CN105991104A - 石英震荡器环壁结构制造方法及该石英震荡器环壁结构 - Google Patents
石英震荡器环壁结构制造方法及该石英震荡器环壁结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105991104A CN105991104A CN201510087129.5A CN201510087129A CN105991104A CN 105991104 A CN105991104 A CN 105991104A CN 201510087129 A CN201510087129 A CN 201510087129A CN 105991104 A CN105991104 A CN 105991104A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- leg
- crystal oscillator
- ceramic substrate
- ringwall structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 123
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 93
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 89
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 27
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 11
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N aluminum copper oxygen(2-) Chemical group [O-2].[Al+3].[Cu+2] UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- -1 aluminum copper oxide Chemical compound 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000009514 concussion Effects 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 7
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 3
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018576 CuAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018572 CuAlO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001425718 Vagrans egista Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010218 electron microscopic analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004531 microgranule Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
一种石英震荡器环壁结构的制造方法，包含：提供一个陶瓷基板；提供一个铜围壁，该铜围壁具有相对的一个第一表面及一个第二表面；及将该铜围壁的第一表面置于该陶瓷基板上，于真空、惰气气氛或还原气氛下进行一个烧结反应，直至该陶瓷基板及该铜围壁间形成一个氧化铜层及一个共晶层，使该氧化铜层的相对两面分别结合于该铜围壁及该共晶层，该共晶层的相对两面分别结合于该氧化铜层及该陶瓷基板，其中，该共晶层的材质为氧化铝铜，借此达到增加石英震荡器的密着度的功效。
Description
技术领域
本发明是关于一种石英震荡器的制造方法，特别是一种石英震荡器环壁结构的制造方法，及制备而得的石英震荡器环壁结构。
背景技术
震荡器是一种利用压电材料及电路产生震荡的被动元件，压电材料中，又以石英最为稳定，且石英具有能够提供广泛频率的特性，故，目前市面上的震荡器多以石英震荡器为大宗，石英震荡器被普遍应用于数位电视、数位相机、行动电话及数据机等消费性电子商品，具有极大的消费市场。石英震荡器包含一震荡子及一环壁结构，由于震荡子容易受到外界的气体、微粒及水气干扰而产生震荡频率的变化，因此，对该震荡子提供保护作用的环壁结构的气密性对于石英震荡器的运作至关重要。
请参照图1所示，此为现有石英震荡器环壁结构9，该现有石英震荡器环壁结构9系包含一陶瓷基座91、一银铜层92、一可伐制环周壁93，可伐(kovar)的材质即为铁镍钴合金，该陶瓷基座91借助该银铜层92与该可伐环周壁93相结合，该陶瓷基座91及该可伐制环周壁93共同围设形成一容置空间94。当将该震荡子(图未示)放置于该现有石英震荡器环壁结构9的容置空间94后，可另将一上盖盖设于该可伐环周壁93的上方，以封闭该容置空间94。
由于该现有石英震荡器环壁结构9的该容置空间94必须具有一定的气密性，故在制造该现有石英震荡器环壁结构9的过程中，系必要在真空、氮气或还原气氛的环境下进行制备，详言之，制造该现有石英震荡器环壁结构9的方法为：备有一可伐薄片及一银铜薄片，将该可伐薄片及该银铜薄片加热贴合以形成一金属箔，接着，借助模具冲压该金属箔，使该金属箔划分成小尺寸的数个方形环状金属箔，并且于该方形环状金属箔形成该银铜层92及该可伐制环周壁93，续将该方形环状金属箔置于该陶瓷基座91上，且该方形环状金属箔以该银铜层92贴接于该陶瓷基座91，最后，将该方形环状金属箔及该陶瓷基座91于还原气氛下加热至700～800℃，使该可伐制环周壁93借助该银铜层92结合于该陶瓷基座91，以获得该现有石英震荡器环壁结构9。
然而，由于该可伐制环周壁93以铁、钴及镍依照固定比例混合所制成，不仅各个成分的比例必须经准掌控，且铁、钴及镍须充分混合均匀，制造过程相当严谨精细，因此该可伐制环周壁93的价格高昂，使得利用该可伐制环周壁93所获得之该现有石英震荡器环壁结构9的成本居高不下；另外，即使通过该银铜层92以增加该陶瓷基座91及该可伐制环周壁93之间的接着力，期望能增进该容置空间94的气密性，但是在实际使用时，仍会在该陶瓷基座91及该可伐制环周壁93之间发现裂缝，气体由此裂缝进入该容置空间94，破坏了该现有石英震荡器环壁结构9的气密性，故该陶瓷基座91及该可伐制环周壁93的密着性仍存在有改善的空间。
有鉴于此，有必要提供一种石英震荡器环壁结构的制造方法及制备而得的一种石英震荡器环壁结构，以解决该现有石英震荡器环壁结构9的成本高，以及该陶瓷基座91与该可伐制环周壁93的结合力不佳的问题。
发明内容
本发明是提供一种石英震荡器环壁结构的制造方法，可以降低制备该石英震荡器环壁结构的制造成本。
本发明提供一种石英震荡器环壁结构的制造方法，可以增加制得的该石英震荡器环壁结构的气密性。
本发明提供一种石英震荡器环壁结构，可以提高该石英震荡器中的基板与围壁之间的密着度，进而增进该石英震荡器环壁结构的气密性。
本发明的一种石英震荡器环壁结构的制造方法，包含：提供一陶瓷基板；提供一铜围壁，该铜围壁系具有相对的一第一表面及一第二表面；及将该铜围壁的第一表面置于该陶瓷基板上，于真空、惰气气氛或还原气氛下进行一烧结反应，直至该陶瓷基板及该铜围壁间形成一氧化铜层及一共晶层，使该氧化铜层的相对两面分别结合于该铜围壁及该共晶层，该共晶层的相对两面分别结合于该氧化铜层及该陶瓷基板，其中，该共晶层的材质为氧化铝铜。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，将一铜膏印刷或点胶于该陶瓷基板的表面后，加热使该铜膏固化以于该陶瓷基板上形成该铜围壁。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，该铜围壁为一铜环，对一铜箔进行冲压成形、激光成形或蚀刻成形，使该铜箔形成数个环状铜箔，以获得该铜环。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，该烧结反应的温度为900～1300℃。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，该烧结反应的时间为0.5～4小时。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，于将该铜围壁置于该陶瓷基板的表面前，先对该铜围壁的表面进行氧化反应。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，其中，另包含将一上盖结合于该铜围壁的第二表面，该上盖的表面借助电镀形成一第一镍层，且该铜围壁借助电镀于该第二表面上依序结合有一第二镍层、一钯层及一金层，将一高温滚轮滚压位于该金层上方的该上盖处，以结合该上盖及该铜围壁。
本发明的石英震荡器环壁结构，包含：一陶瓷基板；一铜围壁，该铜围壁具有一第一表面及一第二表面；一氧化铜层，该氧化铜层结合于该铜围壁的第一表面；及一共晶层，该共晶层的相对两面分别结合于该氧化铜层及该陶瓷基板，该陶瓷基板、该铜围壁、该氧化铜层及该共晶层共同围设形成一容置空间。
本发明的石英震荡器环壁结构，其中，另包含一上盖，该上盖结合于该铜围壁的第二表面，以封闭该容置空间。
本发明的石英震荡器环壁结构，该上盖的表面具有一第一镍层，该铜围壁的第二表面上依序设有一第二镍层、一钯层及一金层，该上盖以该第一镍层与该铜围壁的金层相结合。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，使用价格便宜且易于取得的铜材质作为该铜围壁并结合于该陶瓷基板上，可以大幅减少原料开销，达到降低该石英震荡器环壁结构的制造成本的功效。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，将该铜围壁及该陶瓷基板借助该烧结反应，使该陶瓷基板及该铜围壁之间形成该氧化铜层及该共晶层，该氧化铜层相当致密地附着于该铜围壁的第一表面，且该共晶层与该陶瓷基板及该氧化铜层皆具有良好的键结力，以达到增加石英震荡器的密着度的功效。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，将该上盖以金属滚焊的方式结合于该铜围壁的第二表面，使该上盖及该铜围壁得以紧密结合，以达到避免外界气体、灰尘或水气影响石英震荡器的运作的功效。
本发明的石英震荡器环壁结构，借助该氧化铜层及该共晶层紧密结合该陶瓷基板及该铜围壁，以达到提高石英震荡器的密着度的效果。
本发明的石英震荡器环壁结构，其中，本发明的铜围壁具有较高的导热率，进而可以达到提升散热效果的功效，并且降低温度效应对于石英震荡器电性的影响。
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，将该铜环壁于900～1300℃的烧结温度下，与该陶瓷基板相结合，故所获得的该石英震荡器环壁结构可置于更高温的环境下仍维持良好的气密性，以达到提升该石英震荡器环壁结构的耐热性的功效。
附图说明
图1为现有石英震荡器环壁结构的立体分解图。
图2为本发明石英震荡器环壁结构的制造方法结合该铜围壁及该陶瓷基板的示意图。
图3为本发明石英震荡器环壁结构的组合剖视图。
图4为本发明石英震荡器环壁结构的制造方法之结合该上盖与该铜围壁之示意图。
图5为本发明包含上盖的石英震荡器环壁结构的组合剖视图。
图6为本发明石英震荡器环壁结构的扫描式电子显微影像。
〔本发明〕
1陶瓷基板
2铜围壁
21第一表面 22第二表面
221第二镍层 222金层
223钯层
3氧化铜层
4共晶层
5容置空间
6上盖 61第一镍层
〔现有〕
9现有石英震荡器环壁结构
91陶瓷基座 92银铜层
93可伐制环周壁 94容置空间
具体实施方式
为让本发明的上述及其他目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法包含：提供一陶瓷基板；提供一铜围壁；及将该铜围壁置于该陶瓷基板表面并进行烧结反应，直至该陶瓷基板及该铜围壁间形成一共晶层及一氧化层。
请参照图2所示，详言之，该陶瓷基板1用以制造石英震荡器的基板，该陶瓷基板1的材料可以为氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)或氧化锆(ZrO2)等，在此并不设限。并且，该陶瓷基板1尺寸约为30～200mm2。
该铜围壁2设有相对之一第一表面21及一第二表面22，该铜围壁2的形成方式可以透通过一铜膏加热固化或事先备有一铜环。详而言之，可以利用印刷或点胶的方式将该铜膏印刷或涂布于该陶瓷基板1的其一表面，使该陶瓷基板1的表面形成环形的铜膏，并于后续的该烧结反应中加热直至该铜膏中的有机溶剂挥发，使该铜膏固化并直接于该陶瓷基板1上形成该铜围壁2；另外，该铜围壁2的形成方式也可以事先制备该铜环，然而，由于石英震荡器的体积小，所配合的该铜环的尺寸的宽度约为0.01～0.5mm，厚度仅约为50～300μm，欲制备尺寸小的铜环需借助特定方法。
在本实施例中，该铜环可以借助对一铜箔冲压成形、激光成形或蚀刻成形的方式，使该铜箔形成数个环状铜箔，以制备该铜环。举例而言，于本实施例中，备有一模具，借助该模具以冲压成型的方式形成一铜箔组，该铜箔组包含数个环状铜箔，并且该环状铜箔两两之间以一连接部互相结合，接着，将该铜箔组置放于未切割的陶瓷基板上，续以激光光或钻石刀等切割工具切断该连接部，使该环状铜箔彼此独立，接着分割该未切割的陶瓷基板，以获得准确对位于该陶瓷基板1的该铜环，然而，此仅为一种制备该铜环的方式，并不上述的方式为限制。
请续参照图2至图3所示，将该铜围壁2以该第一表面21放置于该陶瓷基板1上，接着，于真空、惰气气氛或还原气氛下进行一烧结反应，直至该陶瓷基板1及该铜围壁2间形成一氧化铜层3及一共晶层4，并借助该氧化铜层3及该共晶层4结合该陶瓷基板1及该铜围壁2。详言之，于该烧结反应时，该铜围壁2中的铜与该陶瓷基板1中所含的氧结合，以形成该氧化铜层3，并且，该氧化铜层3的氧化铜进一步与该陶瓷基板1反应产生该共晶层4，该共晶层4的材质为氧化铝铜，如：CuAlO2、CuAl2O4或CuAlO2及CuAl2O4的组合。简言之，当该铜围壁2及该陶瓷基板1借助该氧化铜层3及该共晶层4相结合时，该氧化铜层3的相对两面分别结合于该铜围壁2的第一表面21及该共晶层4，并且，该共晶层4的相对两面结合于该氧化铜层3及该陶瓷基板1。另外，于将该铜围壁2置于该陶瓷基板1之前，可以选择先对该铜围壁2的表面进行氧化反应，使该铜围壁2的第一表面21事先形成该氧化铜层3，以确保该石英震荡器环壁结构具有足够厚度的该氧化铜层3，使该氧化铜层3与该陶瓷基板在该烧结反应下确实可以形成该共晶层4。
该烧结反应的温度为500～1500℃，较佳为900～1300℃，该烧结反应的时间以形成该氧化铜层3及该共晶层4为考量，在此不限制，于本实施例中，该烧结反应的时间为0.5～4小时。当该陶瓷基板1与该铜围壁2以该氧化铜层3及共晶层4互相结合后，该陶瓷基板1、该铜围壁2、该氧化铜层3及该共晶层4共同围设形成一容置空间5，该容置空间5用以置放一石英震荡子(图未示)。该氧化铜层3通过该铜围壁2经表面氧化所产生，故该氧化铜层3系紧密地结合于该铜围壁2的第一表面21，并且，虽借助该烧结反应所形成的该共晶层4的厚度相当薄，大约数个至数百个，然而该共晶层4具有强烈键结该陶瓷基板1及该氧化铜层3的能力，使该陶瓷基板1及该铜围壁2通过该氧化铜层3及该共晶层4达到良好的密着性。
请参照图4所示，本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法另包含备有一上盖6，及将该上盖6结合于该铜围壁2的第二表面22。在此值得一提的是，实际制造石英震荡器时，在结合该铜围壁2及该上盖6前，先将该石英震荡子置入该容置空间5中，然而，本发明为石英震荡器环壁结构的制造方法，故在此不对该石英震荡子置入该容置空间5的方法及相关细节多加赘述。该上盖6与该铜围壁2的结合可以是利用玻璃胶封装、金属滚焊封装、金锡封装或高分子封装等方式，在此不多做限制。由于金属滚焊封装可达到较高的密着度，因此，于本实施例中，该上盖6借助金属滚焊结合于该铜围壁2。
详而言之，本实施例中，在结合两者之前，该上盖6的表面设有一第一镍层61，该第一镍层61系借助电镀而结合于该上盖6的表面；另外，该铜围壁2亦借助电镀于该第二表面22上依序结合有一第二镍层221及一金层222，较佳地，为了减少该金层222的厚度，以节省制备该石英震荡器环壁结构的成本，另可在该第二镍层221及该金层222之间设有一钯层223，以该钯层223的设置减少该金层222的厚度。接着，将结合有该铜围壁2之该陶瓷基板1及该上盖6置于真空度为10-3～10-7torr的环境中，以该金层222及该第一镍层61相对位，并备有一高温滚轮，该高温滚轮的温度约1000℃，以该高温滚轮滚压位于该金层222上方的该上盖6处，使该上盖6与该铜围壁2相结合。通过于结合该上盖6及该铜围壁2之前，预先设置有该第一镍层61、该第二镍层221及该金层222，藉此增加该铜围壁2及该上盖6的结合密着性。
请再参照图3所示，利用该石英震荡器环壁结构的制造方法所制备而得的该石英震荡器环壁结构系包含：该陶瓷基板1、该铜围壁2、该氧化铜层3及该共晶层4，于该陶瓷基板1上依序结合有该共晶层4、该氧化铜层3及该铜围壁2，该陶瓷基板1、该铜围壁2、该氧化铜层3及该共晶层4共同围设形成该容置空间5。详言之，该铜围壁2具有该第一表面21及该第二表面22，该氧化铜层3结合于该铜围壁2的第一表面21，该共晶层4的相对两面分别结合于该氧化铜层3及该陶瓷基板1，且该共晶层4的材质为氧化铝铜。
另请参照图5所示，该石英震荡器环壁结构另包含该上盖6，该上盖6结合于该铜围壁2的第二表面22，以封闭该容置空间5。详言之，该上盖6的表面具有一第一镍层61，该铜围壁2的第二表面22上依序设有该第二镍层221及该金层222，并且较佳于该第二镍层221及该金层222之间设有该钯层223，该上盖6以该第一镍层61与该铜围壁2的金层222相结合，通过该第二镍层221、该金层222、该钯层223及该第一镍层61使该铜围壁2与该上盖6可以紧密结合。
为了证实利用本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法确实能够提高该陶瓷基板1及该铜围壁2的结合紧密度，将利用本发明的方法所制得的石英震荡器环壁结构进行扫描式电子显微镜分析，分析结果如图6所示。由图6可以明显观察到该铜围壁2紧密地结合于该陶瓷基板1，两者之间几乎观察不到空隙，由此可证，借助本发明的方法所制得的该石英震荡器环壁结构的气密度可以提高。
综上所述，本发明的石英震荡器环壁结构的制造方法，使用该铜围壁2间接结合于该陶瓷基板1上，由于铜的价格便宜稳定且取得容易，可以大幅降低制被该石英震荡器环壁结构的制造成本；另外，制备该石英震荡器之环壁结构时，将该铜围壁2及该陶瓷基板1借助该烧结反应，使该陶瓷基板1及该铜围壁2之间形成该氧化铜层3及该共晶层4，该氧化铜层3相当紧密地附着于该铜围壁2的第一表面21，且该共晶层4与该陶瓷基板1及该氧化铜层3皆具有良好的键结力，借此使该陶瓷基板1与该铜围壁2相当紧密地结合，以达到增加石英震荡器的密着度的功效；并且，本发明包含将该上盖6以金属滚焊的方式结合于该铜围壁2的第二表面22，使该上盖6及该铜围壁2得以紧密结合，以达到避免外界气体、灰尘或水气影响石英震荡器的运作的功效。
又，利用石英震荡器环壁结构的制造方法制备获得的该石英震荡器环壁结构，借助该氧化铜层3及该共晶层4紧密结合该陶瓷基板1及该铜围壁2，以达到提高石英震荡器的密着度的效果。
另外，相较于现有石英震荡器环壁结构使用可伐制环周壁，本发明的铜围壁2具有较高的导热率，使本发明的石英震荡器环壁结构进而可以达到提升散热效果的功效，并且避免该石英震荡器因受热而改变震荡频率，减少热效应对石英震荡器的电性影响。
再者，由于该铜环壁2于900～1300℃的烧结温度下，与该陶瓷基板1相结合，相对于现有石英震荡器环壁结构的该方形环状金属箔与该陶瓷基座于700～800℃下结合，本发明所获得的该石英震荡器环壁结构可以置于更高温的环境下仍维持良好的气密性，以达到提升该石英震荡器环壁结构的耐热性的功效。
以上仅为本发明的较佳实施例，不得以此限定本发明实施的保护范围，因此凡参考本发明的说明书内容所作的简单等效变化与修饰，仍属本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于包含：
提供一个陶瓷基板；
提供一个铜围壁，该铜围壁具有相对的一个第一表面及一个第二表面；及
将该铜围壁的第一表面置于该陶瓷基板上，于真空、惰气气氛或还原气氛下进行一个烧结反应，直至该陶瓷基板及该铜围壁间形成一个氧化铜层及一个共晶层，使该氧化铜层的相对两面分别结合于该铜围壁及该共晶层，该共晶层的相对两面分别结合于该氧化铜层及该陶瓷基板，其中，该共晶层的材质为氧化铝铜。
2.如权利要求1所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，将一个铜膏印刷或点胶于该陶瓷基板的表面后，加热使该铜膏固化以于该陶瓷基板上形成该铜围壁。
3.如权利要求1所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，该铜围壁为一个铜环，对一个铜箔进行冲压成形、激光成形或蚀刻成形，使该铜箔形成数个环状铜箔，以获得该铜环。
4.如权利要求1至权利要求3任一项所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，该烧结反应的温度为900～1300℃。
5.如权利要求1至权利要求3任一项所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，该烧结反应的时间为0.5～4小时。
6.如权利要求1至权利要求3任一项所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，于将该铜围壁置于该陶瓷基板的表面前，先对该铜围壁的表面进行氧化反应。
7.如权利要求1至3任一项所述的石英震荡器环壁结构的制造方法，其特征在于，其中，另包含将一个上盖结合于该铜围壁的第二表面，该上盖的表面借助电镀形成一个第一镍层，且该铜围壁借助电镀于该第二表面上依序结合有一个第二镍层、一个钯层及一个金层，将一个高温滚轮滚压位于该金层上方的该上盖处，以结合该上盖及该铜围壁。
8.一种石英震荡器环壁结构，其特征在于包含：
一个陶瓷基板；
一个铜围壁，该铜围壁具有一个第一表面及一个第二表面；
一个氧化铜层，该氧化铜层结合于该铜围壁的第一表面；及
一个共晶层，该共晶层的相对两面分别结合于该氧化铜层及该陶瓷基板，该陶瓷基板、该铜围壁、该氧化铜层及该共晶层共同围设形成一个容置空间。
9.如权利要求8所述的石英震荡器环壁结构，其特征在于，其中，另包含一个上盖，该上盖结合于该铜围壁的第二表面，以封闭该容置空间。
10.如权利要求9所述的石英震荡器环壁结构，其特征在于，其中，该上盖的表面具有一个第一镍层，该铜围壁的第二表面上依序设有一个第二镍层、一个钯层及一个金层，该上盖以该第一镍层与该铜围壁的金层相结合。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW104100413A TWI559681B (zh) | 2015-01-07 | 2015-01-07 | 石英震盪器環壁結構之製造方法及製備而得之石英震盪器環壁結構 |
| TW104100413 | 2015-01-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105991104A true CN105991104A (zh) | 2016-10-05 |
Family
ID=56985205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510087129.5A Pending CN105991104A (zh) | 2015-01-07 | 2015-02-25 | 石英震荡器环壁结构制造方法及该石英震荡器环壁结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105991104A (zh) |
| TW (1) | TWI559681B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100740A (en) * | 1989-09-25 | 1992-03-31 | General Electric Company | Direct bonded symmetric-metallic-laminate/substrate structures |
| US6056186A (en) * | 1996-06-25 | 2000-05-02 | Brush Wellman Inc. | Method for bonding a ceramic to a metal with a copper-containing shim |
| CN101075589A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 同欣电子工业股份有限公司 | 气密微电子元件构装结构及其构装方法 |
| CN101356728A (zh) * | 2006-08-10 | 2009-01-28 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
| CN102731103A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-17 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种超材料谐振子及其制备方法 |
| CN103165569A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-19 | 同欣电子工业股份有限公司 | 一种半导体气密封装结构及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2738706B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1998-04-08 | 株式会社日立製作所 | 積層型圧電素子の製法 |
| TWM500357U (zh) * | 2015-01-07 | 2015-05-01 | Harmony Electronics Corp | 石英震盪器環壁結構 |
-
2015
- 2015-01-07 TW TW104100413A patent/TWI559681B/zh active
- 2015-02-25 CN CN201510087129.5A patent/CN105991104A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100740A (en) * | 1989-09-25 | 1992-03-31 | General Electric Company | Direct bonded symmetric-metallic-laminate/substrate structures |
| US6056186A (en) * | 1996-06-25 | 2000-05-02 | Brush Wellman Inc. | Method for bonding a ceramic to a metal with a copper-containing shim |
| CN101075589A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 同欣电子工业股份有限公司 | 气密微电子元件构装结构及其构装方法 |
| CN101356728A (zh) * | 2006-08-10 | 2009-01-28 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
| CN103165569A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-06-19 | 同欣电子工业股份有限公司 | 一种半导体气密封装结构及其制造方法 |
| CN102731103A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-17 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种超材料谐振子及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201626716A (zh) | 2016-07-16 |
| TWI559681B (zh) | 2016-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200945546A (en) | Semiconductor device | |
| US20180033716A1 (en) | Sintered multilayer heat sinks for microelectronic packages and methods for the production thereof | |
| CN102638243A (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 | |
| CN103460376B (zh) | 电子部件以及电子部件的制造方法 | |
| CN103066941A (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 | |
| JP2003124410A (ja) | 多層ヒートシンクおよびその製造方法 | |
| CN103703559B (zh) | 配线基板及封装件、以及电子装置 | |
| JP5686417B2 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法及び熱電変換モジュール | |
| CN103840790A (zh) | 冷压焊陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
| CN202750054U (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座 | |
| CN101556939B (zh) | 陶瓷封装基座及其制备方法 | |
| JP2016219616A (ja) | 電子素子実装用基板および電子装置 | |
| CN105991104A (zh) | 石英震荡器环壁结构制造方法及该石英震荡器环壁结构 | |
| TW200915633A (en) | Method for making thermo-electric conversion element | |
| JP6449988B2 (ja) | 電子部品収納用基板および電子部品実装パッケージ | |
| US8828791B2 (en) | Substrate for use in preparing solar cells | |
| JP2005216932A (ja) | 配線基板及びその製造方法並びに電気部品 | |
| TW201246694A (en) | Antenna assembly and method for making the same | |
| WO2012147610A9 (ja) | 放熱基板 | |
| CN201515351U (zh) | 陶瓷封装基座 | |
| CN203014756U (zh) | 储能焊陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
| CN202050390U (zh) | 具有上盖的表面贴装石英晶体谐振器 | |
| CN206283479U (zh) | 一体化晶体谐振器 | |
| TWM500357U (zh) | 石英震盪器環壁結構 | |
| CN203014755U (zh) | 低温玻璃-陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20161005 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |