CN106145098B - 一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，1)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起,形成胶膜/石墨烯/金属衬底；2)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；3)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与目标基底贴合在一起；4)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构。本发明采用胶膜将石墨烯转移到目标基底上，通过调整胶膜的厚度以及剥离力等参数，可以获得方阻可控的单层石墨烯。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过胶膜转移法制备石墨烯薄膜的方法，具体涉及气相沉积法制备石墨烯的改进方法，属于石墨烯的制备方法领域。
背景技术
石墨烯是碳原子按六角结构紧密堆积成的单原子层二维晶体，除了具有优异的光学、热学、力学等特性，石墨烯还具有优越的电性能，在高频电子器件中有着巨大的应用价值。由于石墨烯是二维的原子晶体薄膜，要使石墨烯能够真正的使用必须将石墨烯转移至三维的目标衬底上，因此石墨烯的转移技术是不可或缺的工艺手段。目前转移石墨烯常见的方法有：一是把生长有石墨烯薄膜的金属衬底直接与目标基材贴附在一起，然后采用化学蚀刻或其他蚀刻方式将金属衬底蚀刻掉；第二种方法是把生长有石墨烯的金属衬底贴附在过程转移基材上，将金属衬底蚀刻后再把石墨烯薄膜留在过程转移基材上，然后通过一定工艺技术将过程转移基材上的石墨烯薄膜转移至目标基材上；另外目前有一种新的方法在生长有石墨烯的金属衬底上涂布一层树脂，再将涂布有树脂的金属衬底与目标基材贴合在一起使用某种方法使树脂固化，将金属衬底蚀刻后使石墨烯留在树脂上，形成石墨烯/树脂/目标基底的结构。其中第一种方法由于金属衬底无法很好的与目标基底贴合在一起，导致成品膜出现皱褶、不平整、破损等问题；第二种方法转移单层石墨烯电阻较高，转移多层石墨烯，生产工序复杂，生产效率明显降低，严重影响石墨烯的应用；第三种方法能够大幅度的降低电阻，但操作比较麻烦，对树脂的涂布技术要求较高。并且这几种转移方法获得的单层石墨烯膜的方阻均不可控。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供了一种方阻可控且可获得单层石墨烯膜的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，包括如下步骤：
1)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起,形成胶膜/石墨烯/金属衬底；
2)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；
3)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与目标基底贴合在一起；
4)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构。
优选的，所述胶膜为基膜加胶的复合膜，优选PET硅胶保护膜、PET亚克力胶保护膜、PET丙烯酸保护膜、PMMA硅胶保护膜、PMMA亚克力胶保护膜、PMMA丙烯酸保护膜、PI硅胶保护膜、PI亚克力胶保护膜或PI丙烯酸保护膜，进一步优选PET硅胶保护膜。
优选的，所述胶膜的基膜的厚度为10-500μm，例如：10μm、20μm、50μm、100μm、150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm，等；优选10-188μm，例如：10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、65μm、70μm、83μm、90μm、100μm、107μm、133μm、140μm、148μm、160μm、175μm、180μm、182μm、188μm，等。
优选的，所述胶膜的胶的厚度为2-200μm，例如：2μm、8μm、26μm、50μm、77μm、100μm、106μm、129μm、135μm、155μm、160μm、169μm、182μm、191μm、200μm，等；优选2-50μm，例如：2μm、5μm、8μm、10μm、12μm、15μm、17μm、20μm、25μm、30μm、35μm、42μm、47μm、50μm，等。最佳为10μm。
优选的，所述胶膜的剥离力为1-100g/25mm，例如：1g/25mm、10g/25mm、20g/25mm、30g/25mm、40g/25mm、50g/25mm、60g/25mm、70g/25mm、80g/25mm、90g/25mm、100g/25mm，等；优选1-50g/25mm，1g/25mm、5g/25mm、10g/25mm、15g/25mm、20g/25mm、25g/25mm、30g/25mm、35g/25mm、40g/25mm、45g/25mm、50g/25mm，等。最佳为18-30g/25mm。
胶太薄，粘性无法达到理想效果，经过刻蚀以后石墨烯不容易吸附在胶膜上，胶太厚影响所得石墨烯膜的导电等性能。经研究发现，当胶的厚度为2-50μm时，效果理想。胶膜粘性调整到20g/25mm左右能够获得单层石墨烯方阻150Ω左右，结合100℃压辊贴合以后胶的粘性还是会相对比较高，致使石墨烯不能从胶膜上脱离而留到目标基底上。胶厚度在10μm左右的时候比较容易控制20g/25mm的粘性。
优选的，所述目标基底的厚度为1-500μm，例如：1μm、40μm、60μm、100μm、130μm、150μm、200μm、220μm、300μm、365μm、390μm、417μm、453μm、470μm、500μm，等；优选厚度为50-150μm，例如：50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、95μm、100μm、115μm、120μm、130μm、145μm、150μm，等。
优选的，所述目标基底的材料为硅片、玻璃、聚乙烯薄膜(PE)、聚苯乙烯薄膜(PP)、聚氯乙烯薄膜(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPS)或聚四氟乙烯(PTFE)中的一种或者两种及两种以上的叠合膜材；优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
聚对苯二甲酸乙二醇酯，化学式为COC6H4COOCH2CH2O。(英文：Polyethyleneterephthalate，简称PET)，由对苯二甲酸二甲酯与乙二醇酯交换或以对苯二甲酸与乙二醇酯化先合成对苯二甲酸双羟乙酯，然后再进行缩聚反应制得。属结晶型饱和聚酯，为乳白色或浅黄色、高度结晶的聚合物，表面平滑有光泽。是生活中常见的一种树脂，可以分为APET、RPET和PETG。聚对苯二甲酸乙二醇酯在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能，长期使用温度可达120℃，电绝缘性优良，甚至在高温高频下，其电性能仍较好，但耐电晕性较差，抗蠕变性，耐疲劳性，耐摩擦性、尺寸稳定性都很好。
优选的，所述步骤1)中，所述采用辊压的方式进行贴合处理。常温下一般的辊压即可达实现贴合目的。
优选的，所述步骤3)中，采用100℃下30S内快速辊压的方法进行贴合处理；
优选的，所述步骤4)中，去除胶膜的方法采用烘烤使其自然脱落或者用手直接揭除。
本发明的有益效果是：
本发明采用胶膜将石墨烯转移到目标基底上，通过调整胶膜的厚度以及剥离力等参数，可以获得方阻可控的单层石墨烯。该发明采用辊压的方式将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起；去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；采用压合的方法将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与目标基底贴合在一起；去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构。这样在目标基底上可以获得较大面积的单层石墨烯(300mm×200mm)，与现有的石墨烯膜的转移方法相比，该发明采用的转移方法能够获得方阻可控的单层石墨烯。
说明书附图
图1为本发明流程示意图；
其中，1-胶膜，2-石墨烯，3-铜箔，4-目标基底。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明
实施例1：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加5μm亚克力胶，胶膜的剥离力为8g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PET(市售，厚度为150μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PET的复合结构，方阻350Ω/□。
实施例2：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm亚克力胶，胶膜的剥离力为10g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用压合的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PET(市售，厚度为150μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PET的复合结构，方阻280Ω/□；
实施例3：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm硅胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PET(市售，厚度为50μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PET的复合结构，方阻150Ω/□。
实施例4：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PI胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PI胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PI胶膜为10μmPI加10μm亚克力胶，胶膜的剥离力为50g/25mm；
3)将PI胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PI胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PI胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与硅片(市售，厚度为500μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PI胶膜，得到石墨烯/硅片的复合结构，方阻240Ω/□。
实施例5：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PMMA胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PMMA胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PMMA胶膜为188μmPET加50μm硅胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PMMA胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PMMA胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PMMA胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与玻璃(市售，厚度为500μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PMMA胶膜，得到石墨烯/玻璃的复合结构，方阻270Ω/□。
实施例6：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为500μmPET加2μm丙烯酸，胶膜的剥离力为1g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PE与PP的叠合膜(市售，厚度为300μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PE与PP叠合膜的复合结构，方阻180Ω/□。
实施例7：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PMMA胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PMMA胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PMMA胶膜为10μmPET加200μm亚克力胶，胶膜的剥离力为100g/25mm；
3)将PMMA胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PMMA胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PMMA胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PVC(市售，厚度为100μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PMMA胶膜，得到石墨烯/PVC的复合结构，方阻170Ω/□。
实施例8：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm亚克力胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PMMA(市售，厚度为1μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PMMA的复合结构，方阻190Ω/□。
实施例9：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PI胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PI胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PI胶膜为300μmPET加200μm丙烯酸，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PI胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PI胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压压合的方法将PI胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PC(市售，厚度为30μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PI胶膜，得到石墨烯/PC的复合结构，方阻180Ω/□。
实施例10：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PI胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PI胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PI胶膜为300μmPET加15μm亚克力胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PI胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PI胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PI胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PEN(市售，厚度为80μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PI胶膜，得到石墨烯/PEN的复合结构，方阻188Ω/□。
实施例11：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PMMA胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PMMA胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PMMA胶膜为150μmPET加20μm丙烯酸，胶膜的剥离力为10g/25mm；
3)将PMMA胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PMMA胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PMMA胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PI(市售，厚度为50μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PMMA胶膜，得到石墨烯/PI的复合结构，方阻170Ω/□。
实施例12：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm硅胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PA(市售，厚度为50μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PA的复合结构，方阻150Ω/□。
实施例13：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm硅胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PPS(市售，厚度为50μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PPS的复合结构，方阻150Ω/□。
实施例14：
一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，参见图1，包括如下步骤：
1)采用常规气相沉积法在铜箔上生长石墨烯后，再将生长有石墨烯的铜箔展形，得到铜箔/石墨烯；
2)辊压的方式将铜箔/石墨烯中的石墨烯一面与PET胶膜其中胶的一面贴合在一起，形成PET胶膜/石墨烯/铜箔的结构，其中PET胶膜为100μmPET加10μm硅胶，胶膜的剥离力为20g/25mm；
3)将PET胶膜/石墨烯/铜箔置于盐酸和双氧水的混合溶液中刻蚀，每隔3min取出用去离子水和乙醇清洗铜箔的表面，直至铜箔完全去除，最后用去离子水清洗，热风吹干，得到PET胶膜/石墨烯。
4)采用100℃下30S内快速辊压的方法将PET胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与PTFE(市售，厚度为50μm)贴合在一起；
5)手直接撕除PET胶膜，得到石墨烯/PTFE的复合结构，方阻150Ω/□。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将胶膜与生长有石墨烯的金属衬底的石墨烯一面贴合在一起,形成胶膜/石墨烯/金属衬底；
2)去除金属衬底，得到胶膜/石墨烯的结构；
3)将胶膜/石墨烯其中石墨烯的一面与目标基底贴合在一起；
4)去除胶膜，得到石墨烯/目标基底的结构；
所述胶膜为基膜加胶的复合膜，所述胶膜的胶的厚度为2-50μm，胶膜的剥离力为1-50g/25mm；
所述步骤3)中，采用100℃下30S内快速辊压的方法进行贴合处理；
所述步骤4)中，去除胶膜的方法采用用手直接揭除。
2.根据权利要求1所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜为基膜加胶的复合膜。
3.根据权利要求2所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜为PET硅胶保护膜、PET亚克力胶保护膜、PET丙烯酸保护膜、PMMA硅胶保护膜、PMMA亚克力胶保护膜、PMMA丙烯酸保护膜、PI硅胶保护膜、PI亚克力胶保护膜或PI丙烯酸保护膜。
4.根据权利要求2所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜的基膜的厚度为10-500μm。
5.根据权利要求4所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜的基膜的厚度为10-188μm。
6.根据权利要求2所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜的胶的厚度为10μm。
7.根据权利要求4-6任一项所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述胶膜的基膜的厚度为100μm、所述胶膜的胶的厚度为10μm、胶膜的剥离力为20g/25mm。
8.根据权利要求1所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述目标基底的厚度为1-500μm。
9.根据权利要求8所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述目标基底的厚度为50-150μm。
10.根据权利要求8所述的以胶膜为媒介转移石墨烯的方法，其特征在于：所述目标基底的材料为硅片、玻璃、聚乙烯薄膜(PE)、聚苯乙烯薄膜(PP)、聚氯乙烯薄膜(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚苯硫醚(PPS)或聚四氟乙烯(PTFE)中的一种或者两种及两种以上的叠合膜材。
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