-06 苏州市三生电子有限公司 一种埋容、埋阻电路板
CN105228344A (zh) * 2015-09-10 2016-01-06 安捷利（番禺）电子实业有限公司 一种埋入式电容的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106162477B (zh) 2020-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN204408626U (zh) Mems麦克风
CN206341428U (zh) Mems麦克风
US9236275B2 (en) MEMS acoustic transducer and method for fabricating the same
CN204993854U (zh) Mems麦克风
CN104507014A (zh) 一种具有褶皱型振动膜的mems麦克风及其制造方法
CN101588529A (zh) 硅基电容麦克风及其制造方法
CN205051874U (zh) Mems麦克风
CN104767916A (zh) 摄像头模组
CN104796588A (zh) 摄像头模组
CN103561376A (zh) Mems麦克风及其制造方法
CN204465695U (zh) 摄像头模组
US9936584B2 (en) Printed circuit board, waterproof microphone and production process thereof
CN204465696U (zh) 摄像头模组
CN102196352A (zh) 硅麦克风的制造方法
CN106162477A (zh) 一种埋容结构、埋容结构的制作方法和mems麦克风
CN104754480A (zh) 微型机电系统麦克风及其制造方法
CN204887466U (zh) Mems麦克风
CN201995118U (zh) 一种振膜及麦克风
CN102014332A (zh) 电容mems麦克风
TW200914365A (en) MEMS device and process
CN106101968B (zh) 一种埋容埋阻结构的制作方法及mems麦克风
US10331026B2 (en) Photographic mask and method for making same
CN104902410A (zh) 一种硅电容式麦克风及其制备方法
US20130075835A1 (en) Micro-electro-mechanical microphone and micro-electro-mechanical microphone chip integrated with filter
CN201639733U (zh) Mems麦克风

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant