CN106059549A - 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路 - Google Patents

一种基于pmos的新型双向模拟开关电路 Download PDF

Info

Publication number
CN106059549A
CN106059549A CN201610380262.4A CN201610380262A CN106059549A CN 106059549 A CN106059549 A CN 106059549A CN 201610380262 A CN201610380262 A CN 201610380262A CN 106059549 A CN106059549 A CN 106059549A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pmos
resistance
resistor
connects
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610380262.4A
Other languages
English (en)
Inventor
顾德明
李景云
杜洋
甄雪灵
赵恩海
张颖菁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
State Grid Corp of China SGCC
Tianjin Sanyuan Power Equipment Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
State Grid Corp of China SGCC
Tianjin Sanyuan Power Equipment Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by State Grid Corp of China SGCC, Tianjin Sanyuan Power Equipment Manufacturing Co Ltd filed Critical State Grid Corp of China SGCC
Priority to CN201610380262.4A priority Critical patent/CN106059549A/zh
Publication of CN106059549A publication Critical patent/CN106059549A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
    • H03K17/122—Modifications for increasing the maximum permissible switched current in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其主要技术特点是：包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻，两个PMOS管的漏极相连，PMOS管T1的源极连接电阻R1，PMOS管T2的源极连接电阻R3，PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2，PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，电阻R5的另一端连接开关控制端。本发明采用高压、大电流场效应管，使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高，并且能够适应较宽的电压范围。

Description

一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路
技术领域
本发明属于双向模拟开关电路技术领域，尤其是一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路。
背景技术
双向模拟开关是模拟电路中经常使用的一种电路，在电力、通信、雷达、计算机、自动控制、测量仪器等电子设备中，有广泛的应用。目前，双向模拟开关电路主要通过专用集成电路、光继电器等器件来实现。但是都存在导通电流小，截止耐压低等缺点。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，解决双向模拟开关电路导通电流小、截止耐压低不足的问题。
本发明解决其技术问题是采取以下技术方案实现的：
一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其特征在于：包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻，所述PMOS管T1和PMOS管T2的漏极相连，所述PMOS管T1的源极连接电阻R1，所述PMOS管T2的源极连接电阻R3，所述PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2，所述PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，所述NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，所述NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，所述NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，所述电阻R5的另一端连接开关控制端。
本发明的优点和积极效果是：
本发明设计合理，其采用高压、大电流场效应管，通过一个NMOS管T3控制两个PMOS管的导通和关断，当开关控制端输入逻辑“1”信号时，PMOS管T1和T2导通，模拟开关导通，当开关控制端输入逻辑“0”信号时，PMOS管T1和T2关断，模拟开关关断，从而使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高，解决双向模拟开关电路导通电流小、截止耐压低不足的问题，并且能够适应较宽的电压范围。
附图说明
图1是本发明的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明实施例做进一步详述：
一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，如图1所示，包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、六个电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6。所述两个PMOS管T1、PMOS管T2的漏极相连，PMOS管T1的源极连接电阻R1，PMOS管T2的源极连接电阻R3，PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2，PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，电阻R5的另一端连接开关控制端。
本发明的工作原理为：
当开关控制端的电压比低电压端电压足够高时，开关控制端上电压通过电阻R3和电阻R4的分压，在NMOS管T3的栅、源极之间产生足够大的电压使NMOS管T3导通。由于低电压端的电压远低于输入/输出端电压，输入/输出端电压通过电阻R1和电阻R2在PMOS管T1的栅、源极之间产生足够的开启电压使PMOS管T1导通，通过电阻R3和电阻R4在PMOS管T2的栅、源极之间产生足够的开启电压使PMOS管T2导通，即两个输入/输出端导通。
当开关控制端的电压小于或等于低电压端电压，或者开关控制端为高阻态，NMOS管T3断开，电阻R1和R2上没有电流，电阻R3和R4上没有电流。因此，PMOS管T1和T2的栅、源极之间电压为零，PMOS管T1和T2断开，即两个输入/输出端断开。
需要强调的是，本发明所述的实施例是说明性的，而不是限定性的，因此本发明包括并不限于具体实施方式中所述的实施例，凡是由本领域技术人员根据本发明的技术方案得出的其他实施方式，同样属于本发明保护的范围。

Claims (1)

1.一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路，其特征在于：包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻，所述PMOS管T1和PMOS管T2的漏极相连，所述PMOS管T1的源极连接电阻R1，所述PMOS管T2的源极连接电阻R3，所述PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2，所述PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4，所述NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端，所述NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6，所述NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端，所述电阻R5的另一端连接开关控制端。
CN201610380262.4A 2016-05-31 2016-05-31 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路 Pending CN106059549A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610380262.4A CN106059549A (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610380262.4A CN106059549A (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106059549A true CN106059549A (zh) 2016-10-26

Family

ID=57172502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610380262.4A Pending CN106059549A (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106059549A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054974A (zh) * 2021-03-30 2021-06-29 展讯通信（上海）有限公司 电源测试开关电路及其驱动方法和电源测试开关系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1285657A (zh) * 1999-08-20 2001-02-28 Em微电子马林有限公司 采用两个晶体管的双向开关的控制系统
US6392859B1 (en) * 1999-02-14 2002-05-21 Yazaki Corporation Semiconductor active fuse for AC power line and bidirectional switching device for the fuse
US20040227560A1 (en) * 2003-04-29 2004-11-18 De Buda Eric George High speed bi-directional solid state switch
CN103166611A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 赵恩海 一种双向模拟开关电路
CN103248351A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 赵恩海 一种光耦驱动的双向模拟开关电路
CN103531634A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 英飞凌科技奥地利有限公司 具有第一和第二功率fet的固态双向开关
CN103560652A (zh) * 2009-01-19 2014-02-05 大金工业株式会社 双向开关电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392859B1 (en) * 1999-02-14 2002-05-21 Yazaki Corporation Semiconductor active fuse for AC power line and bidirectional switching device for the fuse
CN1285657A (zh) * 1999-08-20 2001-02-28 Em微电子马林有限公司 采用两个晶体管的双向开关的控制系统
US20040227560A1 (en) * 2003-04-29 2004-11-18 De Buda Eric George High speed bi-directional solid state switch
CN103560652A (zh) * 2009-01-19 2014-02-05 大金工业株式会社 双向开关电路
CN103166611A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 赵恩海 一种双向模拟开关电路
CN103248351A (zh) * 2012-02-09 2013-08-14 赵恩海 一种光耦驱动的双向模拟开关电路
CN103531634A (zh) * 2012-07-05 2014-01-22 英飞凌科技奥地利有限公司 具有第一和第二功率fet的固态双向开关

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054974A (zh) * 2021-03-30 2021-06-29 展讯通信（上海）有限公司 电源测试开关电路及其驱动方法和电源测试开关系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104467373A (zh) Led驱动电路及其开关电源控制器
CN204349778U (zh) Led驱动电路及其开关电源控制器
CN104137418B (zh) 开关电路
CN105514929A (zh) 一种基于常通型SiC器件的自供电直流固态断路器
CN105428117A (zh) 灭弧器件
CN105978300A (zh) 一种级联式高压固态开关
CN207638634U (zh) 一种nmos管高端开关驱动电路
CN201918971U (zh) 新型双向模拟开关电路
CN105610122A (zh) 一种mos管构成的过压欠压断电保护电路
CN103326315A (zh) 一种欠压保护电路以及高压集成电路
CN109194126A (zh) 一种电源切换电路
CN105306030A (zh) 一种用于交流固态功率控制器的主功率电路
CN106059549A (zh) 一种基于pmos的新型双向模拟开关电路
CN208285214U (zh) 一种低功耗滞环驱动装置
CN101394173A (zh) 基于增强型phemt的单刀双掷开关
CN103501173A (zh) 防止反向电流传输的上拉电阻电路与输入输出端口电路
CN103166611A (zh) 一种双向模拟开关电路
CN207442697U (zh) 一种开关电源电路
CN205320053U (zh) 一种快速通断直流固态继电器
CN104952664A (zh) 一种无电弧放电的直流高压开关
CN202178745U (zh) 一种隔离驱动的双向模拟开关电路
CN208078885U (zh) 一种高压mos管控制电路
CN202145638U (zh) 一种高电压模拟开关电路
CN203747367U (zh) 一种采用双向晶闸管的交流电路分合装置
CN203813431U (zh) 一种基于mos管栅极电压控制的限流保护电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161026

RJ01 Rejection of invention patent application after publication