CN106158041B - 一种列再次修复方法和装置 - Google Patents
一种列再次修复方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106158041B CN106158041B CN201610548033.9A CN201610548033A CN106158041B CN 106158041 B CN106158041 B CN 106158041B CN 201610548033 A CN201610548033 A CN 201610548033A CN 106158041 B CN106158041 B CN 106158041B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- replacement
- column
- forefront
- resource
- occupied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
Landscapes
- Information Transfer Between Computers (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
Abstract
本发明提供了一种列再次修复方法和装置,其中,所述方法包括:检测步骤,检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:当前列是否之前做过修复判断步骤,当当前列为坏列时,判断当前列是否之前做过修复;映射关系切断步骤,对做过修复的当前列,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;寻找可用替换资源步骤,找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;替换步骤,将所述替换列对应的用于指示其是否已经被占用的信息设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。本发明在对主存储阵列多次检测列坏掉时可以方便地对及时发现的坏掉替换列继续做替换,从而提高修复的可靠性和芯片良率。
Description
技术领域
本发明涉及芯片存储技术领域,特别是涉及芯片中的一种列再次修复方法和装置。
背景技术
非易失性存储器在生产和出厂前的检测过程中由于工艺或者自然环境因素,均可能会导致列出现问题,即使在测试过程中已经对出现问题的坏列做过修复,被修复过的该列还可能再坏掉,这就需要对列进行再修复即多次修复,以提高修复的可靠性和芯片的良率。
现有的对坏列进行修复的方法是:在芯片内部会预设一些冗余列修复资源,测试时经过检测将坏列用冗余列替换掉。如果想实现多次修复,必须对预设的冗余列区域再次遍历检查对错,把新发现错误的冗余列做上坏的标识,然后再进入主存贮阵列区域对列做遍历修复检查,如果还有多余未用的冗余列资源,再用这些资源去替换主存贮阵列区域。这样做增加了测试时间和测试成本。
可见,现有的列修复方法中存在的问题为:不能够支持快速地对替换后坏的替换列再次(多次)进行修复。
发明内容
本发明提供了一种列再次修复方法和装置,用较少时间和资源就可以支持对替换后坏的替换列再次正确修复,提高修复的可靠性和芯片良率。
为了解决上述问题,本发明公开了一种列再次修复方法,包括:
检测步骤,检测主存储阵列中的当前列是否正常,其特征在于,还包括:
当前列是否之前做过修复判断步骤,当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断步骤,判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源步骤,在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换步骤,将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断步骤包括:
比较步骤,将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
优选地,所述映射关系切断步骤包括:
设置坏标步骤,对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位,当其为1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。
优选地,所述寻找可用替换资源步骤包括:
设置是否被占用标识步骤,对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换步骤,包括:
选择和设置步骤,选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种列再次修复装置,包括:
检测模块,用于检测主存储阵列中的当前列是否正常,其特征在于,还包括:
当前列是否之前做过修复判断模块,用于当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断模块,用于判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源模块,用于在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换模块,用于将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断模块包括:
比较模块,用于将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
优选地,所述映射关系切断模块包括:
设置坏标模块,用于对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位,当其为1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。
优选地,所述寻找可用替换资源模块包括:
设置是否被占用标识模块,用于对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换模块,包括:
选择和设置模块,用于选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明实施例提供的列再次修复方法和装置,在现有的对列修复技术基础上加入了对同一个列支持再次即多次进行列修复的方法和装置,当之前修复过的列即当前列再次坏掉时可以用其余的冗余替换资源来替换这个坏掉的列,同时将之前替换列资源作上坏的标识,即可切断之前的映射关系,这样,在任何时候只有唯一的一个替换列资源指向这个当前列。本发明在对主存储阵列多次检测列坏掉时可以方便地对及时发现的坏掉替换列资源继续做替换,从而提高修复的可靠性和芯片良率。
附图说明
图1是根据本发明实施例一的一种列再次修复方法的步骤流程图;
图2是根据本发明实施例二的一种列再次修复方法的步骤流程图;
图3是根据本发明实施例三的一种列再次修复方法的步骤流程图;
图4是根据本发明实施例四的一种列再次修复装置的结构框图;
图5是根据本发明实施例五的一种列再次修复装置的结构框图;
图6是根据本发明实施例六的一种列再次修复装置的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1,示出了本发明实施例一的一种列再次修复方法的步骤流程图。
本发明实施例的列再次修复方法包括:
检测步骤S101,检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断步骤S102,当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断步骤S103,判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源步骤S104,在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换步骤S105,将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
通过本发明实施例提供的列再次修复方法,在确定主存储阵列中已修复过的当前列为坏列时,通过对当前列是否之前做过修复予以判断,如果做过修复则将之前替换列的映射关系切断,然后找到新的修复资源再次做列替换,即从芯片中预设的冗余列中选择一个正常的、且未被其他坏列占用的替换列以进行再次列修复(这种再次列修复可以重复多次),再次进行列替换的方法与首次进行列替换的方法相同,因此,再次列修复后,只有唯一的一个正常的替换资源指向这个主存储阵列中被再次修复过的当前列,从而正真提高修复的可靠性以及芯片良率。
实施例二
参照图2,示出了本发明实施例二的一种列再次修复方法的步骤流程图。
本发明实施例的列再次修复复方法包括:
检测步骤S201,检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断步骤S202,当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断步骤S202可以包括:
比较步骤S2021,将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
映射关系切断步骤S203,判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源步骤S204,在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换步骤S205,将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
本发明实施例与实施例一相比,不同之处在于,优化了当前列是否之前做过修复判断步骤S202的内容,进行比较步骤S2021,将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,判断出所述之前替换列是坏列。
实施例三
参照图3,示出了本发明实施例三的一种列再次修复方法的步骤流程图。
本发明实施例的列再次修复方法包括:
检测步骤S301,检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断步骤S302,当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断步骤S302可以包括:
比较步骤S3021,将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
映射关系切断步骤S303,判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
优选地,所述映射关系切断步骤S303可以包括:
设置坏标步骤S3031,对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位ERROR_FLAG,当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0即ERROR_FLAG=0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。寻找可用替换资源步骤S304,在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
优选地,所述寻找可用替换资源步骤S304可以包括:
设置是否被占用标识步骤S3041,对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位EN_FLAG,当其为0即EN_FLAG=0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1即EN_FLAG=1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位EN_FLAG,当找到所述是否被占用标识位EN_FLAG为0的列资源时,就用其做替换列;
替换步骤S305,将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
优选地,所述替换步骤S305,可以包括:
选择和设置步骤S3051,选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1即设置EN_FLAG=1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
本发明实施例与实施例二相比,不同之处在于,进一步优化了所述映射关系切断步骤S303的内容,进行设置坏标步骤S3031,对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位ERROR_FLAG,当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效。还进一步优化了所述寻找可用替换资源步骤S304,进行设置是否被占用标识步骤S3041,以便寻找可用替换资源;也进一步优化了所述替换步骤S305,进行选择和设置步骤S3051保证再次(多次)修复成功。
实施例四
参照图4,示出了本发明实施例四的一种列再次修复装置的结构框图。
本发明实施例的列再次修复装置包括:
检测模块S401,用于检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断模块S402,用于当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断模块S403,用于判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源模块S404,用于在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换模块S405,用于将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
通过本发明实施例提供的列再次修复模块S403,用于在确定主存储阵列中已修复过的当前列为坏列时,通过对当前列是否之前做过修复予以判断,如果做过修复则将之前替换列的映射关系切断,然后找到新的修复资源再次做列替换,即从芯片中预设的冗余列中选择一个正常的、且未被其他坏列占用的替换列以进行再次列修复(这种再次列修复可以重复多次),再次进行列替换的方法与首次进行列替换的方法相同,因此,再次列修复后,只有唯一的一个正常的替换资源指向这个主存储阵列中被再次修复过的当前列,从而正真提高修复的可靠性以及芯片良率。
实施例五
参照图5,示出了本发明实施例五的一种列再次修复方法的装置框图。
本发明实施例的列再次修复装置包括:
检测模块S501,用于检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断模块S502,用于当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断模块S502可以包括:
比较模块S5021,用于将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
映射关系切断模块S503,用于判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
寻找可用替换资源模块S504,用于在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换模块S505,用于将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
本发明实施例与实施例四相比,不同之处在于,优化了当前列是否之前做过修复判断模块S502的内容,增加了比较模块S5021,用于将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,判断出所述之前替换列是坏列。
实施例六
参照图6,示出了本发明实施例六的一种列再次修复方法的装置框图。
本发明实施例的列再次修复方法包括:
检测模块S601,用于检测主存储阵列中的当前列是否正常,还包括:
当前列是否之前做过修复判断模块S602,用于当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
优选地,所述对当前列是否之前做过修复判断模块S602可以包括:
比较模块S6021,用于将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
映射关系切断模块S603,用于判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断;
优选地,所述映射关系切断模块S603可以包括:
设置坏标模块S6031,用于对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位ERROR_FLAG,当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0即ERROR_FLAG=0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。
特别在此说明一下,如果设置为:当其为0即ERROR_FLAG=0时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。这样设置也是可以的,根据设计人员的习惯而定。
寻找可用替换资源模块S604,用于在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
优选地,所述寻找可用替换资源模块S604可以包括:
设置是否被占用标识模块S6041,用于对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位EN_FLAG,当其为0即EN_FLAG=0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1即EN_FLAG=1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
特别在此说明一下,如果设置为:当其为1即EN_FLAG=1时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为0即EN_FLAG=0时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列。这样设置也是可以的,根据设计人员的习惯而定。
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位EN_FLAG,当找到所述是否被占用标识位EN_FLAG为0的列资源时,就用其做替换列;
替换模块S605,用于将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
优选地,所述替换模块S605,可以包括:
选择和设置模块S6051,用于选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1即设置EN_FLAG=1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
本发明实施例提供的列再次修复装置用于实现前述实施例三中相应的列再次修复方法,并且具有相应的方法实施例的有益效果,在此不再赘述。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言,由于其与方法实施例基本相似,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上对本发明所提供的一种列再次修复方法和装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种列再次修复方法,包括:
检测步骤,检测主存储阵列中的当前列是否正常,其特征在于,还包括:
当前列是否之前做过修复判断步骤,当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断步骤,判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断,具体包括:设置坏标步骤,对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位ERROR_FLAG,当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0即ERROR_FLAG=0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效;
寻找可用替换资源步骤,在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换步骤,将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对当前列是否之前做过修复判断步骤包括:
比较步骤,将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述映射
关系切断步骤包括:
设置坏标步骤,对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位,当其为1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述寻找可用替换资源步骤包括:
设置是否被占用标识步骤,对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换步骤,包括:
选择和设置步骤,选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述寻找可用替换资源步骤包括:
设置是否被占用标识步骤,对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换步骤,包括:
选择和设置步骤,选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
6.一种列再次修复装置,包括:
检测模块,用于检测主存储阵列中的当前列是否正常,其特征在于,还包括:
当前列是否之前做过修复判断模块,用于当所述当前列为坏列时,对当前列是否之前做过修复予以判断;
映射关系切断模块,用于判断出当前列做过修复,则将对应的冗余列中之前替换列的映射关系切断,具体包括:设置坏标模块,用于对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位ERROR_FLAG,当其为1即ERROR_FLAG=1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0即ERROR_FLAG=0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效;
寻找可用替换资源模块,用于在芯片中预设的冗余列中找到新的修复资源做替换,选择一个可用且未被占用的列作为替换列;
替换模块,用于将所述替换列对应的用于指示所述替换列是否已经被占用的信息,设置为已被占用;并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述对当前列是否之前做过修复判断模块包括:
比较模块,用于将所述主存储阵列中的当前列的地址与所述冗余列中之前替换列的替换信息中保存的地址进行比较,如果地址完全匹配并且所述主存储阵列中的当前列是坏列,则判断出所述之前替换列是坏列。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述映射关系切断模块包括:
设置坏标模块,用于对所述当前列所对应的冗余列中之前替换列设置一个映射关系切断标识位,当其为1时,代表之前替换列为坏列,则映射关系切断即映射关系失效;当其为0时,代表之前替换列为正常,映射关系有效。
9.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述寻找可用替换资源模块包括:
设置是否被占用标识模块,用于对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换模块,包括:
选择和设置模块,用于选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器中。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述寻找可用替换资源模块包括:
设置是否被占用标识模块,用于对冗余列中的每一个列设置一个是否被占用标识位,当其为0时,代表该列未被占用为可用的替换资源,可用其做替换列;当其为1时,代表该列已被占用为不可用的替换资源,不可用其做替换列;
检查冗余列中的每一个列的是否被占用标识位,当找到所述是否被占用标识位为0的列资源时,就用其做替换列;
所述替换模块,包括:
选择和设置模块,用于选中所述替换列将其是否被占用标识位设置为1,并将所述当前列的地址信息写入到所述替换列对应的锁存器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610548033.9A CN106158041B (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 一种列再次修复方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610548033.9A CN106158041B (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 一种列再次修复方法和装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106158041A CN106158041A (zh) | 2016-11-23 |
CN106158041B true CN106158041B (zh) | 2019-08-06 |
Family
ID=58062576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610548033.9A Active CN106158041B (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 一种列再次修复方法和装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106158041B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108665941A (zh) * | 2017-04-01 | 2018-10-16 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 基于nand闪存的列修复方法、装置和nand存储设备 |
CN111916138A (zh) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种提供冗余位线的方法和装置 |
EP3992972A4 (en) | 2020-09-01 | 2023-07-05 | Changxin Memory Technologies, Inc. | METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING A FAILED BIT REPAIR PATTERN, AND CHIP |
CN114121129B (zh) * | 2020-09-01 | 2023-09-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 失效位元修补方案的确定方法、装置及芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200910366A (en) * | 2007-08-16 | 2009-03-01 | Elite Semiconductor Esmt | Selection method of bit line redundancy repair and apparatus performing the same |
CN104681096A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的修复方法 |
KR101545716B1 (ko) * | 2015-01-19 | 2015-08-20 | 연세대학교 산학협력단 | 메모리 수리 장치 및 방법, 그리고 그를 이용한 메모리 칩 |
CN105225698A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-06 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种列修复方法和装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9548138B2 (en) * | 2014-09-02 | 2017-01-17 | Macronix International Co., Ltd. | Test method for memory |
-
2016
- 2016-07-12 CN CN201610548033.9A patent/CN106158041B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200910366A (en) * | 2007-08-16 | 2009-03-01 | Elite Semiconductor Esmt | Selection method of bit line redundancy repair and apparatus performing the same |
CN104681096A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的修复方法 |
KR101545716B1 (ko) * | 2015-01-19 | 2015-08-20 | 연세대학교 산학협력단 | 메모리 수리 장치 및 방법, 그리고 그를 이용한 메모리 칩 |
CN105225698A (zh) * | 2015-09-25 | 2016-01-06 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种列修复方法和装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106158041A (zh) | 2016-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106158041B (zh) | 一种列再次修复方法和装置 | |
CN103634375B (zh) | 扩容集群节点的方法、装置及设备 | |
US7958413B1 (en) | Method and system for memory testing and test data reporting during memory testing | |
US7634695B2 (en) | Test apparatus and selection apparatus | |
CN106571166B (zh) | 一种可定制流程的mt29f系列nand flash测试老炼系统 | |
CN102346709A (zh) | 软件开发辅助方法及系统 | |
US20210050069A1 (en) | Memory circuit device and a method for testing the same | |
CN105448348B (zh) | 一种芯片修复方法和装置 | |
CN107133244B (zh) | 一种数据库迁移的测试方法和装置 | |
CN101086899A (zh) | 用以提升存储器装置的可靠度的系统及其方法 | |
JP4448895B1 (ja) | 試験装置および試験方法 | |
US9183139B2 (en) | Mainboard and method of backing up of baseboard management controller | |
CN105225698B (zh) | 一种列修复方法和装置 | |
CN114203253A (zh) | 芯片的存储器故障修复装置和芯片 | |
CN102760496A (zh) | 反或型闪存装置的字线漏电检测方法、系统及储存媒体 | |
DE10120670B4 (de) | Verfahren zur Reparatur von Hardwarefehlern in Speicherbausteinen | |
CN103019944A (zh) | 基于代码注入方式的测试方法和装置 | |
CN115083497A (zh) | 存储器芯片的失效单元检测修复方法 | |
TW201333685A (zh) | 修復積體電路之方法與裝置 | |
CN109698008B (zh) | Nor型存储器位线故障的修复方法及装置 | |
CN113342675B (zh) | 被测试模块的映射方法、装置以及测试方法及系统 | |
CN102163461A (zh) | 一种提高eeprom良率和读取可靠性的方法 | |
CN100576348C (zh) | 决定内存模块修补方案之方法及测试装置 | |
KR101003076B1 (ko) | 반도체 디바이스 시험장치 및 시험방법 | |
CN105405468B (zh) | 存储器测试方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 101, Floor 1-5, Building 8, Yard 9, Fenghao East Road, Haidian District, Beijing 100094 Patentee after: Zhaoyi Innovation Technology Group Co.,Ltd. Address before: 100083 12 Floors, Block A, Tiangong Building, Science and Technology University, 30 College Road, Haidian District, Beijing Patentee before: GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) Inc. |
|
CP03 | Change of name, title or address |