CN105908138A - 反应性溅射装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种反应性溅射装置，包括：基板搬送部，搬送基板；及工序腔室，对通过所述基板搬送部搬送的基板，执行反应性溅射工序，所述工序腔室，包括：2个以上的第1阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的基板的第1区域上蒸镀第1氧化物薄膜；及1个以上的第2阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的所述基板的第1区域中一部分之外的第2区域上蒸镀第2氧化物薄膜。

Description

反应性溅射装置
技术领域
本发明涉及反应性溅射装置，更详细地说，涉及能够在基板上形成均匀薄膜的反应性溅射装置。
背景技术
溅射(Sputtering)装置作为具有代表性的物理气相蒸镀(PhysicalVapor Deposition)装置，普遍用于形成制造显示装置、半导体装置、太阳能电池或有机发光照明装置等所需的金属薄膜或金属氧化物薄膜。
一般的溅射装置利用氩气等放电气体所产生的等离子，使具有能源的粒子与目标(Target)产生碰撞，将脱离目标的目标粒子蒸镀到基板上。
最近，ITO(Indium Tin Oxide-铟锡氧化物)、BZO(Boron-doped ZincOxide-硼掺杂氧化锌)、AZO(or Al:ZnO，Aluminum-doped Zinc Oxide-铝掺杂氧化锌)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide-镓掺杂氧化锌)或IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide-氧化铟镓锌)等氧化物薄膜的蒸镀中使用反应性溅射装置。反应性溅射装置在一般的溅射工序中使用的放电气体中增加反应性气体，通过利用反应性气体与从目标放出的目标粒子之间的反应性而在基板上蒸镀氧化物薄膜。
例如，以往的反应性溅射装置具备腔室、由薄膜物质形成的目标、支撑目标的背板及磁铁模块。以下说明这种反应性溅射装置的动作。
首先，在腔室内部形成真空氛围后，向腔室内部注入放电气体及反应性气体。此时，放电气体可以是氩(Ar)等非活性气体，根据薄膜物质，反应性气体可以是氧(O2)或氮(N2)。
其次，向背板施加电源而使腔室内部产生等离子(Plasma)放电，在背板的后面，水平往返移送磁铁模块。放电气体通过这种等离子放电而离子化，离子化粒子向目标处加速而与目标发生碰撞，根据离子化粒子的碰撞，根据从目标放出的目标粒子与反应性气体的反应而产生的氧化物薄膜被蒸镀到基板上。
如所述的以往反应性溅射装置中，为了延长目标的寿命并增加使用效率，随着磁铁模块的水平往返移送，对目标的两个边缘部分的侵蚀(Erosion)量大于目标的中间量，因此如图1所图示，导致蒸镀到基板10的薄膜20的厚度T不均匀。即，随着根据磁铁模块的移送而目标两个边缘部分目标粒子的放出量的相对增加，蒸镀到基板10两个边缘部分的薄膜20的厚度T相对大于基板10的中间。
另外，为了提高大面积基板的反应性溅射工序的生产率，利用内嵌系统。内嵌(inline)系统包括布置于装载腔室与卸载腔室之间的1个以上的工序腔室。这种内嵌系统使装载到装载腔室的基板连续地通过2个以上的工序腔室并进行反应性溅射工序。利用这种内嵌系统的反应性溅射工序中，根据磁铁模块的移送，布置在各个工序腔室的目标中发生不均匀的目标侵蚀量，从而导致蒸镀到基板的薄膜的厚度变得不均匀，进而，运输基板时，因分别邻接装载腔室与卸载腔室的工序腔室的基板出入口处产生的气体流动，会降低薄膜的特性。
发明内容
(要解决的技术问题)
本发明为解决前述问题点而提出，其目的在于提供一种能够在基板上形成均匀薄膜的反应性溅射装置。
(解决问题的手段)
用于达成前述技术问题的根据本发明的反应性溅射装置，包括：基板搬送部，搬送基板；及工序腔室，对通过所述基板搬送部搬送的基板，执行反应性溅射工序，所述工序腔室，包括：2个以上的第1阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的基板的第1区域上蒸镀第1氧化物薄膜；及1个以上的第2阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的所述基板的第1区域中一部分之外的第2区域上蒸镀第2氧化物薄膜。
(发明的效果)
根据所述问题的解决工具，根据本发明的反应性溅射装置通过2个以上的第1阴极模块，在基板的第1区域形成第1氧化物薄膜，通过1个以上的第2阴极模块，在基板的第2区域追加形成第2氧化物薄膜，从而能够在基板的整个面上形成具有均匀厚度的氧化物薄膜。
除了上述本发明的效果之外，可通过以下记载的本发明的其他特征及优点，以及所述记载及说明而被本领域一般技术人员所明确理解。
附图说明
图1是呈现以往的反应性溅射装置中蒸镀到基板上的薄膜的厚度的截面图。
图2是概略性地呈现根据本发明的反应性溅射装置的图。
图3a至图3c是呈现根据图2图示的工序腔室中执行的反应性溅射工序而蒸镀到基板上的薄膜的截面图。
图4是概略性地呈现图2图示的2个以上的第1阴极模块的立体图。
图5是图4中图示的线I-I'的截面图。
图6是图4中图示的线II-II'的截面图。
图7是概略性地呈现图2中图示的1个以上的第2阴极模块的立体图。
图8是图7中图示的线III-III'的截面图。
图9是用于说明图8中图示的第1底板、第1绝缘体及第1阴极支撑部件的变形例的截面图。
图10是用于说明本发明的根据另一例的第2阴极模块的图。
图11是图10中图示的线IV-IV'的截面图。
图12是本发明的根据另一例的第2阴极模块中，用于说明根据另一例的压力稳定化部件的图。
图13是图12中图示的线V-V'的截面图。
图14是根据本发明的反应性溅射装置中，用于说明根据变形例的第1及第2阴极模块的布置结构的图。
图15是概略性地呈现本发明的根据另一例的反应性溅射装置的图。
具体实施方式
对于本说明书中使用的用语，其意思解释如下。
除了在文脉上有明确不同的意思以外，单数包含复数，“第1”、“第2”等用语只用于区分一个构成要素与另一构成要素，而不是限定本发明的权利范围。“包括”或“具有”等用语应理解为不事先排除一个或其以上的其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、附件或这些的组合的存在或附加可能性。“至少一个”应理解为包括一个以上的相关项目所能提示的所有组合。例如，“第1项目、第2项目及第3项目中的至少一个”的意思表示不仅包括各个第1项目、第2项目或第3项目之外，而且包括第1项目、第2项目及第3项目中的两个以上项目构成的所有项目的组合。“之上”表示不仅包括除了某一构成形成于其他构成的正上方之外，还包括这些构成之间介入第3构成的情况。
以下，参照附图而详细地说明根据本发明的反应性溅射装置的优选实施例。关于为各附图的构成要素附加参照符号，相同的构成要素标示在不同的附图上时，尽可能使用了相同的符号。并且，下面会说明本发明的优选实施例，判断为相关的公开构成或功能的具体说明有可能会混淆本发明的技术要旨时，省略其详细的说明。
图2是概略性地呈现根据本发明的反应性溅射装置的图。
参照2，根据本发明的反应性溅射装置包括：装载缓冲腔室110、基板搬送部120、装载转移腔室130、工序腔室140、卸载转移腔室150及卸载缓冲腔室160。
所述装载缓冲腔室110将从装载加载互锁腔室(未图示)供应的基板S搬送到装载转移腔室130。在此，以所述基板S的前面与地面垂直竖立的状态下，投入装载加载互锁腔室，根据直立移送方式搬送到装载转移腔室130。所述装载缓冲腔室110起到缓冲(或最小化)装载加载互锁腔室与装载转移腔室130之间的腔室环境如气体氛围、真空度及温度等的变化的作用。所述装载缓冲腔室110与装载加载互锁腔室之间具备闸阀(未图示)。
所述基板搬送部120分别设置于装载转移腔室130、工序腔室140及卸载转移腔室150。这种基板搬送部120根据直立搬送方式，将从装载缓冲腔室110供应的基板S水平移送到第1方向X。根据一例的基板搬送部120可包括：滚轴驱动部(未图示)，具有多个滚轴；及基板夹紧模块(未图示)，夹紧垂直竖立的基板S的上部边缘与下部边缘的状态下，根据滚轴驱动部的驱动而向第1方向X移动。
所述装载转移腔室130具备于装载缓冲腔室110与工序腔室140之间。这种装载转移腔室130起到缓冲(或最小化)装载缓冲腔室110与工序腔室140之间的腔室环境如气体氛围、真空度及温度等的变化的作用。所述装载转移腔室130具备多个第1泵送口131。所述装载转移腔室130与工序腔室140之间具备装载闸阀115。
所述工序腔室140对通过所述基板搬送部120从装载转移腔室130搬送的基板S执行反应性溅射工序而在基板S的前面蒸镀薄膜。在此，所述薄膜可以是ITO(Indium Tin Oxide-铟锡氧化物)、BZO(Boron-doped ZincOxide-硼掺杂氧化锌)、AZO(or Al:ZnO，Aluminum-doped Zinc Oxide-铝掺杂氧化锌)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide-镓掺杂氧化锌)或IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide-氧化铟镓锌)等氧化物薄膜。
根据一例的工序腔室140可包括第1至第3工序空间141、143、145。所述第1至第3工序空间141、143、145分别在工序腔室140内划分具有已设定的大小，空间上不分离而相互连接。第1工序空间141具备多个第2泵送口141a，第3工序空间145也具备多个第3泵送口145a。
附加地，所述工序腔室140的第1工序空间141，根据闸阀等，而空间上不与装载转移腔室130分离而空间上与其相连。据此，根据一例的工序腔室140包括装载转移腔室130而形成。
根据一例的工序腔室140包括：2个以上的第1阴极模块210，通过反应性溅射工序，在基板S的第1区域蒸镀第1氧化物薄膜；及1个以上的第2阴极模块220，通过反应性溅射工序，在除基板S的第1区域中的一部分之外的其余第2区域蒸镀第2氧化物薄膜。在此，基板S的第1区域可定义为用于蒸镀第1氧化物薄膜的所述基板的前面，基板S的第2区域可定义为基板S的上部与下部边缘部分之间的中间部分。
所述各个2个以上的第1阴极模块210，如图3a所图示，通过利用等离子P的反应性溅射工序而在垂直竖立的基板S的第1区域，更具体地说，在基板S的整个前面蒸镀第1氧化物薄膜TH1。根据一例的2个以上的第1阴极模块210分别包括：第1目标TG1，含有根据反应性溅射工序而被蒸镀到基板S前面的第1氧化物薄膜TH1的主要物质。在此，以垂直竖立的基板S的高度方向Z或长度方向为基准，所述第1目标TG1的高度(或长度)H2具有大于基板S的高度H1(或长度)的长度。
所述2个以上的第1阴极模块210可分别选择性地分散布置到第1至第3工序空间141、143、145。根据一例的第1阴极模块210可以是6个。此时，6个第1阴极模块210垂直竖立而与通过基板搬送部120以直立状态搬送的基板S的前面相对，分散布置到第1至第3工序空间141、143、145。例如，第1工序空间141上并列布置2个第1阴极模块210，第2工序空间143并列布置3个第1阴极模块210，第3工序空间145布置1个第1阴极模块210。
所述1个以上的第2阴极模块220，如图3b所图示，通过反应性溅射工序垂直竖立的基板S的第2区域，更具体地，在除基板S的上部及下部边缘部分(UEA、LEA)之外的其余中间部分(MA)蒸镀第2氧化物薄膜TH2。根据一例的1个以上的第2阴极模块220分别包括第2目标TG2，该第2目标由与所述第1目标TG1相同的薄膜物质构成。在此，以基板S的高度方向Z(或长度)方向为基准，所述第2目标TG2的高度(或长度)H3具有相对短于所述第1目标TG1的高度H2(或长度)的长度，具有短于基板S的高度H1(或长度)的长度。
所述1个以上的第2阴极模块220起到辅助蒸镀源的作用，根据通过第1阴极模块210的反应性溅射工序，仅在蒸镀到基板S的第1氧化物薄膜TH1的厚度形成得相对较薄的区域追加蒸镀第2氧化物薄膜TH2。即，第2阴极模块220在根据第1阴极模块210的反应性溅射工序时，在除基板S的上部及下部边缘部分(UEA、LEA)的其余中间区域(MA)，完善(或补偿)以相对薄的厚度形成的薄膜的厚度，如图3c所图示，蒸镀到基板S的薄膜的厚度整体上变得均匀。为此，优选地，将所述第2阴极模块220的个数设定为小于第1阴极模块210的个数。
所述1个以上的第2阴极模块220可布置于第3工序空间145，这种情况下，可布置于第3工序空间145的第1阴极模块210的后方部。在此，所述第1阴极模块210的后方部可定义为：以基板S的搬送方向为基准，邻接卸载转移腔室150的工序腔室140的后方部。
所述卸载转移腔室150具备于工序腔室140与卸载缓冲腔室160之间。这种卸载转移腔室150起到缓冲(或最小化)工序腔室140与卸载缓冲腔室160之间的腔室环境如气体氛围、真空度及温度等的变化的作用。所述卸载转移腔室150上具备多个第4泵送口151。
附加地，所述卸载转移腔室150与所述工序腔室140在空间上不分离而相连。即，所述卸载转移腔室150与工序腔室140的第3工序空间145空间上相连。据此，根据一例的工序腔室140包括卸载转移腔室150而形成。
所述卸载缓冲腔室160将通过工序腔室140与卸载转移腔室150供应的基板S搬送到卸载加载互锁腔室(未图示)，搬送到外部的基板卸载装置。这种所述卸载缓冲腔室160起到缓冲(或最小化)卸载转移腔室150与卸载加载互锁腔室(或外部)之间的腔室环境如如气体氛围、真空度及温度等的变化的作用。所述卸载转移腔室160与所述卸载缓冲腔室160之间具备卸载闸阀155。
如所述的根据本发明的反应性溅射装置将直立状态的基板S搬送到工序腔室140并分别利用具备于工序腔室140的阴极模块210、220的反应性溅射工序，在通过工序腔室140的基板S上形成氧化物薄膜。具体地，根据本发明的反应性溅射装置如图3a至图3c所图示，利用2个以上的第1阴极模块210为主蒸镀源，在基板S的前面形成第1氧化物薄膜TH1，将1个以上的第2阴极模块220利用为辅助蒸镀源，在除基板S的上部及下部边缘部分(UEA、LEA)的其余中间区域(MA)追加形成第2氧化物薄膜TH2，从而能够在基板S的前面形成具有均匀厚度的氧化物薄膜。即，根据本发明的反应性溅射装置中，以垂直竖立的基板S的长度为基准，包括长度大于基板S的第1目标TG1的2个以上的第1阴极模块210为主蒸镀源，包括长度短于基板S的第2目标TG2的1个以上的第2阴极模块220为辅助蒸镀源，从而能够在基板S上形成均匀厚度的氧化物薄膜。
图4是概略性地呈现图2图示的2个以上的第1阴极模块的立体图，图5是图4中图示的线I-I'的截面图，图6是图4中图示的线II-II'的截面图。
参照图4至图6，根据一例的2个以上的第1阴极模块210分别起到通过反应性溅射工序而在基板S的整个前面蒸镀第1氧化物薄膜的主蒸镀源的作用。为此，根据一例的2个以上的第1阴极模块210分别包括：第1基底板211、第1背板212、第1绝缘体213、第1阴极支撑部件214、第1目标TG1、第1接地护罩框架215、第1气体喷射框架216、第1粒子护罩框架217及第1磁铁模块218。
所述第1底板211起到支撑第1背板212与第1绝缘体213的作用。这种第1底板211的前面与地面垂直地竖立，与根据所述基板搬送部120搬送的基板S的前面相对。
所述第1背板212与第1底板211的前面结合而支撑第1目标TG1。此时，第1背板212，以基板S的长度方向X为基准，具有大于基板S的长度。这种第1背板212电气性地连接到外部电源(未图示)如DC电源、AC电源或RF电源，据此，接收从外部电源供应的等离子电源。
所述第1目标TG1，以基板S的长度方向X为基准，具有大于基板S的长度，可结合(或附着)到除第1背板212的前面边缘部分之外的其余中间部分。这种第1目标TG1包括根据反应性溅射工序蒸镀到基板S的前面的第1氧化物薄膜的主要物质。
所述第1绝缘体213设置于第1底板211的前面边缘部分，与所述第1背板212的各侧面具有预先设定的间隙(Gap)而围住第1背板212的各侧面。根据一例的第1绝缘体213可形成为具备用于插入第1背板212的开口部的四角带形态。
所述第1阴极支撑部件214结合到所述第1绝缘体213的上面的同时，结合到工序腔室140的腔室壁，支撑第1背板212。根据一例的第1阴极支撑部件214可包括：第1支撑部，具备用于插入第1背板212的开口部的四角带形态；及第2支撑部，从第1支撑部形成为阶梯形态而结合到腔室壁。
所述第1接地护罩框架215从所述第1目标TG1的各侧面，具有已设定的间隙(Gap)且设置于第1阴极支撑部件214的前面边缘部分，即第1支撑部的上面，而围住所述第1目标TG1的各侧面。根据一例的第1接地护罩框架215可形成为具有对应于第1目标TG1的前面大小的开口部的四角带形态。此时，第1接地护罩框架215不与第1目标TG1及第1背板212电气性接触。
所述第1气体喷射框架216在反应性溅射工序时，将工序气体喷射到第1目标TG1的前面，使得从第1目标TG1放出的目标粒子及根据反应性气体的反应性的第1氧化物薄膜蒸镀到基板S上。所述第1气体喷射框架216设置于第1接地护罩框架215的上面。例如，所述第1气体喷射框架216可形成为具有对应于除第1接地护罩框架215的前面边缘部分的剩余部分的大小的开口部的四角带形态。
根据一例的第1气体喷射框架216包括多个气体喷射口216b，将从工序气体供应装置(未图示)通过气体供应管(未图示)供应的，用于供应到气体缓冲空间216a及气体缓冲空间216a的工序气体喷射到第1目标TG1的前面上。
所述工序气体供应装置将用于等离子发生的由氩气体等非活性气体形成的放电气体及用于氧化物薄膜的蒸镀的由反应性气体的混合气体形成的工序气体供应到气体缓冲空间216a。例如，所述反应性气体包括蒸镀到基板S的第1氧化物薄膜的一部分物质，与第1目标TG1的目标粒子产生反应性而形成最终第1氧化物薄膜的氧O2气体或氮N2气体，但并不限定于此，根据蒸镀到基板S的第1氧化物薄膜的物质，可以是氢气(H2)、氢气(H2)与氮气(N2)的混合气体、一氧化二氮(N2O)气体、氨气(NH3)气体或臭氧(O3)气体。
所述多个气体喷射口216b以固定的间隔形成而贯通第1气体喷射框架216的内侧壁而连通到气体缓冲空间216a。此时，所述多个气体喷射口216b可在第1气体喷射框架216的内侧壁具备至少一列。在此，为了使喷射到第1目标TG1上的工序气体的流动变得均匀，优选地，所述多个气体喷射口216b形成于与第1目标TG1的长度方向并列的第1气体喷射框架216的一侧及另一侧的内侧壁。
所述第1粒子护罩框架217设置于所述第1气体喷射框架216的上面而以已设定的固定幅度覆盖第1目标TG1的前面边缘部分。根据一例的第1粒子护罩框架217形成为具有对应于除第1目标TG1的前面边缘部分的其余部分前面大小的开口部的四角带形态。这种第1粒子护罩框架217通过防止从第1目标TG1以相对低的角度放出的低角度飞散粒子蒸镀到基板S上，从而提高蒸镀到基板S的薄膜的特性。
一般地说，溅射工序时，从目标溅射的粒子根据余弦(cosine)法则而飞散，飞散的粒子中以低角度飞散的粒子蒸镀到基板S时，会降低薄膜特性。因此，所述第1粒子护罩框架217设置于所述第1气体喷射框架216的上面而覆盖第1目标TG1的前面边缘部分，从而隔绝从第1目标TG1以相对较低的角度放出的低角度飞散粒子移动到基板S处。
所述第1磁铁模块218可移动地布置于所述第1底板211的后面。这种第1磁铁模块218在反应性溅射工序时，以固定的周期，在第1底板211的后面水平往返移送而在第1目标TG1的表面形成磁场，使得第1目标TG1的整个面积的侵蚀(Erosion)量变得均匀，最大化第1目标TG1的使用效率。并且，第1磁铁模块218通过磁场而在第1目标TG1的表面发生高密度等离子，提高蒸镀到基板S上的薄膜的蒸镀速度。根据一例的第1磁铁模块218包括第1磁铁阵列218a及第1磁铁移送工具218b。这种第1磁铁模块218可设置于具备于第1底板211后面的后面盖219的内侧面。
所述第1磁铁阵列218a包括以固定间隔布置的多个N极性磁铁及布置于多个N极性磁铁之间的多个S极性磁铁。此时，多个N极性磁铁与多个S极性磁铁沿着第1目标TG1的宽度方向Y而交替布置。这种第1磁铁阵列218a在第1目标TG1的表面形成磁场而约束电子，提高等离子的密度而增加薄膜的蒸镀率。
所述第1磁铁移送工具218b设置于第1底板211的后面即后面盖219的内侧面而可移动地支撑第1磁铁阵列218a，沿着第1目标TG1的宽度方向Y水平往返移送磁铁阵列218a。此时，第1磁铁移送工具218b可根据直线电机(Linear Motor)方式、利用马达与球头螺钉(Ball Screw)的球头螺钉方式、利用马达与齿条齿轮(Rack Gear)及行星齿轮(Pinion Gear)的齿轮方式及利用液压缸或气压缸的汽缸方式移送第1磁铁阵列218a。
如所述的2个以上的第1阴极模块210分别在反应性溅射工序时，根据施加到第1背板212的等离子电源而在基板S与第1目标TG1之间发生等离子，通过第1气体喷射框架216而将工序气体喷射到等离子发生区域，与根据等离子而从第1目标TG1放出的目标粒子通过反应性气体的反应性而在基板S的整个前面蒸镀第1氧化物薄膜。
图7是概略性地呈现图2中图示的1个以上的第2阴极模块的立体图，图8是图7中图示的线III-III'的截面图。并且，图7中图示的线I-I'的截面图已在图5中图示。
结合图7及图8，根据一例的1个以上的第2阴极模块220起到辅助蒸镀源的作用，分别通过反应性溅射工序而在基板S的除基板S的上部及下部边缘部分的中间部分蒸镀第2氧化物薄膜。为此，根据一例的1个以上的第2阴极模块220分别包括第2底板221、第2背板222、第2绝缘体223、第2阴极支撑部件224、第2目标TG2、第2接地护罩框架225、第2气体喷射框架226、第2粒子护罩框架227及第2磁铁模块228。
所述第2底板221起到支撑第2背板222与第2绝缘体223的作用。这种第2底板221的前面与地面垂直地竖立而与通过所述基板搬送部120搬送的基板S的前面相对。这种第2底板221可具有与第1阴极模块210的第1底板211相同的形态。
所述第2背板222结合到第2底板221的前面而支撑第2目标TG2。此时，第2背板222以基板S的长度方向X为基准，具有相对短于第1背板212的长度，且具有短于基板S的长度。这种第2背板222电气性地连接到外部电源(未图示)，例如DC电源、AC电源或RF电源，据此，施加从外部电源供应的等离子电源。
所述第2目标TG2，以基板S的长度方向X为基准，具有相对短于第1目标TG1的长度，且具有短于基板S的长度，结合(或粘贴)到除第2背板222的前面边缘部分的其余中间部分。此时，与基板S的长度方向X并列的第2目标TG2的长度方向中心部与基板S的长度方向的中心部重叠，第2目标TG2的长度方向X的两末端(US，LS)从基板S的两末端以已设定的间隔隔离。即，以第2目标TG2的长度方向X为基准，第2目标TG2的上侧面US与下侧面LS分别从第2背板222的侧面以已设定的间隔隔离。据此，第2目标TG2与定义为直立状态搬送的基板S的上部边缘部分与下部边缘部分之间的基板S的中间部分直接相对。
所述第2目标TG2由与所述第1目标TG1相同的薄膜物质构成。即，第2目标TG2除了具有短于基板S的长度方向长度的长度之外，具有与所述第1目标TG1相同的构成。如所述的第2阴极模块220起到辅助蒸镀源的作用，将用于完善或统一化根据第1阴极模块210蒸镀的第1氧化物薄膜的厚度偏差的第2氧化物薄膜追加形成于基板S的中间部分。
所述第2绝缘体223设置于第2底板221的前面边缘部分，从所述第2背板222的各侧面具有已设定的间隙(Gap)且围住第2背板222的各侧面。根据一例的第2绝缘体223可形成为具有插入第2背板222的开口部的四角带形态。
所述第2阴极支撑部件224随着与所述第2绝缘体223的上面结合，结合到工序腔室140的腔室壁而支撑第2背板222。根据一例的第2阴极支撑部件224可包括具有插入第2背板222的开口部的四角带形态的第3支撑部，及从第3支撑部以阶梯形态形成而结合到腔室壁的第4支撑部。
所述第2接地护罩框架225形成于第2阴极支撑部件224的前面边缘部分，即第3支撑部的上面，使得从所述第2目标TG2的各侧面具有已设定的间隙(Gap)且围住所述第2目标TG2的各侧面。
根据一例的第2接地护罩框架225可形成为具有对应于第2目标TG2的前面大小的开口部的四角带形态。此时，第2接地护罩框架223具有与第1阴极模块210的第1接地护罩框架215相同的形态，上侧部与下侧部分别具有向第2目标TG2的上侧面US及下侧面LS处分别突出的形态。例如，第2接地护罩框架223的上侧部与下侧部分别具有相对宽于左侧部及右侧部的宽度，覆盖由具有相对短于第1目标TG1的长度的第2目标TG2暴露的第2背板222的上侧及下侧边缘部分。如此，所述的第2接地护罩框架225不与第2目标TG2及第2背板222电气性地接触。
所述第2气体喷射框架226在反应性溅射工序时，将工序气体喷射到第2目标TG2的前面与第2接地护罩框架225上，使得从第2目标TG2放出的目标粒子与根据反应性气体的反应的第2氧化物薄膜蒸镀到基板S。所述第2气体喷射框架226设置于第2接地护罩框架225的上面。例如，所述第2气体喷射框架226可形成为具有对应于除第2接地护罩框架225的前面边缘部分的其余部分的大小的开口部的四角带形态。
根据一例的第2气体喷射框架226包括多个气体喷射口226b，将从工序气体供应装置(未图示)通过气体供应管(未图示)供应的，用于供应到气体缓冲空间226a及气体缓冲空间226a的工序气体喷射到第2目标TG2的前面及第2接地护罩框架225上。这种第2气体喷射框架226具有与第1阴极模块210的第1气体喷射框架216相同的形态。即，根据目标TG1、TG2的大小，第1及第2气体喷射框架216、226具有互不相同的形态，更具体地，可具有互不相同大小的开口部，这种情况下，会对形成于邻接的阴极模块210、220的气体分布产生影响，据此，以阴极模块210、220的长度方向为基准，两个边缘部分的气体分布会变得不均匀。据此，优选地，第2气体喷射框架226具有与第1气体喷射框架216的开口部相同大小的开口部。因此，所述第1及第2气体喷射框架216、226分布具有相同大小的开口部，向根据所述开口部定义的区域喷射所述工序气体。
所述第2粒子护罩框架227设置于所述第2气体喷射框架226的上面而以已设定的固定宽度覆盖第2目标TG2的前面边缘部分。根据一例的第2粒子护罩框架227形成为对应于除第2目标TG2的前面边缘部分的其余前面大小的开口部的四角带形态。这种第2粒子护罩框架227与第1阴极模块210的第1粒子护罩框架217相同地，防止从第2目标TG2以相对低的角度放出的低角度飞散粒子蒸镀到基板S，提高蒸镀到基板S的薄膜的特性。
所述第2磁铁模块228在反应性溅射工序时，以固定的周期，在第2底板221的后面水平往返移送而在第2目标TG2的表面形成磁场，包括第2磁铁阵列228a及第2磁铁移送工具228b。这种第2磁铁模块228可设置于具备于第2底板221的后面的后面盖229的内侧面。
所述第2磁铁阵列228a包括以固定间隔布置的多个N极性磁铁及在多个N极性磁铁每个之间布置的多个S极性磁铁。此时，多个N极性磁铁与多个S极性磁铁可沿着第2目标TG2的宽度方向Y交替布置。这种第2磁铁阵列228a在第2目标TG2的表面形成磁场而约束电子，从而提高等离子的密度而增加薄膜的蒸镀率。
所述第2磁铁移送工具228b设置于第2底板221的后面，即后面盖229的内侧面，可移动地支撑第2磁铁阵列228a，沿着第2目标TG2的宽度方向Y水平往返移送第2磁铁阵列228a。此时，第2磁铁移送工具228b可通过直线电机(Linear Motor)方式、利用马达与球头螺钉(Ball Screw)的球头螺钉方式、利用马达与齿条齿轮(Rack Gear)及行星齿轮(PinionGear)的齿轮方式及利用液压缸或气压缸的汽缸方式移送第2磁铁阵列228a。
如所述的1个以上的第2阴极模块220在反应性溅射工序时，根据施加到第2背板222的等离子电源而在基板S与第2目标TG2之间发生等离子，通过第2气体喷射框架226将工序气体喷射到等离子发生区域，根据等离子而从第2目标TG2放出的目标粒子与反应性气体的反应，在基板S的中间部分追加蒸镀第2氧化物薄膜。
另外，前述的第2阴极模块220中，以第2目标TG2的长度方向X为基准，第2底板221的长度如图9所图示，缩短为相比第1目标TG1缩短的第2目标TG2的长度。因此，第2绝缘体223的长度也缩短为相比第1目标TG1缩短的第2目标TG2的长度。而且，随着第2底板221与第2绝缘体223的缩短，所述第2阴极支撑部件224的第3支撑部形成为相对宽的宽度。
图10是用于说明本发明的根据另一例的第2阴极模块的图，图11是图10中图示的线IV-IV'的截面图。并且，图10中图示的线I-I'的截面图已在图5中图示。
结合图10及图11，本发明的根据另一例的第2阴极模块220包括：第2底板221、第2背板222、第2绝缘体223、第2阴极支撑部件224、第2目标TG2、第2接地护罩框架225、第2气体喷射框架226、第2粒子护罩框架227、第2磁铁模块228及压力稳定化部件230。所述第2阴极模块220中，除了压力稳定化部件230之外的其他构成与图5及图7至图9所图示的相同，因此省略对此的重复说明，以下只说明压力稳定化部件230。
根据一例的压力稳定化部件230包括分别覆盖所述第2目标TG2的上部及下部边缘部分的第1及第2压力稳定化护罩232、234。
所述第1压力稳定化护罩232布置成与第2目标TG2的上部边缘部分重叠，稳定化第2目标TG2的上部周边的气体流动(例如，反应性气体的流动)及分压比，使得喷射到第2目标TG2的气体的压力比(例如，反应性气体的压力比)变得均匀，使得蒸镀到基板S的薄膜的特性变得均匀，防止对等离子未发生区域的污染。根据一例的第1压力稳定化护罩232包括第1前面护罩232a及第1侧面护罩232b构成，具有字形态的截面。
所述第1前面护罩232a形成为与第2目标TG2的前面并列的平板形态，覆盖第2目标TG2的前面上部边缘部分。例如，第1前面护罩232a以固定宽度D1覆盖与第2目标TG2的上侧面US相接的上部边缘部分，稳定化发生在第2目标TG2上的等离子发生区域的工序气体的流动，使得喷射到第2目标TG2上的反应性气体的压力比变得均匀。
所述第1前面护罩232a结合到与第2目标TG2的前面上部边缘部分重叠的第2粒子护罩框架227的下面。此时，优选地，第1前面护罩232a的上面与第2气体喷射框架226的上面位于相同的水平线上。所述第1前面护罩232a可通过多个第1螺钉233而结合到第2粒子护罩框架227的下面，这种情况下，与第1前面护罩232a重叠的第2粒子护罩框架227上形成用于插入多个第1螺钉233的多个第1插入孔227a。
所述第1侧面护罩232b与第1前面护罩232a垂直地形成而与第2目标TG2的上侧面US并列。此时，第1侧面护罩232b优选布置在具备于第2气体喷射框架226的气体喷射口226b之间，从而不会妨碍从第2气体喷射框架226喷射到第2目标TG2上的气体的流动。这种第1侧面护罩232b垂直布置而邻接到第2目标TG2的上侧面US，隔绝从第2气体喷射框架224向第2接地护罩框架225上喷射的气体流动到第2目标TG2的上部边缘部分上。即，所述第1侧面护罩232b因第2目标TG2的短的长度，能够均匀地维持第2阴极模块220中发生的对等离子未发生区域的气体的流动及压力，从而防止对等离子未发生区域的污染。
另外，所述第1压力稳定化护罩232中所述第1侧面护罩232b可通过焊接等而结合到第2粒子护罩框架227的下面，这种情况下，可省略所述第1前面护罩232a。
所述第2压力稳定化护罩234与第2目标TG2的下部边缘部分重叠地布置而稳定化第2目标TG2的下部周边的气体流动及分压比，使得喷射到第2目标TG2上的气体的压力比例如，反应性气体的压力比变得均匀，使得蒸镀到基板S的薄膜的特性变得均匀，防止对等离子未发生区域的污染。根据一例的第2压力稳定化护罩234包括第2前面护罩234a及第2侧面护罩234b，以第2目标TG2的中心部为基准，具有与第1压力稳定化护罩232对称的字形态的截面。
所述第2前面护罩234a形成为与第2目标TG2的前面并列的平板形态，覆盖第2目标TG2的前面下部边缘部分。例如，第2前面护罩234a以固定宽度D1覆盖与第2目标TG2的下侧面LS相接的下部边缘部分，稳定化发生在第2目标TG2上的等离子发生区域的工序气体的流动，使得喷射到第2目标TG2上的反应性气体的压力比变得均匀。
所述第1前面护罩234a结合到与第2目标TG2的前面下部边缘部分重叠的第2粒子护罩框架227的下面。此时，优选地，第2前面护罩234a的上面与第2气体喷射框架226的上面位于相同的水平线上。所述第2前面护罩234a可通过多个第2螺钉235而结合到第2粒子护罩框架227的下面，这种情况下，与第2前面护罩234a重叠的第2粒子护罩框架227上形成用于插入多个第2螺钉235的多个第2插入孔227b。
所述第2侧面护罩234b与第2前面护罩234a垂直地形成而与第2目标TG2的下侧面LS并列。此时，第2侧面护罩234b优选布置在具备于第2气体喷射框架226的气体喷射口226b之间，从而不会妨碍从第2气体喷射框架226喷射到第2目标TG2上的气体的流动。这种第2侧面护罩234b垂直布置而邻接到第2目标TG2的下侧面LS，隔绝从第2气体喷射框架224向第2接地护罩框架225上喷射的气体流动到第2目标TG2的下部边缘部分上。即，所述第2侧面护罩234b因第2目标TG2的短的长度，能够均匀地维持第2阴极模块220中发生的对等离子未发生区域的气体的流动及压力，从而防止对等离子未发生区域的污染。
另外，所述第2压力稳定化护罩234中所述第2侧面护罩234b可通过焊接等而结合到第2粒子护罩框架227的下面，这种情况下，可省略所述第2前面护罩234a。
图12是本发明的根据另一例的第2阴极模块中，用于说明根据另一例的压力稳定化部件的图，图13是图12中图示的线V-V'的截面图。并且，图12中图示的线I-I'的截面图已在图5中图示。
根据另一例的压力稳定化部件230包括分别覆盖所述第2目标TG2的上部及下部边缘部分的第1及第2压力稳定化护罩232、234。
根据另一例的第1压力稳定化护罩232包括第1前面护罩232a、第1侧面护罩232b及第1侧面突出护罩232c构成，具有字形态的截面。这种第1压力稳定化护罩232除了还包括第1侧面突出护罩232c之外，其余都与图10及图11图示的第1压力稳定化护罩相同，因此省略对第1前面护罩232a及第1侧面护罩232b的重复说明。
所述第1侧面突出护罩232c从第1侧面护罩232b的上面长长地延长而与第2粒子护罩框架227的上面垂直地突出。这种第1侧面突出护罩232c在第2粒子护罩框架227的上面以固定高度突出，追加隔绝从第2气体喷射框架224喷射到第2接地护罩框架225上的气体流动到第2目标TG2的上部边缘部分上。即，所述第1侧面突出护罩232c因第2目标TG2的短的长度，能够均匀地维持第2阴极模块220中发生的对等离子未发生区域的气体的流动及压力，从而防止对等离子未发生区域的污染。
与所述第1侧面突出护罩232c重叠的第2粒子护罩框架227上形成由第1侧面突出护罩232c垂直贯通的第1狭缝227c。
根据另一例的第2压力稳定化护罩234包括第2前面护罩234a、第2侧面护罩234b及第2侧面突出护罩234c而构成，具有字形态的截面。这种第2压力稳定化护罩234除了还包括第2侧面突出护罩234c之外，其余都与图10及图11图示的第2压力稳定化护罩相同，因此省略对第2前面护罩234a及第2侧面护罩234b的重复说明。
所述第2侧面突出护罩234c从第2侧面护罩232b的上面长长地延长而与第2粒子护罩框架227的上面垂直地突出。这种第1侧面突出护罩232c在第2粒子护罩框架227的上面以固定高度突出，追加隔绝从第2气体喷射框架224喷射到第2接地护罩框架225上的气体流动到第2目标TG2的上部边缘部分上。即，所述第2侧面突出护罩234c因第2目标TG2的短的长度，能够均匀地维持第2阴极模块220中发生的对等离子未发生区域的气体的流动及压力，从而防止对等离子未发生区域的污染。
与所述第2侧面突出护罩234c重叠的第2粒子护罩框架227上形成由第2侧面突出护罩234c垂直贯通的第2狭缝227d。
如所述的根据另一例的压力稳定化部件230利用向第2粒子护罩框架227的上面突出的第1及第2第2压力稳定化护罩232、234的侧面突出护罩232c、234c而更能均匀地维持对第2阴极模块220的等离子未发生区域的气体的流动及压力，从而更能防止对等离子未发生区域的污染。
另外，前述的说明中，第1及第2阴极模块210、220是沿着基板S的搬送方向，以第1阴极模块210、第2阴极模块220的顺序布置，但并不限定于此，第1及第2阴极模块210、220的布置结构可变更为多种形态。
图14是根据本发明的反应性溅射装置中，用于说明根据变形例的第1及第2阴极模块的布置结构的图。
结合图14的(a)与图2，根据一变形例的第1及第2阴极模块210、220可沿着基板S的搬送方向X，以第2阴极模块220、第1阴极模块210的顺序布置。例如，以基板S的搬送方向X为基准，工序腔室的第1工序空间141上可并列布置一个第2阴极模块220及一个第1阴极模块210，工序腔室的第2工序空间143上可并列布置三个第1阴极模块210，工序腔室的第3工序空间145上可并列布置两个第1阴极模块210。这种情况下，根据本发明的反应性溅射装置通过利用一个第2阴极模块220的反应性溅射工序而首先在基板S的中间部分形成第2氧化物薄膜之后，通过利用六个第1阴极模块210的反应性溅射工序而在基板S的全面形成第1氧化物薄膜，从而在基板S的全面以均匀的厚度形成氧化物薄膜。
结合图14的(b)与图2，根据其他变形例的第1及第2阴极模块210、220可沿着基板S的搬送方向X而以第1阴极模块210、第2阴极模块220及第1阴极模块210的顺序布置。例如，以基板S的搬送方向X为基准，工序腔室的第1工序空间141上可并列布置两个第1阴极模块210，工序腔室的第2工序空间143上可并列布置三个第2阴极模块220，工序腔室的第3工序空间145上可并列布置两个第1阴极模块210。这种情况下，根据本发明的反应性溅射装置通过利用两个第1阴极模块210的反应性溅射工序而首先在基板S的全面形成第1氧化物薄膜之后，通过利用三个第2阴极模块220的反应性溅射工序而在基板S的中间部分追加形成第1氧化物薄膜，并通过利用两个第1阴极模块210的反应性溅射工序而在基板S的全面形成第1氧化物薄膜，从而在基板S的全面以均匀的厚度形成氧化物薄膜。
结合图14的(c)与图2，根据另一变形例的第1及第2阴极模块210、220沿着基板S的搬送方向X，可交替布置第1阴极模块210及第2阴极模块220。例如，以基板S的搬送方向X为基准，工序腔室上可交替布置四个第1阴极模块210及三个第2阴极模块220。这种情况下，根据本发明的反应性溅射装置通过交替执行通过利用第1阴极模块210的反应性溅射工序而在基板S的全面形成第1氧化物薄膜的工序及通过利用第2阴极模块220的反应性溅射工序而在基板S的中间部分追加形成第1氧化物薄膜的工序，从而在基板S的全面以均匀的厚度形成氧化物薄膜。
图15是概略性地呈现本发明的根据另一例的反应性溅射装置的图，其在图2至图14图示的本发明的根据一例的反应性溅射装置上增加了气流稳定化部件。据此，以下仅说明气流稳定化部件。
参照图15，所述气流稳定化部件170分别设置在邻接所述工序腔室140的所述装载转移腔室130及所述卸载转移腔室150，通过最小化工序腔室140与转移腔室130、150之间的气体流动而稳定化气体流动。根据一例的气流稳定化部件170包括第1及第2气体注入部171、173。
所述第1气体注入部171设置于邻接工序腔室140的装载转移腔室130，喷射从外部的气体供应装置供应的工序气体。在此，第1气体注入部171可由放电气体与反应性气体的混合气体构成。这种第1气体注入部171稳定化以基板的装载侧为基准而布置在工序腔室140的最外廓布置的阴极模块与装载闸阀115之间流动的工序腔室140内部的气体流动。即，所述第1气体注入部171在开放装载闸阀115时，能够最小化装载转移腔室130与工序腔室140之间的气体流动而稳定化气体流动。
所述第2气体注入部173设置于邻接工序腔室140的卸载转移腔室150而喷射从外部的气体供应装置供应的工序气体。在此，第2气体注入部173可由放电气体与反应性气体的混合气体构成。这种第2气体注入部173稳定化以基板的装载侧为基准而布置在工序腔室140的最外廓布置的阴极模块与卸载闸阀155之间流动的工序腔室140内部的气体流动。即，所述第2气体注入部173在开放卸载闸阀155时，能够最小化工序腔室140与卸载转移腔室150之间的气体流动而稳定化气体流动。
追加地，所述气流稳定化部件170还包括第1及第2隔壁构造物175、177。
所述第1隔壁构造物175设置于邻接所述第1气体注入部171的装载转移腔室130，从而实现根据基板搬送部120的基板S的搬送。这种第1隔壁构造物175通过定义根据由第1气体注入部171喷射的工序气体形成的气流稳定化区域而最小化装载转移腔室130与工序腔室140之间的气体流动。
所述第2隔壁构造物177设置于邻接所述第2气体注入部173的卸载转移腔室150，从而实现根据基板搬送部120的基板S的搬送。这种第2隔壁构造物177通过定义根据由第2气体注入部173喷射的工序气体形成的气流稳定化区域而最小化卸载转移腔室150与工序腔室140之间的气体流动。
如所述的本发明的根据另一例的反应性溅射装置，根据闸阀115、155的开放的工序腔室140与转移腔室130、150之间的气体流动通过气流稳定化部件170而变得更加稳定，能够提高蒸镀在基板S上的氧化物薄膜的膜质。
另外，反应性溅射装置如图2及图15所图示，布置成一列而使各腔室形成内嵌形态，并不限定于此，为了提高薄膜蒸镀工序的生产力，可布置成两列以上而使各腔室形成内嵌形态。此时，装载缓冲腔室110与卸载缓冲腔室160可共同连接到分别以两列以上布置的各转移腔室。
并且，反应性溅射装置中说明了缓冲腔室110、160与工序腔室140之间布置转移腔室140、150，并不限定于此，可省略转移腔室140、150。
并且，前述的说明中，基板S通过直立移送方式移送，并不限定于此，也可采用水平移送方式，这种情况下，前述的各阴极模块210、220布置为水平状态而与以水平移送方式移送的基板S的前面相对。
以上说明的本发明并不限定于前述的实施例及附图，在本发明所属技术领域具有一般知识的人能够不脱离本发明技术思想的范围内，进行多种置换、变形及变更，因此，本发明的范围通过后述的专利权利要求范围所呈现，通过专利权利要求范围的意思及范围，以及其均等概念导出的所有变更或改造的形态都包括在本说明书的范围之内。
符号说明
110：装载缓冲腔室 120：基板搬送部
130：装载转移腔室 140：工序腔室
150：卸载转移腔室 160：卸载缓冲腔室
211：第1底板 212：第1背板
213：第1绝缘体 214：第1阴极支撑部件
215：第1接地护罩框架 216：第1气体喷射框架
217：第1粒子护罩框架 221：第2底板
222：第2背板 223：第2绝缘体
224：第2阴极支撑部件 225：第2接地护罩框架
226：第2气体喷射框架 227：第2粒子护罩框架
230：压力稳定化部件 232：第1压力稳定化护罩
234：第2压力稳定化护罩 170：气流稳定化部件
171：第1气体注入口 173：第2气体注入口
175：第1隔壁构造物 177：第2隔壁构造物

Claims (17)

1.一种反应性溅射装置，其特征在于，包括：
基板搬送部，搬送基板；及
工序腔室，对通过所述基板搬送部搬送的基板，执行反应性溅射工序，
所述工序腔室，包括：
2个以上的第1阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的基板的第1区域上蒸镀第1氧化物薄膜；及
1个以上的第2阴极模块，用于在通过所述基板搬送部搬送的所述基板的第1区域中一部分之外的第2区域上蒸镀第2氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述基板的第1区域被定义为蒸镀所述第1氧化物薄膜的所述基板的前面整体，
所述基板(S)的第2区域被定义为所述基板的上部与下部边缘部分之间的中间部分。
3.根据权利要求1所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述第2阴极模块的个数少于所述第1阴极模块。
4.根据权利要求1所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述2个以上的第1阴极模块包括长度大于所述基板的第1目标，
所述1个以上的第2阴极模块包括长度小于所述第1目标的第2目标。
5.根据权利要求4所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述2个以上的第1阴极模块，包括：
第1背板，与所述第1目标结合；
第1接地护罩框架，与所述第1目标的侧面隔离并围住所述第1目标的侧面；及
第1气体喷射框架，设置于所述第1接地护罩框架，将所述工序气体喷射到所述第1目标上。
6.根据权利要求5所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述2个以上的第1阴极模块还包括：第1粒子护罩框架，布置于所述第1气体喷射框架上，覆盖所述第1目标的前面边缘部分。
7.根据权利要求5所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述1个以上的第2阴极模块，包括：
第2背板，与所述第2目标结合；
第2接地护罩框架，与所述第2目标的侧面隔离并围住所述第2目标的侧面；及
第2气体喷射框架，设置于所述第2接地护罩框架，将所述工序气体喷射到所述第2目标上。
8.根据权利要求7所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述1个以上的第2阴极模块还包括：第2粒子护罩框架，布置于所述第2气体喷射框架上，覆盖所述第2目标的前面边缘部分。
9.根据权利要求4所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述2个以上的第1阴极模块包括将所述工序气体喷射到所述第1目标上的第1气体喷射框架，
所述1个以上的第2阴极模块包括将所述工序气体喷射到所述第2目标上的第2气体喷射框架，
所述第1气体喷射框架及第2气体喷射框架分别具有相同大小的开口部，向根据所述开口部定义的区域喷射所述工序气体。
10.根据权利要求7所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述1个以上的第2阴极模块还包括：压力稳定化部件，以与所述基板的长度方向并列的第2目标的长度方向为基准，分别覆盖所述第2目标的上部及下部边缘部分。
11.根据权利要求10所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述压力稳定化部件，包括：
第1压力稳定化护罩，布置为邻接所述第2目标的上侧面；及
第2压力稳定化护罩，布置为邻接所述第2目标的下侧面。
12.根据权利要求11所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述1个以上的第2阴极模块还包括：第2粒子护罩框架，布置于所述第2气体喷射框架上，覆盖所述第2目标的前面边缘部分，
所述第1压力稳定化护罩包括：第1侧面护罩，垂直地形成而与所述第2目标的上侧面并列并结合到所述第2粒子护罩框架，
所述第2压力稳定化护罩包括：第2侧面护罩，垂直地形成而与所述第2目标的下侧面并列并结合到所述第2粒子护罩框架。
13.根据权利要求12所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述第1压力稳定化护罩还包括：第1突出侧面护罩，从所述第1侧面护罩长长地延长而向所述第2粒子护罩框架的上面突出，
所述第2压力稳定化护罩还包括：第2突出侧面护罩，从所述第2侧面护罩长长地延长而向所述第2粒子护罩框架的上面突出。
14.根据权利要求1至13任一所述的反应性溅射装置，其特征在于，还包括：
装载缓冲腔室，装载所述基板；
装载转移腔室，布置于所述装载缓冲腔室与所述工序腔室之间；
卸载缓冲腔室，卸载所述基板；
卸载转移腔室，布置于所述卸载缓冲腔室与所述工序腔室之间；及
气流稳定化部件，分别设置于邻接所述工序腔室的所述装载转移腔室及所述卸载转移腔室。
15.根据权利要求14所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述气流稳定化部件，包括：
第1气体注入部，设置于邻接所述工序腔室的所述装载转移腔室，喷射所述工序气体；及
第2气体注入部，设置于邻接所述工序腔室的所述卸载转移腔室，喷射所述工序气体。
16.根据权利要求15所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述工序气体为包括所述氧化物薄膜的部分物质的反应性气体及用于等离子放电的放电气体的混合气体。
17.根据权利要求15所述的反应性溅射装置，其特征在于，
所述气流稳定化部件，还包括：
第1隔壁构造物，设置于邻接所述工序腔室的所述装载转移腔室，定义根据所述第1气体注入部形成的气流稳定化区域；及
第2隔壁构造物，设置于邻接所述工序腔室的所述卸载转移腔室，定义根据所述第2气体注入部形成的气流稳定化区域。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111748780A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置
CN112921281A (zh) * 2019-12-06 2021-06-08 亚威科股份有限公司 溅射系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001107228A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Anelva Corp 反応性スパッタリング装置
JP2002097572A (ja) * 2000-09-22 2002-04-02 Olympus Optical Co Ltd 基板ホルダー及び該基板ホルダーを用いた光学部品の製造方法
US20070029596A1 (en) * 1995-09-29 2007-02-08 Katsuki Hazama Semiconductor device including transistor with composite gate structure and transistor with single gate structure, and method for manufacturing the same
WO2010038384A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 膜形成装置およびそれを用いた膜形成方法
JP2010270388A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Olympus Corp 成膜装置及び成膜方法
WO2014192209A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101209651B1 (ko) 2010-03-16 2012-12-07 주식회사 에스에프에이 스퍼터 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070029596A1 (en) * 1995-09-29 2007-02-08 Katsuki Hazama Semiconductor device including transistor with composite gate structure and transistor with single gate structure, and method for manufacturing the same
JP2001107228A (ja) * 1999-10-07 2001-04-17 Anelva Corp 反応性スパッタリング装置
JP2002097572A (ja) * 2000-09-22 2002-04-02 Olympus Optical Co Ltd 基板ホルダー及び該基板ホルダーを用いた光学部品の製造方法
WO2010038384A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 キヤノンアネルバ株式会社 膜形成装置およびそれを用いた膜形成方法
JP2010270388A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Olympus Corp 成膜装置及び成膜方法
WO2014192209A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111748780A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置
CN112921281A (zh) * 2019-12-06 2021-06-08 亚威科股份有限公司 溅射系统

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