CN106058047B - 一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title abstract description 16
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 18
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 44
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 43
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 21
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 20
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims description 11
- 239000008236 heating water Substances 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- IZGCXMLPGPBWJN-UHFFFAOYSA-N lanthanum;pentane-2,4-dione Chemical compound [La].CC(=O)CC(C)=O IZGCXMLPGPBWJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明涉及用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法，包括以下步骤：1)制备氧化镧前驱体溶液；2)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液过滤后，在衬底上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；3)将步骤2)得到的样品依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后，得到氧化镧介电层，即得到高介电栅介质材料。本发明所述的高介电栅介质材料氧化镧介电层具有高介电常数以及宽能带，能有效地降低器件所需的工作电压；且其采用溶液法制备，能够在低温下生成致密性的薄膜，工艺简单，成本较低。本发明还提供一种采用所述高介电栅介质材料作为介电层的柔性低压驱动有机薄膜晶体管及其制备方法。
Description
技术领域
本发明属于有机电子学技术领域，尤其涉及一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用。
背景技术
有机电子柔性器件在过去的20年间受到了学术界和社会工业的广泛关注，是未来柔性电子显示器件的一个重要发展方向，特别是在最近5～10年间，有机电子学在多个应用领域取得了长足的进展，如有机场效应晶体管、有机太阳能电池、生物传感器、TFT阵列、有机发光二极管等。目前有机材料与器件已经由基础研究逐步走向产业化，在应用生产中具有制作工艺简单、可弯曲、多样和成本低等特性；随着器件的处理退火温度越降越低，相对需要的能耗也降低，从而在柔性显示突出了巨大的优势；未来OTFT器件尺寸能做得更小，集成度更高，将会大大提高其运算速率以及计算处理能力。有机薄膜晶体管已经成为一个发展迅速、前途光明的重要研究领域。
以有机聚合物为有源层制成的晶体管，其电性能可通过对有机分子结构进行适当的修饰而得到满意的结果；有机物易于获得，有机薄膜晶体管的制作工艺也更为简单，它并不要求严格的控制气氛条件和苛刻的纯度要求，因而能有效地降低器件的成本；全部由有机材料制备的所谓“全有机”的晶体管呈现出非常好的柔韧性，而且质量轻，携带方便。良好的柔韧性进一步拓宽了有机晶体管的使用范围，对器件进行适度的扭曲或弯曲，器件的电特性并没有显著的改变。
与现有的非晶硅或多晶硅TFT相比，OTFT具有以下特点：加工温度低，一般在180℃以下，不仅能耗显著降低，而且适用于柔性基板；工艺过程大大简化，成本大幅度降低，气相沉积和印刷打印两种方法都适合大面积加工；材料来源广泛，发展潜力大，同时环境友好。这些特点符合社会发展和技术进步的趋势，因此，它的出现和进展在国际上引起广泛关注，很多大公司和研发机构竞相投入研发，特别是欧洲已形成研发联盟，OTFT的性能(载流子迁移率)以平均每两年提高十倍的速度在发展，目前综合性能已经达到了目前商业上广泛使用的非晶硅TFT水平(0.7cm2/(V·S))。可以说，有机薄膜晶体管将成为新一代平板显示的核心技术。但是目前还存在有待解决的问题：(1)工作电压过高，一般都达5V以上，器件的开启电压过大，造成能量损耗大；(2)溶液法旋涂的介电层退火温度过高，耗能大，退火不干净，导致漏电流过大，开关比相应减小；(3)器件的稳定性和耐电压击穿仍然需要提高。为了实现未来柔性电路中可以应用的高性能OTFT器件，降低工作电压和提高器件载流子迁移率和开关比是学术界和工业界面临的一个巨大的挑战。
高K材料由于具有高的介电常数，可以在提供超薄物理厚度的低介电常数材料相同的高电容密度的同时，提供数倍于低介电常数材料的物理厚度，从而可以极大减小栅极的漏电流密度，大大提高器件的稳定性。高K栅介质材料在Si基MOSFET中已经有广泛研究和应用，使用高K材料来降低器件的工作电压但另一方面又不降低器件载流子迁移率，已经成为国内外学术界的一种共识，然而高K材料在有机薄膜晶体管中的研究还非常有限，如何找到一种合适的高K材料，使之与有机材料相匹配，这也是需要研究者挑战的一个重要课题。
发明内容
本发明为弥补现有技术中存在的不足，提供一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料的制备方法。
本发明为达到其目的，采用的技术方案如下：
一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料的制备方法，包括以下步骤：
1)制备氧化镧前驱体溶液；
2)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.20～0.25μm的滤嘴过滤后，在衬底上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
3)将步骤2)得到的样品依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后，得到氧化镧介电层，即得到高介电栅介质材料。
进一步地，步骤1)所述的氧化镧前驱体溶液以乙酰丙酮镧为溶质，以N,N～二甲基甲酰胺为溶剂，并在75～85℃的水浴加热中搅拌反应6～8h配制而成，其摩尔浓度为0.05％～0.1％。
进一步地，步骤3)中在155～170℃下预退火处理8～10min；然后加热到155～170℃，在空气环境中退火60～100min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理5～10min。
本发明还提供一种通过上述制备方法制得的用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料。
相比于现有的二氧化硅介电层，本发明所述的高介电栅介质材料氧化镧介电层具有高介电常数以及宽能带，能有效地降低器件所需的工作电压，使其成为一种优异的绝缘介电材料。且其采用溶液法制备，能够在低温下生成致密性的薄膜，工艺简单，成本较低。
本发明还提供一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管，包括衬底；在衬底上表面依次层叠有底栅电极、介电层、界面修饰层、有源层和源漏电极；所述衬底为柔性PET衬底；所述介电层为氧化镧薄膜，其采用溶液法通过旋涂工艺制备而成。二氧化硅作为上一代MOSFET的介电层，在应用中得到广泛的关注，本发明用氧化镧能够很好地代替二氧化硅成为新的介电层，且溶液法制备氧化镧能够在低温下生成致密性的薄膜，其介电常数(～10)能有效地降低器件所需的工作电压。
进一步地，所述有源层材料为并五苯，其通过热蒸发法沉积而成。热蒸发生长的并五苯致密性好，迁移率大。
进一步地，所述界面修饰层材料为PαMS，其通过旋涂工艺制备而成。旋涂工艺制备的PαMS薄膜，表面粗糙度小，具有较小的漏电流，可以很好地提高有源层的载流子迁移率，优化器件的保持特性。
相比于现有技术，本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管具有迁移率大，开关比大，阈值电压低，亚阈值斜率小等优点；且本发明采用高介电常数的La2O3和并五苯的有机～无机材料相结合的结构，为有机电子学的发展提供了一种很好的器件设计思路。
本发明还提供一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极；
2)采用上述高介电栅介质材料的制备方法在步骤1)得到的样品上制备氧化镧介电层；
3)制备PαMS界面修饰层：在步骤2)得到的样品上旋涂质量分数为0.1％～0.3％的PαMS的甲苯溶液，再经过热处理得到PαMS薄膜；
4)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；
5)在步骤4)得到的样品上沉积源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。
进一步地，步骤1)包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积30～50nm厚的Au底栅电极。
进一步地，步骤3)中的热处理温度为100～120℃，热处理时间为8～10min。
进一步地，步骤4)中并五苯有源层厚度为30～50nm。
进一步地，步骤1)、步骤4)和步骤5)中的沉积工艺均在气压为2×10-4～8×10-4Pa的高真空下进行，沉积速率为0.01～0.03nm/s。
相比于现有技术，本发明所述的制备方法具有以下优点：
(1)采用本发明所述制备方法制得的柔性有机薄膜晶体管的迁移率大，开关比大，阈值电压低，亚阈值斜率小；
(2)本发明所得制备方法的处理温度低，能耗小，同时选择的材料与塑料PET衬底有很好的兼容性，在信息存储，柔性电子学等领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的MIM结构TEM表征图
图2是实施例1中步骤4)退火处理后的La2O3薄膜的AFM图
图3是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的I～V特性曲线图
图4是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的C～F图和介电常数关系曲线图
图5是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的纵向立体剖面图
图6是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的剖面示意图
图7是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的俯视图
图8是实施例1制得的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的7个沟道的Id～Vg转移特性曲线
图9是实施例1制得的柔性低压驱动有机薄膜晶体管50μm沟道的输出特性曲线
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步说明：
下列实施例中，实施例1～6中的步骤2)～步骤4)即为本发明所述的用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料的制备方法，由于该制备方法为晶体管制备方法的一部分，因此仅提供晶体管制备方法的实施例。
实施例1
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在160℃下预退火处理10min，然后加热到160℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理10min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在120℃下热处理10min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。制得的晶体管具有很好的性能，其迁移率为0.47cm2/(V·S)，开关比为1.2×106，阈值电压为～0.44V，亚阈值斜率为0.30V/dec。
实施例2
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在160℃下预退火处理10min，然后加热到160℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理10min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在120℃下热处理10min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。相比于实施例1，本实施例降低器件热蒸镀的沉积速率，其中并五苯的晶粒尺寸有规律生长，器件的性能没有明显的提高，作为导电作用的电极并没有影响器件性能。
实施例3
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.03nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在160℃下预退火处理10min，然后加热到160℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理10min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在120℃下热处理10min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.03nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.03nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。本实施例相比于实施例1增大了器件热蒸镀的沉积速率，其中并五苯的晶粒尺寸仍然有规律生长，器件的性能没有明显的提高，作为导电作用的电极也没有影响器件性能。
实施例4
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在155℃下预退火处理8min，然后加热到155℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理8min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在120℃下热处理10min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.01nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。由于氧化镧前驱体溶液的溶剂DMF的挥发温度为153℃，热处理时在155℃长达1小时的烘烤中，溶剂基本被除掉，可以生成致密的氧化物薄膜，晶体管特性可以被测出来。
实施例5
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在170℃下预退火处理10min，然后加热到170℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理10min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在120℃下热处理10min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。柔性PET衬底的承受温度不能高于200℃，但在高于170℃时空气加热中会发生弯曲变形，对之后步骤的旋涂有一定影响，导致晶体管性能有所降低。
实施例6
本实施例提供了一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极：具体包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积40nm厚的Au底栅电极；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
2)制备氧化镧前驱体溶液：以乙酰丙酮镧为溶质，N，N～二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂，配制成摩尔浓度为0.05％的溶液，在80℃的水浴加热中搅拌反应6个小时；
3)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液通过0.22μm的滤嘴过滤后，在步骤2)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；
4)将步骤3)得到的样品在160℃下预退火处理8min，然后加热到160℃，在空气环境中退火60min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理8min，得到氧化镧介电层；
5)制备PαMS界面修饰层：在步骤4)得到的样品上旋涂质量分数为0.2％的PαMS的甲苯溶液，然后在100℃下热处理8min，得到PαMS薄膜；
6)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s；
7)在步骤6)得到的样品上沉积40nm厚的Au源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。沉积是在高真空下进行的，气压为6×10-4Pa，沉积速率为0.02nm/s。
在室温环境下，利用安捷伦B1500A高精度半导体分析仪对器件进行测试。相比于实施例1，本实施例中聚α～甲基苯乙烯薄膜的处理温度降低，时间缩短，器件仍能保持晶体管特性。
上述实施例中，实施例1为最佳实施例；以下结合附图简要分析下实施例1所制得的晶体管的性能。请同时参阅图1～4，其中，图1是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的MIM结构TEM表征图，图2是实施例1中步骤4)退火处理后的La2O3薄膜的AFM图，图3是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的I～V特性曲线图，图4是重掺p型硅160℃退火处理后的La2O3薄膜的C～F图和介电常数关系曲线图。其中，图1、图3和图4所测样品为将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液旋涂于清洗干净的重掺p型硅上，并在160℃下预退火处理10min，然后加热到160℃，在空气环境中退火60min后得到的样品，该样品仅为了便于通过测试对用本发明所述的溶液法制备得到的La2O3介电层进行表征。从图1中可以清晰看到La2O3薄膜厚度为22.36nm，SiO2的厚度为1.09nm；从图2可知通过旋涂工艺制得的La2O3薄膜的RMS＝0.461nm，可以认为比较平整的。从图3可以看到，当电压加到4V或者～4V时，漏电流仍然保持在10～6～10～5A/cm2之间，处理温度160℃刚好介于PET最高承受温度以及DMF最低挥发温度之间，而且薄膜致密性仍然保持良好，处理温度适合。从图5可以看到，在低频段10K时，介电常数为9.52，相比SiO2的介电常数大。
需要说明的是，本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法中，氧化镧前驱体的摩尔溶液、反应温度、搅拌时间、Au底栅电极的厚度、退火时间、PαMS的甲苯溶液的质量分数、源漏电极的厚度和高真空气压对制得的晶体管性能参数影响较小，其中，步骤1)所述的氧化镧前驱体溶液在75～85℃的水浴加热中搅拌反应6～8h配制而成，摩尔浓度为0.05％～0.1％效果较佳；步骤2)的Au底栅电极的厚度在30～50nm范围内效果较佳；步骤4)在空气环境中退火60～100min效果较佳；步骤5)中PαMS的甲苯溶液的质量分数在0.1％～0.3％范围内效果较佳；步骤7)中源漏电极的厚度在30～50nm范围内效果较佳；步骤2)、步骤6)和步骤7)中的高真空气压为2×10-4～8×10-4Pa范围内效果较佳。上述6个实施例中的上述几个参数均采用最佳值，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，本领域技术人员根据本发明内容选用较佳的其他参数亦可达到本发明的目的。
实施例7
本发明还提供一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管。请同时参阅图5～7，其中，图5是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的纵向立体剖面图，图6是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的剖面示意图，图7是本发明所述的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的俯视图。本发明的柔性低压驱动有机薄膜晶体管，包括衬底10、在衬底10上表面依次层叠的底栅电极20、介电层30、界面修饰层40、有源层50和源漏电极60；所述衬底10为柔性PET衬底；所述介电层30为氧化镧薄膜，其采用溶液法通过旋涂工艺制备而成；所述有源层50材料为并五苯，其通过热蒸发法沉积而成；所述界面修饰层40材料为PαMS，其通过旋涂工艺制备而成。所述底栅电极20优选采用Au电极，所述源漏电极60可以采用任一种导电的金属材料，但需要匹配功函数。
本实施例中，采用One～shadow～mask模板沉积出源漏电极60和电极沟道70；从图7可以看到，电极沟道分为7个沟道：50μm～350μm，以50μm为一个单位的7个沟道。
采用实施例1制得的柔性低压驱动有机薄膜晶体管进行测试，请同时参阅图8和图9，其中，图8是实施例1制得的柔性低压驱动有机薄膜晶体管的7个沟道的Id～Vg转移特性曲线，图9是实施例1制得的柔性低压驱动有机薄膜晶体管50μm沟道的输出特性曲线。图8显示，该晶体管的关态电流约1pA，开态电流可以达到1μA，开关比约为106；图9显示，当Vd＝～1V时，输出处于线性区，饱和电流可达到9μA。
本发明的技术方案中未进行特别说明之处，均为本技术人员根据所掌握的现有技术或公知常识可以理解或知晓的，在此不再赘述。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，故凡未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在清洗干净的衬底上沉积底栅电极；
2)将氧化镧前驱体溶液通过0.20～0.25μm的滤嘴过滤后，在步骤1)得到的样品上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜，然后依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后，制得氧化镧介电层；3)制备PαMS界面修饰层：在步骤2)得到的样品上旋涂质量分数为0.1％～0.3％的PαMS的甲苯溶液，再经过热处理得到PαMS薄膜；
4)制备并五苯有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；
5)在步骤4)得到的样品上沉积源漏电极，得到柔性低压驱动有机薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)包括以下步骤：
1a)选取柔性PET衬底，并裁剪成1.5cm×1.5cm的正方形块；
1b)将衬底依次用丙酮、异丙醇、去离子水、乙无水醇进行超声清洗，然后在烘箱中烘干，再经过UV/O3活化处理后保存备用；
1c)采用热蒸发法在清洗干净的PET衬底上沉积30～50nm厚的Au底栅电极。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中的热处理温度为100～120℃，热处理时间为8～10min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤4)中并五苯有源层厚度为30～50nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)、步骤4)和步骤5)中的沉积工艺均在气压为2×10-4～8×10-4Pa的高真空下进行，沉积速率为0.01～0.03nm/s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2)所述氧化镧前驱体溶液以乙酰丙酮镧为溶质，以N,N～二甲基甲酰胺为溶剂，并在75～85℃的水浴加热中搅拌反应6～8h配制而成，其摩尔浓度为0.05％～0.1％；所述预退火处理、热处理和臭氧活化处理为在155～170℃下预退火处理8～10min；然后加热到155～170℃，在空气环境中退火60～100min；退火完毕的薄膜在紫外臭氧下处理5～10min。
7.一种柔性低压驱动有机薄膜晶体管，其特征在于：通过权利要求1至6任一项所述的制备方法制备而成。
8.根据权利要求7所述柔性低压驱动有机薄膜晶体管，包括衬底，其特征在于：在衬底上表面依次层叠有底栅电极、介电层、界面修饰层、有源层和源漏电极；所述衬底为柔性PET衬底；所述介电层为氧化镧。
9.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层材料为并五苯，其通过热蒸发法沉积而成。
10.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述界面修饰层材料为PαMS，其通过旋涂工艺制备而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610527964.0A CN106058047B (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610527964.0A CN106058047B (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106058047A CN106058047A (zh) | 2016-10-26 |
| CN106058047B true CN106058047B (zh) | 2018-10-30 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610527964.0A Active CN106058047B (zh) | 2016-07-06 | 2016-07-06 | 一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106058047B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107195781B (zh) * | 2017-05-24 | 2020-07-07 | 华南师范大学 | 一种基于pmma掺杂小分子的高迁移率晶体管及其制备方法 |
| CN108232013B (zh) * | 2017-11-29 | 2019-12-03 | 华南师范大学 | 制备氧化锆薄膜和柔性晶体管的方法 |
| CN109244239A (zh) * | 2018-07-18 | 2019-01-18 | 华南师范大学 | 一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN109192750B (zh) * | 2018-07-23 | 2021-06-22 | 华南师范大学 | 低压高速擦写的柔性有机非易失性存储器件及其制备方法 |
| CN109301067B (zh) * | 2018-08-01 | 2020-12-22 | 华南师范大学 | 一种六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN109256466A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-22 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种基于白云母衬底的低压高速擦写的柔性有机非易失性的存储器件及其制备方法 |
| CN109411326B (zh) * | 2018-09-11 | 2023-06-02 | 肇庆市华师大光电产业研究院 | 一种增加乙酰丙酮镧在dmf中溶解度的方法 |
| CN109698276A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种薄膜晶体管器件及其制备方法 |
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|---|---|
| CN106058047A (zh) | 2016-10-26 |
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