CN106058079B - 一种像素bank及其制作方法、发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管，其中，像素bank的制作方法包括步骤：A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。

Description

一种像素bank及其制作方法、发光二极管
技术领域
本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种像素bank及其制作方法、发光二极管。
背景技术
在信息社会时代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管（QLED）光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，上述两种发光二极管成为了目前显示领域发展的两个主要方向。
目前，不论是OLED还是QLED，用作显示面板的发光像素单元时，都需要在像素单元制作像素bank（像素界定层），以定义发光区以及沉积各功能薄膜。
若采用传统的蒸镀工艺或者湿法工艺制作OLED或QLED，像素bank一般要求具有小角度倾斜结构，有利于后期膜层的沉积。像素bank一般采用光阻材料制备，负性光阻材料由于其成本相对于正性光阻材料要低，从降低成本的角度考虑，一般会采用负性光阻来制作像素bank。然而采用负性光阻制作像素bank时，容易形成倒角，如图1所示，先在基板100上依次沉积透明像素电极薄膜110和负性光阻薄膜120，然后依次进行曝光（结合曝光掩膜130进行曝光）、显影和后烘形成像素bank 140，其中，负性光阻曝光时，由于上层薄膜接收的曝光量相对要大于下层薄膜、因此曝光显影后容易形成倒角，经过后烘工艺后，与基板100接触的下层薄膜会软化重排，形成小角度倾斜结构，但上表面的倒角很难完全去除。而倒角的存在，在后期的薄膜沉积过程中，尤其是蒸镀顶电极时，容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，旨在解决现有像素bank上表面存在倒角、导致容易引起薄膜断裂，形成缺陷，降低产品良率的问题。
本发明的技术方案如下：
一种像素bank的制作方法，其中，包括步骤：
A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
C、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；
D、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述反射金属薄膜的厚度为20-40nm。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤A之前还包括：
对所述基板进行清洗。
所述的像素bank的制作方法，其中，所述步骤D中，后烘温度为220℃~240℃。
一种像素bank，其中，采用如上所述的制作方法制成。
一种发光二极管，其中，采用如上所述的像素bank。
所述的发光二极管，其中，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管.
有益效果：本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
附图说明
图1为现有技术中像素bank的制作流程图。
图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图。
图3为本发明一种像素bank的制作流程图。
具体实施方式
本发明提供一种像素bank及其制作方法、发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图2，图2为本发明一种像素bank的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：
S1、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；
S2、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；
S3、对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank；
S4、然后进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；
S5、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
具体来说，如图3所示，首先在步骤S1中，在基板200上依次沉积透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220；
所述透明像素电极薄膜210优选为导电金属氧化物薄膜，例如，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜等。
所述反射金属薄膜220优选为Al或Ag薄膜等，其具有高光学反射特性，所述反射金属薄膜220的厚度优选为20-40nm，例如25nm。其中，反射金属薄膜220的沉积方式为热蒸镀或溅射，优选热蒸镀方式，蒸镀速度0.05 ~ 2 nm/s。
在沉积完上述透明像素电极薄膜210以及反射金属薄膜220之后，进行图案化处理。
另外，在所述步骤S1之前还包括：
对所述基板200进行清洗。先依次置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，各步处理可持续15分钟左右。所述基板200可以是玻璃基板或柔性基板。
在所述步骤S2中，在图案化的反射金属薄膜220上沉积负性光阻薄膜230，所述负性光阻薄膜230用于后续制作像素bank。然后利用曝光掩膜240进行曝光。在曝光过程中，负性光阻薄膜230由于会吸收光子，因此，负性光阻薄膜230上表面经受的曝光量相对大于下表面经受的曝光量，但由于透明像素电极薄膜210上有一层反射金属薄膜220，所述反射金属薄膜220会反射未被负性光阻薄膜230完全吸收的光子，从而对负性光阻薄膜230进行第二次曝光，第二次曝光的方向是由下而上，这样在第二次曝光的过程中负性光阻薄膜230下表面的曝光量大于上表面的曝光量，这样既可实现弱化以致消除负性光阻薄膜230上下两表面曝光量的差异。
在所述步骤S3中，对负性光阻薄膜230进行显影，形成像素bank 250。由于负性光阻薄膜230上下表面经受的曝光量差异较小，显影后形成的像素bank 250，其形成接近于90°的直角结构，而不会出现倒角现象。其中，显影用的显影液可以为标准的2.38%TMAH（四甲基氢氧化铵），显影时间为30-90 s。
在所述步骤S4中进行后烘，由于后烘温度较高，接近基板200表面的像素bank 250会软化重排，形成倾斜角。具体地，后烘温度为220℃~240℃，例如后烘温度为230℃，后烘时间为20 ~ 30 min，例如优选为30min，在上述条件下，像素bank 250重排后可形成开口扩张的倾斜角，且角度适宜。
在所述步骤S5中，以像素bank 250为掩膜对反射金属薄膜220进行刻蚀，最终露出透明像素电极薄膜210。
本发明还提供一种像素bank，其采用如上所述的制作方法制成。
本发明还提供一种发光二极管，其采用如上所述的像素bank。
进一步，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管
综上所述，本发明通过在透明像素电极薄膜上端沉积一层反射金属薄膜，通过所述反射金属薄膜反射曝光过程中未被负性光阻吸收的光，提高负性光阻底部膜层的曝光量，弱化以致消除负性光阻薄膜上下两部分的光通量差异，防止负性光阻曝光显影后倒角的形成，结合后烘工艺，形成具有倾斜角的像素bank，本发明提高了产品品质，节约了制作成本；由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极，还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻，减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素bank的制作方法，包括步骤：沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光；对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank，其特征在于，所述沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜，并利用曝光掩膜进行曝光的步骤之前，还包括步骤：在基板上沉积透明像素电极薄膜，在所述透明像素电极薄膜上沉积反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理；所述用于制作像素bank的负性光阻薄膜沉积于所述反射金属薄膜上；
所述对负性光阻薄膜进行显影，形成像素bank的步骤之后，还包括步骤：对所述像素bank进行后烘，在像素bank上形成倾斜角；以所述像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀，露出透明像素电极薄膜。
2.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述透明像素电极薄膜为导电金属氧化物薄膜。
3.根据权利要求2所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述导电金属氧化物薄膜为ITO、FTO或AZO薄膜。
4.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜为Al或Ag薄膜。
5.根据权利要求4所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述反射金属薄膜的厚度为20-40nm。
6.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述在基板上沉积透明像素电极薄膜，在所述透明像素电极薄膜上沉积反射金属薄膜，并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理的步骤之前还包括：
对所述基板进行清洗。
7.根据权利要求1所述的像素bank的制作方法，其特征在于，所述对所述像素bank进行后烘，在像素bank上形成倾斜角的步骤中，后烘温度为220℃~240℃。
8.一种像素bank，其特征在于，采用如权利要求1~7任一项所述的制作方法制成。
9.一种发光二极管，其特征在于，采用如权利要求8所述的像素bank。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为有机电致发光二极管或量子点发光二极管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876566B (zh) * 2017-03-06 2020-10-16 Tcl科技集团股份有限公司 Qled器件及其制备方法
CN107689421B (zh) * 2017-03-21 2020-01-24 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层及其制备方法和应用
CN110164948B (zh) * 2019-06-13 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、制作方法和显示面板
CN111584566A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
CN112599692A (zh) * 2021-01-06 2021-04-02 福州大学 基于光刻工艺的纳米级像素化量子点发光器件及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
CN101630630B (zh) * 2009-08-04 2015-04-29 上海集成电路研发中心有限公司 湿法刻蚀中避免发生侧向侵蚀的方法
KR20120051337A (ko) * 2010-11-12 2012-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN103187366B (zh) * 2011-12-29 2016-03-16 上海天马微电子有限公司 形成tft阵列基板的方法
CN102938394B (zh) * 2012-11-16 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN104900581B (zh) * 2014-03-06 2017-12-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种消除金属层反射并改善曝光效果的工艺方法
CN105070651B (zh) * 2015-08-17 2018-11-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层结构和oled器件的制备方法

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