CN105931987A - 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的显示基板在过孔形成过程中出现的栅线上的第一绝缘层被刻蚀导致的短路不良的问题。本发明的显示基板,包括衬底基板、设置于衬底基板上的栅线和公共电极信号线、第一绝缘层、保护图形、设置于保护图形、第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于第二绝缘层上的第二电极,保护图形覆盖部分栅线,第一绝缘层和第二绝缘层设置有过孔,第二电极通过过孔与公共电极信号线连接,保护图形用于避免所述栅线与所述第二电极连接。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
在现有的显示基板的制备工艺中,为了增加存储电容,减小电阻,通过设置与栅线同层的公共电极信号线,使其通过过孔与第二电极连接。
但现有技术中至少存在如下问题:在生产过程中容易发生过孔移动或参数波动导致过孔偏大的现象,导致栅线上的第一绝缘层被刻蚀,从而使栅线裸露,进而发生第二电极与栅线直接搭接相连,发生短路,形成栅线-第二电极短路不良,严重影响显示效果。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种能够避免过孔形成过程中出现的栅线上的第一绝缘层被刻蚀导致的短路不良的显示基板、显示面板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的栅线和公共电极信号线、第一绝缘层、保护图形、设置于所述保护图形和所述第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于所述第二绝缘层上的第二电极,所述保护图形覆盖部分所述栅线,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有过孔,所述第二电极通过所述过孔与所述公共电极信号线连接,所述保护图形用于避免所述栅线与所述第二电极连接。
其中,所述显示基板还包括:第一电极,所述保护图形与所述第一电极同层设置。
其中,所述显示基板还包括:源漏电极,所述保护图形与所述源漏电极同层设置。
其中,所述保护图形在显示基板上的投影为方形、圆环形和L形中的任意一种。
其中,所述过孔的一部分位于所述公共电极信号线上方,所述过孔的另一部分位于所述保护图形上方。
作为另一技术方案,本发明还提供一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成栅线和公共电极信号线、第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成保护图形,所述保护图形覆盖部分所述栅线;
在所述保护图形和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成有过孔,在所述第二绝缘层上形成第二电极,所述第二电极通过所述过孔与所述公共电极信号线连接,所述保护图形用于避免所述栅线与所述第二电极连接。
其中,所述在所述第一绝缘层上形成保护图形还包括:
形成第一电极材料层,通过一次构图工艺形成所述保护图形与第一电极。
其中,所述在所述第一绝缘层上形成保护图形还包括:
形成源漏电极材料层,通过一次构图工艺形成所述保护图形与源漏电极层。
作为另一技术方案,本发明还提供一种显示面板,包括相对设置的对置基板和上述任意一项所述的显示基板。
作为另一技术方案,本发明还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明的显示基板、显示面板及其制备方法、显示装置中,该显示基板,包括衬底基板、设置于衬底基板上的栅线和公共电极信号线、第一绝缘层、保护图形、设置于保护图形和第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于第二绝缘层上的第二电极,保护图形覆盖部分栅线,第一绝缘层和第二绝缘层设置有过孔,第二电极通过过孔与公共电极信号线连接,通过设置保护图形,能够对位于栅线上方第一绝缘层进行有效保护,以使在形成过孔时位于栅线上方第一绝缘层不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔移动或参数波动导致过孔偏大导致的栅线裸露,进而避免因栅线和第二电极连接导致的短路现象,以提高显示效果。
附图说明
图1为一种显示基板的制备方法中完成步骤1后的结构示意图;
图2为一种的显示基板的制备方法中完成步骤2后的结构示意图;
图3为一种的显示基板的制备方法中完成步骤3后的结构示意图;
图4为一种的显示基板的制备方法中完成步骤4后的结构示意图;
图5为一种的显示基板的制备方法中完成步骤5后的结构示意图;
图6为一种的显示基板中过孔过大的结构示意图;
图7为本发明的实施例1的显示基板的结构示意图;
图8为本发明的实施例2的显示基板的制备方法中完成步骤2后的结构示意图;
图9为本发明的实施例2的显示基板的制备方法中完成步骤3后的结构示意图;
图10为本发明的实施例2的显示基板的制备方法中完成步骤4后的结构示意图;
图11为本发明的实施例2的显示基板的制备方法中完成步骤5后的结构示意图;
图12为本发明的实施例2的显示基板的制备方法中完成步骤6后的结构示意图;
图13为本发明的实施例3的显示面板的结构示意图;
其中,附图标记为:1、衬底基板;2、公共电极信号线;3、栅线;4、第一绝缘层;5、第二绝缘层;6、第二电极;7、过孔;8、保护图形;10、显示基板;20、对置基板。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
参照图1至图5,显示基板的工艺生产流程主要包括:
步骤1,在衬底基板1上形成公共电极信号线2和栅线3,公共电极信号线2和栅线3不连接,例如,公共电极信号线2和栅线3平行设置,如图1所示。
步骤2,在公共电极信号线2和栅线3上形成第一绝缘层4,如图2所示,可以理解的是,第一绝缘层4通常为栅绝缘层。
步骤3,在第一绝缘层4上形成第二绝缘层5,如图3所示。
步骤4,在第一绝缘层4和第二绝缘层5中形成过孔7,过孔7部分位于公共电极信号线2上,以使公共电极信号线2裸露出来,如图4所示。
步骤5,在第二绝缘层5上和过孔7中形成第二电极6,以使第二电极6与公共电极信号线2通过过孔7连接,如图5所示。
如图6所示,步骤4所涉及的过孔的刻蚀方法,由于在生产过程中容易发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大的现象,导致栅线3上的第一绝缘层4被刻蚀,从而使栅线裸露,进而发生第二电极6与栅线3直接搭接相连,发生短路,形成栅线-第二电极短路不良,严重影响显示效果。
实施例1:
请参照图7,本实施例提供一种显示基板10,包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的栅线3和公共电极信号线2、第一绝缘层4、保护图形8、设置于保护图形8和第一绝缘层4上的第二绝缘层5、设置于第二绝缘层5上的第二电极6,保护图形8覆盖部分栅线3,第一绝缘层4和第二绝缘层5设置有过孔7,第二电极6通过过孔7与公共电极信号线2连接,保护图形8用于避免栅线3与第二电极6连接。
其中,过孔7的一部分位于公共电极信号线2上方,过孔7的另一部分位于保护图形8上方。
从图7中可以看出,保护图形8位于第一绝缘层4的上方并覆盖住部分栅线3,过孔7的一部分位于公共电极信号线2上方,过孔7的另一部分位于保护图形8上方,部分第二电极6填充于过孔7中以与形成过孔7时裸露的公共电极信号线2连接可以理解的是,形成保护图形8的材料是在过孔7的刻蚀工艺中不会被刻蚀的材料,因此,在形成过孔7时,第一绝缘层4和第二绝缘层5被刻蚀,而保护图形8没有被刻蚀,从而避免了位于栅极3上方的第一绝缘层4在形成过孔7时被刻蚀,以使第一绝缘层4保护好栅极3,避免形成过孔7后,由于第一绝缘层4被刻蚀导致的第二电极6与栅极3直接接触导致的短路不良现象。具体地,由于制备第一绝缘层4的材料为非金属材料,而制备过孔7的工艺采用干法刻蚀,由于工艺波等原因,会导致过孔7偏大或者发生偏移,使得第一绝缘层4下方的栅线3裸露,出现GCS问题(即第二电极6与栅极3直接接触导致的短路不良),而保护图形8使用ITO或者金属材料制备,在干法刻蚀中不会受到工艺的影响,进而能够保护栅线3,解决上述短路问题.
可选的,显示基板10还包括:第一电极(图中未示出),保护图形8与第一电极同层设置。
可选的,显示基板10还包括:源漏电极层(图中未示出),保护图形8与源漏电极层同层设置。
也就是说,保护图形8既可以与第一电极同层设置,也可以与源漏电极同层设置,这样设置的有益效果在于能够减少一次保护图形8的构图工艺,从而使显示基板10的制备工艺更加简单。具体地,第一电极是显示基板的像素电极。
其中,保护图形8在显示基板上的投影为方形、圆环形和L形中的任意一种。
当然,保护图形8的形状并不局限于此,还可以为其他形状,其只要能够保护位于栅线3上方的第一绝缘层4在形成过孔7时不被刻蚀掉即可,在此不再赘述。
本实施例的显示基板10,包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的栅线3和公共电极信号线2、第一绝缘层4、保护图形8、设置于保护图形8和第一绝缘层4上的第二绝缘层5、设置于第二绝缘层5上的第二电极6,保护图形8覆盖部分栅线3,第一绝缘层4和第二绝缘层5设置有过孔7,第二电极6通过过孔7与公共电极信号线2连接,通过设置保护图形8,能够对位于栅线3上方第一绝缘层4进行有效保护,以使在形成过孔7时位于栅线3上方第一绝缘层4不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大导致的栅线3裸露,进而避免因栅线3和第二电极6连接导致的短路现象,以提高显示效果。具体地,第二电极6可以是显示基板的公共电极。
实施例2:
请参照图7至12,本实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
步骤1,在衬底基板1上形成公共电极信号线2和栅线3,公共电极信号线2和栅线3不连接,优选地,公共电极信号线2和栅线3平行设置,如图8所示。
步骤2,在公共电极信号线2和栅线3上形成第一绝缘层4,如图9所示,可以理解的是,第一绝缘层4通常为栅绝缘层。
步骤3,在第一绝缘层4上形成保护图形8,保护图形8覆盖部分栅线3,如图10所示。
步骤4,在保护图形8和第一绝缘层4上形成第二绝缘层5,如图11所示。
步骤5,第一绝缘层4和第二绝缘层5形成有过孔7,过孔7部分位于公共电极信号线2上方,过孔7的另一部分位于保护图形8上方,以使公共电极信号线2裸露出来,如图12所示。
步骤6,在第二绝缘层5上和过孔7中形成第二电极6,第二电极6通过过孔7与公共电极信号线2连接,保护图形8用于避免栅线3与第二电极6连接,如图7所示。
其中,步骤3还包括:形成第一电极材料层,通过一次构图工艺形成保护图形8与第一电极同层设置。
其中,步骤3还包括:形成源漏电极材料层,通过一次构图工艺形成保护图形8与源漏电极同层设置。
本实施例的显示基板的制备方法,用于制备实施例1的显示基板10,详细描述可参照实施例1的显示基板10,在此不再赘述。
本实施例的显示基板的制备方法,用于制备实施例1的显示基板10,其包括衬底基板1、设置于衬底基板1上的栅线3和公共电极信号线2、第一绝缘层4、保护图形8、设置于保护图形8和第一绝缘层4上的第二绝缘层5、设置于第二绝缘层5上的第二电极6,保护图形8覆盖部分栅线3,第一绝缘层4和第二绝缘层5设置有过孔7,第二电极6通过过孔7与公共电极信号线2连接,通过设置保护图形8,能够对位于栅线3上方第一绝缘层4进行有效保护,以使在形成过孔7时位于栅线3上方第一绝缘层4不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大导致的栅线3裸露,进而避免因栅线3和第二电极6连接导致的短路现象,以提高显示效果。具体地,第二电极6可以是显示基板的公共电极。
实施例3:
请参照图13,本实施例提供一种显示面板,包括相对设置的对置基板20和实施例1的显示基板10。
可以理解的是,若显示基板10为阵列基板,对置基板20可为彩膜基板,在此不再赘述。
本实施例的显示面板,包括实施例1的显示基板10,通过设置保护图形8,能够对位于栅线3上方第一绝缘层4进行有效保护,以使在形成过孔7时位于栅线3上方第一绝缘层4不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大导致的栅线3裸露,进而避免因栅线3和第二电极6连接导致的短路现象,以提高显示效果。具体地,第二电极6可以是显示基板的公共电极。
实施例4:
本实施例提供一种显示面板的制备方法,包括:
步骤10,制备对置基板20;
步骤20,采用实施例2的显示基板的制备方法制备显示基板10;
步骤30,将对置基板20和显示基板10相对设置,以形成显示面板。
本实施例的显示面板的制备方法,包括实施例2的显示基板10的制备方法,通过设置保护图形8,能够对位于栅线3上方第一绝缘层4进行有效保护,以使在形成过孔7时位于栅线3上方第一绝缘层4不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大导致的栅线3裸露,进而避免因栅线3和第二电极6连接导致的短路现象,以提高显示效果。
实施例5:
本实施例提供了一种显示装置,包括实施例3的显示面板。显示装置可以为:液晶显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例的显示装置,包括实施例3的显示面板,其通过设置保护图形8,能够对位于栅线3上方第一绝缘层4进行有效保护,以使在形成过孔7时位于栅线3上方第一绝缘层4不会被刻蚀掉,从而避免了因发生过孔7移动或参数波动导致过孔7偏大导致的栅线3裸露,进而避免因栅线3和第二电极6连接导致的短路现象,以提高显示效果。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的栅线和公共电极信号线、第一绝缘层、保护图形、设置于所述保护图形和所述第一绝缘层上的第二绝缘层、设置于所述第二绝缘层上的第二电极,所述保护图形覆盖部分所述栅线,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有过孔,所述第二电极通过所述过孔与所述公共电极信号线连接,所述保护图形用于避免所述栅线与所述第二电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:第一电极,所述保护图形与所述第一电极同层设置。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:源漏电极,所述保护图形与所述源漏电极同层设置。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述保护图形在显示基板上的投影为方形、圆环形和L形中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述过孔的一部分位于所述公共电极信号线上方,所述过孔的另一部分位于所述保护图形上方。
6.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成栅线和公共电极信号线、第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成保护图形,所述保护图形覆盖部分所述栅线;
在所述保护图形和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成有过孔,在所述第二绝缘层上形成第二电极,所述第二电极通过所述过孔与所述公共电极信号线连接,所述保护图形用于避免所述栅线与所述第二电极连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成保护图形还包括:
形成第一电极材料层,通过一次构图工艺形成所述保护图形与第一电极。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成保护图形还包括:
形成源漏电极材料层,通过一次构图工艺形成所述保护图形与源漏电极层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括相对设置的对置基板和权利要求1至5任意一项所述的显示基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876387A (zh) * 2017-02-17 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN109101903A (zh) * 2018-07-25 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板以及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702533A (zh) * 2004-05-25 2005-11-30 夏普株式会社 显示装置用基板、其制造方法及显示装置
CN101872770A (zh) * 2009-04-27 2010-10-27 上海天马微电子有限公司 像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法
CN102468308A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN203941901U (zh) * 2014-04-30 2014-11-12 成都京东方光电科技有限公司 一种像素结构、阵列基板和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1702533A (zh) * 2004-05-25 2005-11-30 夏普株式会社 显示装置用基板、其制造方法及显示装置
CN101872770A (zh) * 2009-04-27 2010-10-27 上海天马微电子有限公司 像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法
CN102468308A (zh) * 2010-10-28 2012-05-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和液晶显示器
CN203941901U (zh) * 2014-04-30 2014-11-12 成都京东方光电科技有限公司 一种像素结构、阵列基板和显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876387A (zh) * 2017-02-17 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
US10312270B2 (en) 2017-02-17 2019-06-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate assembly and method of manufacturing the same
CN106876387B (zh) * 2017-02-17 2020-01-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN109101903A (zh) * 2018-07-25 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN109101903B (zh) * 2018-07-25 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板以及显示装置
US10930681B2 (en) 2018-07-25 2021-02-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel with fingerprint recognition and display device

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