CN105977270A - 影像芯片模组及其制作方法 - Google Patents

影像芯片模组及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105977270A
CN105977270A CN201610348360.XA CN201610348360A CN105977270A CN 105977270 A CN105977270 A CN 105977270A CN 201610348360 A CN201610348360 A CN 201610348360A CN 105977270 A CN105977270 A CN 105977270A
Authority
CN
China
Prior art keywords
image chip
metal
rigid flex
salient point
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610348360.XA
Other languages
English (en)
Inventor
赖芳奇
吕军
邵峰
王邦旭
李伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610348360.XA priority Critical patent/CN105977270A/zh
Publication of CN105977270A publication Critical patent/CN105977270A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration

Abstract

本发明公开了一种影像芯片模组及其制作方法。所述影像芯片模组包括影像芯片、软硬结合板和红外滤光片；所述影像芯片正面的铝焊点处电镀有金属凸点；所述软硬结合板的金属焊点与所述影像芯片的金属凸点焊接相连；所述软硬结合板中心设置有镂空区且所述镂空区对应所述影像芯片的像素区；所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置有连接器；所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附有红外滤光片。解决了现有Tessera影像芯片模组制造工艺复杂且仅能用于获取低像素影像、信号传输不稳定且功耗高、以及厚度高的问题，提供了一种制造工艺简单、可用于获取高像素影像、信号传输稳定且功耗低、以及低厚度的影像芯片模组。

Description

影像芯片模组及其制作方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体封装技术，尤其涉及一种影像芯片模组及其制作方法。
背景技术
影像芯片模组被广泛应用于诸如相机、手机、监控设备和电子玩具等数字装置中。利用影像芯片模组可以接收光学图像信息，并将该光学图像信息转换成可用的数字输出信号。
目前，影像芯片模组采用美国Tessera的专利(专利号US6，777，767B2)提出的封装方式，如图1所示，在玻璃基板101上制作围坝102后并上键合胶，将晶圆103和玻璃基板101键合在一起；采用硅通孔(TSV)工艺在晶圆103背面硅上刻通孔后，再利用重布线(RDL)技术，使金属导线104与铝焊点105焊接相连；完成晶圆级封装后再切割成多个影像芯片。影像芯片利用金属导线104焊接印刷电路板106后形成影像芯片模组。
可见，上述Tessera影像芯片模组采用了晶圆背面通孔的硅通孔(TSV)工艺以及重布线(RDL)技术，具有制造工艺复杂且仅能用于获取低像素影像、信号传输不稳定且功耗高、以及厚度高等缺点。
发明内容
本发明提供一种影像芯片模组及其制作方法，以提供一种制造工艺简单、可获取高像素影像、信号传输稳定且功耗低、以及低厚度的影像芯片模组。
第一方面，本发明实施例提供了一种影像芯片模组，包括影像芯片、软硬结合板和红外滤光片；
所述影像芯片正面的铝焊点处电镀有金属凸点；
所述软硬结合板的金属焊点与所述影像芯片的金属凸点焊接相连；
所述软硬结合板中心设置有镂空区且所述镂空区对应所述影像芯片的像素区；
所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置有连接器；
所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附有红外滤光片。
进一步地，所述影像芯片正面的铝焊点与所述金属凸点间沉积有金属保护层。
进一步地，所述软硬结合板与所述影像芯片焊接处的间隙填充有填充胶。
进一步地，所述影像芯片背部的硅面上涂有滤光油墨。
第二方面，本发明实施例还提供了一种影像芯片模组的制作方法，包括：
在晶圆片正面的铝焊点处生成金属凸点；
将所述晶圆片分切成多个影像芯片；
在所述软硬结合板中心设置镂空区，将软硬结合板的金属焊点焊接至所述影像芯片的金属凸点，所述镂空区对应所述影像芯片的像素区；
在所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附红外滤光片；
在所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置连接器。
进一步地，所述在晶圆片正面的铝焊点处生成金属凸点，包括：
在所述晶圆片的正面沉积金属保护层；
在所述晶圆片正面的铝焊点处利用光刻显影方式定义出金属凸点及金属围坝的位置；
在定义出的所述金属凸点位置电镀复合金属层；
去除光刻胶以及光刻胶被去除后所暴露出来的多余金属保护层；
生成所述金属凸点。
进一步地，在所述将所述晶圆片分切成多个影像芯片之前，还包括：
研磨晶圆片背面的硅；
在减薄后的所述晶圆片的背部硅面上涂滤光油墨。
进一步地，在所述软硬结合板中心设置镂空区，将软硬结合板的金属焊点焊接至所述影像芯片的金属凸点，所述镂空区对应所述影像芯片的像素区之后，还包括：
利用填充胶填充所述软硬结合板与所述影像芯片焊接处的间隙。
本发明通过在影像芯片正面的铝焊点处电镀金属凸点，并将软硬结合板的金属焊点与影像芯片的金属凸点焊接相连，解决了现有Tessera影像芯片模组制造工艺复杂且仅能用于获取低像素影像、信号传输不稳定且功耗高、以及厚度高的问题，提供了一种制造工艺简单、可用于获取高像素影像、信号传输稳定且功耗低、以及低厚度的影像芯片模组。
附图说明
图1为现有技术中影像芯片模组的结构示意图；
图2是本发明实施例一中的一种影像芯片模组的结构图；
图3是本发明实施例二中的一种影像芯片模组的制作方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图2为本发明实施例一提供的一种影像芯片模组的结构图，本实施例可适用于需要获取光学影像图像信息，并将光学影像图像信息转换成可用的数字输出信号的情况。参考图2，本实施例提供的影像芯片模组的具体结构包括：影像芯片201、软硬结合板202和红外滤光片203；
所述影像芯片201正面的铝焊点204处电镀有金属凸点205；
所述软硬结合板202的金属焊点与所述影像芯片201的金属凸点205焊接相连；
所述软硬结合板202中心设置有镂空区且所述镂空区对应所述影像芯片的像素区206；
所述软硬结合板202的柔性线路板引出端207上安置有连接器208；
所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附有红外滤光片203。
具体的，
所述软硬结合板202中心镂空区的设置是用以防止软硬结合板遮挡影像芯片的像素区。
所述红外滤光片203用于防止所述影像芯片的像素区被污染以及提高影像芯片模组的光学性能。即，红外滤光片203的设置，一方面是为了保护影像芯片的像素区不受污染；另一方面是为了提高产品的光学性能。
所述金属凸点205是由复合金属在影像芯片正面的铝焊点处经电镀工艺制作而成。可以为铜锡材质；也可以为铜银，铜锡银，铜镍锡，铜镍银，铜镍锡银等材质。
所述影像芯片的像素区206涂覆有光敏材料保护层或气体沉积薄膜保护层，所述光敏材料保护层或气体沉积薄膜保护层用于保护影像芯片的像素区。
其中，所述影像芯片201正面的铝焊点204与所述金属凸点205间沉积有金属保护层。
具体的，所述金属保护层为电镀金属凸点205提供种子层。所述金属保护层可以为钛和铜材质。
其中，所述软硬结合板202与所述影像芯片201焊接处的间隙填充有填充胶209。
具体的，为了实现影像芯片的功能，在所述软硬结合板202上已经做好了相应的外围电路及金属焊点。在所述软硬结合板202上集成有电容等电子元器件，用于消除一些线路的干扰信号。采用倒装焊的方式将影像芯片的金属凸点205与软硬结合板202的金属焊点焊接相连，从而可大大减小影像芯片模组的总厚度；再用填充胶将软硬结合板202与所述影像芯片201焊接处的间隙填充，以加固软硬结合板与影像芯片之间的焊接。
所述软硬结合板202也可以用有机或陶瓷硬性线路板，与柔性线路板(FPC)结合的方式代替。
其中，所述影像芯片201背部的硅面上涂有滤光油墨210。
具体的，影像芯片201背面的硅可以先研磨减薄至一定的厚度后，再在其上涂覆滤光油墨210，用以消除影像芯片在接收光线过程中的杂光干扰。影像芯片背面的硅经研磨减薄处理，可使影像芯片201的厚度减小，从而进一步减小整个影像芯片模组的总厚度。
将本实施例一提供的影像芯片模组通过软硬结合板的柔性线路板引出端上安置的连接器与相机、手机、监控设备或者电子玩具等数字装置相连接，并将所述影像芯片模组置于所述相机、手机、监控设备或者电子玩具等数字装置的影像镜头内部，可用来接收光学图像信息，并将该光学图像信息转换成可用的数字输出信号，以获取高像素的影像。
本实施例一的技术方案，通过在影像芯片的铝焊点处电镀金属凸点来实现与软硬结合板的正面焊接；软硬结合板中心设置有镂空区以避免遮挡影像芯片的像素区，从而使软硬结合板倒装焊接在金属凸点上，解决了现有Tessera影像芯片模组制造工艺复杂且仅能用于获取低像素影像、信号传输不稳定且功耗高、以及厚度高的问题，提供了一种制造工艺简单、可用于获取高像素影像、信号传输稳定且功耗低、以及低厚度的影像芯片模组。
实施例二
图3为本发明实施例二中的一种影像芯片模组的制作方法流程图，本实施例可适用于需要制作影像芯片模组，以获取光学影像图像信息，并将光学影像图像信息转换成可用的数字输出信号的情况。参考图3，本实施例提供的影像芯片模组的制作方法具体可以包括如下：
S301、在晶圆片正面的铝焊点处生成金属凸点。
S302、将所述晶圆片分切成多个影像芯片。
S303、在所述软硬结合板中心设置镂空区，将软硬结合板的金属焊点焊接至所述影像芯片的金属凸点，所述镂空区对应所述影像芯片的像素区。
S304、在所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附红外滤光片。
S305、在所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置连接器。
具体的，在影像芯片的铝焊点处电镀金属凸点来实现与软硬结合板的正面焊接，铝焊点下面的硅层是完整的，铝焊点不会出现断裂现象，且支撑力更好；采用这种正面焊接方式可使生产出的影像芯片模组在抗热冲击以及水汽冲击等可靠性方面表现效果更佳。
具体的，可使用倒装焊机器将软硬结合板与影像芯片焊接在一起。可利用点胶机点胶，再使用晶片键合机将红外滤光片贴附到软硬结合板的中心镂空区上方，然后烘烤并清洗干净。
其中，S301具体可以包括：
A、在所述晶圆片的正面沉积金属保护层。
具体的，由于铝焊点在晶圆片后续所要进行的表面处理工艺中容易被腐蚀，从而造成像素区裸露被污染。为防止铝焊点被腐蚀及像素区被污染，将整个晶圆片表面沉积金属保护层。所述金属保护层还可为后续电镀生成金属凸点提供种子层。在所述晶圆片正面的像素区涂覆有光敏材料保护层或气体沉积薄膜保护层，用于保护像素区。在所述晶圆片正面的像素区涂覆光敏材料保护层或气体沉积薄膜保护层后，再沉积金属保护层，从而实现对像素区的双重保护。
其实现方式可以为：通过PVD沉积方式在晶圆片表面沉积金属层(钛和铜)。
B、在所述晶圆片正面的铝焊点处利用光刻显影方式定义出金属凸点及金属围坝的位置。
具体的，通过光刻显影方式定义出金属凸点的位置，为后续电镀金属凸点做准备；此步骤也可以增加金属围坝位置定义。金属凸点的作用是为了影像芯片与软硬结合板的焊接，而金属围坝是可以更好的防止影像芯片模组制作过程中底部填充胶溢出到像素区域。
C、在定义出的所述金属凸点位置电镀复合金属层。
具体的，可采用电镀方式在金属凸点位置上，长出一层金属铜，然后在铜上再继续生长一层金属锡。也可以为铜银，铜锡银，铜镍锡，铜镍银，铜镍锡银等。
D、去除光刻胶以及光刻胶被去除后所暴露出来的多余金属保护层。
具体的，可采用浸泡，超生波，刷洗，旋转等湿法去胶或者等离子干法去胶等方式将光刻胶去除。为了实现影像芯片的电性功能，可使用湿法蚀刻的方式将光刻胶被去除后所暴露出来的多余金属保护层蚀刻掉。
E、生成所述金属凸点。
其中，在S302之前，还可以包括：
研磨晶圆片背面的硅；
在减薄后的所述晶圆片的背部硅面上涂滤光油墨。
具体的，可使用研磨机将晶圆片背面多余的硅进行研磨去除，使晶圆片的厚度减小，从而进一步减小整个影像芯片模组的总厚度。晶圆片背面多余的硅先被研磨减薄至一定的厚度后，再在其上涂覆滤光油墨，用以消除影像芯片在接收光线过程中的杂光干扰，涂覆滤光油墨的方式可选择光刻显影的方式。
其中，在S303之后，还可以包括：
利用填充胶填充所述软硬结合板与所述影像芯片焊接处的间隙。具体可利用点胶机实现此步骤。
将利用本实施例二制造出的影像芯片模组通过软硬结合板的柔性线路板引出端上安置的连接器与相机、手机、监控设备或者电子玩具等数字装置相连接，并将所述影像芯片模组置于所述相机、手机、监控设备或者电子玩具等数字装置的影像镜头内部，可用来接收光学图像信息，并将该光学图像信息转换成可用的数字输出信号，以获取高像素的影像。
本实施例二的技术方案，通过在影像芯片的铝焊点处电镀金属凸点来实现与软硬结合板的正面焊接；软硬结合板中心设置有镂空区以避免遮挡影像芯片的像素区，从而使软硬结合板倒装焊接在金属凸点上，解决了现有Tessera影像芯片模组制造工艺复杂且仅能用于获取低像素影像、信号传输不稳定且功耗高、以及厚度高的问题，提供了一种制造工艺简单、可用于获取高像素影像、信号传输稳定且功耗低、以及低厚度的影像芯片模组的制作方法。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种影像芯片模组，其特征在于，包括影像芯片、软硬结合板和红外滤光片；
所述影像芯片正面的铝焊点处电镀有金属凸点；
所述软硬结合板的金属焊点与所述影像芯片的金属凸点焊接相连；
所述软硬结合板中心设置有镂空区且所述镂空区对应所述影像芯片的像素区；
所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置有连接器；
所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附有红外滤光片。
2.根据权利要求1所述的一种影像芯片模组，其特征在于，所述影像芯片正面的铝焊点与所述金属凸点间沉积有金属保护层。
3.根据权利要求1所述的一种影像芯片模组，其特征在于，所述软硬结合板与所述影像芯片焊接处的间隙填充有填充胶。
4.根据权利要求1所述的一种影像芯片模组，其特征在于，所述影像芯片背部的硅面上涂有滤光油墨。
5.一种影像芯片模组的制作方法，其特征在于，包括：
在晶圆片正面的铝焊点处生成金属凸点；
将所述晶圆片分切成多个影像芯片；
在所述软硬结合板中心设置镂空区，将软硬结合板的金属焊点焊接至所述影像芯片的金属凸点，所述镂空区对应所述影像芯片的像素区；
在所述软硬结合板的中心镂空区上方贴附红外滤光片；
在所述软硬结合板的柔性线路板引出端上安置连接器。
6.根据权利要求5所述的一种影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述在晶圆片正面的铝焊点处生成金属凸点，包括：
在所述晶圆片的正面沉积金属保护层；
在所述晶圆片正面的铝焊点处利用光刻显影方式定义出金属凸点及金属围坝的位置；
在定义出的所述金属凸点位置电镀复合金属层；
去除光刻胶以及光刻胶被去除后所暴露出来的多余金属保护层；
生成所述金属凸点。
7.根据权利要求5所述的一种影像芯片模组的制作方法，其特征在于，在所述将所述晶圆片分切成多个影像芯片之前，还包括：
研磨晶圆片背面的硅；
在减薄后的所述晶圆片的背部硅面上涂滤光油墨。
8.根据权利要求5所述的一种影像芯片模组的制作方法，其特征在于，在所述软硬结合板中心设置镂空区，将软硬结合板的金属焊点焊接至所述影像芯片的金属凸点，所述镂空区对应所述影像芯片的像素区之后，还包括：
利用填充胶填充所述软硬结合板与所述影像芯片焊接处的间隙。
CN201610348360.XA 2016-05-24 2016-05-24 影像芯片模组及其制作方法 Pending CN105977270A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610348360.XA CN105977270A (zh) 2016-05-24 2016-05-24 影像芯片模组及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610348360.XA CN105977270A (zh) 2016-05-24 2016-05-24 影像芯片模组及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105977270A true CN105977270A (zh) 2016-09-28

Family

ID=56957170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610348360.XA Pending CN105977270A (zh) 2016-05-24 2016-05-24 影像芯片模组及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105977270A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020027284A1 (en) * 2000-08-28 2002-03-07 Koji Ono Solid-state image pickup device
CN2582178Y (zh) * 2002-10-17 2003-10-22 胜开科技股份有限公司 模组化的影像感测器
US20050104991A1 (en) * 1999-09-03 2005-05-19 Sony Corporation Imaging element, imaging device, camera module and camera system
CN103035657A (zh) * 2011-10-07 2013-04-10 株式会社东芝 固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法
CN104659047A (zh) * 2015-02-15 2015-05-27 苏州科阳光电科技有限公司 用于影像传感器的制造方法
CN205645813U (zh) * 2016-05-24 2016-10-12 苏州科阳光电科技有限公司 一种影像芯片模组

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050104991A1 (en) * 1999-09-03 2005-05-19 Sony Corporation Imaging element, imaging device, camera module and camera system
US20020027284A1 (en) * 2000-08-28 2002-03-07 Koji Ono Solid-state image pickup device
CN2582178Y (zh) * 2002-10-17 2003-10-22 胜开科技股份有限公司 模组化的影像感测器
CN103035657A (zh) * 2011-10-07 2013-04-10 株式会社东芝 固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法
CN104659047A (zh) * 2015-02-15 2015-05-27 苏州科阳光电科技有限公司 用于影像传感器的制造方法
CN205645813U (zh) * 2016-05-24 2016-10-12 苏州科阳光电科技有限公司 一种影像芯片模组

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9252084B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP5869204B2 (ja) 光学素子用の金属トレース形成
US9230947B2 (en) Method of forming 3D integrated microelectronic assembly with stress reducing interconnects
CN101675516B (zh) 具有通过过孔连接到前侧触头的后侧触头的芯片
US8513756B2 (en) Semiconductor package and manufacturing method for a semiconductor package as well as optical module
CN101699622B (zh) 半导体器件封装结构及其封装方法
US20080099900A1 (en) Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
JP2006210888A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
CN101930986A (zh) 半导体器件、摄像机模块及半导体器件的制造方法
EP2087516A2 (en) Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
CN105185795A (zh) 使用晶片级封装的光传感器
US8525338B2 (en) Chip with sintered connections to package
CN103325696A (zh) 晶圆级半导体封装件的制法及其晶圆级封装基板的制法
CN107680911A (zh) 一种指纹识别模组结构及制作方法、终端设备
KR100775931B1 (ko) 리플로 솔더를 이용한 3차원 칩 적층 방법
JP7389029B2 (ja) 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法
CN102823337A (zh) 具有固定的底部填充的电路板
CN205645813U (zh) 一种影像芯片模组
CN105977270A (zh) 影像芯片模组及其制作方法
US7348262B2 (en) Method for fabricating module of semiconductor chip
CN112713162A (zh) 包含光学感应芯片的晶圆级封装结构的制作方法
CN104659047A (zh) 用于影像传感器的制造方法
CN107516638A (zh) 一种扇出型封装方法
CN107611112A (zh) 一种扇出型封装器件
CN107611043A (zh) 一种扇出型封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160928