CN105990493A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，其特征在于：所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种发光装置，特别涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
LED作为一种高效光源,具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛应用到各种领域。
传统的LED封装体只有单面出光，其通过将LED固定在基板上，然后在LED周缘形成反射杯并在反射杯内填充封装材料及荧光粉来调节LED出光光效。LED产生的光线从形成在基板之上的反射杯顶部出射，其底部的光线因封装材料的吸收及基板的阻挡而不能出射。
为了提高LED封装体的出光效率，通过将LED设置在透光基板上，使得LED产生光线从基板之上出射的同时，自LED芯片底部出射光线可进入基板后自与LED芯片相对的基板的下表面出射，从而实现出光效率高的双面出光LED封装体。然而此种结构的LED封装体中，进入透明基板的部分光线在基板内表面容易发生全反射，从而使光线聚集在基板内部而不能自基板出射，以及其中少量光线会自基板的侧面出射。如此，此结构LED封装体限制了基板的出光量，使得LED封装体出光效率低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种出光效率高的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，其特征在于：所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。
在本发明中，所述发光二极管产生光线部分直接经基板上表面的封装层后出射；另一部分光线进入基板后通过所述空气洞的多次全反射后自基板上表面和下表面出射；所述空气洞或者空气洞对进入基板内的光线进行多次反射后自基板的上表面或者下表面出射，如此提高了自基板的出光量，而提高了所述发光二极管封装结构的出光效率。
附图说明
图1是本发明第一实施例的发光二极管封装结构的立体图。
图2为图1所述发光二极管封装结构的主视图。
图3为图1所述发光二极管封装结构的沿III-III剖面的剖视图。
图4为本发明第一实施例所述发光二极管封装结构光路图。
图5为本发明第二实施例所述发光二极管封装结构的剖视图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 100、100a
基板 10
上表面 101
下表面 102
第一侧面 103
第二侧面 104
发光二极管 20
第一电极 11
第二电极 12
封装层 30
空气洞 110、110a
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
第一实施例
如图1-2所示，本发明第一实施例所示的发光二极管封装结构100包括一基板10，设置在基板10一侧表面的发光二极管（LED）20、第一电极11和第二电极12、以及包覆所述发光二极管20的封装层30。
所述基板10为可透光的透明长方体材料，由如玻璃，蓝宝石等制成。在本实施例中所述基板10采用如下尺寸：长：30毫米；宽：0.8毫米；高0.4毫米。
请同时参考图3，所述基板10包括一上表面101、一与上表面101相对的下表面102、与上表面101边缘、下表面102边缘连接的的第一侧面103和第二侧面104。所述第一侧面103和第二侧面104相对且平行。
所述基板10内形成有多个空气洞110，所述空气洞110可以通过激光蚀刻而成。所述空气洞110排列成间隔第一空气洞列和第二空气洞列，所述第一空气洞列靠近所述第一侧面103，第二空气洞列靠近所述第二侧面104。所述发光二极管20朝向基板10下表面102的正向投影位于第一空气洞列及第二空气洞列之间，所述第一空气洞列和第二空气孔列中的每一空气洞110之间间隔均匀。
在本实施例中，所述空气洞110的高度为0.05-0.2毫米，最佳高度为0.1毫米；所述空气洞110的宽度为0.05-0.3毫米，最佳宽度为0.2毫米。所述第一空气洞中的单个空气洞110与第二空气洞中的单个空气洞110关于基板10平行于第一侧面103或第二侧面104的中垂面对称；可以理解的，第一空气洞列中的单个空气洞110与第二空气洞列中的单个空气洞110关于基板10平行于第一侧面103或者第二侧面104的中垂面呈非对称设置。所述空气洞110呈椭圆状，且椭圆的长轴方向与基板10的上表面101及下表面102相互垂直。
所述第一电极11和第二电极12分别固定在基板10的上表面101的两端部且与发光二极管20间隔。
所述发光二极管20固定在基板10的上表面101上且位于第一电极11与第二电极12之间。当所述发光二极管20为单个时，所述多个发光二极管20的N电极和P电极直接与基板10的第一电极11和第二电极12电连接。当所述发光二极管20的数量为多个时候，所述发光二极管20之间通过串行连接后其引出的两端分别与第一电极11和第二电极12电连接。
所述封装层30由胶体与荧光粉混合而成。所述封装层30形成在基板10的上表面101及下表面102上，形成于上表面101的封装层30覆盖所述发光二极管20。所述发光二极管20产生光波进入封装层30后激发所述封装层30而产生激发光波，所述激发光波与发光二极管20产生的光波混合后自封装层30出射。
如图4所示，在本发明中，所述发光二极管20产生光线部分直接经基板10上表面101的封装层30后出射；另一部分光线进入基板10后通过所述空气洞110的多次全反射后自基板10上表面101和下表面102出射；入射至空气洞110光线通过空气洞110的全反射至基板10的下表面102，此时，部分光线自基板10的下表面102出射，另一部分光线继续通过下表面102反射至另一侧的空气洞110，并在空气洞110的进一步反射后自基板10的上表面101出射。如此提高了自基板10的出光量，从而提高了所述发光二极管封装结构的出光效率。
第二实施例
如图5所示，本发明第二实施例中所述发光二极管封装结构100a与第一实施例所述发光二极管封装结构100相似，其不同之处在于：所述基板10内靠近所述第一侧面103和第二侧面104一侧均形成有多个空气洞110a,所述空气洞110a呈球状。所述多个空气洞110a沿着基板10的上表面101朝向下表面102方向排布为一列，且所述空气洞110a沿着第一侧面103和第二侧面104方向排布为多列。
在本实施例中，所述靠近第一侧面103一侧的空气洞110a与靠近第二侧面104一侧的空气洞110a关于基板10平行于第一侧面103或者第二侧面104平行的中垂面对称。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，其特征在于：所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。
2.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述每一空气洞的高度为0.05-0.2毫米。
3.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述每一空气洞的宽度为0.05-0.3毫米。
4.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述每一空气洞呈椭圆状，所述椭圆的长轴方向与基板的上表面及下表面相互垂直。
5.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一空气洞列中的单个空气洞与第二空气洞列中的单个空气洞关于基板平行于第一侧面或第二侧面的中垂面对称。
6.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一空气洞列中的单个空气洞与第二空气洞列中的单个空气洞关于基板平行于第一侧面或第二侧面的中垂面呈非对称。
7.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板为可透光材料制成的长方体。
8.如权利要求7所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板的长为：30毫米，宽为：0.8毫米，高为：0.4毫米。
9.如权利要求1所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述每一空气洞自靠近基板的上表面一侧朝向下表面一侧设置，且所述空气洞沿着第一侧面和第二侧面方向排布为多个。
10.如权利要求9所述发光二极管封装结构，其特征在于：所述空气洞呈球状。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110316026A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
CN102646766A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 展晶科技(深圳)有限公司 Led磊晶结构及制程
CN102955184A (zh) * 2011-08-25 2013-03-06 财团法人工业技术研究院 光学膜以及发光装置
KR20130041642A (ko) * 2011-10-17 2013-04-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
CN103887395A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN204102926U (zh) * 2014-10-21 2015-01-14 山东元旭光电有限公司 具有嵌入式空气空隙的氮化镓二极管
CN104332541A (zh) * 2014-08-20 2015-02-04 华灿光电股份有限公司 图形化衬底及其制备方法、外延片制作方法及外延片
US20150099348A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006059129A1 (de) * 2006-07-31 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
BR112013001133A2 (pt) * 2010-07-16 2016-05-17 Agc Glass Europe substrato condutivo translúcido para dispositivos de emissão de luz orgânica.
KR101818246B1 (ko) * 2011-05-17 2018-01-12 엘지디스플레이 주식회사 패턴 리타더 방식의 입체영상 표시장치와 그 제조방법
CN103650176B (zh) * 2011-07-12 2016-12-14 丸文株式会社 发光元件及其制造方法
CN104247053B (zh) * 2012-03-23 2017-03-08 夏普株式会社 半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板
TWI581458B (zh) * 2012-12-07 2017-05-01 晶元光電股份有限公司 發光元件

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110316026A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode
CN102646766A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 展晶科技(深圳)有限公司 Led磊晶结构及制程
CN102955184A (zh) * 2011-08-25 2013-03-06 财团法人工业技术研究院 光学膜以及发光装置
KR20130041642A (ko) * 2011-10-17 2013-04-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
CN103887395A (zh) * 2012-12-19 2014-06-25 晶元光电股份有限公司 发光元件
US20150099348A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same
CN104332541A (zh) * 2014-08-20 2015-02-04 华灿光电股份有限公司 图形化衬底及其制备方法、外延片制作方法及外延片
CN204102926U (zh) * 2014-10-21 2015-01-14 山东元旭光电有限公司 具有嵌入式空气空隙的氮化镓二极管

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