CN106113297B - 一种多晶循环料的处理方法 - Google Patents
一种多晶循环料的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106113297B CN106113297B CN201610473279.4A CN201610473279A CN106113297B CN 106113297 B CN106113297 B CN 106113297B CN 201610473279 A CN201610473279 A CN 201610473279A CN 106113297 B CN106113297 B CN 106113297B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grades
- cycle
- silicon ingot
- polycrystal silicon
- cycle stock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本申请公开了一种多晶循环料的处理方法,包括:将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料,其中包括:分割所述多晶硅锭的边皮,将分离出的边皮料继续进行分割,得到靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,并将靠近所述多晶硅锭的尾部的边皮料归属于所述A级循环料;其中,继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,将其上部和外侧的部分归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分归属于所述A级循环料;将所述A级循环料进行化学处理后直接投炉使用;将所述C级循环料进行打磨和化学处理之后进行提纯,然后投炉使用。上述方法能够简化处理流程,降低了单个锭回炉料的量,减少浪费,降低生产成本。
Description
技术领域
本发明属于光伏设备制造技术领域,特别是涉及一种多晶循环料的处理方法。
背景技术
多晶循环料的处理是制造太阳能电池的一个重要步骤,在待提纯的回收料里面含有一部分不需提纯的A级料,常规工艺中,对这部分A级料不做分离,而是直接与其他料一同提纯使用。具体的,先采用打磨的方式去除表面杂质,再经化学法处理后提纯使用,涉及的工序包括:打磨——化学处理——品质检验——提纯——开方——截断——化学处理——品质检验——正常投炉。上述工序流程中只有正常投炉是产生经济价值的,繁琐的工序流程带来的是高额的处理成本,因而增加了提纯的能耗,产生浪费。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种多晶循环料的处理方法,能够简化处理流程,降低了单个锭回炉料的量,减少浪费,降低生产成本。
本发明提供的一种多晶循环料的处理方法,包括:
将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料;
将所述A级循环料进行化学处理后直接投炉使用;
将所述C级循环料进行打磨和化学处理之后进行提纯,然后投炉使用;
其中,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料包括:
分割所述多晶硅锭的边皮,将分离出的边皮料继续进行分割,得到靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,并将靠近所述多晶硅锭的尾部的边皮料归属于所述A级循环料;
其中,继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,将其上部和外侧的部分归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分归属于所述A级循环料。
优选的,在上述多晶循环料的处理方法中,
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
分割出所述多晶硅锭的尾部,将分离出的尾料归属于所述A级循环料。
优选的,在上述多晶循环料的处理方法中,
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
分割所述多晶硅锭的头部,将分离出的头料继续进行分割,将上部的头料归属于所述C级循环料,将下部的头料归属于所述A级循环料。
优选的,在上述多晶循环料的处理方法中,
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
在所述分割所述多晶硅锭的边皮之后,将分离出的边角料归属于所述C级循环料。
优选的,在上述多晶循环料的处理方法中,
所述将多晶硅锭进行分割为:
利用线切割方式将所述多晶硅锭进行分割。
优选的,在上述多晶循环料的处理方法中,
所述利用线切割方式将所述多晶硅锭进行分割为:
利用砂浆线切割方式或金刚线切割方式将所述多晶硅锭进行切割。
通过上述描述可知,本发明提供的上述多晶循环料的处理方法,由于继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,将其上部和外侧的部分归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分归属于所述A级循环料,这样就减少了对A级循环料进行处理的不必要的浪费,能够简化处理流程,降低了单个锭回炉料的量,减少浪费,降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种多晶循环料的处理方法的示意图;
图2为将多晶硅锭分割出A级循环料和C级循环料的示意图;
图3为将靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料继续分割的示意图。
具体实施方式
本发明的核心思想在于提供一种多晶循环料的处理方法,能够简化处理流程,降低了单个锭回炉料的量,减少浪费,降低生产成本。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本申请实施例提供的第一种多晶循环料的处理方法如图1所示,图1为本申请实施例提供的第一种多晶循环料的处理方法的示意图。该方法包括如下步骤:
S1:将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料;
本实施例中,分割过程包括开方和截断过程,其中,开方过程是将多晶硅锭分割为一定数量的若干立方体,然后进行截断,按照少子寿命、探伤检测结果将可以用于正常投炉的A级循环料和C级循环料分离。
其中,参考图2,图2为将多晶硅锭分割出A级循环料和C级循环料的示意图,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料包括:
分割所述多晶硅锭的边皮,将分离出的边皮料继续进行分割,得到靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料4,并将靠近所述多晶硅锭的尾部的边皮料5归属于所述A级循环料;
这里需要说明的是,靠近头部的边皮料某些位置杂质较多,而靠近尾部的边皮料由于杂质较少,因此归属于A级循环料,二者之间的分界位置视具体的情况而定,通过少子寿命等参数来决定二者之间的分界。
其中,参考图3,图3为将靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料继续分割的示意图。由于靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料中的某些部分杂质相对来说较少,因此可以将其分离出来作为A级循环料,直接化学处理后投炉使用,而不是像现有技术中那样直接全部当作C级循环料进行处理。具体而言,继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料4,将其上部和外侧的部分402和401归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分403归属于所述A级循环料,从而可以杜绝A级循环料因参与的非必要提纯产生的浪费,而这种浪费不仅包括人工方面的浪费,也包括提纯用设备原料的浪费,以进一步降低成本,减少A级循环料提纯处理的浪费。
S2:将所述A级循环料进行化学处理后直接投炉使用;
在该步骤中,正是由于分离出的A级循环料本身较为洁净,可以经化学处理后用于正常投料,无需像C级料那样经过多重步骤进行处理,正常投炉过程是按照配方比例将处理好的A级料再用于铸锭,产生经济价值。在这种情况下,能够最大限度降低回炉提纯量,达到降低企业制造成本的目的。
S3:将所述C级循环料进行打磨和化学处理之后进行提纯,然后投炉使用;
在该步骤中,打磨过程是将C级循环料的表层的一些杂质用机械打磨做预处理,化学处理过程是使用酸或碱将更深层或孔洞内的杂质进行处理,然后可以进行品质检验,检验化学处理后的C级循环料是否能满足质量要求,而提纯过程是用多晶浇铸或直拉单晶类似的工艺形式重新将杂质与好的硅料分离,最后将处理之后的料投炉,产生经济价值。
通过上述描述可知,本申请实施例提供的上述第一种多晶循环料的处理方法,由于继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,将其上部和外侧的部分归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分归属于所述A级循环料,这样就减少了对A级循环料进行处理的不必要的浪费,能够简化处理流程,降低了单个锭回炉料的量,减少浪费,降低生产成本。
本申请实施例提供的第二种多晶循环料的处理方法,是在上述第一种多晶循环料的处理方法的基础上,还包括如下技术特征:
继续参考图2,其中,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料包括:
分割所述多晶硅锭的尾部,将分离出的尾料1归属于所述A级循环料。
具体如图2所示,将一整块多晶硅锭开方之后,取出位于边缘的一块,并将其分解成多个小块,位于不同位置的小块由于其中的杂质含量不同,因此被归为不同类型的循环料,这里的尾料由于位于多晶硅锭的底部,本身杂质少,因此可以归属于A级循环料。
本申请实施例提供的第三种多晶循环料的处理方法,是在上述第二种多晶循环料的处理方法的基础上,还包括如下技术特征:
继续参考图2,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
分割所述多晶硅锭的头部,将分离出的头料继续进行分割,将上部的头料2归属于所述C级循环料,将下部的头料3归属于所述A级循环料。这里需要说明的是,由于上部的头料2位于外侧,因此杂质较多,被归属于C级循环料,而下部的头料3位于内侧,杂质相对较少,因此可以被归属于A级循环料。
本申请实施例提供的第四种多晶循环料的处理方法,是在上述第三种多晶循环料的处理方法的基础上,还包括如下技术特征:
继续参考图2,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
在所述分割所述多晶硅锭的边皮之后,将分离出的边角料6归属于所述C级循环料。在实际工作中,由于边角料属于细长棒料,一个锭约产出1kg,数量较少,因此可以处理也可以不处理。
本申请实施例提供的第五种多晶循环料的处理方法,是在上述第一种至第四种多晶循环料的处理方法中的任一种的基础上,还包括如下技术特征:
所述将多晶硅锭进行分割为:
利用线切割方式将所述多晶硅锭进行分割。
因单块循环料重量较小,需要特定的治具进行固定,将循环料固定在夹具上,然后参照开方机的切割模式,切除杂质层,提升循环料品质。
本申请实施例提供的第六种多晶循环料的处理方法,是在上述第五种多晶循环料的处理方法的基础上,还包括如下技术特征:
所述利用线切割方式将所述多晶硅锭进行分割为:
利用砂浆线切割方式或金刚线切割方式将所述多晶硅锭进行切割。
本实施例可以依靠传统的切割设备,如开方机、线截断机、线切边机等配套治具,以线切割方式,更为细致的分离A级循环料和C级循环料,减少A级循环料不必要处理的浪费。开方机、线截断机、线切边机以及砂浆线或金刚线设备均能配套适合的治具对循环料进行处理,能够降低处理成本。
综上所述,本申请实施例提供的上述多晶循环料的处理方法降低了人工费用、提纯费用,并且处理后的循环料品质较高,已达到正常投炉使用的质量标准。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (1)
1.一种多晶循环料的处理方法,其特征在于,
利用砂浆线切割方式或金刚线切割方式将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料;
将所述A级循环料进行化学处理后直接投炉使用;
将所述C级循环料进行打磨和化学处理之后进行提纯,然后投炉使用;
其中,所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料包括:
分割所述多晶硅锭的边皮,将分离出的边皮料继续进行分割,得到靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,并将靠近所述多晶硅锭的尾部的边皮料归属于所述A级循环料;
其中,继续分割所述靠近所述多晶硅锭的头部的边皮料,将其上部和外侧的部分归属于所述C级循环料,而位于其内侧下部的部分归属于所述A级循环料;
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
分割出所述多晶硅锭的尾部,将分离出的尾料归属于所述A级循环料;
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
分割所述多晶硅锭的头部,将分离出的头料继续进行分割,将上部的头料归属于所述C级循环料,将下部的头料归属于所述A级循环料;
所述将多晶硅锭进行分割,分离出A级循环料和C级循环料还包括:
在所述分割所述多晶硅锭的边皮之后,将分离出的边角料归属于所述C级循环料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610473279.4A CN106113297B (zh) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | 一种多晶循环料的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610473279.4A CN106113297B (zh) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | 一种多晶循环料的处理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106113297A CN106113297A (zh) | 2016-11-16 |
CN106113297B true CN106113297B (zh) | 2018-09-18 |
Family
ID=57265553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610473279.4A Active CN106113297B (zh) | 2016-06-24 | 2016-06-24 | 一种多晶循环料的处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106113297B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106738396B (zh) * | 2016-12-21 | 2019-03-22 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶硅锭的开方装置和方法 |
CN111748841B (zh) * | 2019-03-26 | 2021-08-20 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 一种用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法及应用 |
CN110534617A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 常州时创能源科技有限公司 | 小片电池的制备方法 |
CN110685010B (zh) * | 2019-10-30 | 2021-03-16 | 晶科能源有限公司 | 一种高效多晶硅铸锭方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102152411A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 降低多晶锭杂质比例的方法 |
TW201400230A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-01 | Saint Gobain Abrasives Inc | 研磨物品及形成方法 |
CN104441279A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种多晶硅碇的截取方法 |
CN104960100A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-10-07 | 杭州海纳半导体有限公司 | 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004106394A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Sharp Corp | 板状シリコンの切断方法、切断された板状シリコン、およびこれを用いて作製された太陽電池 |
-
2016
- 2016-06-24 CN CN201610473279.4A patent/CN106113297B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102152411A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 降低多晶锭杂质比例的方法 |
TW201400230A (zh) * | 2012-06-29 | 2014-01-01 | Saint Gobain Abrasives Inc | 研磨物品及形成方法 |
CN104441279A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 镇江环太硅科技有限公司 | 一种多晶硅碇的截取方法 |
CN104960100A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-10-07 | 杭州海纳半导体有限公司 | 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106113297A (zh) | 2016-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106113297B (zh) | 一种多晶循环料的处理方法 | |
CN102642835A (zh) | 从金刚线切割晶硅产生的废料中回收硅料的方法 | |
CN102351184B (zh) | 从硅料线切割废砂浆中回收碳化硅、高纯硅和分散液的方法 | |
CN106738396B (zh) | 一种多晶硅锭的开方装置和方法 | |
CN109304819A (zh) | 一种晶体硅块高效切割方法 | |
CN106738395A (zh) | 一种晶体硅的线切割的方法 | |
CN106082233A (zh) | 从金刚线切割浆料中回收硅粉的方法 | |
CN102757050A (zh) | 金属硅酸洗提纯的方法 | |
CN110076919A (zh) | 一种蓝宝石晶棒浸没式多线切割装置及方法 | |
EP2094441B1 (en) | Process and apparatus for treating exhausted abrasive slurries from the lapping process for the recovery of their reusable abrasive component | |
CN105107746A (zh) | 一种用于分离砂石中杂质的装置 | |
CN104493988B (zh) | 一种用于硅片切割的高粘度砂浆切割工艺 | |
CN103194792B (zh) | 一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法 | |
CN102266859A (zh) | 菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗方法及装置 | |
CN105784436A (zh) | 一种硅块的少子寿命检测方法 | |
CN102701211A (zh) | 一种从晶砖倒角机产生的废料中回收硅料的方法 | |
WO2017103229A1 (en) | Manufacturing method of a silicon single crystal and silicon wafer production facility | |
CN204208808U (zh) | 一种除去复投硅原料上附着的碎末和粉尘的装置 | |
CN108225955B (zh) | 一种硅棒的硬度评估方法 | |
CN110685010B (zh) | 一种高效多晶硅铸锭方法 | |
CN114603729B (zh) | 多晶硅块可视化辨性同区配刀及划域多线切割的方法 | |
CN102441944A (zh) | 多晶晶锭的开方方法 | |
CN109137065A (zh) | 一种用于废硅料回收处理方法 | |
CN208679246U (zh) | 可提高小麦利用率的原料预处理系统 | |
CN205236438U (zh) | 一种用于分离砂石中杂质的装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |