CN106077970B - 一种电阻陶瓷基板的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了的一种电阻陶瓷基板的加工方法，包括：烧结成型陶瓷基板；在所述陶瓷基板上涂布黑化液；激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒。本发明实施例提供的电阻陶瓷基板的加工方法，能有避免陶瓷基板在切割时产生的重铸和凹陷现象，保证电阻的成品率。

Description

一种电阻陶瓷基板的加工方法
技术领域
本发明涉及电子领域，尤其是一种电阻陶瓷基板的加工方法。
背景技术
目前电阻在电子领域内被广泛使用，其制作流程通常为：先用激光对整张陶瓷基板进行切割，然后在得到的陶瓷基粒两端依次镀上镍/铬合金层、镍层和锡层，形成上下电极导通，再经过后制程加工最终得到电阻成品。
其中，对陶瓷基板的切割目前通常在常规环境下进行。在使用激光对陶瓷基板进行加工的过程中，由于激光的热冲击作用，陶瓷基板底部气化后的熔渣堆积在切割口位置形成重铸，并让侧壁形成不规则的凹陷；在真空溅镀时，由于陶瓷基板的凹陷底部被遮挡，导致镍/铬合金层无法顺利上镀；并最终造成电阻在SMT(Surface Mount Technology，表面贴装技术)等制程后开路失效，影响了电阻的成品率。
发明内容
为了克服现有技术中陶瓷基板的切割在常规环境下进行，易形成重铸和凹陷现象，影响电阻的成品率的问题，本发明实施例提供的一种电阻陶瓷基板的加工方法，能有避免陶瓷基板在切割时产生的重铸和凹陷现象，保证电阻的成品率。
本发明提供的一种电阻陶瓷基板的加工方法，包括：
烧结成型陶瓷基板；
在所述陶瓷基板上涂布黑化液；
激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒。
本发明实施例提供的一种电阻陶瓷基板的加工方法，通过在陶瓷基板上涂布黑化液，由于黑化液可以吸收激光切割时的激光能量，减少了热量的产生，同时，黑化液受热汽化时进一步吸收热量，可避免陶瓷基板的温度过高而导致的重铸和凹陷现象，提高后续电阻制作过程中的成品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的电阻陶瓷基板的加工方法的流程示意图；
图2为本发明实施例一提供的电阻陶瓷基板的加工方法中步骤102的流程示意图；
图3为本发明实施例二提供的电阻陶瓷基板的加工方法的流程示意图。
具体实施方式：
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
请参照图1所示，为本发明提供的电阻陶瓷基板的加工方法一种实现方式的流程图，其包括：
步骤101：烧结成型陶瓷基板。
本发明实施例中，烧结是指将陶瓷基板的粉状原料经过1000℃的加热至接近其熔点，使其自发地充填粒间隙以致密化，得到陶瓷基板毛胚的过程。
在烧结完成后，对陶瓷基板毛胚进行打磨或腐蚀，其中，腐蚀溶液可选用55％的氢氟酸，使原本粗糙的陶瓷基板毛胚表面光滑致密，以成型陶瓷基板。
步骤102：在所述陶瓷基板上涂布黑化液。
在本实施例中，所述黑化液包括石墨的水溶液、或挥发性溶剂的石墨溶液，所述挥发性溶剂包括乙醇。由于水溶液或挥发性溶剂的溶液的比热容远高于空气的比热容1.4kJ/(kg*K)，黑化液具有更优良的热量吸收性能，可在后续陶瓷基板的切割过程中控制陶瓷基板的温度，防止温升过快。
作为一种优选实施方案，步骤102具体包括：在所述陶瓷基板上涂布厚度为1-10um的黑化液，经过试验，涂布厚度为1-10um的黑化液即可避免陶瓷基板的温度过高而导致的重铸和凹陷现象，具体涂布厚度与黑化液的成分相关，这里不作具体说明。
步骤103：激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒。
本发明实施例中，利用激光设备发出激光对已涂布黑化液的的陶瓷基板进行切割。其中，可以直接切出预设尺寸的陶瓷基粒，也可以在切割完后再进行折粒处理以得到陶瓷基粒。而后续再对陶瓷基粒进行溅镀等加工，并最终得到成品电阻。
请参照图2所示，在本实施例中，步骤102包括：
步骤1021：在所述陶瓷基板上，标识切割路径。
在本步骤中，切割路径可以是根据需要的预设尺寸在陶瓷基粒标识的，标识的方式不限于通过色彩涂布的方式标识，或进行纹理标识。
步骤1022：使用保护膜覆盖所述陶瓷基板的未标识部位。
在本步骤中，保护膜可以是一整张或若干张，所述保护膜于切割路径的对应位置形成镂空。
步骤1023：在所述切割路径上涂布所述黑化液。
步骤1021通过在陶瓷基板上对切割路线进行标识，便于在步骤1023中对切割路径涂布黑化液，节省了黑化液用量，同时，由于步骤1022对陶瓷基板的未标识部位进行保护膜覆盖，防止黑化液沾染到陶瓷基板的其他位置，便于后续对电阻的制作。
本发明实施例提供的一种电阻陶瓷基板的加工方法，通过在陶瓷基板上涂布黑化液，由于黑化液可以吸收激光切割时的激光能量，减少了热量的产生，同时，黑化液受热汽化时进一步吸收热量，可避免陶瓷基板的温度过高而导致的重铸和凹陷现象，提高后续电阻制作过程中的成品率。
实施例二：
请参照图3所示，为本发明提供的电阻陶瓷基板的加工方法另一种实现方式的流程图，其包括：
步骤201：烧结成型陶瓷基板。
步骤202：对所述陶瓷基板整体涂布黑化液。
在本实施例中，陶瓷基板包括外表面，步骤202实现对陶瓷基板外表面所有区域进行整体涂布黑化液。
步骤203：激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒。
步骤204：清洗所述陶瓷基粒上残余的黑化液。
在本实施例中，步骤204具体为，使用超声波清洗所述陶瓷基粒上残余的黑化液。超声波清洗是利用超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和黑化液直接、间接的作用，使黑化液被分散、乳化、剥离而达到清洗目的，具有效果很好，清洁度高，清洗速度快的优点。
相对于实施例一，本发明实施例通过对陶瓷基板的整体涂布黑化液，缩短了黑化液的涂布时间，简化了激光切割前的准备步骤，同时通过超声波清洗陶瓷基粒上残余黑化液，清洁效果很好，速度快，便于后续对电阻的制作。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (7)

1.一种电阻陶瓷基板的加工方法，包括：
烧结成型陶瓷基板；
在所述陶瓷基板上涂布黑化液；
激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板上涂布黑化液的步骤，包括：
在所述陶瓷基板上，标识切割路径；
使用保护膜覆盖所述陶瓷基板的未标识部位；
在所述切割路径上涂布所述黑化液。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板上涂布黑化液的步骤，具体为，对所述陶瓷基板整体涂布黑化液。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述激光切割已涂布黑化液的陶瓷基板，得到陶瓷基粒的步骤之后，还包括：
清洗所述陶瓷基粒上残余的黑化液。
5.根据权利要求4所述的加工方法，其特征在于，所述清洗所述陶瓷基粒上残余的黑化液的步骤，具体为，使用超声波清洗所述陶瓷基粒上残余的黑化液。
6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板上涂布黑化液的步骤包括，在所述陶瓷基板上涂布厚度为1-10um的黑化液。
7.根据权利要求1至6任一项所述的加工方法，其特征在于，所述黑化液包括石墨的水溶液、或挥发性溶剂的石墨溶液，所述挥发性溶剂包括乙醇。
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