CN106099643A - 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 - Google Patents
含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106099643A CN106099643A CN201610660267.2A CN201610660267A CN106099643A CN 106099643 A CN106099643 A CN 106099643A CN 201610660267 A CN201610660267 A CN 201610660267A CN 106099643 A CN106099643 A CN 106099643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- algaassb
- quantum
- type
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:一N型GaSb衬底;一N型GaSb缓冲层,该缓冲层生长在衬底上;一N型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上;一AlGaAsSb下波导层,该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上;一AlGaAsSb下势垒层,该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上;一InPSb空穴阻挡层,该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上;一InGaAsSb量子阱层,该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上;一AlGaAsSb上势垒层,该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上;一AlGaAsSb上波导层,该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上;一P型AlGaAsSb覆盖层,该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上;一P型GaSb欧姆接触层,该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
Description
技术领域
本发明涉及一种激射波长在2-4μm的铝镓砷锑(AlGaAsSb)/铟镓砷锑(InGaAsSb)/铟磷锑(InPSb)/锑化镓(GaSb)量子阱激光器结构,特别是含空穴阻挡层铟磷锑(InPSb)的量子阱结构。
背景技术
2-4μm波段包含非常重要的大气窗口,包含了许多气体分子的特征谱线,可以广泛应用于大气污染监测、气体检测等民用项目;这是因为非对称双原子和多原子分子气体(如CH4,CO,H2,SO2,NO 和CO2)等都有吸收红外辐射能量的性质,吸收红外光的波长很大一部分在2-4μm。这种性质是具有红外活性物质本身固有的一种属性,如同人类的指纹,具有唯一性,不会因环境、温度等条件的改变而改变,因此可以利用这一特性来对物质进行定性和定量分析,与传统的检测手段相比,红外光谱的检测方法更具有快速、可实时检测、可远距离检测、对待测物体不产生破坏等优点。
在瓦斯、大气污染物和温室气体等气体检测的民用领域,气体检测设备必须具有可在恶劣环境中工作、实时检测、选择性好、稳定性好、工作寿命长、成本低等特点。针对这些市场需求特点,对红外激光器提出了以下要求:
1)工作温度为室温或略高于室温
2)低频脉冲或连续工作
3)多波长、窄线宽
4)波长随温度变化偏移较小
5)阈值电流低
6)输出功率要求低,达到mW量级即可
而锑化物红外半导体激光器完全可以满足以上市场要求。
在2-4μm中红外波段,GaSb 基材料有先天的优势,与衬底晶格匹配的四元锑化物GaInAsSb/AlGaAsSb,根据材料组分的不同,禁带宽度可以覆盖从1.7 到4.4μm的波段。因此,大部分带间跃迁的中红外波段Ⅲ-Ⅴ族系材料的研究多集中于锑化物材料。在1.7-3.5μm,主要是GaSb 基材料体系;在大于3.5μm 波段时,GaSb 基激光器性能急剧下降,其主要原因是量子阱与垒之间价带带阶随波长变长而变小造成的。
对于激光器结构来说,量子阱带阶是一个关键的参数。量子阱带阶越大,势垒对势阱载流子的限制就越强,载流子的泄露就越小,激光器的特征温度就越高。导带带阶是势垒与势阱导带底的差值,价带带阶是势垒与势阱价带顶的差值。
对于InGaAsSb /AlGaAsSb量子阱体系,InGaAsSb作为势阱,选取Al0.35GaAs0.02Sb作为势垒,对势阱与势垒的导带带阶进行计算发现,随着In 组分的增加,导带带阶基本是线性增加;As 组分的增加对导带带阶的影响比较小一些。对于发光波长为2-4μm 的量子阱,导带带阶超过0.5eV,势垒对势阱导带中的电子限制比较大,电子不会泄露出来。
InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱价带带阶的计算结果表明,与导带带阶相比,价带带阶要小得多,即使是GaSb/AlGaAsSb 的带阶也不会超过0.15eV。随着In组分的增加到0.2,价带带阶迅速减小,然后在较大In 组分范围内保持稳定;而As 组分的增加使价带带阶急剧下降。对于发光波长为2μm的量子阱,In 组分为0.18 左右,晶格匹配时所需的As 组分为0.16,这时价带带阶为-0.096eV,仍可较好的限制空穴。但是随着波长的增加,In 组分必须增加,而As 组分也要随之增加,这会使价带带阶进一步变小,激光器难以激射。
价带带阶过小导致势垒对空穴限制较差的问题是激光器在2μm 以上波长激光器激射的主要障碍。目前国际上主要采取两种手段:一是通过引入一定量的压应变。为保持量子阱的发光波长不变,In 组分不变,采取减小As 组分的方法,提高价带带阶。但是过大的压应变,当应变量子阱厚度超过临界厚度时,会在量子阱中引入缺陷,破坏量子阱质量;同时较大的应变会使激光器激射波长蓝移,不利于更长波长的激射。
二是通过引入五元AlGaInAsSb 材料。五元材料的引入,为量子阱能带设计带来了更大的自由度。通过合理选择AlGaInAsSb 的组分,可以解决价带带阶过小、对空穴限制弱的缺点。但材料质量难以提高,光损耗和焦耳热现象比较严重,激光器性能大大下降。
本发明,提出了第三种方法,引入薄层InPSb的材料体系在量子阱的电子注入一侧。由于P材料的加入,基本上不改变导带的带阶结构,但可以迅速地增加价带带阶。所以可以有效地阻挡来自于p型掺杂的空穴向n型掺杂区的泄露。同时对电子的注入基本上不太影响。由此提高了量子阱的发光效率,降低了激光激射阈值。
发明内容
本发明的目的在于,提出了一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2-4um量子阱激光器结构,可以有效增加量子阱价带带阶,提高了量子阱的发光效率,降低了激光激射阈值。
本发明提出一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2-4um量子阱激光器结构,该结构为多层结构,其特征在于:
一N 型GaSb衬底;
一N型GaSb缓冲层,该N型GaSb缓冲层生长在衬底上;
一N型AlGaAsSb覆盖层,该N型AlGaAsSb覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上;
一AlGaAsSb下波导层,该AlGaAsSb下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上;
一AlGaAsSb下势垒层,该AlGaAsSb下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上;
一InPSb空穴阻挡层,该InPSb空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上;
一InGaAsSb量子阱层,该InGaAsSb量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上;
一AlGaAsSb上势垒层,该AlGaAsSb上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上;
一AlGaAsSb上波导层,该AlGaAsSb上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上;
一P型AlGaAsSb覆盖层,该P型AlGaAsSb覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上;
一P型GaSb欧姆接触层,该P型GaSb欧姆接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
附图说明
本发明为量子阱激光器结构设计以及一个实施例,包含结构设计。其中:
图1是激光器结构(层状)图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提出一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2-4um量子阱激光器结构,该结构为多层结构,包括:
一N型衬底101,起到支撑和N型电极接触层的作用;
一N型缓冲层102,生长在衬底101上,起到平整衬底损伤,平滑表面的作用;
一N型AlGaAsSb覆盖层103,生长在N型缓冲层102上,起到覆盖波导的作用;
一AlGaAsSb下波导层104,生长在N型AlGaAsSb覆盖层103上,起导引光的作用;
一AlGaAsSb下势垒层105,生长在AlGaAsSb下波导层104上,起量子阱势垒的作用;
一InPSb空穴阻挡层106,生长在AlGaAsSb下势垒层105上,起阻挡空穴的作用,也是本发明的核心内容;
一InGaAsSb量子阱层107,生长在InPSb空穴阻挡层106上,起量子阱的作用;
一AlGaAsSb上势垒层108,生长在InGaAsSb量子阱层107上,起量子阱势垒的作用;
一AlGaAsSb上波导层109,生长在AlGaAsSb上势垒层108上,起导引光的作用;
一P型AlGaAsSb覆盖层110,生长在AlGaAsSb上波导层109上,起到覆盖波导的作用;
一P型GaSb欧姆接触层111,生长在P型AlGaAsSb覆盖层110上,起到P型欧姆接触层的作用。
表一所示为具体实施例,包括组分、厚度、掺杂、生长温度等参数。
Claims (12)
1.一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,该结构为多层结构,其特征在于,包括:
一N 型GaSb衬底;
一N型GaSb缓冲层,该N型GaSb缓冲层生长在衬底上;
一N型AlGaAsSb覆盖层,该N型AlGaAsSb覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上;
一AlGaAsSb下波导层,该AlGaAsSb下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上;
一AlGaAsSb下势垒层,该AlGaAsSb下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上;
一InPSb空穴阻挡层,该InPSb空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上;
一InGaAsSb量子阱层,该InGaAsSb量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上;
一AlGaAsSb上势垒层,该AlGaAsSb上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上;
一AlGaAsSb上波导层,该AlGaAsSb上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上;
一P型AlGaAsSb覆盖层,该P型AlGaAsSb覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上;
一P型GaSb欧姆接触层,该P型GaSb欧姆接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
2.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中N型GaSb缓冲层的厚度为400-700nm。
3.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中N型GaSb缓冲层的厚度为400-700nm,掺杂浓度为1e18-3e18cm-3。
4.按权利要求1所述的锑化镓基2-μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中N型AlGaAsSb覆盖层的厚度为500-1500nm,掺杂浓度为3e17-6e17cm-3。
5.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中AlGaAsSb下波导层的厚度为100-300nm。
6.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中AlGaAsSb下势垒层的厚度为10-30nm。
7.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中InPSb空穴阻挡层的厚度为4-8nm。
8.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中InGaAsSb量子阱层的厚度为8-12nm。
9.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中AlGaAsSb上势垒层的厚度为10-30nm。
10.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中AlGaAsSb上波导层的厚度为100-300nm。
11.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中P型AlGaAsSb覆盖层的厚度为500-1500nm,掺杂浓度为3e18-6e18cm-3。
12.按权利要求1所述的锑化镓基2-4μm量子阱激光器结构,其特征在于,其中P型GaSb欧姆接触层的厚度为200-400nm,掺杂浓度为1e19-2e19cm-3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610660267.2A CN106099643A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610660267.2A CN106099643A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106099643A true CN106099643A (zh) | 2016-11-09 |
Family
ID=57457089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610660267.2A Pending CN106099643A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106099643A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101626143A (zh) * | 2009-04-10 | 2010-01-13 | 长春理工大学 | 采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 |
CN101702490A (zh) * | 2009-10-29 | 2010-05-05 | 长春理工大学 | 一种采用dwell的中红外锑化物激光器结构 |
-
2016
- 2016-08-12 CN CN201610660267.2A patent/CN106099643A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101626143A (zh) * | 2009-04-10 | 2010-01-13 | 长春理工大学 | 采用InGaSb柱形量子点实现高效率1.5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 |
CN101702490A (zh) * | 2009-10-29 | 2010-05-05 | 长春理工大学 | 一种采用dwell的中红外锑化物激光器结构 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
R.M.BIEFELD, ET AL.: "InAsSb/InPSb strained-layer superlattice growth using metal-organic chemical vapor deposition", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Razeghi | III-nitride optoelectronic devices: from ultraviolet toward terahertz | |
CN103346478B (zh) | 镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器 | |
WO2021102722A1 (zh) | 侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器及其制备方法 | |
Rolland et al. | Design of a lattice-matched III–V–N/Si photovoltaic tandem cell monolithically integrated on silicon substrate | |
CN107452820B (zh) | 一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器 | |
JP2009026887A (ja) | 太陽電池 | |
Grant et al. | Study of direct bandgap type-I GeSn/GeSn double quantum well with improved carrier confinement | |
JP3589301B2 (ja) | 量子層の構造 | |
CN108233179B (zh) | 一种无铝波导层的红光半导体激光器结构 | |
CN108346972A (zh) | 一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器 | |
CN1319182C (zh) | 分层半导体衬底和光学半导体元件 | |
CN212011600U (zh) | 侧面光栅氧化限制结构单纵模边发射激光器 | |
CN106300012A (zh) | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器 | |
TW201332239A (zh) | 具有梯狀井活性區之量子級聯雷射設計 | |
JP5279070B2 (ja) | 半導体素子 | |
CN106300014A (zh) | 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法 | |
CN106099643A (zh) | 含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 | |
Feng et al. | Photoemission characteristics of thin GaAs-based heterojunction photocathodes | |
US8242480B2 (en) | Engineering emission wavelengths in laser and light emitting devices | |
CN100382347C (zh) | 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 | |
Zhang et al. | Room-temperature continuous-wave interband cascade laser emitting at 3.45 μm | |
US10396222B2 (en) | Infrared light-receiving device | |
RU64818U1 (ru) | Светодиоды среднего инфракрасного диапазона на основе тиристорной гетероструктуры | |
Mei et al. | Room temperature continuous wave lasing of GaN-based green vertical-cavity surface-emitting lasers | |
CN219458298U (zh) | 一种激光器结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161109 |