CN105957918A - 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 - Google Patents

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。

Description

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种双通道宽光谱探测器及其制备方法。
背景技术
现有的红外探测器，材料体系主要有两类：碲镉汞材料以及基于GaSb基的超晶格或量子阱。对于碲镉汞材料，其对响应光谱的调节，主要是依靠三种材料的不同组分来实现的。所以对于同一组分的材料，其响应光谱也是确定，并且局限在很小的光谱范围内。且碲镉汞材料还存在着不均匀性的缺点。而基于GaSb基的超晶格如InAs/GaSb II类超晶格，主要是利用了超晶格能带便于调整的特性，只是通过改变不同层的厚度，就可以实现从短波到甚长波这样一个相当宽的光谱的响应。但是囿于超晶格的性质，这类单一吸收区的探测器并不能实现很宽的光谱响应，只是对红外中的某一波段实现探测。同时由于InAs及GaSb材料特性，无法将响应波段拓展到可见光范围内。为了实现这种宽光谱的探测，通常的做法是将两个或以上的单一波段的探测器，通过机械的方法叠加到一起，如：红外透射硅光电二极管安装在红外探测器象元之上。但这样既增加的成本，也不利于使用中的便利。所以实现宽光谱响应的探测器还需要进一步的完善。
发明内容
(一)要解决的技术问题
鉴于上述技术问题，为了克服上述现有技术的不足，本发明提出了一种双通道宽光谱探测器，可以在常温下实现宽光谱的探测。
(二)技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种双通道宽光谱探测器。该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接。
根据本发明的另一个方面，提供了一种制备双通道宽光谱探测器的制备方法，包括：在衬底上依次生长下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层；通过半导体工艺如光刻、刻蚀等形成具有上台面、中台面及下台面的所述台体结构；在上台面、中台面及下台面上分别形成上电极、中电极及下电极。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
(1)两个PIN结构反接，形成N-I-P-P-I-N的结构，做成三电极，上-中电极以及中-下电极分别对应两个波段，提取两个波段的信号，加以复合处理最终得到拓宽的响应光谱；
(2)中电极做到了p型的GaSb层上，不会对载流子的输运产生阻碍，有利于提高光生载流子的收集效率。
附图说明
图1为本发明实施例中双通道宽光谱探测器的结构示意图；
图2为制备本发明实施例中双通道宽光谱探测器的流程图。
【主要元件】
1-衬底； 2-下电极接触层； 3第一吸收层；
4-中电极接触层； 5-隔离层； 6-第二吸收层；
7-上电极接触层； 8-上电极； 9-中电极；
10-下电极； 11-钝化层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明实施例提供了一种双通道宽光谱探测器，如图1所示，该双通道宽光谱探测器包括一衬底1，及依次设置于衬底1上的下电极接触层2、第一吸收层3、中电极接触层4、隔离层5、第二吸收层6、上电极接触层7。其中，上电极8、中电极9、底电极10分别与上电极接触层7、中电极接触层4、上电极接触层2电连接。采用了N-I-P-P-I-N的结构，上-中电极以及中-下电极分别对应两个波段，提取两个波段的信号，从而加以复合处理最终得到拓宽的响应光谱。
具体的，所述衬底1的材料为半绝缘型即SI型GaAs，主要作用是作为外延层生长的基底，在外延之前经过420℃除气40～90min以及690℃脱氧5min，除此之外，衬底1还可以选择GaSb或n型掺杂GsAs等衬底；
所述下电极接触层2，形成在衬底1上，所述下电极接触层2的材料为n型掺杂的GaSb，掺杂浓度为1.5×1018～4×1018cm-3，厚度为450～750nm，优选为500nm，主要作用是与下电极材料形成低电阻的欧姆接触；
请参照图1，所述第一吸收层3，形成在下电极接触层2上，由非故意掺杂的GaSb材料构成，主要对近红外及中波红外的光信号吸收，产生光生载流子，厚度为500～1000nm，优选为750nm；
在第一吸收区3形成有中电极接触层4，形成在上，所述中电极接触层4的材料为GaSb，Be掺杂，浓度为p型2×1018～5×1018cm-3，厚度为优选500～750nm，最优为600nm，主要作用是为了与中电极材料形成欧姆接触，并作为GaSb通道中PIN结构中的P型结构；
所述隔离层5形成在中电极接触层4上，所述隔离层5的材料为p型掺杂的GaAs，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm，优选为300nm，作为GaAs通道中PIN结构的P型结构；
所述第二吸收层6，形成在隔离层5上，所述第二吸收层6的材料为非故意掺杂的GaAs，厚度为750～1500nm，优选为1000nm，主要作用是吸收波长位于可见光区域甚至更短波长的光，产生光生载流子；
所述上电极接触层7，形成在吸收层6上，所述上电极接触层7的材料为n型GaAs，掺杂浓度为2×1018～5×1018em-3，厚度为200～400nm，优选为350nm，主要作用是形成低电阻的上电极欧姆接触，利于在外加偏压下对光生载流子的收集；
所述上电极8，设置在上电极接触层7上，所述上电极8的材料为Ti/Pt/Au，形状为环形，主要作用是形成电极，便于与外电路连接；
所述中电极9，设置在中电极接触层4上，所述中电极9的材料为Ti/Pt/Au，形状为环形，主要作用是形成电极，便于与外电路连接；
所述底电极10，形状为环形，设置在底电极接触层2上，所述中电极10的材料为Ti/Pt/Au，主要作用是形成电极，便于与外电路连接；
双通道宽光谱探测器呈由下之上依次缩小的三层台体结构，将外延层刻蚀至底电极接触层2的厚度方向上的一部分形成下台面，将外延层刻蚀至中电极接触层4的厚度方向上的一部分部分形成中台面，未刻蚀的上电极接触层7的顶部即为上台面，其中在上电极8、中电极9、下电极10分别设置在各台面上表面。
双通道宽光谱探测器还包括一钝化层11，通常选用SiO2材料，其通过PECVD制作在探测器上表面及侧壁表面，覆盖因刻蚀而露出的材料，其主要作用是形成钝化层，降低器件的表面漏电流，其厚度为150～500nm，优选为200nm。
本领域技术人员应当了解，上电极8、中电极9、下电极10并不限于实施例中选用的材料，它们还可以采用Au/Ge/Ni等材料，上文中所述的环形可以为圆环形、椭圆环形或者多边环形。
本发明通过选择两种外延过程已经十分成熟且同为III-V族化合物半导体材料，即GaSb及GaAs，从而降低了材料外延过程中的难度，同时这两种材料的禁带宽度又相差较大，这样就使得在同一器件中合成两种波段成为可能，本领域技术人员应当理解，本发明并不限于上述两种材料。
一般认为，在材料外延过程中，当晶格匹配度|σ|≤5％，外延层能够实现完全共格生长，获得外延质量良好的材料；|σ|＝5％～25％，为半共格生长；所以在考虑材料方面时，当材料的晶格匹配度较好，同时材料的能带结构及禁带宽度满足对实际光探测的需求，就可以采用；
例如还可以采用晶格常数十分接近同时禁带宽度同样相差较大的半导体Ge与化合物半导体GaAs。
本发明中的双通道宽光谱探测器可以在常温下工作，为三电极双色探测器，与双电极的双色探测器通过施加不同的偏压来提取不同通道中的信号相比，本发明中的探测器在接受入射光信号时，可以同时收集两个通道中的信号电流，并进行后期数据处理，最终得到响应得到大大拓宽的光谱，同时节省了大量的时间，降低了探测器的在应用过程中的限制。
本发明实施例还提供了一种双通道宽光谱探测器的制备方法，如图2所示，采用分子外延技术，具体制备方法如下：
步骤A：生长外延层前对衬底1进行除气以及脱氧处理；
具体方法是将GaAs衬底1在420℃下除气40～90min，而后在690℃下脱氧5min，其中在脱氧处理过程中，当温度升高到380℃及以上时，衬底脱氧需要在As气氛保护下进行；
步骤B：在衬底1上依次生长下电极接触层2、第一吸收层3、中电极接触层4、隔离层5、第二吸收层6、上电极接触层7；
具体的，所述下电极接触层2的材料为GaSb，掺杂浓度为n型1.5×1018～4×1018cm-3，厚度为450～750nm，优选为500nm，主要作用是与下电极材料形成低电阻的欧姆接触；
所述第一吸收层3，由非故意掺杂的GaSb材料构成，主要对近红外及中波红外的光信号吸收，产生光生载流子，厚度为500～1000nm，优选为750nm；
所述中电极接触层4，所述接触层4的材料为GaSb，Be掺杂，浓度为p型2×1018～5×1018cm-3，厚度为优选500～750nm，最优为600nm，主要作用是为了与中电极材料形成欧姆接触，并作为GaSb通道中PIN结构中的P型结构；
所述隔离层5的材料为P型掺杂的GaAs，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm，优选为300nm，作为GaAs通道中PIN结构的P型结构；
所述第二吸收层6的材料为非故意掺杂的GaAs，厚度为750～1500nm，优选为1000nm，主要作用是吸收波长位于可见甚至更短波长的光，产生光生载流子；
所述上电极接触层7的材料为n型GaAs，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm，优选为300nm，主要作用是形成低电阻的上电极欧姆接触，利于在外加偏压下对光生载流子的收集；
步骤C：在超晶格材料生长完成之后，通过标准光刻技术及ICP刻蚀形成上台面、中台面及下台面；
具体的，超晶格材料首先通过第一步ICP刻蚀至中电极接触层4中间位置，在未经刻蚀的上电极接触层7处形成上台面；然后通过第二步ICP刻蚀至底电极接触层2中间位置，从而分别在未经第二步刻蚀的中电极接触层4和底电极接触层2处形成中台面和下台面。
步骤D：通过溅射工艺形成覆盖半导体器件上表面及侧壁的钝化层，钝化层材料优选为SiO2，其厚度为150～500nm，优选为200nm，用于降低器件的表面漏电流；
步骤E：通过光刻工艺，刻蚀掉上台面、中台面及下台面上表面的部分钝化层，暴露上电极接触层7、中电极接触层4及下电极接触层2三者的部分上表面；
步骤F：采用溅射、光刻、剥离工艺在在暴露上电极接触层7、中电极接触层4及下电极接触层2三者的部分上表面上分别形成上电极8、中电极9及下电极10。
具体的，上电极8、中电极9及下电极10是通过溅射Ti/Pt/Au材料而形成，其中上电极8、中电极9和下电极10的形状为开口环形或环形，包围台面。
本领域技术人员应当理解，本实施例中的参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应值。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种双通道宽光谱探测器，其特征在于，包括：
衬底(1)；
台体结构，包括：依次层叠于衬底(1)上的下电极接触层(2)、第一吸收层(3)、中电极接触层(4)、隔离层(5)、第二吸收层(6)、上电极接触层(7)，其中，在上电极接触层(7)顶部形成上台面，在中电极接触层(4)形成有中台面，在下电极接触层(2)形成有下台面；
上电极(8)、中电极(9)和底电极(10)，分别设置于所述上台面、中台面和下台面上，与所述上电极接触层(7)、中电极接触层(4)、上电极接触层(2)电连接。
2.根据权利要求1所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于，还包括：钝化层(11)，覆盖层叠结构的部分上表面及部分侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：
所述下电极接触层(2)材料为n型掺杂的GaSb，掺杂浓度为1.5×1018～4×1018cm-3，厚度为450～750nm；
所述中电极接触层(4)为p型掺杂的GaSb，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为500～750nm；
所述上电极接触层(7)材料为n型掺杂的GaSb，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm。
4.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：
所述第一吸收层(3)为非故意掺杂的GaSb，厚度为500～1000nm，用于吸收近红外及中波红外的光信号，产生光生载流子；
所述第二吸收层(6)为非故意掺杂的GaAs，厚度为750～1500nm，吸收波长位于可见光区域及更短波长的光，产生光生载流子。
5.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：所述隔离层(5)为p型掺杂的GaAs，掺杂浓度为2×1018～5×1018cm-3，厚度为200～400nm。
6.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，其特征在于：所述上电极(8)、中电极(9)及下电极(10)为开口环形或闭合环形，采用Ti/Pt/Au材料。
7.根据权利要求1或2所述的双通道宽光谱探测器，所述衬底(1)为半绝缘型GaAs衬底。
8.根据权利要求2所述的双通道宽光谱探测器，所述的钝化层(11)为SiO2。
9.一种制备权利要求1至8中任一双通道宽光谱探测器的方法，其特征在于，包括：
步骤B：在衬底(1)上依次生长下电极接触层(2)、第一吸收层(3)、中电极接触层(4)、隔离层(5)、第二吸收层(6)、上电极接触层(7)；
步骤C：通过半导体工艺形成具有上台面、中台面及下台面的所述台体结构；
步骤F：在上台面、中台面及下台面上分别形成上电极(8)、中电极(9)及下电极(10)。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述步骤B之前还包括：步骤A：对衬底(1)进行除气以及脱氧处理；和/或
所述步骤C与步骤F之间还包括：
步骤D：通过溅射工艺形成覆盖所述台体结构的上表面及侧壁的钝化层(11)；
步骤E：通过光刻工艺，刻蚀掉上台面、中台面及下台面上表面的部分钝化层(11)，暴露上电极接触层(7)、中电极接触层(4)及下电极接触层(2)三者的部分上表面。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108447940A (zh) * 2018-03-12 2018-08-24 中国科学院半导体研究所 背靠背双吸收硅基光电探测器及制备方法
CN108899379A (zh) * 2018-07-04 2018-11-27 中国科学院半导体研究所 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法
CN109244152A (zh) * 2018-08-02 2019-01-18 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法
CN112490302A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 中国科学院半导体研究所 一种多电极的高速光电探测器及其制备方法
CN114335232A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 中国科学院半导体研究所 双色异质结光电晶体管及其制备方法
CN115036378A (zh) * 2022-04-28 2022-09-09 南昌大学 AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法
CN116487453A (zh) * 2023-06-25 2023-07-25 山西创芯光电科技有限公司 一种二类超晶格红外探测器及其制备方法
TWI841659B (zh) * 2019-01-06 2024-05-11 美商光程研創股份有限公司 用於檢測不同波長的光檢測裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887360A (zh) * 2014-04-16 2014-06-25 中国科学院半导体研究所 InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
CN105244391A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887360A (zh) * 2014-04-16 2014-06-25 中国科学院半导体研究所 InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
CN105244391A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108447940B (zh) * 2018-03-12 2020-05-19 中国科学院半导体研究所 背靠背双吸收硅基光电探测器及制备方法
CN108447940A (zh) * 2018-03-12 2018-08-24 中国科学院半导体研究所 背靠背双吸收硅基光电探测器及制备方法
CN108899379A (zh) * 2018-07-04 2018-11-27 中国科学院半导体研究所 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法
CN108899379B (zh) * 2018-07-04 2019-10-25 中国科学院半导体研究所 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法
CN109244152B (zh) * 2018-08-02 2023-09-29 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法
CN109244152A (zh) * 2018-08-02 2019-01-18 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 一种短距离通信高速光电二极管芯片及其制作方法
TWI841659B (zh) * 2019-01-06 2024-05-11 美商光程研創股份有限公司 用於檢測不同波長的光檢測裝置
CN112490302A (zh) * 2020-12-03 2021-03-12 中国科学院半导体研究所 一种多电极的高速光电探测器及其制备方法
CN112490302B (zh) * 2020-12-03 2023-03-24 中国科学院半导体研究所 一种多电极的高速光电探测器及其制备方法
CN114335232A (zh) * 2021-12-15 2022-04-12 中国科学院半导体研究所 双色异质结光电晶体管及其制备方法
CN115036378B (zh) * 2022-04-28 2023-11-28 南昌大学 AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法
CN115036378A (zh) * 2022-04-28 2022-09-09 南昌大学 AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法
CN116487453B (zh) * 2023-06-25 2023-09-12 山西创芯光电科技有限公司 一种二类超晶格红外探测器及其制备方法
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