CN106030294A - 用于标定由多晶材料制备的样品的晶体学取向的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于标定多晶材料的晶体学取向的方法，所述方法包括：接收(21)多晶材料的一系列图像，这些图像在不同的照射几何下通过获取装置来获取，不同的照射几何比如所述材料的不同倾斜角度，获取装置比如扫描电子显微镜或者聚焦离子束；根据系列图像对材料的至少一个考虑点估算(22)至少一个强度分布，每个强度分布代表与考虑点相关联的强度关于照射几何的函数；以及通过将与每个考虑点相关联的强度分布与已知晶体学取向的理论强度分布特征相比较(23)，来确定(24)材料的考虑点的晶体学取向，所述特征包含在数据库中。
Description
技术领域
本发明涉及对由多晶材料制备的样品的表征的一般技术领域。这些材料是例如陶瓷、金属等。
与由一个且仅一个晶体构成的单晶材料以及不具有长程有序的非晶材料相对，多晶材料是由具有不同晶体学取向和尺寸的多个小晶体(称作“晶粒”)组成的固体材料。
大多数材料(在微电子、未来能源、合金、陶瓷和矿物领域中)是由具有不同尺寸、形状和结构的晶体构成的。
多晶材料的各向异性以多种方式影响了它们的性质，尤其它们的机械性能(抗裂度、屈服强度等)甚至它们的电学性能。
因此，能够确定多晶材料的晶粒的晶体学取向是非常重要的。
背景技术
当前，一种被称作电子背散射衍射(EBSD)的技术被用来对晶体进行表征。
EBSD是一种微结构晶体学技术，其尤其能够对许多单晶或多晶材料的晶体学取向进行测量。EBSD可以用于索引和识别出属于七大晶系的晶相，所述七大晶系即：
-三斜晶系，
-单斜晶系，
-正交晶系，
-四方晶系，
-三方晶系，
-六方晶系，
-立方晶系。
EBSD是通过装配有EBSD探测器、紧凑型物镜和低光CCD视频摄像机的扫描电子显微镜(SEM，法文缩写为MEB)而实施的，所述EBSD探测器包括至少一个荧光屏。
为了执行EBSD测量，多晶样品被放置在SEM的腔室中，与衍射视频摄像机成大的角度(相对于水平成约70°)，以便增大背散射电子显微图像的对比度。
荧光屏位于SEM的样品室的内部，与束流轴线成约90°的角度，并且联接至紧凑型物镜，该紧凑型物镜将在荧光屏上产生的图像聚焦向CCD视频摄像机。
在这样的配置下，到达样品的电子中的一些受到背散射，并且当布拉格条件(其依赖于结构的原子晶格的周期性面的间距)满足时，在逃离样品之前受到样品的晶面的衍射。这些衍射电子中的一些冲击并且激发荧光屏，使荧光屏产生荧光。
当多个不同的面衍射电子而形成菊池线(或者说菊池带)时(其对应于晶格的衍射面的每个)，形成电子背散射图案(或者EBSP)。
如果对系统的几何结构进行良好的描述，则能够将存在于EBSP图案中的带与位于电子相互作用体积内的材料的晶相和晶体学取向联系起来。
为此，使用能够对每个晶粒的取向进行表征的算法来对获取的图像进行处理。
前述技术的一个缺陷在于，其需要将由荧光屏和CCD视频摄像机的物镜构成的组件安装在SEM腔室的内部，从而增加了SEM的成本。
另一个缺陷涉及(取决于所想要的图像质量的)图像获取时间可能会非常长(即，数个小时)。具体而言，所需的图像的空间分辨率越高，图像获取时间必然越长。
该技术的另一个缺陷在于，如果要获得菊池线，则发射向样品的电子束必须与样品的表面的法线成约70°的角度。这种相对于样品的表面的法线的电子束的倾斜会降低图像的空间分辨率，从而减小了晶体学取向的确定的精确度。
为了弥补这些缺陷，文件FR 2988841提出使用光束。根据FR2988841，这意味着扫描电子显微镜(见FR 2988841的第2页第13-25行)，且更一般而言，不再需要使用带电粒子束流的获取装置。
根据FR 2988841，光束的使用能够获得用于标定(cartographie)样品的晶粒的晶体学取向的方法，该方法与工业制造的约束相兼容(见第3页第21-23行)。
更确切地说，FR 2988841向本领域技术人员教导了：光束的使用能够获得实施起来简单、快速和廉价的标定方法。与使用带电粒子束流的方法(其需要使待分析的样品的表面被抛光)相反，为了能够实施在FR 2988841中所描述的方法，所分析的样品的表面必须是粗糙的(见第1页第3-9行)。
在本发明的上下文中，表述“抛光面”应理解为意指已经利用通常低至3μm的颗粒尺寸(例如钻石研磨液)的不同颗粒尺寸范围而抛光的表面，或者更加优选地已经在胶体硅料浆中进行振动抛光的表面。
然而，这种方法具有许多缺陷。特别地，使用采用光束的获取装置所获取的图像的空间分辨率不足够高，使得不能探测晶粒中的晶体学取向的变化。具体而言，在FR 2988841中，最小的空间分辨率等于光束的波长的一半。换句话说，不能利用该在FR2988841中描述的方法来分辨由小于半波长的距离分隔的两点之间的晶体学取向的差异。
另外，FR 2988841并不能够测量给定晶粒的两点的强度，而是仅能够对给定晶粒的所有点的平均强度进行估算。
本发明的一个目标为提供一种用于根据使用发射带电粒子(离子或电子)束流的获取装置所获取的图像来标定由多晶材料制备的样品的晶体学取向的方法，所述方法能够消除上述参考EBSD技术所提及的缺陷中的至少一个。更精确地，本发明的一个目标是提供一种基于使用发射带电粒子束流的获取装置获取的图像，用于标定由多晶材料制备的样品的晶体学取向的简单、快速和廉价的方法。
发明内容
为此目的，本发明提供一种用于对具有抛光表面的样品的晶体学取向进行标定的方法，所述方法包括：
-接收样品的系列图像，这些图像是通过获取装置获取的，这些图像是在不同的样品照射几何下获取的，每个图像包括代表在各个照射几何下样品的点的强度的像素。
-根据系列图像对材料的至少一个点估算至少一个强度分布(profils d’intensité)，每个强度分布表示与讨论中的点相关联的强度关于系列图像的每个图像的照射几何的函数；以及
-通过将与材料的每个讨论中的点相关联的强度分布与已知晶体学取向的强度分布的理论特征相比较，来确定所述讨论中的点的晶体学取向，所述特征包含在数据库中。
在本发明的上下文中，表述“抛光的面”应理解为意指已经利用通常低至3μm的颗粒尺寸(例如钻石研磨液)的不同颗粒尺寸范围而抛光的表面，或者更加优选地已经在胶体硅料浆中进行振动抛光的表面。
以下为根据本发明的方法的优选但是非限制性的方面：
-估算步骤包括：对于材料的每个讨论中的点，将系列图像的图像中代表所述讨论中的点的相应(homologues)像素分组，并且生成讨论中的点的强度关于照射几何的函数的曲线。
-系列图像的图像以下述方式获取：
○在样品的表面的法线和带电粒子束流的轴线之间的恒定倾
斜角度下获取；以及
○在围绕样品的表面的法线的不同旋转角度下获取。
-方法进一步包括对恒定的倾斜角度的校正的步骤以及对系列图像中的图像的调整步骤，所述转换步骤包括将系列图像的在非零的旋转角度所获得的那些图像进行旋转，以使得所述那些图像对应于在零倾斜角度所获得的图像。
-在系列图像的两个相继图像之间的旋转角度按照被包括在1°和15°之间的步长变化。
由于系列图像中的图像的数量减少，增大步长的大小能够减小获取时间。
-旋转角度(β0-β4)的动态范围大于或等于180°，优选地大于或等于270°，且更加优选为等于360°。
表述“动态范围”应理解为意指系列图像的初始图像的旋转角度和最终图像的旋转角度之间的差值。
动态范围越高，在晶体学取向的确定中存在错误的风险越小。
具体而言，对于等于180°的动态范围，样品的点的强度分布可能对应于多个理论特征；
使用高于或等于270°甚至更加优选地等于360°的动态范围能够去除可与给定的强度分布相关联的理论特征的不确定性。
-系列图像的图像是在不同的倾斜角度下获取的，所述倾斜角度为在样品的表面和垂直于由获取装置发射的带电粒子(即离子或电子)束流的轴线的平面之间的倾斜角度；
-系列图像的每个图像的倾斜角度包括在-60°和+60°之间。
-在系列图像的两个相继图像之间的倾斜角度按照被包括在1°和10°之间的步长变化。
-方法进一步包括将系列图像的图像变形的步骤，所述变形步骤包括将系列图像中在非零的倾斜角度所获得的那些图像进行拉伸，以使得所述那些图像对应于在零倾斜角度所获得的图像。
-方法进一步包括：在例如聚焦离子束装置的获取装置中，在不同的倾斜角度获取多晶材料的一系列图像，每个图像包括代表在各个倾斜角度的材料的点的强度的像素，所述倾斜角度为在材料的表面和垂直于带电粒子束流的轴线的平面之间倾斜角度。
-方法进一步包括下述步骤：
○对系列图像的一些甚至更加优选地全部图像计算中间分段图像，第一值被分配至系列图像的图像的那些像素，从而获得分段图像；以及
○叠加中间分段图像以形成最终分段图像。
本发明还涉及一种计算机程序产品，其包括旨在当所述程序在计算机上执行时，执行上述方法的步骤的编程代码指令。
附图说明
本发明的其他特征、目的和优点将会在下述描述中变得更加清楚明显，下述说明仅是说明性和非限制性的，并且需要参照所附附图进行阅读，附图中：
-图1示出了用于标定由多晶材料制备的样品的晶体学取向的示例性方法；
-图2示出了在不同的倾斜角度下获取由多晶材料制备的样品的图像的第一模式；
-图3示出了在不同的旋转角度下获取由多晶材料制备的样品的图像的第二模式；以及
-图4示出了示例性强度分布，该分布表示了多晶材料的点的强度关于用于获取图像的角度的函数。
具体实施方式
将参考图1至图4来更具体地对用于标定多晶材料的样品的晶体学取向的方法进行描述。
可以实施该方法来确定由多晶材料制备的样品的每个晶粒41-46的晶体学取向。多晶材料可以是金属、陶瓷或任何想要标定晶体学取向的其它多晶材料。
在方法的第一阶段10，获取多晶材料的样品的多个图像。
在方法的第二阶段20，对所获取的图像进行处理，以便确定由多晶材料制备的样品的晶粒41-46的晶体学取向。
已知在定向的照射下，被照射的晶体的强度取决于晶体相对于所使用的束流的方向的取向。因而对于多晶材料而言，每个晶粒41-46的强度根据晶体相对于所使用的束流的方向的取向而变化。
下述方法基于使用该效应来确定由多晶材料制备的样品的各个组成晶粒41-46的晶体学取向。
获取阶段
第一阶段包括获取多晶材料的样品的一系列的图像4a-4e。获取阶段在获取装置中实施，所述获取装置适合于从源发射带电粒子(离子或电子)束流，并且适合于利用探测器来收集由样品发射的粒子。
获取装置可以是本领域技术人员已知的扫描电子显微镜3，下文将对扫描电子显微镜进行简要的描述。
扫描电子显微镜以下述方式来工作：通过从源产生扫描电子的初级束流，所述扫描电子冲击样品，所述样品的表面以图像的形式再现。
由此，次级电子和背散射电子由样品的表面发射，并且其各自的路径与束流的原方向相反，且相对于原方向呈现为发散的角度，所述原方向垂直于样品的区域(被称作轴向方向)。
发射的电子由探测器收集，所述探测器放置于样品之上。当探测器暴露于电子束时，探测器根据所收集的从样品表面发射的电子而产生信号。
通常对源自于探测器的信号进行处理以产生样品的表面的图像。
作为一种变化形式，获取装置可以是聚焦离子束装置。聚焦离子束装置(或者FIB)的工作原理类似于扫描电子显微镜(SEM)的工作原理。
而聚焦离子束装置与扫描电子显微镜的区别在于，聚焦离子束装置使用聚焦的离子束(通常为镓离子)来照射样品。
使用聚焦离子束装置能够使多晶材料样品的各个晶粒41-46之间的强度变化增大。
无论使用哪种获取装置，随后都能够获得样品的一系列图像4a-4e。
有益地，样品的图像4a-4e以不同的照射几何来获取。更确切而言，并且考虑到多晶样品的给定晶粒，利用束流相对于晶粒的晶体结构的不同取向来获取每个图像。
对于给定的晶粒，由于探测器接收到的强度取决于相对于束流的晶粒的晶体学取向，所以该晶粒的强度在系列图像的不同图像中是不同的。
两种不同的获取模式能够获得可以用于确定所观察区域中的晶粒的晶体学取向的系列图像。
获取模式n°1-图2
图2示出了第一获取模式，其中，随着倾斜角度的变化来获取系列图像的图像。
在本发明的上下文中，表述“倾斜角度”应理解为意指材料的表面31和垂直于带电粒子束流的轴线32的平面P之间的角度“α”。因此，角度α对应于材料的表面31的法线33和带电粒子束流的轴线32之间的角度。
为了改变带电粒子束流和待分析区域的各个组成晶粒之间的照射几何，样品可以围绕垂直于带电粒子束流的轴线32(且因此包含在平面P中)的枢轴旋转。以这种方式，倾斜角度随着相继的图像的获取而变化。
有益地，倾斜角度α可以在包括在-60°和+60°之间的范围内变化。这能够获得在第二阶段20中能够使材料的各个晶粒41-46的晶体学取向得到确定的足够大的角度范围。
取决于目标应用以及用户的需要，在两次相继的获取之间，倾斜角度可以按照这样的步长来修改，所述步长在所使用的测角平台(platine goniométrique)的控制系统所允许的最小步长(例如0.001°，或者SEM中的一般值1°)和通常为几度的角度之间。
获取装置的工作原理如下。样品附接至可围绕枢轴旋转的承载件，所述枢轴垂直于带电粒子束流的轴线32。承载件旋转至第一极限位置(例如，α0＝-60°)。获取第一图像。然后承载件旋转对应于所选择的角度步长的角度，从而引起样品的旋转。获取样品的第二图像。然后反复进行旋转和获取步骤，直到达到第二极限位置(例如，α4＝+60°)。
以这样的方式：
-在步长大小为1°的情况下，以在-60°和60°之间变化的倾斜角度来获得一系列120个图像；或者
-在步长大小为2°的情况下，以在-60°和60°之间变化的倾斜角度来获得一系列60个图像，或者在步长大小为1°的情况下，以在-30°和30°之间变化的倾斜角度来获得一系列60个图像。
然后这些系列图像被传输至用于方法的第二阶段的实施的处理装置。
获取模式n°2-图3
图3示出了第二获取模式，其中，通过改变旋转角度来获取系列图像的图像。
在本发明的上下文中，以及对于该第二获取模式，表述“旋转角度”应理解为意指围绕材料的表面31的法线33旋转的角度“β”。限定为表面和带电粒子束流之间的角度的倾斜角度αconstant有益地设定为约40°，以优化图像的获取。
当然，本领域技术人员应当理解，可以使用另一个非零的倾斜角度，例如包括在[-80,0]和[0,+80°]之间的值。
为了改变带电粒子束流和待分析的区域的各个组成晶粒之间的照射几何，样品可以随着相继的图像的获取而围绕材料的表面31的法线33旋转。以这种方式，旋转角度β随着相继的图像的获取而变化。
有益地，旋转角度可以覆盖360°，即一整圈。取决于目标应用以及用户的需要，在两次相继的获取之间，旋转角度可以按照这样的步长来修改，所述步长在所使用的测角平台的控制系统所允许的最小步长(例如，0.001°，或者SEM中一般为1°)和通常为几度的角度之间。
获取装置的工作原理如下。样品附接至可围绕枢轴旋转的承载件，所述枢轴垂直于材料的表面31的法线33。承载件旋转至初始位置(例如，β0＝0°)。获取第一图像。然后承载件旋转对应于所选择的角度步长的角度，从而引起样品的旋转。获取样品的第二图像。然后反复进行旋转和获取步骤，直到达到最终位置(例如，βn＝360°)。
例如，对于一整圈(即，旋转角度从0°变化至360°)而言，在步长大小为2°的情况下获得了一系列180个图像，或者在步长大小为1°的情况下获得了一系列360个图像。
然后这些系列图像被传输至用于方法的第二阶段的实施的处理装置。
另外，由于在系列图像的获取的过程中，电子从样品的表面向探测器发射的角度是不变的，所以在系列的各个图像中，图像的平均强度是相等的。
这意味着不需要在各个图像中进行平均强度的调谐的步骤，尽管在根据第一获取模式的获取的情形中很可能实施这样的步骤。
具体而言，在第一获取模式中，倾斜角度的变化意味着在电子从样品的表面向探测器的发射角度存在变化(并且因此在系列的各个图像中的平均强度中存在变化)。
处理阶段
处理装置2能够使材料的样品的晶体学取向得到标定。
处理装置2可以包括处理器，该处理器尤其能够对强度分布进行估算，如在下文将具体描述的那样。
处理器例如是一个或多个计算机、一个或多个处理单元、一个或多个微控制器、一个或多个微型计算机、一个或多个可编程控制器、一个或多个专用集成电路、一个或多个其他可编程电路或者一个或多个包括计算机的其他装置(例如工作站)。
处理装置2可以整合至获取装置3，或者可以与获取装置3分开。
处理器连接至存储器(或多于一个存储器)，存储器可以整合至处理器或者与处理器分开。存储器可以是ROM/RAM存储器、USB密钥或中央服务器的存储器。该存储器能够存储旨在用于执行处理阶段20的步骤的编程代码指令或处理器使用的其他数据。
在第一步，处理装置2接收通过获取装置3获取的系列图像的图像4a-4e。每个获取的图像4a-4e由像素构成，所述像素的灰度代表通过探测器接收的电子强度，所述灰度包括在0和255之间或者更多(如果所获取的图像是利用更高的位数编码的话(例如16或32位))。
更确切而言，每个像素的灰度代表了样品的对应点的强度。该强度取决于在该讨论中的点处的晶体学取向以及由获取几何所限定的角度(即，源和探测器相对于样品的位置)。
系列图像的图像4a-4e包括对应于多晶材料样品的给定点47的相应的像素。
由于获取几何(即，倾斜角度α)随着这些相继的图像的获取而发生变化，所以在两个相继获取的图像之间，该相应的像素的灰度会发生变化。
因此，样品的给定点47的强度(并且因此更一般而言，给定晶粒41-46的强度)在系列图像4a-4e的图像中发生变化，如图2所示。
对于获取模式1，由于图像是在不同的倾斜角度下获得的，所以图像相对彼此会发生变形。为此，方法可以包括将系列图像的图像变形的步骤，所述变形步骤包括将系列图像中在非零的倾斜角度所获得的那些图像进行拉伸，以使得它们对应于在零倾斜角度所获得的图像。
对于获取模式2，如同在通过获取模式1所获得的图像的情形中那样，也有必要校正样品的倾斜。然而，该倾斜角度对于所有图像来说都是相同的。然而，由于图像是在样品的不同旋转角度下获得的，所以方法还可以包括对系列图像的图像进行调整的步骤，所述调整步骤包括将系列图像中在非零旋转角度所获得的那些图像枢转，从而使它们对应于在零旋转角度所获得的图像。
在方法的另一步骤22中，对强度分布进行估算。
对于样品中的每个点，对各个图像的相应点进行分组。每个相应像素的值(其代表强度)绘制为所述相应点所属于的图像的获取所使用的角度的函数。
对于样品的点所估算的示例性强度分布50示出于图4中。该强度分布50显示了为角度52的函数的样品的点的强度51。可以看出，强度51根据角度52而变化。特别地，强度分布包括4个对应于强度的下降的低谷53。除了这四个低谷53之外，无论角度如何，样品的点的强度保持大致恒定。
代替对样品的每个点的强度分布进行估算，估算步骤可以在样品的每个晶粒41-46中的一个、两个或三个点处实施。这能够加速处理阶段。在这种情况下，方法包括选择样品的点的步骤，在该点处实施估算步骤。该选择步骤可以是自动进行的或手动进行的(即由用户进行)。
为了便于实施选择步骤，方法可以包括探测晶界的步骤，该步骤基于任何本领域技术人员所公知的晶界探测算法。
有益地，在系列图像的多个图像中探测晶界，且优选地在系列图像的全部图像中探测晶界。具体而言，由于在某些情况下，在系列图像的给定图像中，两个相邻的晶粒可能具有相同的灰度，所以利用系列图像的单个图像实施晶界探测步骤可能不能识别出所有晶粒的间界。为此，优选为利用多个图像进行晶界探测步骤。在晶界探测步骤结束时，获得多个中间分段的图像。这些中间分段图像然后被叠加以形成样品的晶粒的最终分段图像。
然后在样品的晶粒分段图像的每个晶粒中选择一个或多个点，且对每个所选择的点进行强度分布估算。
可以如下对强度分布进行解释。当强度恒定时，束流和讨论中的点处的晶面之间的取向是不确定的。当强度变化时，束流几乎平行于在样品的所讨论的点处的晶面。
强度下降的幅度取决于晶面的类型。例如，对于氮化钛(TiN)的立方结构，当束流变为平行于[1 1 1]面时，强度的下降小于当束流变为平行于[1 1 0]面时。类似地，当束流变为平行于[1 1 0]面时，强度的下降小于当束流变为平行于[1 0 0]面时。因此，强度下降的幅度能够识别在样品的点处出现的晶面的类型。
然而，该解释并不能通过直接计算的方法来确定样品的点处的晶体学取向。具体而言，如果在获取过程中，多个[111]晶面例如平行于在给定的倾斜角度的束流，则两个低幅度低谷可能会通过叠加该两个效应而出现大幅度的低谷，从而导致对样品的点处的晶面的表征出现错误。
为此，发明人提出将每个强度分布与对于已知晶体学取向的理论强度分布特征进行比较(步骤23)。这些理论特征包含在用于七大晶系的数据库中，所述七大晶系为：
-三斜晶系，
-单斜晶系，
-正交晶系，
-四方晶系，
-三方晶系，
-六方晶系，
-立方晶系。
因此每个估算的强度分布与包含在数据库中的理论强度分布特征相比较(步骤23)。晶体学取向被确定为与估算的强度分布具有最高相关性的理论特征的取向。
对于样品的各个点重复进行估算和比较步骤。由此，获得多晶材料的样品的晶粒的晶体学取向的标定。
读者应到理解，在实际不脱离该公开的新颖性教导的范围的情况下，可以对上述方法进行许多修改。
例如，本方法可以用于确定单晶材料的晶体学取向。
因此，应当理解，上文给出的示例仅是说明性的，且在任何情况下都不构成限制。
Claims (13)
1.一种用于对具有抛光表面的样品(31)的晶体学取向进行标定的方法，所述方法包括：
-接收(21)样品(31)的一系列图像(4a-4e)，这些图像通过适合于将带电粒子束流发射至抛光表面上的获取装置(3)获取，图像(4a-4e)在不同的样品照射几何下获取，每个图像(4a-4e)包括代表在各个照射几何下样品的点的强度的像素；
-根据系列图像对材料的至少一个点估算(22)至少一个强度分布，每个强度分布代表与讨论中的点相关联的强度关于照射几何的函数；以及
-通过将与材料的每个讨论中的点相关联的强度分布与已知晶体学取向的强度分布的理论特征相比较(23)，来确定(24)所述讨论中的点的晶体学取向，所述特征包含在数据库中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，估算步骤包括：对于材料的每个讨论中的点，将代表系列图像的图像中的所述讨论中的点的相应像素分组，并且生成讨论中的点的强度(51)关于照射几何的函数的曲线(50)。
3.根据权利要求1和2中的任一项所述的方法，其中，系列图像的图像以下述方式获取：
-在样品(31)的表面的法线(33)和带电粒子束流的轴线(32)之间的恒定的倾斜角度(αconstant)下获取；以及
-在围绕样品(31)的表面的法线(33)的不同的旋转角度(β0-β4)下获取。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括对系列图像的图像进行调整的步骤，所述转换步骤包括将系列图像在非零的旋转角度所获得的那些图像进行转动，以使得所述那些图像对应于在零倾斜角度所获得的图像。
5.根据权利要求3和4中的任一项所述的方法，其中，在系列图像的两个相继图像之间的旋转角度(β0-β4)按照被包括在1°和15°之间的步长而变化。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法，其中，旋转角度(β0-β4)的动态范围大于或等于180°，优选地大于或等于270°，且更加优选为等于360°。
7.根据权利要求1和2中的任一项所述的方法，其中，系列图像的图像是在不同的样品(31)的表面和垂直于由获取装置(3)发射的带电粒子束的轴线(32)的平面(P)之间的倾斜角度(α0-α4)下获取的。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，系列图像的每个图像的倾斜角度包括在-60°和+60°之间。
9.根据权利要求7和8中的任一项所述的方法，其中，在系列图像的两个相继图像之间的倾斜角度按照包括在1°和10°之间的步长而变化。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的方法，其进一步包括将系列图像的图像变形的步骤，所述变形步骤包括将系列图像中在非零的倾斜角度所获得的那些图像进行拉伸，以使得所述那些图像对应于在零倾斜角度所获得的图像。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其进一步包括：在例如聚焦离子束装置的获取装置中，在不同的倾斜角度获取多晶材料的一系列图像，每个图像包括表示在各个倾斜角度的材料的点的强度的像素，所述倾斜角度为在材料的表面和垂直于带电粒子的束流的轴线的平面之间的角度。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其进一步包括下述步骤：
-对系列图像的每个图像计算中间分段图像；以及
-叠加中间分段图像以形成最终分段图像。
13.一种计算机程序产品，其包括旨在当所述程序在计算机上执行时，执行根据权利要求1至11中的任一项所述的方法的步骤的编程代码指令。
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