CN105932144B - 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 - Google Patents
一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105932144B CN105932144B CN201610516820.5A CN201610516820A CN105932144B CN 105932144 B CN105932144 B CN 105932144B CN 201610516820 A CN201610516820 A CN 201610516820A CN 105932144 B CN105932144 B CN 105932144B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorescent powder
- chip
- support plate
- silica gel
- glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 31
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 22
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种芯片级LED封装设备、方法以及荧光膜制备方法，包括A型硅胶，B型硅胶，补强剂，增粘剂，荧光粉。该方法包括以下步骤：(1)依次称取适量A胶、B胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，(2)将胶和荧光粉均匀混合后真空脱泡，(3)将脱泡后的胶倒入模具并摊铺均匀，(4)将模具放入烘箱使胶水固化成膜；所述胶水与荧光粉混合物中荧光粉的含量为10％～40％，烘箱温度60～100℃，加热时间0.5～2h。本发明制备的荧光膜通过与倒装芯片热压结合，可以实现芯片级封装。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片级LED封装设备、封装方法以及荧光膜制备方法，属于半导体技术领域。
背景技术
半导体照明技术是21世纪最具发展前景的高科技领域之一，其中发光二极管(Lighting Emitting Diodes，简称LED)是其核心技术之一。理论预计，半导体LED照明灯具的发光效率可以达到甚至超过白炽灯的10倍，日光灯的2倍。目前LED被广泛应用于各种领域，包括背光单元、汽车、电信号、交通灯、照明装置等。随着科技的进步以及发光效率的进一步提高，其应用领域也在进一步得到拓宽，在不久的将来LED必将替代传统的照明光源，成为新一代的绿色光源。
在整个LED产业链中，LED制造成本50％集中在封装上，因此封装在器件成本中占了很大比重。当前市场上主流的商品化LED由基板、芯片、荧光粉、金属线、硅胶透镜等组成，其封装工艺流程为：扩晶→固晶→焊线→涂覆荧光粉→灌胶→检测。通过点胶工艺在LED芯片上涂覆荧光粉与硅胶的混合体层是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控胶头与芯片距离，点胶量等参数，但是这样涂覆荧光粉存在致命缺点，通过点胶得到的荧光粉层结构不均匀。批量生产时，由于点胶后停留时间不一致，导致荧光胶沉降程度不同，造成荧光粉层结构不均匀，封装后色温、光色漂移。
目前，业界采取多种措施来改进荧光粉和胶混合物的涂覆量及涂覆方式，如部分公司通过改进点胶机设备的原理来保证荧光粉及胶的量的一致性，这就增加了封装厂家设备资金投入，虽然在一定程度上对产品的品质有改善，但将大幅度增加产品的生产成本。同时，该设备仍然难以从根本上解决胶体性能随时间变化而导致涂覆量难以控制的问题。其次封装过程需要采用金属引线引出LED芯片的P极和N极，一旦金属引线断裂，容易引起LED失效，降低了LED的可靠性。
随着LED在器件材料、芯片工艺、封装制程技术等方面的研究不断进步，尤其是倒装芯片的逐渐成熟与荧光粉涂覆技术的多样化，一种新的芯片尺寸级封装CSP(Chip ScalePackage)技术应运而生。CSP具有诸多优点：1.稳定性更好，没有了金线和支架，故障率更低。安装、运输、储存过程中损坏的几率大幅降低，生产损耗降低。2.尺寸更小，光密度更高，更利于光的控制。3.热阻更低，直接接触芯片底部镀焊盘，减少热阻层。4.灵活性更好，可以任意组合成各种功率和串并数。5.性价比更高，减少了支架和硅胶的用量，减少了封装这一流通环节，整体成本降低。
CSP封装的核心技术是制备荧光膜。目前荧光膜制备技术掌握在国外大型半导体企业手中，国内涉及该领域的LED封装企业较少，能够满足批量供货的厂家暂时还不多，因而开发荧光膜的生产工艺显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于开发一种芯片级LED封装设备、封装方法以及荧光膜制备方法，以解决目前CSP封装难以规模化生产的问题。采用该工艺封装，工艺简单，性能优良，有效降低了封装成本。
本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其包括以下步骤：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡；
(4)将脱泡后的模具放入烘箱中加热，半固化成膜，脱模后即得荧光膜。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述的A型硅胶、B型硅胶均为本公司研发的高折射率加成型液体硅胶，A胶与B胶的质量比为1:5～1:11.5。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述补强剂为乙烯基MQ硅树脂，白炭黑，石英粉，膨润土中的一种或几种。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述补强剂用量为A胶，B胶总质量的5‰～5％。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述增粘剂用量为A胶，B胶总质量的0.1％～1.5％
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述荧光粉为铝酸盐系荧光粉，硅酸盐系荧光粉，氮化物系荧光粉中的一种或几种。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述荧光粉色温为3000K～5000K。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述荧光粉的质量为A胶，B胶总质量的10％～40％。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述搅拌机的搅拌速度为100～200rpm，搅拌时间10-30min。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述真空脱泡机压力为0.05～0.1MPa，脱泡时间10～20min。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述述模具为304不锈钢材质且内衬为聚四氟乙烯。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其进一步的技术方案是所述箱温度为60～100℃，加热时间0.5～2h。
本发明的一种芯片级LED封装用荧光膜制备方法，其特征在于所述烘箱温度为60～100℃，加热时间0.5～2h。
本发明的另一种芯片级LED封装方法，其步骤包括：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡，得到半固化片；
(4)将待封装的LED结构使用吸附装置保持稳定，放置半固化片于基板上的LED上，并施压压力压合，使得LED芯片完全被包覆，加热固化所述半固化片，得到最终LED封装结构。
本发明公开了一种芯片级LED封装设备，该设备包括壳体，出气孔，低压室，封装室，支撑盘，其中出气孔与外界的真空设备相连，用于将低压室的气压降至常压以下，在低压室的下侧板具有过气孔，用于吸附待封装的LED结构，支撑盘是导热材料，用以支撑和固化半固化荧光膜。
本发明的有益效果：
本发明利用自制A、B硅胶，补强剂，增粘剂以及荧光粉，通过真空脱泡，灌模，加热固化等步骤成功制备了LED封装用荧光膜或制备了半固化膜以直接封装，简化工艺步骤。采用该工艺制备的荧光膜，不仅工艺简单，而且性能优良，有效降低了企业生产成本。所提出的制备工艺得到的荧光膜450nm处透光率90.1％～95.7％，邵尔硬度10～30A，色坐标0.35～0.45。
附图说明
图1-1是A胶的红外光谱图；
图1-2是B胶的红外光谱图；
图2-1是荧光粉的XRD图；
图2-2是荧光粉的扫描电镜图；
图3是荧光膜封装LED时使用的设备示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护内容。
本发明的制备工艺采用以下步骤进行：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡；
(4)将脱泡后的模具放入烘箱中加热，半固化成膜，脱模后即得荧光膜。
实施例1
A胶、B胶的质量比为1:5～1:9，补强剂含量5‰～2％，增粘剂含量0.1％～0.5％，荧光粉的含量10％～20％，搅拌机转速100～150rpm，搅拌时间10～15min，真空脱泡机压力-0.05Mpa，脱泡时间10～15min，烘箱温度60～80℃，加热时间1h。经搅拌，脱泡，灌模，加热固化等步骤得到的荧光膜450nm处透光率93.1％～95.7％，邵尔硬度10～16A，色坐标0.39～0.45。
实施例2
A胶、B胶的质量比为1:7～1:10，补强剂含量0.1％～3％，增粘剂含量0.4％～0.8％，荧光粉的含量15％～30％，搅拌机转速100～150rpm，搅拌时间10～15min，真空脱泡机压力-0.05Mpa，脱泡时间10～15min，烘箱温度70～90℃，加热时间1.5h。经搅拌，脱泡，灌模，加热固化等步骤得到的荧光膜450nm处透光率92.8％～91.6％，邵尔硬度15～20A，色坐标0.38～0.39。
实施例3
A胶、B胶的质量比为1:8～1:11，补强剂含量0.8％～4％，增粘剂含量0.8％～1.2％，荧光粉的含量20％～35％，搅拌机转速150～200rpm，搅拌时间20～30min，真空脱泡机压力-0.08Mpa，脱泡时间15～20min，烘箱温度90～100℃，加热时间1.5h。经搅拌，脱泡，灌模，加热固化等步骤得到的荧光膜450nm处透光率91.5％～93.3％，邵尔硬度15～25A，色坐标0.36～0.38。
实施例4
A胶、B胶的质量比为1:9～1:11.5，补强剂含量2％～5％，增粘剂含量1.0％～1.5％，荧光粉的含量25％～40％，搅拌机转速150～200rpm，搅拌时间20～30min，真空脱泡机压力-0.08Mpa，脱泡时间15～20min，烘箱温度90～100℃，加热时间2h。经搅拌，脱泡，灌模，加热固化等步骤得到的荧光膜450nm处透光率90.1％～92.4％，邵尔硬度20～30A，色坐标0.35～0.37。
在上述荧光膜过程中，只施行前三步骤，即
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡，得到半固化片。
接着，使用图3的设备进行封装，该设备包括壳体1，出气孔2，低压室3，封装室4，支撑盘5，其中出气孔2与外界的真空设备相连，用于将低压室3的气压降至常压以下，在低压室3的下侧板具有过气孔，用于吸附待封装的LED结构，支撑盘5可以是导热材料，例如金属，不仅具有支撑作用还要加热作用，用以固化荧光膜。具体封装步骤如下，低压室3吸附COB的LED结构，如图3，该LED结构为基板6上设置有LED芯片7，支撑板5上设置半固化片8(荧光膜半固化片)，在支撑板5和半固化片8之间可以设置一分离膜。
封装时，将支撑板5升至LED结构附近并给予适当压力，待荧光膜压平后，加热支撑盘5，使得半固化片8完全固化，分离得到封装后的LED结构，其封装步骤包括：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡，得到半固化片；
(4)将待封装的LED结构使用吸附装置保持稳定，放置半固化片于基板上的LED上，并施压压力压合，使得LED芯片完全被包覆，加热固化所述半固化片，得到最终芯片级LED封装结构。
Claims (5)
1.一种芯片级LED的封装设备，该设备包括壳体，出气孔，低压室，封装室，支撑盘，其中出气孔与外界的真空设备相连，用于将低压室的气压降至常压以下，在低压室的下侧板具有过气孔，用于吸附待封装的LED结构，支撑盘是导热材料，用以支撑和固化具有荧光粉的半固化片；所述支撑盘相对于所吸附的待封装的LED结构处于壳体的下侧，所述支撑盘是可升降的，且在升至LED结构附近并给予适当压力，所述支撑盘上设有分离膜；所述半固化片的制备方法如下：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡，得到半固化片，所述模具为304不锈钢材质且内衬为聚四氟乙烯。
2.一种芯片级LED的封装设备，该设备包括壳体，出气孔，低压室，封装室，支撑盘，其中出气孔与外界的真空设备相连，用于将低压室的气压降至常压以下，在低压室的下侧板具有过气孔，用于吸附待封装的LED结构，支撑盘是导热材料，用以支撑和固化具有荧光粉的半固化片；所述支撑盘相对于所吸附的待封装的LED结构处于壳体的下侧，所述支撑盘是可升降的，且在升至LED结构附近并给予适当压力，所述支撑盘上设有分离膜；所述半固化片的制备方法如下：
(1)依次称取A型硅胶、B型硅胶、补强剂、增粘剂、荧光粉，利用搅拌机将其搅拌均匀；
(2)将混合均匀的硅胶与荧光粉的混合物放入真空脱泡机中进行真空脱泡；
(3)将脱泡后的混合物注入模具中并摊铺均匀，对其再次进行真空脱泡，所述模具为304不锈钢材质且内衬为聚四氟乙烯；
(4)将脱泡后的模具放入烘箱中加热，半固化成膜。
3.根据权利要求1或2所述的一种芯片级LED的封装设备，其特征在于所述的荧光粉为铝酸盐系荧光粉，硅酸盐系荧光粉，氮化物系荧光粉中的一种或几种。
4.根据权利要求1或2所述的一种芯片级LED的封装设备，其特征在于所述荧光粉的质量为A胶，B胶总质量的10％～40％。
5.根据权利要求2所述的一种芯片级LED的封装设备，其特征在于所述烘箱温度为60～100℃，加热时间0.5～2h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610516820.5A CN105932144B (zh) | 2016-07-03 | 2016-07-03 | 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610516820.5A CN105932144B (zh) | 2016-07-03 | 2016-07-03 | 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105932144A CN105932144A (zh) | 2016-09-07 |
| CN105932144B true CN105932144B (zh) | 2018-05-01 |
Family
ID=56829370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610516820.5A Active CN105932144B (zh) | 2016-07-03 | 2016-07-03 | 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105932144B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449513B (zh) * | 2016-11-11 | 2023-04-21 | 华南理工大学 | 一种防过热csp荧光膜片模压装置及方法 |
| CN107546220A (zh) * | 2017-02-28 | 2018-01-05 | 江苏罗化新材料有限公司 | Led光源及其制备方法 |
| CN108417683A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-17 | 东莞中之光电股份有限公司 | 一种倒裝led汽车灯的封装方法 |
| CN108922954A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-30 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种双层膜cspled制作方法 |
| CN115505331A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-12-23 | 重庆翰博显示科技研发中心有限公司 | 一种发光对比度高的荧光膜制备方法及其装置 |
| CN116694235A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-09-05 | 深圳市华笙光电子有限公司 | 一种led灯专用封装胶的生产方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165797A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | 白光led薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法 |
| CN104425689A (zh) * | 2013-08-19 | 2015-03-18 | 人科机械有限公司 | 供膜及贴膜装置、具有该装置的半导体芯片封装件制造装置以及半导体芯片封装件制造方法 |
| CN104979453A (zh) * | 2014-04-08 | 2015-10-14 | 刘胜 | 在晶圆上封装直接白光led芯片的设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851819B2 (en) * | 2009-02-26 | 2010-12-14 | Bridgelux, Inc. | Transparent heat spreader for LEDs |
| CN103666367B (zh) * | 2012-09-19 | 2015-06-17 | 广东恒大新材料科技有限公司 | 一种led有机硅灌封胶及其应用 |
-
2016
- 2016-07-03 CN CN201610516820.5A patent/CN105932144B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165797A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-19 | 上海大学 | 白光led薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法 |
| CN104425689A (zh) * | 2013-08-19 | 2015-03-18 | 人科机械有限公司 | 供膜及贴膜装置、具有该装置的半导体芯片封装件制造装置以及半导体芯片封装件制造方法 |
| CN104979453A (zh) * | 2014-04-08 | 2015-10-14 | 刘胜 | 在晶圆上封装直接白光led芯片的设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105932144A (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105932144B (zh) | 一种芯片级led封装设备、方法以及荧光膜制备方法 | |
| CN101740707B (zh) | 预成型荧光粉贴片及其与发光二极管的封装方法 | |
| CN103131190B (zh) | 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 | |
| CN101533882B (zh) | 一种白光led用荧光粉预制薄膜及其制备方法 | |
| TW201503418A (zh) | 具有紫外光之白光發光二極體模組結構 | |
| US20100010125A1 (en) | Glue for packaging light emitting diode and use thereof | |
| CN207753046U (zh) | 一种led封装器件 | |
| CN102237475A (zh) | 基于有机胶体的led晶片级荧光粉涂层技术 | |
| CN102856478B (zh) | 功率型发光二极管、发光二极管支架及其制备方法 | |
| CN103165797A (zh) | 白光led薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法 | |
| CN101521257B (zh) | 一种预制荧光粉薄膜型白光led封装结构及其制备方法 | |
| CN101649114A (zh) | 含纳米ZnO量子点的硅树脂复合材料及其制法和用途 | |
| CN102097549B (zh) | 一种芯片级集成封装工艺及led器件 | |
| CN105351759B (zh) | 一种led指示灯的封装方法 | |
| CN105633248B (zh) | 一种led灯及其制备方法 | |
| CN101442087B (zh) | 一种小功率型低光衰白光led | |
| CN106684231B (zh) | 一种csp芯片级封装件及封装方法 | |
| CN102054919A (zh) | 一种高亮度黄绿灯及其制作方法 | |
| CN100492690C (zh) | 白光发光二极管的封装方法 | |
| CN103131191B (zh) | 一种led封装用的单组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 | |
| CN206116449U (zh) | 一种白光led封装器件 | |
| CN106589961A (zh) | 一种电致发光膜及其制备方法 | |
| CN101519576B (zh) | 高透光的大功率发光二极管用封装胶的制备方法 | |
| CN208315595U (zh) | Csp led的封装结构 | |
| CN103378270B (zh) | 一种led组件的制备方法及led组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: The invention relates to a chip level LED packaging device, method and preparation method of fluorescent film Effective date of registration: 20201119 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2020980008267 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20211125 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2020980008267 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Chip level LED packaging equipment, method and fluorescent film preparation method Effective date of registration: 20211126 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2021980013340 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20211214 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2021980013340 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Chip level LED packaging equipment, method and fluorescent film preparation method Effective date of registration: 20211215 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2021980015047 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20221115 Granted publication date: 20180501 Pledgee: Jiangsu Nantong Rural Commercial Bank Co.,Ltd. TongZhou sub branch Pledgor: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. Registration number: Y2021980015047 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230418 Address after: No. 30, Xingyu Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu 226010 Patentee after: Luohuaxin display technology development (Jiangsu) Co.,Ltd. Address before: 226300 No. 299, Xingyuan Road, high tech Zone, Nantong City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU LUOHUA NEW MATERIAL Co.,Ltd. |