CN106124067B - 红外探测像元结构及其制备方法、混合成像器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种红外探测像元结构及其制备方法、以及混合成像器件，利用梳状结构的上极板和下极板来形成电容结构，并且上电极结构的一端不固定，这样，当上电极结构中的红外敏感结构吸收红外光产生热应力，将导致变形，使得上极板和下极板之间的电容发生变化，实现红外探测，提高了器件的灵敏度；并且，红外探测像元结构应用于红外光可见光混合成像器件中，可以实现同一硅衬底上的可见和红外两部分成像，提高了成像质量。

Description

红外探测像元结构及其制备方法、混合成像器件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及红外探测像元结构及其制备方法，以及一种混合成像器件。

背景技术

随着成像监控系统在日常生活中的广泛应用，单以300nm-900nm的可见光波段成像的监控系统越来越无法满足夜间或高动态变化等环境的监控要求，越来越多的应用需要在可见光波段之外尤其是长波波段(包括红外、THZ等波段的信号)的光信号进行成像；

现有技术中，采用两颗不同波段的成像芯片和两套光路来分别实现可见光成像和长波波段信号成像，在通过计算机算法处理合成在一起，由于光路的不一致以及单个成像单元的对应误差，会造成合成图像产生较大的偏差，严重影响成像质量和监控效果；此外，由于这种成像器件灵敏度低，进一步导致成像质量下降。

发明内容

为了克服以上问题，本发明旨在提供了一种红外探测像元结构及其制备方法，采用可变型电容结构来提高器件的灵敏度和成像质量；同时本发明还提供了一种可见光红外光混合成像器件，采用上述红外探测像元结构，同时将可见光和红外光探测集成于同一个硅衬底中，提高了混合成像质量。

为了达到上述目的，本发明提供了一种红外探测像元结构，设置在一硅衬底上，其包括：

位于硅衬底中的下电极结构，下电极结构具有第一方向排列的下极板以及将多个下极板相连接的第二方向排布的下连接体；

位于下电极结构上方的上电极结构，上电极结构具有与下电极结构相间的第一方向排列的上极板以及将多个上极板相连接的第二方向排布的上连接体；上连接体的一端固定，上连接体的非固定端相对于所述固定端可作相对运动；

在上连接体表面具有红外敏感结构，红外敏感结构用于吸收入射的红外光并且产生热变形，从而非连接端相对于连接端做相对移动，使得上极板相对于下极板产生相对位移，上极板和下极板产生电容信号发生变化，从而实现红外探测。

优选地，下连接体连接下电极结构的引出极；上连接体具有连接端与上电极结构的引出极相连接，上连接体的非连接端不固定，使得非连接端相对于连接端可相对运动；所述上连接体通过一压敏电阻结构与上电极结构的引出极相连接。

优选地，所述压敏电阻结构为平面内的曲折迂回结构。

优选地，还包括悬臂梁结构；所述压敏电阻的一端与所述上连接体的连接端相连接，所述压敏电阻结构的另一端与所述悬臂梁结构的一端相连接，所述悬臂梁结构的另一端与所述上电极结构的引出极相连接。

优选地，所述悬臂梁结构为平面内的L型。

优选地，所述红外敏感结构的材料为内部具有微应力的材料；在升温或降温的过程中微应力变大导致所述红外敏感结构发生形变，从而带动上连接体相对于连接端产生相对位移，使得上极板相对于下极板产生相对位移。

优选地，所述下连接体与每个下极板的底部相连接，从而使相邻下极板和底部的下连接体之间构成沟槽，每个上极板插入沟槽内，上极板、所述沟槽两侧的下极板、以及所述沟槽内的气体构成双电容结构。

优选地，上极板相对于下极板产生相对位移时所述下极板相对于所述上极板的距离减小的一侧的侧壁表面具有介电层。

为了达到上述目的，本发明还提供了一种混合成像器件，在同一硅衬底的上表面和下表面分别设置有上述的红外探测像元结构以及位于所述红外探测像元结构上方的可见光探测像元结构。

为了达到上述目的，本发明还提供了一种上述的红外探测像元结构的制备方法，包括：

步骤01：在一硅衬底中形成下电极区域；

步骤02：在下电极区域中刻蚀出多个沟槽，沟槽侧壁的下电极区域形成下极板，沟槽底部的下电极区域形成下连接体；

步骤03：在完成步骤02的衬底上形成牺牲层；

步骤04：在沟槽内的牺牲层中形成所述上极板，然后，在牺牲层表面形成与上极板相连的上连接体；

步骤05：在所述上连接体表面形成所述红外敏感结构；

步骤06：经释放工艺，去除所述牺牲层。

本发明的红外探测像元结构，利用梳状结构的上极板和下极板来形成电容结构，并且上电极结构的一端不固定，这样，当上电极结构中的红外敏感结构吸收红外光产生热应力，将导致变形，使得上极板和下极板之间的电容发生变化，实现红外探测，提高了器件的灵敏度；并且，红外探测像元结构应用于红外光可见光混合成像器件中，可以实现同一硅衬底上的可见和红外两部分成像，提高了成像质量。

附图说明

图1为本发明的一个较佳实施例的红外探测像元结构的俯视示意图

图2为图1的红外探测像元结构的主视剖面示意图

图3为图2的红外探测像元结构中上电容结构产生相对移动时的示意图

图4为图2的红外探测像元结构构成的混合成像器件的结构示意图

图5为本发明的一个较佳实施例的红外探测像元结构的制备方法的流程示意图

图6～16为本发明的一个较佳实施例的红外探测像元结构的制备方法的各制备步骤示意图

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

本发明的红外探测像元结构，利用一端固定且另一端不固定的上电极结构以及下电极结构，上电极结构的上极板与下电极结构的下极板相间排布，在上电极结构上具有红外敏感结构，利用红外敏感结构吸收红外光并且产生热致变形来导致上电极结构相对于下电极结构产生相对位移，从而使上极板和下极板产生的电容信号发生变化，实现红外探测。

以下结合附图1-16和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。

请参阅图1-2，本实施例中，红外探测像元结构，设置在一硅衬底100上，其包括：

位于硅衬底100中的下电极结构，下电极结构具有第一方向排列的下极板106a以及将多个下极板106a相连接的第二方向排布的下连接体106b；下连接体106b连接下电极结构的引出极(本实施例中为通孔105+焊盘108b)；本实施例中，下连接体106b与下电极结构的引出极(本实施利中为通孔105+焊盘108b)相连接的下连接端106b1的高度高于下连接体106b水平方向部分的高度，下电极结构的引出极为通孔105和焊盘108b构成，通孔105穿透下连接端106b1，通孔105顶部与一焊盘108b相连接，焊盘108b直接与下连接端106b1接触。

位于下电极结构上方的上电极结构，上电极结构具有与下电极结构相间的第一方向排列的上极板110a以及将多个上极板110a相连接的第二方向排布的上连接体110b；上连接体110b具有连接端110c与上电极结构的引出极相连接，上连接体110b的非连接端不固定，使的非连接端相对于连接端可相对移动；上连接体可以为长方形结构，这里，上连接体110b通过一压敏电阻结构112与上电极结构的引出极相连接；压敏电阻结构112为平面内的曲折迂回结构，即蛇形结构，这样可以增大压敏电阻的电阻率；压敏电阻结构112的一端与上连接体110b的连接端110c相连接，例如可以利用金属连线相连，压敏电阻结构112的另一端与一悬臂梁结构116的一端相连接，这样构成电容电阻结构，从而输出RC信号，悬臂梁结构116的另一端与上电极结构的引出极相连接，悬臂梁结构在平面内呈L型，如图1所示；本实施例中，上电极结构的引出极采用一通孔108和一焊盘108a构成，焊盘108a与悬臂梁结构116相连接，通孔108与焊盘108a相连接，通孔108穿入硅衬底100中，焊盘108a与硅衬底100表面具有至少一层隔离层，例如，可以包括SiO₂等材料形成的缓冲介质层107a和SiN等材料形成的阻挡层107b。较佳的，上电极结构中上极板110a和上连接体110b的材料还可以为金属TiN或TaN等等具有吸收红外光信号的金属材料，这样上极板110a和上连接体110b均可以吸收热量并向红外敏感结构传递热量，不仅提高了红外光的利用率，避免光损失，还能够增强红外敏感结构的灵敏度。

这里，第一方向与第二方向相互垂直，第一方向为竖直方向，第二方向为水平方向；下连接体106b与每个下极板106a的底部相连接，从而使相邻下极板106a和底部的下连接体106b之间构成沟槽，每个上极板110a插入沟槽内，上极板110a、沟槽两侧的下极板106a、以及沟槽内的气体构成双电容结构。这里，较佳的，沟槽的深宽比例大于3，且沟槽的宽度和间距比例大于3。

在上连接体110b表面具有红外敏感结构，红外敏感结构用于吸收入射的红外光并且产生热变形，从而非连接端相对于连接端110c做相对移动，导致上极板110a相对于下极板106a产生相对位移，这样，双电容结构产生电容信号发生变化，从而实现红外探测。这里，红外敏感结构的材料为内部具有微应力的材料，这种内部具有微应力的材料在升温或降温时，微应力会变大导致红外敏感结构整体发生形变，这种形变是宏观上的形变，从而带动上连接体相对于连接端产生相对位移，使得上极板相对于下极板产生相对位移；本实施例中，红外敏感结构至少包括一红外吸收层113以及位于红外吸收层表面的材料层114，红外吸收层113至少位于红外敏感结构的顶部和底部之一的位置，材料层114与红外吸收层113的热膨胀系数不相同；红外吸收层113将产生的热量传递给材料层，材料层114吸收热量，红外吸收层113与材料层114之间的产生不匹配导致产生应力，进而产生形变，从而带动上连接体110b相对于连接端110c产生相对位移，使得上极板110a相对于下极板106a产生相对位移；较佳的，上述材料层114为热致形变层，热致形变层的热膨胀系数大于红外吸收层113的热膨胀系数，具体的，红外敏感结构包括红外吸收层113和红外吸收层113表面的热致形变层114，红外吸收层113将产生的热量传递给热致形变层114，热致形变层114受热膨胀，热致形变层114和红外吸收层113之间产生应力，进而导致热致形变层114和红外吸收层113产生向上翘曲形变，从而带动上连接体110b相对于连接端110c产生向上的相对位移，使得上极板110a相对于下极板106a产生相对位移。较佳的，红外吸收层113的材料可以为SiN、SiON等可以吸收红外光的材料，热致形变层114的材料可以为ZrO₂、SiC和Al₂O₃等具有高的热膨胀系数的材料。

本实施例中，上电极结构的上连接体110b下表面具有下介质保护层111，悬臂梁结构116、压敏电阻结构112和红外敏感结构表面均覆盖有上介质保护层115，较佳的，上介质保护层115和下介质保护层111的材料可以为SiN或富硅的SiN。

在上极板110a相对于下极板106a产生相对位移时下极板106a相对于上极板110a的距离减小的一侧的侧壁表面具有介电层118，在上极板110a相对于下极板106a相対移动时该介质层118可以避免产生相反的电容变化信号，促使上极板110a和下极板106a的相对移动产生相同变化的电容信号，有利于信号的增强，如图3所示，当上极板110a向上移动时，上极板110a相对于下极板106a的相对面积减小，上极板110a和下极板106a之间的电容减小，导致上极板110a和两侧相邻的下极板106a构成的双电容结构的电容减小，同时，上极板110a相对于其相邻左侧的下极板106a的距离增大，导致上极板110a和左侧相邻的下极板106a之间的左侧电容结构的电容减小，而上极板110a相对于其相邻右侧的下极板106a的距离减小，导致上极板110a和右侧相邻的该下极板106a之间的电容结构的电容增大，此时，左侧电容结构的电容减小的信号增强，而右侧电容结构的电容减小的信号减弱，电容减小的信号增强对探测灵敏度是有益的，而电容减小的信号减弱对探测灵敏度是不利的，也即是我们希望电容减小的信号得到增强，去除干扰项，“上极板110a相对于其相邻右侧的下极板106a的距离减小”这一因素就是干扰项，这样，上极板110a右侧相邻的下极板106a的侧壁表面的介电层118能够削弱右侧电容结构的电容信号，相当于减小了干扰项的作用。这里，硅衬底100中具有掺杂区117，下电极结构位于掺杂区117中，下电极结构的掺杂类型与掺杂区117的掺杂类型相反，介电层118的掺杂类型与下电极结构的掺杂类型相反，从而可以使上极板110a和下极板106a形成的电容结构具有正向导通和反向不导通的特性，例如，掺杂层为N型掺杂，例如掺杂有As/P的N型硅区域，下电极结构为P型掺杂，介电层为N型掺杂。

本实施例中，下极板106a的材料还可以为具有红外波段选择过滤功能的材料，从而可以使从硅衬底100底部透过的红外光选择性透过下极板106a进入红外敏感结构，进而被红外吸收层113吸收产生热量，传递至热致形变层114、压敏电阻结构112和悬臂梁结构116，由于热致性变形层114受热产生热应力，导致热致形变层114和红外吸收层113构成的红外敏感结构发生变形，拉动上连接体110b和上极板110a上移，这样就会引起上极板110a和下极板106a之间的间距发生变化产生形变；具体的，上极板110a和上极板110a下方相邻左侧的下极板106a之间的间距变大，压电电阻减小，从而使得RC信号减小，还可以利用标准CMOS电路的谐振电路来监测该变化的RC信号，对于由该红外探测像元结构形成的红外图像传感器来说，可以利用RC信号来生成所需波段的红外图像。

本实施例中，还提供了一种混合成像器件，请参阅图4，箭头表示光入射方向，在同一硅衬底100的上表面和下表面分别设置有上述的红外探测像元结构以及位于红外探测像元结构上方的可见光探测像元结构。具体的，在一硅衬底100的下表面设置有可见光探测区域，硅衬底100为P型，硅衬底100下表面中的可见光探测像元结构包括P型区域101a和N型区域101b，从而构成PN结，P型区域101a将被N型区域101b包围并且通过N型区域101b与P型硅衬底100相隔离，在N型区域101b周围与之不相连设置有前道器件和厚道互连形成的电路处理模块102，在N型区域101b周围的P型硅衬底下表面设置有后道互连结构103，后道互连结构与电路处理模块102相连；同时，有一部分后道互连结构103边缘延伸于P型区域101a和N型区域101b下方，分别与P型区域101a和N型区域101b形成电连接，这样，通过后道互连结构103将P型区域101a和N型区域101b的信号传输至处理模块102，也即是将PN结探测到的感光信号传输到电路处理模块102上；在P型区域101a下方具有光增强填充介质104，光增强填充介质104的材料可以为增强光透射的有机材料。

上述的红外探测像元结构设置在硅衬底100的上表面并且位于可见光探测像元结构的PN结的上方；特别的，N型区域101b和P型区域101a对应于上极板110a和下极板106a的下方；上电极结构的引出极为焊盘108a和通孔108，通孔108贯穿整个硅衬底100，该通孔108的底部与后道互连结构103相连接，通孔108顶部通过焊盘108a与悬臂梁结构113相连接；下电极结构的引出极为焊盘108b和通孔105，通孔105贯穿整个硅衬底100，通孔105的底部与后道互连结构103相连接，通孔105的顶部通过焊盘108b与下连接体106b相连接。通孔105和通孔108均可以由多层材料层叠组成，例如，通孔105或108的侧壁表面具有SiO₂绝缘层，然后通孔105或108内填充金属铜，使得金属铜被SiO₂绝缘层包围。这里，上述的掺杂区117可以用于隔离下电极结构与硅衬底100。

请参阅图5，本实施例中还提供了一种上述的红外探测像元结构的制备方法，包括：

步骤01：在一硅衬底中形成下电极区域；

具体的，请参阅图6，首先，向硅衬底100中进行第一类型的离子注入，形成掺杂区117，掺杂区117的类型为N型；然后，向掺杂区117中进行第二类型的离子注入，形成下电极区域106，下电极区域106为P型；第一类型与第二类型相反。

步骤02：在下电极区域中刻蚀出多个沟槽，沟槽侧壁的下电极区域形成下极板，在沟槽底部的下电极区域形成下连接体；

具体的，首先，请参阅图7，在对应于下连接体的下连接端刻蚀出通孔105的图案以及在下电极区域的另一侧刻蚀出通孔108的图案，通孔105的图案和通孔108的图案贯穿到硅衬底100下表面，并且在通孔105的图案和通孔108的图案中可以依次沉积绝缘介质材料和导电金属材料，并且平坦化通孔105和通孔108的顶部，从而形成通孔105和通孔108；然后，请参阅图8，通过沉积沉积隔离层并且图案化隔离层，最终在通孔108上方形成隔离层，包括阻挡层107a和缓冲层107b，然后在通孔105和通孔108的顶部分别制备出焊盘108b和焊盘108a；然后，请参阅图9，在隔离层保护下，来刻蚀下极板区域，可以但不限于采用光刻和刻蚀工艺来刻蚀出多个沟槽，沟槽的侧壁形成下极板106a，多个沟槽底部的区域为下连接体106b；沟槽各尺寸比例可以掺杂上述下极板之间的沟槽的描述；此外，在沟槽的表面还可以沉积一层窗口材料层(未示出)，用于选择性透过所需波段的光，并且，在沟槽的一个侧壁表面沉积介电层118，并且采用化学机械抛光工艺研磨掉沟槽顶部的介电层118，该形成介电层118的侧壁为：在上极板110a相对于下极板106a产生相对位移时下极板106a相对于上极板110a的距离减小的一侧的侧壁。

步骤03：在完成步骤02的衬底上形成牺牲层；

具体的，请参阅图10，在完成步骤02的硅衬底100上沉积牺牲层109，牺牲层109的材料可以但不限于为SiO₂，后续可以使用蒸汽HF进行将牺牲层109去除；

步骤04：在沟槽内的牺牲层中形成上极板，然后，在牺牲层表面形成与上极板相连的上连接体；

具体的，首先，请参阅图11，可以但不限于采用光刻和刻蚀工艺来刻蚀出上极板110a的图案，上极板110a的图案的深度小于上述步骤02的沟槽的深度，再在上极板110a的图案中沉积所需上电极材料，并且化学机械抛光研磨掉上极板图案外的上电极材料，实现平坦化；接着，请参阅图12，图形化牺牲层109来去除下电极结构之外的牺牲层109；然后，请参阅图13，可以在暴露的硅衬底100表面、焊盘108a表面、缓冲层107b表面、牺牲层109表面沉积下介质保护层111，再在下介质保护层111中刻蚀出多个与上极板110a对应的凹槽，并且在其中沉积与上极板110a相同的材料，来形成金属连接结构110M；然后，请参阅图14，在下介质保护层111和金属连接结构110M表面形成上连接体110b，在形成上连接体110b之后，还可以在上连接体110b的一个侧方形成压敏电阻结构112以及还可以同时形成悬臂梁结构116，压敏电阻结构112与上连接体110b通过上连接体110b的连接端110c相连接；悬臂梁结构116的一端与焊盘108a相连接，另一端与压敏电阻结构112相连接；关于压敏电阻结构112、悬臂梁结构116的描述可以参照上述的红外探测像元结构的描述，这里不再赘述。

需要说明的是，本发明的其它实施例中，下电极结构的引出极和上电极结构的引出极还可以分别在步骤02和步骤04中制备。在步骤04中，在图形化牺牲层109以去除下电极结构上方之外的牺牲层109之后，在暴露的硅衬底100中制备下电极结构的引出极。

步骤05：在上连接体表面形成红外敏感结构；

具体的，请参阅图15，在上连接体110b表面形成红外敏感结构，还可以在压敏电阻结构112和悬臂梁结构116表面同时形成红外敏感结构；这里，红外敏感结构为多层，具体包括：依次形成红外吸收层113、热致形变层114和上介质保护层115。

步骤06：经释放工艺，去除牺牲层。

具体的，请参阅图16，为去除牺牲层之后的红外探测像元结构；入射光首先进入可见光探测像元结构中的，然后透过下电极结构进入上电极结构以及红外吸收层和热致形变层。

此外，本实施例的混合成像器件的制备方法可以包括：在硅衬底100下表面制备可见光探测像元结构区域和在硅衬底100上表面制备红外探测像元结构，红外探测像元结构的制备可以采用上述步骤01-05，请再次参阅图16，可见光探测区域的制备可以但不限于包括：

步骤001：在硅衬底100下表面形成N型区域101b；这里可以采用N型掺杂离子注入来形成N型区域101b；

步骤002：在N型区域101b中形成P型区域101a；N型区域101b把P型区域101a包围，从而构成上述的PN结；

步骤003：在PN结周围制备电路处理模块102；

步骤004：在电路处理模块102下方制备后道互连结构103；其中，PN结下方一侧的后道互连结构103与P型区域101a和N型区域101b相连接，用于将PN结的信号传输给电路处理模块102；

步骤005：在后道互连结构103之间沉积光增强填充介质104。

与红外探测像元结构上电极结构和下电极结构分别连接的通孔108和通孔106的底部与可见光探测像元结构区域的后道互连结构103相连接。关于制备的可见光探测区域的具体结构以及红外探测像元结构可以参考上述描述，这里不再赘述。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (9)

1.一种红外探测像元结构，设置在一硅衬底上，其特征在于，包括：

位于硅衬底中的下电极结构，下电极结构具有第一方向排列的下极板以及将多个下极板相连接的第二方向排布的下连接体，其中，所述下连接体与每个下极板的底部相连接，从而使相邻下极板和底部的下连接体之间构成沟槽，每个上极板插入沟槽内，上极板、所述沟槽两侧的下极板、以及所述沟槽内的气体构成双电容结构，第一方向与第二方向相互垂直，第一方向为竖直方向，第二方向为水平方向；

位于下电极结构上方的上电极结构，上电极结构具有与下电极结构相间的第一方向排列的上极板以及将多个上极板相连接的第二方向排布的上连接体；上连接体的一端固定，为连接端，上连接体的非连接端不固定，使得非连接端相对于所述连接端可相对运动；

在上连接体表面具有红外敏感结构，红外敏感结构用于吸收入射的红外光并且产生热变形，从而非连接端相对于连接端做相对移动，使得上极板相对于下极板产生相对位移，上极板和下极板产生电容信号发生变化，从而实现红外探测。

2.根据权利要求1所述的红外探测像元结构，其特征在于，下连接体连接下电极结构的引出极；上连接体具有的连接端与上电极结构的引出极相连接；所述上连接体通过一压敏电阻结构与上电极结构的引出极相连接。

3.根据权利要求2所述的红外探测像元结构，其特征在于，所述压敏电阻结构为平面内的曲折迂回结构。

4.根据权利要求2所述的红外探测像元结构，其特征在于，还包括悬臂梁结构；所述压敏电阻的一端与所述上连接体的连接端相连接，所述压敏电阻结构的另一端与所述悬臂梁结构的一端相连接，所述悬臂梁结构的另一端与所述上电极结构的引出极相连接。

5.根据权利要求4所述的红外探测像元结构，其特征在于，所述悬臂梁结构为平面内的L型。

6.根据权利要求1所述的红外探测像元结构，其特征在于，所述红外敏感结构的材料为内部具有微应力的材料；在升温或降温的过程中微应力变大导致所述红外敏感结构发生形变，从而带动上连接体相对于连接端产生相对位移，使得上极板相对于下极板产生相对位移。

7.根据权利要求1所述的红外探测像元结构，其特征在于，上极板相对于下极板产生相对位移时所述下极板相对于所述上极板的距离减小的一侧的侧壁表面具有介电层。

8.一种混合成像器件，其特征在于，在同一硅衬底的上表面和下表面分别设置有权利要求1-7任意一项所述的红外探测像元结构以及位于所述红外探测像元结构上方的可见光探测像元结构。

9.一种权利要求1所述的红外探测像元结构的制备方法，其特征在于，包括：

步骤01：在一硅衬底中形成下电极区域；

步骤02：在下电极区域中刻蚀出多个沟槽，沟槽侧壁的下电极区域形成下极板，沟槽底部的下电极区域形成下连接体；

步骤03：在完成步骤02的衬底上形成牺牲层；

步骤04：在沟槽内的牺牲层中形成所述上极板，然后，在牺牲层表面形成与上极板相连的上连接体；

步骤05：在所述上连接体表面形成所述红外敏感结构；

步骤06：经释放工艺，去除所述牺牲层。