CN106041110A - 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用 - Google Patents

一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN106041110A
CN106041110A CN201610393514.7A CN201610393514A CN106041110A CN 106041110 A CN106041110 A CN 106041110A CN 201610393514 A CN201610393514 A CN 201610393514A CN 106041110 A CN106041110 A CN 106041110A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
complex
nanometer
anode
microwave absorbing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610393514.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106041110B (zh
Inventor
刘先国
李振兴
潘正武
孙玉萍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui University of Technology AHUT
Original Assignee
Anhui University of Technology AHUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui University of Technology AHUT filed Critical Anhui University of Technology AHUT
Priority to CN201610393514.7A priority Critical patent/CN106041110B/zh
Publication of CN106041110A publication Critical patent/CN106041110A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106041110B publication Critical patent/CN106041110B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/17—Metallic particles coated with metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

本发明公开了一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中。本发明采用等离子电弧放电法，将钴粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用石墨作为阴极材料，引用氩气和甲烷作为工作气体，阴极石墨电极与阳极钴‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，即得Co@C@g‑C3N4纳米复合物。用该纳米复合物制得的吸波涂层在2‑18GHz范围内具有良好的微波吸收性能。本发明制备过程简单、无后处理工序及成本低，易于实现工业化生产。

Description

一种Co@C@g-C3N4纳米复合物及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种Co@C@g-C3N4纳米复合物微波吸收材料及其制备方法。
背景技术
随着现代科学技术尤其是电子工业技术的高速发展，电磁波辐射对环境的影响日益增大，在继噪音污染、空气污染、水污染之后，电磁波污染成了威胁生态环境和人体健康的第四大公害。电磁场以电磁波的形式传递能量，通常只有使用电磁波吸收材料，使电磁波能转化为热能或其他形式的能，才能有效清除电磁污染。另外吸波材料在军事技术，诸如电子对抗技术及隐身技术方面也有着广泛的用途。因此对吸波材料的研究具有非常重要的意义。理想的吸波材料应该具有强吸收、宽频段、厚度薄和质量轻等特点，为了更好地满足这些要求，制备新型纳米复合吸波材料成为了当前的研究热点。
从目前的吸波材料的发展状况来看，一种类型的材料很难满足日益提高的隐身技术所提出的“薄、轻、宽、强”的综合要求，介电型吸波材料与磁性吸波材料主要覆盖范围分别在厘米波段的低端和高端，因此需要将多种吸波材料进行多种形式的复合来获得最佳吸波效果。铁磁/介电复合结构中存在着大量的异质界面，能够产生多重折射、多重吸收和界面极化等电池损耗机制，所以铁磁/介电纳米复合材料具有巨大的发展空间和良好的应用前景。铁磁/介电纳米复合材料在一定程度上提高了吸波能力。如：专利200910011350.7公开了一种碳包裹铁钴纳米吸波材料的制备方法。它利用等离子体电弧法制备了碳壳层作外壳层，铁钴合金作为内核的纳米胶囊。专利200910010232.4公开了一种氧化锌包裹镍纳米吸波材料的方法，它利用等离子体电弧法制备了氧化锌层作外壳层，镍纳米粒子作为内核的纳米胶囊。发明专利201310261578.8公开了一种使用多孔性镍酸镧粉末制备介电/铁磁吸收微波复合材料的方法。发明专利201210456057.3公开了一种核壳型微波吸收材料的制备方法，将铁磁金属氧化物制成氧化物浆料，再将空心玻璃微珠粉投入到浆料中，搅拌均匀后取出，即得核壳型微波吸收材料。
g-C3N4是一类似石墨结构的新型半导体，具有合适的半导体宽度(约2.7eV)、结构稳定、耐酸碱、无毒且生物兼容性好、成本低及易于化学改性等优点，已经被用于光催化合成反应、光催化降价污染物、光解水产氢和产氧以及氧化还原反应中。经检索，Co@C@g-C3N4纳米复合物微波吸收材料未见报导。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明的目的是提供一种Co@C@g-C3N4纳米复合物微波吸收材料及其制备方法。
本发明提供了一种Co@C@g-C3N4纳米复合物，该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片中。
本发明还提供了上述Co@C@g-C3N4纳米复合物的制备方法，该材料是利用等离子体电弧放电技术，在工作气体下原位制备得到；其中：
采用石墨电极为阴极，钴-三聚氰胺粉末块体为阳极靶材，阴极与阳极靶材之间保持2～30mm的距离；电弧放电的电压为10～40V；工作气体为氩气和甲烷气体。
所述阳极靶材为钴-三聚氰胺粉末块体，将钴粉和三聚氰胺粉在压强1MPa～1Gpa下压制成块体作为等离子电弧炉的阳极材料，所述阳极靶材材料中钴所占的质量百分比为70～90％。
所述工作气体氩气的分压为0.01～0.5MPa,甲烷气体的分压为0.01～0.3MPa。
本发明还提供了上述Co@C@g-C3N4纳米复合物作为微波吸收材料的应用。所述纳米复合物以40％～50％质量百分比的添加量加入到基体物质中制成吸波涂层，该吸波涂层对2～18GHz频率范围内的电磁波具有吸收作用。
作为一种优化，上述基体物质为石蜡。
相对现有技术，本发明的突出优点在于
1)本发明首次制备出了Co@C@g-C3N4纳米复合物；
2)本发明制备过程条件简单，易于控制，为Co@C@g-C3N4纳米复合物的实际应用提供了条件；
3)本发明制备纳米复合物材料，由于g-C3N4纳米片、C壳和Co纳米颗粒内核构成了良好的电磁匹配，在2～18GHz频率范围内具有优秀的微波吸收能力，使Co@C@g-C3N4纳米复合物成为2～18GHz范围内微波吸收强有力的候选材料。
附图说明
图1为本发明制备Co@C@g-C3N4纳米复合物的装置示意图；
图中标号：1、上盖；2、阴极；3、阀；4、阳极靶材；5、观察窗；6、挡板；7、铜阳极；8、夹头；9、石墨坩埚；10、直流脉动电源；a、冷却水；b、氩气；c、甲烷气。
图2为本发明实施例1制备的Co@C@g-C3N4纳米复合物的X-射线衍射(XRD)图谱；
根据JCPDS PDF卡片(JCPDS卡，No.15-0806),可以检索出纳米复合物主相为Co晶相构成。2θ＝27.5°和13°处的两个峰为g-C3N4(JCPDS卡，No.87-1562)的特征峰,由于C处于外壳，所以XRD无法检测出C相。
图3为本发明实施例1制备的Co@C@g-C3N4纳米复合物的透射电子显微镜(TEM)图像；
从图中可以看出Co@C纳米胶囊分布在g-C3N4纳米片中，其纳米胶囊的粒径为5～100nm。
图4为本发明实施例1所制备的Co@C@g-C3N4纳米复合物的高分辨透射电子显微镜图像；
从图中可以看出所得Co@C@g-C3N4纳米复合物为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片中。
图5为本发明实施例1制得材料的吸波性能与频率的关系图。
图6为本发明实施例2制得材料的吸波性能与频率的关系图。
图7为本发明实施例3制得材料的吸波性能与频率的关系图。
图8为本发明实施例4制得材料的吸波性能与频率的关系图。
图9为本发明实施例5制得材料的吸波性能与频率的关系图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述，但本发明不局限于下述实施例。
实施例1
将图1所示的装置上盖1打开，用石墨作阴极2固定在夹头8上，所消耗阳极靶材4的成分为纯钴粉与三聚氰胺粉(质量比90:10)压成的块体，放在通冷却水的铜阳极7上，在铜阳极7和阳极靶材4之间是石墨坩埚9。阴极2与阳极靶材4之间保持30mm的距离。盖上装置上盖1，通冷却水a，通过阀3把整个工作室抽真空后，通入氩气b和甲烷气c，氩气的分压为0.5MPa，甲烷气的分压为0.3MPa,接通直流脉动电源10，电压为40V，弧光放电过程中调节工作电流与电压保持相对稳定，制得Co@C@g-C3N4纳米复合物。该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片，其中：Co@C纳米胶囊的粒径为5～100nm，如图3、图4所示。将所制得的Co@C@g-C3N4纳米复合物与石蜡按照质量比50:50混合，加入正己烷做溶剂，超声混合直至正己烷挥发完毕为止，利用磨具压成内径为3.04mm,外径7mm,厚度为2mm的同轴环试样在2～18GHz频率范围内进行电磁性能测试，利用所得的电磁参数模拟出厚度为1.7mm试样的吸波性能与频率的关系，如图5所示，最大反射损失值出现在17.4GHz,为-26.7dB。
实施例2
将图1所示的装置上盖1打开，用石墨作阴极2固定在夹头8上，所消耗阳极靶材4的成分为纯钴粉与三聚氰胺粉(质量比70:30)压成的块体，放在通冷却水的铜阳极7上，在铜阳极7和阳极靶材4之间是石墨坩埚9。阴极2与阳极靶材4之间保持30mm的距离。盖上装置上盖1，通冷却水a，通过阀3把整个工作室抽真空后，通入氩气b和甲烷气c，氩气的分压为0.5MPa，甲烷气的分压为0.3MPa,接通直流脉动电源10，电压为10V，弧光放电过程中调节工作电流与电压保持相对稳定，制得Co@C@g-C3N4纳米复合物。该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片，其中：Co@C纳米胶囊的粒径为5～100nm。将所制得的Co@C@g-C3N4纳米复合物与石蜡按照质量比40:60混合，加入正己烷做溶剂，超声混合直至正己烷挥发完毕为止，利用磨具压成内径为3.04mm,外径7mm,厚度为2mm的同轴环试样在2～18GHz频率范围内进行电磁性能测试，利用所得的电磁参数模拟出厚度为2.0mm试样的吸波性能与频率的关系，如图6所示，最大反射损失值出现在15.8GHz,为-37.2dB。
实施例3
将图1所示的装置上盖1打开，用石墨作阴极2固定在夹头8上，所消耗阳极靶材4的成分为纯钴粉与三聚氰胺粉(质量比90:10)压成的块体，放在通冷却水的铜阳极7上，在铜阳极7和阳极靶材4之间是石墨坩埚9。阴极2与阳极靶材4之间保持2mm的距离。盖上装置上盖1，通冷却水a，通过阀3把整个工作室抽真空后，通入氩气b和甲烷气c，氩气的分压为0.5MPa，甲烷气的分压为0.3MPa,接通直流脉动电源10，电压为20V，弧光放电过程中调节工作电流与电压保持相对稳定，制得Co@C@g-C3N4纳米复合物。该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片，其中：Co@C纳米胶囊的粒径为5～100nm。将所制得的Co@C@g-C3N4纳米复合物与石蜡按照质量比50:50混合，加入正己烷做溶剂，超声混合直至正己烷挥发完毕为止，利用磨具压成内径为3.04mm,外径7mm,厚度为2mm的同轴环试样在2～18GHz频率范围内进行电磁性能测试，利用所得的电磁参数模拟出厚度为2.1mm试样的吸波性能与频率的关系，如图7所示，最大反射损失值出现在13.2GHz,为-31.8dB。
实施例4
将图1所示的装置上盖1打开，用石墨作阴极2固定在夹头8上，所消耗阳极靶材4的成分为纯钴粉与三聚氰胺粉(质量比80:20)压成的块体，放在通冷却水的铜阳极7上，在铜阳极7和阳极靶材4之间是石墨坩埚9。阴极2与阳极靶材4之间保持20mm的距离。盖上装置上盖1，通冷却水a，通过阀3把整个工作室抽真空后，通入氩气b和甲烷气c，氩气的分压为0.2MPa，甲烷气的分压为0.2MPa,接通直流脉动电源10，电压为30V，弧光放电过程中调节工作电流与电压保持相对稳定，制得Co@C@g-C3N4纳米复合物。该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片，其中：Co@C纳米胶囊的粒径为5～100nm。将所制得的Co@C@g-C3N4纳米复合物与石蜡按照质量比50:50混合，加入正己烷做溶剂，超声混合直至正己烷挥发完毕为止，利用磨具压成内径为3.04mm,外径7mm,厚度为2mm的同轴环试样在2～18GHz频率范围内进行电磁性能测试，利用所得的电磁参数模拟出厚度为2.1mm试样的吸波性能与频率的关系，如图8所示，最大反射损失值出现在12.4GHz,为-25.5dB。
实施例5
将图1所示的装置上盖1打开，用石墨作阴极2固定在夹头8上，所消耗阳极靶材4的成分为纯钴粉与三聚氰胺粉(质量比80:20)压成的块体，放在通冷却水的铜阳极7上，在铜阳极7和阳极靶材4之间是石墨坩埚9。阴极2与阳极靶材4之间保持2mm的距离。盖上装置上盖1，通冷却水a，通过阀3把整个工作室抽真空后，通入氩气b和甲烷气c，氩气的分压为0.01MPa，甲烷气的分压为0.01MPa,接通直流脉动电源10，电压为40V，弧光放电过程中调节工作电流与电压保持相对稳定，制得Co@C@g-C3N4纳米复合物。该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片，其中：Co@C纳米胶囊的粒径为5～100nm。将所制得的Co@C@g-C3N4纳米复合物与石蜡按照质量比50:50混合，加入正己烷做溶剂，超声混合直至正己烷挥发完毕为止，利用磨具压成内径为3.04mm,外径7mm,厚度为2mm的同轴环试样在2～18GHz频率范围内进行电磁性能测试，利用所得的电磁参数模拟出厚度为2.1mm试样的吸波性能与频率的关系，如图9所示，最大反射损失值出现在11.4GHz,为-30dB。

Claims (4)

1.一种Co@C@g-C3N4纳米复合物，其特征在于，该纳米复合物微观结构为Co@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C3N4纳米片中；该纳米复合物是利用等离子体电弧放电技术，在工作气体下原位制备得到，其中：
采用石墨电极为阴极，钴-三聚氰胺粉末块体为阳极靶材，所述阴极与阳极靶材之间保持2～30mm的距离；电弧放电的电压为10～40V；所述工作气体为氩气和甲烷气体；所述阳极靶材中钴所占的质量百分比为70～90％；所述氩气的分压为0.01～0.5MPa,甲烷气体的分压为0.01～0.3MPa。
2.如权利要求1所述Co@C@g-C3N4纳米复合物制成的吸波涂层，其特征在于：所述纳米复合物以40％～50％质量百分比的添加量加入到基体物质中制成吸波涂层。
3.如权利要求2所述的吸波涂层，其特征在于：所述的基体物质为石蜡。
4.如权利要求2或3所述的吸波涂层在作为2～18GHz范围电磁波吸收材料方面的应用。
CN201610393514.7A 2016-05-31 2016-05-31 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用 Active CN106041110B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610393514.7A CN106041110B (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610393514.7A CN106041110B (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106041110A true CN106041110A (zh) 2016-10-26
CN106041110B CN106041110B (zh) 2018-01-02

Family

ID=57171153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610393514.7A Active CN106041110B (zh) 2016-05-31 2016-05-31 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106041110B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806965A (zh) * 2005-01-19 2006-07-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳包金属纳米材料的制备方法和其设备
CN101838808A (zh) * 2010-06-20 2010-09-22 吉林大学 一种在空气气氛下制备石墨碳包裹金属纳米颗粒的方法
KR101338346B1 (ko) * 2013-04-25 2013-12-06 한국기계연구원 플라즈마 아크 방전법을 이용한 희토류계 질화물의 제조방법
CN104415786A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 安徽大学 微波加热快速制备类石墨结构氮化碳材料
CN105406087A (zh) * 2015-11-11 2016-03-16 大连理工大学 一种低温燃料电池用核壳电催化剂的制备方法及应用
CN105535972A (zh) * 2015-12-23 2016-05-04 中国科学院长春应用化学研究所 一种c3n4纳米复合材料、制备方法及其应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1806965A (zh) * 2005-01-19 2006-07-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 碳包金属纳米材料的制备方法和其设备
CN101838808A (zh) * 2010-06-20 2010-09-22 吉林大学 一种在空气气氛下制备石墨碳包裹金属纳米颗粒的方法
KR101338346B1 (ko) * 2013-04-25 2013-12-06 한국기계연구원 플라즈마 아크 방전법을 이용한 희토류계 질화물의 제조방법
CN104415786A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 安徽大学 微波加热快速制备类石墨结构氮化碳材料
CN105406087A (zh) * 2015-11-11 2016-03-16 大连理工大学 一种低温燃料电池用核壳电催化剂的制备方法及应用
CN105535972A (zh) * 2015-12-23 2016-05-04 中国科学院长春应用化学研究所 一种c3n4纳米复合材料、制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN106041110B (zh) 2018-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yang et al. Hydrothermal synthesis of nickel hydroxide nanostructures in mixed solvents of water and alcohol
CN101847714B (zh) 锂离子电池用碳包覆核壳结构纳米合金负极材料的制备方法
CN105965011B (zh) 一种Fe@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用
EP2571084A2 (en) Anode active material for a lithium secondary battery, method for preparing same, and lithium secondary battery including same
CN110299516A (zh) 碳纳米管阵列负载钛酸锂柔性电极材料的制备方法
CN101567224A (zh) 一种碳包铁钴纳米吸波材料的制备方法
CN107011858B (zh) 一种碳基复合吸波剂及其制备方法
CN103008674A (zh) 镍/铜氧化物复合纳米吸波材料及其制备方法
KR20110134852A (ko) 리튬 이차전지용 양극 활 물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
CN105441029A (zh) 一种Ag@Fe3O4/还原氧化石墨烯三元复合吸波材料及其制备方法
Ma et al. Deposition of binder-free oxygen-vacancies NiCo2O4 based films with hollow microspheres via solution precursor thermal spray for supercapacitors
CN106001551B (zh) 一种Ni@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用
CN101780945A (zh) 一种氧化锌包镍纳米吸波材料的制备方法
CN104261458B (zh) 一种带有硫化铝外壳的硫化铜纳米粉末材料及其制备方法
CN107857308B (zh) 镍钴复合氢氧化物超长纳米带、镍钴复合氧化物超长纳米带及其制备方法
Zhao et al. Neutron diffraction analysis and electrochemical performance of spinel Ni (Mn2− xCox) O4 as anode materials for lithium ion battery
CN106041110B (zh) 一种Co@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用
CN108746601A (zh) 一种Mo纳米点@BN纳米球复合物及其制备方法和应用
CN105817638B (zh) 一种Cu@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法
CN104386765A (zh) 一种带有硫化铝外壳的硫化亚铁纳米粉末材料及其制备方法
Shen et al. The influence of electrode microstructure on the performance of free-standing cathode for aprotic lithium-oxygen battery
CN107068992A (zh) 一种TiC@洋葱状碳/无定形碳纳米复合物及其制备方法和应用
CN105932272B (zh) 一种钛酸铬锂纳米材料的制备方法
CN104347876B (zh) 一种带有硫化铝外壳的二硫化钼纳米粉末材料及其制备方法
Hongxia et al. Preparation and Properties of Ce-doped Cobalt Ferrite

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant