CN105989858A - 旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头 - Google Patents

Abstract

本发明的实施方式得到可以使高频振荡的驱动电流降低的旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头。实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件具有：层叠结构体，其包括旋转注入层、形成于旋转注入层上的非磁性中间层和形成于非磁性中间层上的振荡层；以及非磁性导电层，其设置于层叠结构体的侧壁；层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。

Description

旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头

相关申请

本申请享有以日本专利申请2014-214457号(申请日:2014年10月21日)以及日本专利申请2014-231573号(申请日:2014年11月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及旋转扭矩振荡元件及高频辅助磁记录头。

背景技术

为了实现高频磁场辅助记录头，重要的是设计制作可以以低驱动电流稳定地振荡的旋转扭矩振荡元件。对STO可以通电的最大电流密度例如在元件尺寸为70nm左右时为2ⅹ10⁸A/cm²。这以上的电流密度，由于例如旋转扭矩振荡子的发热以及迁移，特性会劣化。

此外，在制作高频磁场辅助记录头时，需要与主磁极对齐STO位置。在以与主磁极同一掩模加工STO并且使主磁极自调整地与STO位置对准的方法中，若以离子束蚀刻加工主磁极，则有下述问题：由于主磁极材料向STO侧壁再附着，源自于振荡层的高频振荡会被抑制。另一方面，若在先形成主磁极之后形成STO，则虽然由于不以IBE形成主磁极所以能够减轻主磁极材料的再附着，但是由于自调整的位置对准困难、因STO的底缘残留而形状劣化，所以会出现高频振荡的抑制、电接触不良等问题。虽然考虑在加工STO时通过进行过铣削来改善形状的劣化，但若进行过铣削，则会引起主磁极材料的再附着，二律背反。或者，虽然考虑在加工主磁极之前以氧化物等保护STO侧壁、防止主磁极材料的再附着，但是却达不到使高频振荡的驱动电流更加降低。

发明内容

本发明的实施方式提供可以使高频振荡的驱动电流降低的旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头。

根据实施方式，提供旋转扭矩振荡元件，其具备：层叠结构体，其包括旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层和形成于该非磁性中间层上的振荡层；以及非磁性导电层，其设置于该层叠结构体的侧壁；所述层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件的结构的示意图。

图2是表示第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的结构的示意图。

图3(a)～(f)是表示第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的制造方法的一例的图。

图4是表示第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的结构的示意图。

图5是例示可以搭载实施方式涉及的高频辅助磁记录头的磁记录再现装置的概略结构的主要部分立体图。

图6是表示实施方式涉及的磁头组件的一例的概略图。

图7是表示振荡开始电流密度与元件尺寸的关系的曲线图。

具体实施方式

以下，关于实施方式更详细地进行说明。

第1实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件(STO)包括：层叠结构体以及设置于层叠结构体的侧壁的非磁性导电层，所述层叠结构体包括旋转注入层、形成于旋转注入层上的非磁性中间层以及形成于非磁性中间层上的振荡层。层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。

第2实施方式提供可以应用第1实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件的高频辅助磁记录头。

第2实施方式涉及的磁记录头是高频辅助磁记录头，具有对磁记录介质施加记录磁场的主磁极、与主磁极构成磁路的辅助磁极和设置于主磁极与辅助磁极之间的旋转扭矩振荡元件。所使用的旋转扭矩振荡元件包括：层叠结构体以及设置于层叠结构体的空气轴承面以外的侧壁的至少一部分的非磁性导电层，所述层叠结构体包括形成于主磁极或辅助磁极上的旋转注入层、形成于旋转注入层上的非磁性中间层以及形成于非磁性中间层上的振荡层。层叠结构体的空气轴承面的膜面方向的宽度为60nm以下。

在高频磁场辅助记录方式中，使用高频辅助磁记录头，对磁记录介质局部地施加比记录信号频率充分高的、磁记录介质的共振频率附近的高频磁场。其结果，磁记录介质进行共振，被施加了高频磁场的磁记录介质的顽磁力(Hc)成为原本的顽磁力的一半以下。因此，通过在记录磁场重叠高频磁场，可以实现向更高顽磁力(Hc)并且高磁各向异性能量(Ku)的磁记录介质的磁记录。

图1是表示第1实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件的结构的示意图。

STO10具有层叠结构体4和设置于层叠结构体4的侧壁的非磁性导电层5。层叠结构体4具有振荡层(FGL)1、旋转注入层(SIL)3、设置于振荡层1与旋转注入层3之间的中间层(IL)2、设置于最下层的基底层(未图示)和设置于最上层的覆盖层(未图示)。

作为FGL，例如能够使用合金材料及从包括Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni的组中选择的至少一种人工晶格材料等，所述合金材料包含FeCo和从包括Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni的组中选择的至少一种添加成分。

由此，例如能够调整FGL和旋转注入层的Bs、Hk(各向异性磁场)以及旋转扭矩传递效率。

作为IL，例如能够使用从例如包括Cu、Al、Au、Ag、Pd、Os以及Ir的组中选择的至少一种非磁性金属。此外，IL的层厚优选设为1原子层至3nm。由此，可以将FGL与SIL的交换连接调节为最适合的值。

作为SIL，例如能够使用从包括Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pd的组中选择的至少一种人工晶格材料以及CoPt、FePt等合金。此外，SIL能够在与IL的界面进而设置包括合金材料的层，该合金材料包含FeCo和从包括Al、Ge、Si、Ga、B、C、Se、Sn以及Ni的组中选择的至少一种添加成分。

作为基底层以及覆盖层，例如能够使用Ti、Cu、Ru以及Ta等非磁性导电材料。

在此，STO10能够具有对包含FGL1、IL2和SIL3的层叠结构体4的层叠方向的两端可以通电的未图示的一对电极。通过该电极，例如将由箭头6表示的方向的驱动电流(I)通电到层叠结构体4。进而，通过对STO施加由箭头7表示的、相对于膜面垂直方向的外部磁场(H)，以大致垂直于膜面的轴为旋转轴，FGL1进行旋进运动，使外部产生高频磁场。

在第1实施方式涉及的STO中，通过在层叠结构体4的侧壁设置非磁性导电层5，在非磁性导电层5中极化了的电子由于旋转霍尔(スピンホール)效应注入于FGL1，能够更加降低驱动电流。通常，源自于在非磁性导电层5使用的非磁性导电材料的旋转极化效应与源自于SIL3的旋转极化效应相比小到能够忽视的程度，但是在使用膜厚15nm的FGL1且STO的元件尺寸为的情况下，FGL1与IL2的界面的面积以及SIL3与IL2的界面的面积的合计面积与FGL1侧壁的面积相等。此时，在该尺寸以下由于侧壁的面积率比上述2个界面的面积大，所以源自于非磁性导电材料的旋转极化效应即使旋转极化率小、面积上也呈现大的效应。

另外，在此所谓的STO的元件尺寸，是层叠结构体的膜面方向的宽度，在STO为圆柱形状的情况下为其直径，在四边形状的情况下一边的长度为尺寸，但是STO的形状并不特别限定。STO的元件尺寸例如在组装磁头的情况下相当于从空气轴承面(ABS)看的层叠结构体的膜面方向的宽度。

但是，在STO的侧壁代替非磁性导电层而有磁性层的情况下，由于侧壁的磁性层与FGL的旋进运动共振而会使得振荡衰减，所以需要更大的驱动电流。另一方面，在侧壁代替非磁性导电层而有氧化膜或氮化膜等的情况下，驱动电流不向侧壁流动，因镜面反射效应能够降低驱动电流。

相对于此，在实施方式涉及的STO中进一步的驱动电流的降低上，可期待由旋转霍尔效应引起的来自于侧壁的电子的注入。

在此，作为在非磁性导电层使用的非磁性导电材料，举出B、Al、Si、Ge、W、Nb、Mo、P、V、Sb、Zr、Hf、Y、Ti、Ta、Zn、Pb、Zr、Cr、Sn、Ga、Cu以及稀土类元素等。此外，能够使用2种以上的非磁性导电材料。

另一方面，若非磁性导电材料的电阻与FGL、SIL相比过小，则由于驱动电流会集中于侧壁，所以成为引起振荡效率的降低和/或电迁移的原因。此外，已知的是：旋转霍尔效应是因旋转轨道相互作用而引起的，在包含重的元素的物质中会变大。从而，作为在侧壁使用的非磁性导电材料，优选使用包含原子量重的元素并且其电阻与FGL和/或SIL的电阻相比相同或比其高的材料，例如包含Ta、Hf以及W中的至少一种的材料。此外，在非磁性导电材料的外侧，优选进一步设置非磁性导电材料的氧化膜或氮化膜。由于非磁性导电材料的氧化膜或氮化膜具有镜面反射效应，所以能够高效地得到非磁性导电材料中的旋转极化。

图2是例示第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的结构的示意图。

图2是从ABS侧观察高频辅助磁记录头的图。

在实施方式涉及的高频辅助磁记录头20中，在主磁极(MP)11上，设置按SIL3、IL2以及FGL1的顺序形成的层叠结构体4，由层叠结构体4和在其侧壁形成的非磁性导电层5构成STO10。在高频辅助磁记录头20中，通过将STO10设为上述结构，能够降低振荡开始电压。此外，在磁记录头中使用了上述STO的情况下，在抑制因MP材料再附着引起的振荡效率降低上也可得到效果。

由于以与STO同一掩摸通过离子束蚀刻(IBE)对MP进行蚀刻达到基体，所以可以实现STO与MP的对齐，但是作为高Bs材料的MP材料会再附着于STO侧壁而抑制源自于振荡层的振荡。在实施方式中，由于在STO侧壁构成非磁性导电材料，所以能够保护MP材料直接附着于STO侧壁，可以实现STO的稳定振荡。

另外，在MP11上也可以按FGL1、IL2、SIL3的顺序形成层叠结构体4。

在与MP11隔着STO10相对的位置设置构成磁路的辅助磁极20。在MP11上能够任意地设置例如Ru等非磁性导电层14。此外，在非磁性导电层14上能够任意地设置例如包含FeNi、FeCoNi等高导磁率材料的侧面防护层13。

在图3(a)至图3(f)中示出第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的制造方法的一例。

图3(a)至图3(f)另外是从ABS侧看高频辅助磁记录头的图。

首先，在基板15上形成例如包含CoFe的MP11’。

在其上，例如按SIL、IL以及FGL的顺序进行STO材料层10’的成膜。

在STO材料层10’的成膜后，如图3(a)所示，形成用于得到STO层叠结构体以及MP形状的掩模16。在掩模16例如使用光致抗蚀剂，但是也能够使用C和/或Si、Al以及其氧化物、氮化物等硬掩模。

接着，如图3(b)所示，使用IBE法，除去STO材料层10’的未覆盖掩模部分，形成STO层叠结构体4。束角度以STO材料层10’的表面为90度，通过在与STO材料层10’的表面垂直的方向即0度至70度间倾斜，能够切削出不具有斜角的构造的STO层叠结构体4。一般，束角度越向0度方向倾斜，越有MP向STO层叠结构体4的再附着物量增加的趋势。另一方面，束角度越向70度方向倾斜，越有侧壁蚀刻扩展的趋势。因此，以50度的束角度的蚀刻更加优选。

接着，如图3(c)所示，在STO层叠结构体4的侧壁以及掩模16表面形成非磁性导电层5。

首先，作为材料，例如使用Ta、W、Hf等，在STO层叠结构体10表面进行非磁性导电层的成膜。最终，通过对ABS进行基于研磨的抛光处理，在除去了相当于ABS的面之外的面形成非磁性导电层5。例如，若在STO的侧壁发生以本身为高Bs(饱和磁通密度)的FeCo为主成分的MP材料的再附着，则虽然显著抑制STO的振荡，但是若以IBE完全除去以FeCo为主成分的再附着物，则会明显出现对STO的损伤和/或STO的形状劣化。相对于此，根据实施方式，非磁性导电层除了上述旋转霍尔效应之外，还具有在MP形成时保护MP材料向STO侧壁的再附着的效果。

接着，如图3(d)所示，使用IBE法对MP层11’进行加工，形成MP11。MP11由于对应于磁记录头的斜拱角，所以加工为具有斜角的形状。束角度以STO层叠结构体表面为90度，通过在以0度至70度的角度除去掩模部分以外的MP11直至基体之后设为70度至90度的角度，能够在ABS面调整成为倒梯形形状的斜角。

接着，如图3(e)所示，形成填埋STO以及MP的周围的材料17，并用剥离法除去掩模16及在其上形成的非磁性导电层5、侧面防护层17，并进行平坦化处理。作为STO周围的填埋材料17，也能够使用SiO₂和/或Al₂O₃等。此外，作为填埋材料17，也能够隔着Ru等非磁性导电材料使用FeNi和/或FeCoNi等防护材料。平坦化处理能够使用CMP(Chemical MechanicalPolishing，化学机械抛光)，但是也可以使用离子束蚀刻进行平坦化。

其后，如图3(f)所示，在STO10以及侧面防护层17上进行例如FeCoNi的成膜作为遮光层18。

进而在其后，通过在遮光层18与MP11之间安装连接电源19，得到高频辅助磁记录头20。

另外，图3(f)所示的高频辅助磁记录头20’，除了形成在周围隔着非磁性导电层5具有侧面防护层17的MP11并进行平坦化处理、之后形成STO以外，与图2的高频辅助磁记录头20是同样的。上述高频辅助磁记录头的制作方法是一例，在实施方式中，只要在STO的侧壁形成非磁性导电层，便不特别限定。

图4是例示第2实施方式涉及的高频辅助磁记录头的结构的示意图。

图4的实施方式涉及的磁头20具备未图示的再现头部、和写入头部50。再现头部具有未图示的磁再现元件及防护层。此外，写入头部50具有作为记录磁极的MP21、使来自MP21的磁场回流的尾部防护层(辅助磁极)22、设置于MP21与尾部防护层(辅助磁极)22之间的STO10、励磁线圈23。

在记录时以及再现时，如图所示，能够使磁头20与磁记录介质40相对地配置。

在该高频磁场辅助记录头20的写入头部50中，通过MP21与尾部防护层22的间隙磁场，施加膜面垂直的外部磁场，由此以与膜面大致垂直的轴为旋转轴，其振荡层进行旋进运动，由此在外部产生高频磁场。通过将从STO10产生的高频磁场与从MP21施加的磁场重叠，可以对与更高记录密度对应的磁记录介质40进行写入。

在该图中，STO10的ABS指与磁记录介质40相对的面。

在实施方式中，能够将临界电流密度低的旋转扭矩振荡子用作为高频磁场的产生源。由此，能够以大的高频磁场使磁记录介质的磁化反转。

图5是例示可以搭载实施方式涉及的磁头的磁记录再现装置的概略结构的主要部分立体图。

即，磁记录再现装置150是使用了旋转致动器的形式的装置。在该图中，记录用介质盘180安装于轴157，通过对来自未图示的驱动装置控制部的控制信号进行应答的未图示的马达在箭头A的方向旋转。磁记录再现装置150也可以具备多个介质盘180。

进行介质盘180中存储的信息的记录再现的头滑块103具有前面关于图4描述的那样的结构，安装于薄膜状的悬架154的前端。在此，头滑块103例如在其前端附近搭载有实施方式涉及的磁头。

若介质盘180旋转，则头滑块103的ABS以距离介质盘180的表面预定的浮起量地被保持。或者也可以是滑块与介质盘180接触的所谓“接触移动型”。

悬架154连接于致动器臂155的一端，该致动器臂155具有保持未图示的驱动线圈的线圈架部等。在致动器臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156包括：卷绕于致动器臂155的线圈架部的未图示的驱动线圈、和包括以夹持该线圈的方式相对地配置的永久磁体及相对轭的磁路。

致动器臂155由设置于轴157的上下2个位置的未图示的滚珠轴承保持，能够通过音圈马达156自由地进行旋转滑动。

在图6示出表示实施方式涉及的磁头组件的一例的概略图。

图6是从盘侧从致动器臂155开始眺望前部的磁头组件的放大立体图。即，磁头组件160具有致动器臂155，该致动器臂155例如具有保持驱动线圈的线圈架部等，在致动器臂155的一端连接着悬架154。

在悬架154的前端，安装有具备图4中所示的磁头20的头滑块103。悬架154具有信号的写入以及读取用的导线164，该导线164与组装于头滑块103的磁头的各电极电连接。图中，165是磁头组件160的电极盘。

实施例1

与图3(a)至图3(f)中所示的工序同样地，如以下那样制作高频辅助磁记录头。

首先，作为基板准备具备再现头部的AlTiC基板。

接着，在基板上，在以期望的形状形成的非磁性导电层(Ru)上通过电镀法形成CoFe层作为MP。

在MP上，使用高真空磁控溅射器，按顺序层叠2nm的Ta及2nm的Cu作为STO的基底层，接着按顺序层叠10nm的人工晶格磁性层Co/Pt作为旋转注入层、2nm的Cu作为IL、15nm的FeCo作为振荡层、5nm的Ru作为覆盖层。

用于得到STO及MP形状的掩模层通过下述过程得到：首先在STO的层叠结构体上以400nm的厚度形成光致抗蚀剂，之后由于将STO的元件尺寸从20nm变化至200nm，所以将光致抗蚀剂蚀刻为直径20nm至200nm的圆柱形状的图案。

接着，使用IBE法形成STO层叠结构体。STO层叠结构体的IBE使用SIMS(Secondary lon-microprobe Mass Spectrometer，二次离子探针质谱仪)进行蚀刻直至检测到STO的基底层。

此后，使用溅射法进行3nm的Ta的成膜作为非磁性导电材料，在包含掩模层及STO侧壁的图案全体形成Ta层。进而，使用IBE法，形成MP。

接着，通过溅射法进行包含Al₂O₃的侧面覆盖膜和包含Ru的电镀用的基底膜的成膜，并通过电镀法进行包含NiFe的侧面防护膜的成膜，使用CMP除去掩模层而进行平坦化处理，之后形成FeCoNi作为遮光层而得到磁记录头。

最终，通过进行基于研磨的抛光处理，使ABS露出而得到STO。

关于所得到的磁记录头求出振荡开始电流密度，在图7中示出表示所得到的振荡开始电流密度与元件尺寸的关系的曲线图。

振荡开始电流密度Jc是通过使用旋转台改变STO的驱动电流密度而施加记录电流来测定的。

图7的曲线图101表示振荡开始电流密度的元件尺寸依赖性。在此，将STO元件尺寸为40nm时的振荡开始电流密度设为Jc0。根据曲线图101可看出，在STO元件尺寸为FGL与SIL、IL的界面的面积与FGL侧壁面积相等的尺寸以下即以下时，振荡开始电流密度大幅减小。

此外，在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于以STO元件尺寸制作的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例2

除了将STO元件尺寸设为40nm且使用溅射法代替Ta层而成膜3nm的Hf层作为非磁性导电材料以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例3

除了将STO元件尺寸设为且使用溅射法代替Ta层而成膜3nm的W层作为非磁性导电材料以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例4

除了将STO元件尺寸设为且使用溅射法代替Ta层而成膜3nm的Cu层作为非磁性导电材料以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例5

除了将STO的振荡层设为FeCoAl以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例6

除了将STO的振荡层设为FeCoAl以外，与实施例2同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例7

除了将STO的振荡层设为FeCoAl以外，与实施例3同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

实施例8

除了将STO的振荡层设为FeCoAl以外，以与实施例4同样的方法制作高频辅助磁记录头。

在下述表1示出所使用的非磁性导电材料的电阻率和关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

比较例1

除了将STO元件尺寸设为40nm且使用溅射法代替本身为非磁性导电材料的Ta层而成膜3nm的本身为绝缘材料的TaOx层以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表2示出关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

比较例2

除了将STO元件尺寸设为40nm且使用溅射法代替本身为非磁性导电材料的Ta层而成膜3nm的本身为绝缘材料的HfOx层以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表2示出关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

比较例3

除了将STO元件尺寸设为40nm且使用溅射法代替本身为非磁性导电材料的Ta层而成膜3nm的本身为绝缘材料的WOx层以外，与实施例1同样地制作高频辅助磁记录头。

在下述表2示出关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

比较例4

除了将STO元件尺寸设为40nm且不在STO层叠结构体及掩模层上形成非磁性导电材料地通过IBE法形成MP以外，以与实施例1同样的方法制作高频辅助磁记录头。

在下述表2示出关于所得到的磁记录头的振荡开始电流密度比(Jc/Jc0)。

表1

表2

	振荡层材料	非磁性导电层材料	Jc/Jc0
				比较例1	FeCo	TaOx	1.5
比较例2	FeCo	HfOx	1.7
				比较例3	FeCo	WOx	1.5
比较例4	FeCo	无	2.4

根据上述表1及表2可看出，与不使用侧壁材料的情况(比较例4)相比，在对侧壁材料使用了氧化膜的情况(比较例1至3)下，振荡开始电流密度降低，但是通过对侧壁材料使用非磁性导电材料(实施例1至8)，能够进一步降低振荡开始电流密度。

此外，可确认，作为非磁性导电材料，在使用了本身为与中间层相同的材料的Cu的情况(实施例4、8)下，与比较例相比也能够降低振荡开始电流密度。这考虑是，由于若侧壁膜厚为3nm左右，则与在中间层使用的Cu层相比，作为侧壁材料的Cu结晶性变差，所以向侧壁材料的非磁性导电材料的电流集中减轻。另一方面，与非磁性导电材料为Cu那样电阻率低且轻元素的材料(实施例4、8)相比，电阻率高且重元素材料(实施例1至3、实施例5至7)这一方振荡开始电流密度小，从侧壁得到的效果大。此外，在FeCo、FeCoAl任一种的振荡层材料中，也得到了同样的效果。

虽然说明了本发明的几种实施方式，但是这些实施方式只是作为例子而呈现的，而并非要限定发明的范围。这些新实施方式可以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨，也包含于权利要求所记载的发明及其均等的范围。

Claims (8)

1.一种旋转扭矩振荡元件，其特征在于，具备：

层叠结构体，其包括旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层和形成于该非磁性中间层上的振荡层；以及

非磁性导电层，其设置于该层叠结构体的侧壁；

所述层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。

2.根据权利要求1所述的旋转扭矩振荡元件，其特征在于：

在所述非磁性导电层使用的非磁性导电材料的电阻率与所述振荡层及所述中间层的电阻率相同或比所述振荡层及所述中间层的电阻率高。

3.根据权利要求1或2所述的旋转扭矩振荡元件，其特征在于：

所述非磁性导电层材料包含从钨、铪及钽选择的非磁性导电材料。

4.根据权利要求1或2所述的旋转扭矩振荡元件，其特征在于：

在所述非磁性导电层上，设置有非磁性导电材料的氧化膜及氮化膜中的至少一方。

5.一种高频辅助磁记录头，其特征在于，具备：

主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；

辅助磁极，其与该主磁极构成磁路；以及

旋转扭矩振荡元件，其设置于该主磁极与该辅助磁极之间；

所述旋转扭矩振荡元件包括：层叠结构体，其包括形成于所述主磁极及所述辅助磁极中的一方上的旋转注入层、形成于该旋转注入层上的非磁性中间层和形成于该非磁性中间层上的振荡层；以及非磁性导电层，其设置于该层叠结构体的空气轴承面以外的侧壁的至少一部分；所述层叠结构体的空气轴承面的膜面方向的宽度为60nm以下。

6.根据权利要求5所述的高频辅助磁记录头，其特征在于：

所述非磁性导电材料层的电阻率与所述振荡层及所述中间层的电阻率相同或比所述振荡层及所述中间层的电阻率高。

7.根据权利要求5或6所述的高频辅助磁记录头，其特征在于：

所述非磁性导电层材料包含从钨、铪及钽选择的非磁性导电材料。

8.根据权利要求5或6所述的高频辅助磁记录头，其特征在于：

在所述非磁性导电层上，设置有非磁性导电材料的氧化膜及氮化膜中的至少一方。