CN106098868A - 一种led芯片的加工和清洗方法 - Google Patents
一种led芯片的加工和清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106098868A CN106098868A CN201610527585.1A CN201610527585A CN106098868A CN 106098868 A CN106098868 A CN 106098868A CN 201610527585 A CN201610527585 A CN 201610527585A CN 106098868 A CN106098868 A CN 106098868A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- processing
- dust
- ethanol
- clean
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract description 7
- 229940079593 drug Drugs 0.000 abstract description 3
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 abstract description 3
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M crystal violet Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C+](C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZXJXZNDDNMQXFV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 229960001235 gentian violet Drugs 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
本发明提供一种LED芯片的加工和清洗方法，包括如下步骤：对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；重复前一步骤至少一次；用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。该方法简单易行，可以更有效地去除芯片背面残留的精抛液，降低成品芯片的异常比例；同时在整个清洗过程用到的化学药品有且仅有酒精，无毒、成本低、安全性高，不会出现错用的情况。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造领域，具体地，涉及一种LED芯片的加工和清洗方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子器件，当电流通过时，其内部的电子和空穴在光源层复合而释放出光子，目前LED照明已广泛应用于家具、装饰、办公、道路等照明领域。
在LED芯片的制作过程中，芯片在经过前段工艺加工并形成COW片后，还需经过后段研磨、粗抛光、精抛光、切割、裂片、点测和分选，如此将一块完整的2英寸芯片最终制作成一颗一颗微小的芯粒，而众多工序之间，尤以精抛光更显重要。精抛光的作业就是要将芯片背面因研磨和粗抛光产生的刮痕或划痕去除干净，使芯片背面形成一个平整光滑的反射镜面，有利于提高芯片的出光效率和亮度，为了达到上述目的，通常将以高纯度硅粉为原料制成的二氧化硅抛光液作为精抛液使用，而在粗抛光过程中使用的是钻石抛光液。
由于在作业完成后，残留的二氧化硅精抛液极易黏附在芯片背面，不仅会对芯片本身造成污染，还会严重影响后续背镀工艺的质量，导致出现掉背镀等重大品质异常。为了解决上述问题，通常采用大量有毒的、高腐蚀性的、易燃易爆的化学药品对残留的精抛液进行擦洗，包括蓝药水(即浓度超过99.7％的甲紫与水按照1:5的体积比配制而成，具有高碱性和潜在致癌性)、丙酮(浓度不低于99.7％)、酒精等，不仅对人体有损害，而且在长时间的操作过程中容易出现用错洗剂的情况，影响芯LED芯片的品质稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够安全有效地去除残留在LED芯片背面的二氧化硅精抛液的方法，以解决背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种LED芯片的加工和清洗方法，包括如下步骤：
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)至少一次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。
优选地，用于放置所述LED芯片的平台也用酒精进行擦洗。
优选地，所使用的酒精的浓度大于或等于80％。更优选地，所使用的酒精的浓度为99.9％。
优选地，所使用的N2的纯度为99.99～99.999％。
优选地，步骤3)的重复次数为两次，即用酒精清洗精抛光后的LED芯片背面共三次。
本发明提供的技术方案具有如下有益效果：所述方法简单易行，可以更有效地去除芯片背面残留的精抛液，降低成品芯片的异常比例；同时在整个清洗过程用到的化学药品有且仅有酒精，无毒、成本低、安全性高，不会出现错用的情况。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
根据本发明所述的加工和清洗方法得到如下实施例：
实施例1
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有99.9％酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒99.9％酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)两次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。实施例2
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有99.9％酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒99.9％酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)一次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。实施例3
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有90％酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒90％酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)两次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。实施例4
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有80％酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒80％酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)两次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。对比例1
1)对芯片进行粗抛光加工；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒蓝药水，并用软毛刷进行来回刷洗；
4)往芯片的背面再次喷洒蓝药水，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
5)往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
6)往芯片的背面喷洒丙酮，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
7)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。
按照上述不同的加工和清洗方法，分别处理得到不同批次的成品LED芯片，统计各自的异常比例并将数据填入表1中。
表1
根据实施例1和对比例1的数据对比，可发现相比于同时使用蓝药水、酒精和丙酮，使用酒精作为单一洗剂并加上N2吹扫的方式对残留的二氧化硅精抛液具有更好的去除效果，成品LED芯片的异常比例有明显下降。
根据实施例1和2的数据对比，可发现用酒精擦洗芯片背面时，擦洗三次的效果要优于擦洗两次的效果。
根据实施例1、3、4的数据对比，可发现随着酒精浓度的不断提高，残留的二氧化硅精抛液去除得越干净，加工出来的成品LED芯片的质量越好。
在实际生产过程中，将新旧工艺的品质对比数据填入表2中。
表2
综上所述，本发明提供的加工和清洗方法具有如下优点：
1、相比于旧工艺中要用三种不同的洗剂分四次擦洗芯片，本发明使用单一洗剂酒精加上氮气吹扫的方法共同清洁芯片背面，且只需擦洗两次以上、优选擦洗三次即可取得很好的效果，不仅明显提升了成品LED芯片的品质，而且简化了操作。
2、整个加工和清洗过程保持无毒、不刺激、高安全性的特点，可有效保护操作人员的身体健康。
3、所使用的无尘布或无尘纸可为循环使用的二次无尘布或二次无尘纸，既节约了成本也不会出现交叉污染的问题。
4、在完成粗抛光工艺后，用无尘布或无尘纸将钻石抛光液擦干净，减少芯片背面钻石微粒的残留量，避免其再次对芯片造成磨损。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。在本发明的精神和原则之内，凡是利用本发明说明书内容所作的任何改进或等同替换，直接或间接运用在其它相关的技术领域，均应包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种LED芯片的加工和清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；
2)再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；
3)往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；
4)重复步骤3)至少一次；
5)用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；
6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。
2.根据权利要求1所述的加工和清洗方法，其特征在于，用于放置所述LED芯片的平台也用酒精进行擦洗。
3.根据权利要求2所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的酒精的浓度大于或等于80％。
4.根据权利要求3所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的酒精的浓度为99.9％。
5.根据权利要求3所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的N2的纯度为99.99～99.999％。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的加工和清洗方法，其特征在于，步骤3)的重复次数为两次，即用酒精清洗精抛光后的LED芯片背面共三次。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610527585.1A CN106098868A (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种led芯片的加工和清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610527585.1A CN106098868A (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种led芯片的加工和清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106098868A true CN106098868A (zh) | 2016-11-09 |
Family
ID=57212306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610527585.1A Pending CN106098868A (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种led芯片的加工和清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106098868A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1836842A (zh) * | 2006-04-19 | 2006-09-27 | 山东大学 | 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法 |
| CN102240967A (zh) * | 2011-06-24 | 2011-11-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术 |
| CN104198963A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法 |
| CN104900492A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-09 | 北京通美晶体技术有限公司 | 一种异形半导体晶片及其制备方法 |
-
2016
- 2016-07-06 CN CN201610527585.1A patent/CN106098868A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1836842A (zh) * | 2006-04-19 | 2006-09-27 | 山东大学 | 大直径高硬度6H－SiC单晶片的表面抛光方法 |
| CN102240967A (zh) * | 2011-06-24 | 2011-11-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 可用于光电器件衬底的氧化锌单晶抛光技术 |
| CN104198963A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种磁电声表面波磁场传感器及其制备方法 |
| CN104900492A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-09 | 北京通美晶体技术有限公司 | 一种异形半导体晶片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109092801B (zh) | 一种蓝宝石晶片的清洗方法及其采用的设备 | |
| CN105174735A (zh) | 一种防眩玻璃及其制备方法 | |
| CN211053417U (zh) | 一种木板抛光加工装置 | |
| CN106098868A (zh) | 一种led芯片的加工和清洗方法 | |
| CN108054236A (zh) | 单晶硅片清洗制绒方法 | |
| CN109759937A (zh) | 一种硅片的处理方法和装置 | |
| CN104772313B (zh) | 一种镀膜后的蓝宝石晶片的清洗方法 | |
| CN105938793A (zh) | 一种针对背镀晶片的清洗工艺 | |
| CN103235481A (zh) | 一种匀胶铬版制造工艺 | |
| CN111092011B (zh) | 一种改善led芯片表面污染的处理方法 | |
| CN202400960U (zh) | 化学强化玻璃生产系统 | |
| CN102456835A (zh) | 可高效率地提取光的玻璃基板及其制造方法 | |
| CN111283481B (zh) | 一种玻璃抛光工艺 | |
| CN102728578B (zh) | 一种表面涂有保护液发光二极管芯片激光切割后清理方法 | |
| CN112133796B (zh) | 一种提高led管芯表面洁净度的方法 | |
| CN205393141U (zh) | 液晶玻璃基板清洗设备 | |
| CN102962773A (zh) | 去除led衬底的方法及以其方法制得的led芯片 | |
| CN208373595U (zh) | 一种眼镜产品仓库自动分拣线 | |
| CN114260790A (zh) | 一种光学镜片全自动抛光清洗生产线及其工作方法 | |
| CN103387795A (zh) | 抛光膏及硅锭的抛光方法 | |
| CN103770442B (zh) | 装饰木纹类凹版印刷辊中淡化效果木纹设计的处理方法 | |
| CN108947321A (zh) | 一种人造石英石消防标志牌及其制备方法 | |
| CN206153245U (zh) | 一种防眩玻璃加工清污装置 | |
| CN207169232U (zh) | 一种适用于机车部件清洗机的多级水处理系统 | |
| CN204732233U (zh) | 新型电缆喷码处理设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161109 |