KR101237772B1 - 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치 - Google Patents

샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101237772B1
KR101237772B1 KR1020100120180A KR20100120180A KR101237772B1 KR 101237772 B1 KR101237772 B1 KR 101237772B1 KR 1020100120180 A KR1020100120180 A KR 1020100120180A KR 20100120180 A KR20100120180 A KR 20100120180A KR 101237772 B1 KR101237772 B1 KR 101237772B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
deposition
housing
deposition apparatus
Prior art date
Application number
KR1020100120180A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120058749A (ko
Inventor
성명은
박성현
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020100120180A priority Critical patent/KR101237772B1/ko
Publication of KR20120058749A publication Critical patent/KR20120058749A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101237772B1 publication Critical patent/KR101237772B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

수직으로 세워진 2장의 기판에 대해 동시에 박막을 증착하고, 증착 품질을 향상시킬 수 있는 스핀노즐 유닛을 구비하는 가스분사 모듈 및 직립방식 증착장치가 개시된다. 평판 디스플레이 장치용 직립방식 증착장치에서 가스분사 모듈은, 하우징, 상기 하우징 내부에서 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 직립으로 세워진 기판의 높이에 대응되는 길이의 원기둥 형태를 갖고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 복수의 분사구가 형성된 복수의 스핀노즐 유닛 및 상기 하우징에서 상기 기판을 마주보는 전방에 각각 구비되고, 다수의 샤워헤드홀이 형성된 샤워헤드 플레이트를 포함하여 구성된다.

Description

샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치{UPRIGHT TYPE DEPOSITION APPARATUS HAVING SHOWER PLATE}
본 발명은 평판 디스플레이 장치용 기판의 증착장치에 관한 것으로, 평판 디스플레이 장치용 기판과 같이 대면적 기판에 균일하게 박막을 형성하기 위한 직립방식 증착장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이 장치(Flat Panel Display, FPD)는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel, PDP), 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 등이 있다. 이 중에서, 자발광(self emission), 광 시야각, 고속 응답, 낮은 소비 전력 등의 특성과 초박형으로 만들 수 있다는 특성에서 유기발광 디스플레이 장치가 차세대 디스플레이 장치로써 주목 받고 있다. 유기발광 디스플레이 장치는 통상적으로 유리 기판 상에 애노드(anode)에 해당하는 제1 전극, 정공 주입층 (hole injection layer), 정공 수송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 수송층(electron transfer layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다층으로 이루어지는 유기막 및 캐소드(cathode)에 해당하는 제2 전극으로 이루어진다.
유기박막 형성방법에는 진공증착(vacuum deposition), 스퍼터링(sputtering), 이온빔 증착(Ion-beam Deposition), Pulsed-laser 증착, 분자선 증착, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스핀 코터(spin coater) 등의 방법을 사용할 수 있다.
한편, 유기박막을 수분으로부터 보호하기 위한 봉지박막이 필요한데, 이러한 봉지박막을 형성하기 위한 방법으로는 진공증착, 스퍼터링, 화학기상증착, 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 등의 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 대면적 기판에 균일하게 박막을 증착할 수 있는 직립방식 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 수직으로 세워진 2장의 기판에 대해 동시에 박막을 증착하는 직립방식 증착장치의 가스분사 모듈은, 하우징, 상기 하우징 내부에서 축을 중심으로 자전 가능하게 구비되고, 직립으로 세워진 기판의 높이에 대응되는 길이의 원기둥 형태를 갖고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 복수의 분사구가 형성된 복수의 스핀노즐 유닛 및 상기 하우징에서 상기 기판을 마주보는 전방에 각각 구비되고, 다수의 샤워헤드홀이 형성된 샤워헤드 플레이트를 포함하여 구성된다.
일 측면에 따르면, 상기 샤워헤드 플레이트는 상기 기판에 대응되는 크기를 갖는 플레이트 형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 하우징은 상기 증착가스를 분사하는 복수의 분사홀이 형성되고, 상기 샤워헤드 플레이트는 상기 분사홀의 간격보다 좁은 간격으로 샤워헤드홀이 형성될 수 있다. 상기 샤워헤드 플레이트는 상기 하우징과 일정 간극 이격되어 구비되고, 상기 간극은 상기 하우징에서 분사되는 상기 증착가스의 버퍼 역할을 한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판에 대해 평행하게 직립으로 세워진 스핀노즐 유닛이 자전함에 따라 기판에 서로 다른 종류의 증착가스가 순차적으로 제공스핀노즐 유닛 방식의 가스분사 모듈에서, 상기 가스분사 모듈의 전방에 샤워헤드를 구비함으로써 증착가스가 균일하게 제공되도록 할 수 있다.
또한, 대면적 대형 기판에 대해서 균일하게 증착가스를 제공하므로 균질한 박막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치를 간략하게 도시한 사시도이다.
도 2와 도 3은 도 1의 직립방식 증착장치에서 가스분사 모듈의 동작을 설명하기 위한 평면도들이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100) 및 가스분사 모듈(103)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직립방식 증착장치(100)를 간략하게 도시한 사시도이다. 도 2와 도 3은 도 1의 증착장치(100)에서 가스분사 모듈(103)의 동작을 설명하기 위한 평면도들이다.
도면을 참조하면, 직립방식 증착장치(100)는 수직 방향으로 세워서 지지되는 2장의 기판(10)에 대해 동시에 박막을 형성하도록 가스분사 모듈(103)을 사이에 두고 2장의 기판(10)이 서로 마주보도록 수용된다. 그리고 상기 기판(10)의 양측 후방에는 기판(10)의 가열을 위한 히터 유닛(106)이 구비된다. 그리고 증착장치(100)의 하부에는 기판(10)의 이송을 위한 기판 이송 유닛(substrate moving unit)(111)과 미반응 증착가스를 포함하는 배기가스를 배출시키기 위한 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)(115)가 구비된다.
여기서, 본 실시예에서 '기판(10)'은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(10)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
또한, 설명의 편의를 위해 이하에서는 기판(10)에서 박막이 증착될 면을 '증착면'이라 하고, 상기 증착면의 배면을 '배면'이라 한다.
히터 유닛(106)은 기판(10)의 후방에 구비되어 기판(10) 및 증착장치(100) 내부의 온도를 증착에 필요한 온도로 가열하고 유지한다. 여기서, 히터 유닛(106)은 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 면적에 균일하게 배치된 형태를 가질 수 있으며, 예를 들어, 와이어 히터를 사용할 수 있다. 그러나 히터 유닛(106)이 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 히터 유닛(106)의 형태 및 종류는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 수직으로 세워진 상태에서 지지하고, 증착 공정이 진행되는 동안 증착장치(100) 내부에서 기판(10)을 지지하고, 이송한다. 예를 들어, 기판 이송 유닛(111)은 2장의 기판(10)을 각각 이송하도록 롤러 일 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 기판 이송 유닛(111)은 기판(10)을 수직으로 세워서 지지하고 이송할 수 있는 실질적으로 다양한 수단일 수 있다.
한편, 기판(10)은 기판(10)의 배면에 셔틀부(shuttle)(20)가 구비되어 지지될 수 있다. 또한, 기판(10)은 단독으로 증착장치(100)에 투입되거나, 소정 패턴의 박막을 형성하기 위한 마스크(미도시)가 장착된 상태로 투입되어 박막이 형성될 수 있다. 예를 들어, 각 기판(10)의 증착면에는 형성하고자 하는 소정의 패턴이 형성된 마스크가 장착되고, 가스분사 모듈(103)에서 분사되는 증착가스를 선택적으로 차단시킴으로써 기판(10)에 상기 마스크에 형성된 패턴에 따라 박막이 증착된다.
메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100) 하부에 구비되어 공정 중에 발생하는 배기가스를 배출시키기 위한 메인 배기부 역할을 수행한다. 예를 들어, 메인 배기 배플부(115)는 증착장치(100)의 바닥면을 관통하여 배기가스를 증착장치(100) 외부로 배출시키기 위한 복수의 배기구로 이루어질 수 있다. 여기서, 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며 메인 배기 배플부(115)의 위치와 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
가스분사 모듈(103)은 양측에 대향 구비된 2장의 기판(10)에 서로 다른 적어도 2종 이상의 증착가스를 순차적으로 제공할 수 있도록 형성된다. 또한, 가스분사 모듈(103)은 수직으로 세워진 기판(10)에 증착가스를 분사할 수 있도록 기판(10)에 대응되는 크기를 갖고, 기판(10)을 마주보는 면 상에는 증착가스를 분사하는 복수의 분사홀(311)이 형성되고, 기판(10)에 마주보는 면 전방에는 샤워헤드 플레이트(105)가 구비된다.
여기서, 본 실시예에서 '증착가스'는 기판(10)에 박막을 증착하기 위해서 제공되는 적어도 1종 이상의 가스를 포함하며, 기판(10)에 형성하고자 하는 박막의 구성 물질을 포함하는 프리커서 가스(precursor gas)(S1), 상기 프리커서 가스(S1)와 화학적으로 반응하는 리액턴스 가스(reactance gas)(S2), 및 프리커서 가스(S1)와 리액턴스 가스(S2)를 퍼지 시키기 위한 퍼지 가스(purge gas)(P)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 증착가스의 종류는 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
상세하게는, 가스분사 모듈(103)은 기판(10)에 대응되는 크기를 갖고 기판(10)에 대응되는 양측면 상에 복수의 분사홀(311)이 형성된 하우징(131)과 상기 하우징(131) 내부에 자전 가능하게 구비되어 회전함에 따라 서로 다른 종류의 증착가스를 순차적으로 분사하는 복수의 스핀노즐 유닛(spin nozzle unit)(133) 및 하우징(131) 전방에 구비되어 분사되는 증착가스를 기판(10)에 균일하게 제공하기 위한 샤워헤드 플레이트(105)를 포함하여 구성된다. 그리고 가스분사 모듈(103)의 일측에는 상기 스핀노즐 유닛(133)에 증착가스를 제공하는 가스공급부(104)가 연결된다.
하우징(131)은 기판(10)에 대응되는 양쪽 측면이 상기 기판(10)에 평행한 평면으로 형성되며, 기판(10)을 향한 면에 복수의 분사홀(311)이 형성된 대략 박스 형태를 갖는다.
스핀노즐 유닛(133)은 하우징(131) 내부에 자전 가능하게 수직으로 수용되며, 스핀노즐 유닛(133) 복수개가 상기 하우징(131)의 길이 방향을 따라 일정 간격으로 이격되어 병렬로 배치된다.
스핀노즐 유닛(133)은 소정 크기의 단면적을 갖고 상기 기판(10)의 높이에 대응되는 높이를 갖는 로드(rod) 또는 원기둥 형태를 갖고 가스분사 모듈(103)의 너비 방향을 따라 복수개의 스핀노즐 유닛(133)이 나란하게 일정 간격으로 배치된다. 여기서, 스핀노즐 유닛(133)은 지속적으로 또는 단속적으로 증착가스가 분사되는데, 하우징(131) 내부에서 서로 다른 증착가스가 혼합되는 것을 방지할 수 있도록 가스분사 모듈(103)은 각 스핀노즐 유닛(133)을 개별적으로 수용하도록 수용부(313)가 형성된다. 즉, 수용부(313)는 스핀노즐 유닛(133)이 각각 개별적으로 수용되며, 서로 이웃하는 수용부(313)끼리 서로 연통되지 않고 분리된 공간으로 형성된다. 그리고 수용부(313)는 스핀노즐 유닛(133)에서 분사되는 증착가스를 일정한 양으로 기판(10)에 제공하기 위한 버퍼부 역할을 한다. 예를 들어, 가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)이 자전 가능하도록 수용부(313)는 상기 스핀노즐 유닛(133)의 크기에 대응되는 원통형 공간으로 형성될 수 있다.
가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)의 회전에 의해 서로 다른 증착가스를 기판(10)에 순차적으로 제공한다. 여기서, 스핀노즐 유닛(133)은 서로 다른 3종의 증착가스를 분사하되, 프리커서 가스(S1), 퍼지가스(P), 리액턴스 가스(S2) 및 퍼지가스(S2)의 순서대로 증착가스를 분사한다. 그리고 스핀노즐 유닛(133)은 상기 증착가스를 분사하는 순서에 따라 분사구(331)가 스핀노즐 유닛(133)의 둘레를 따라 90° 간격으로 배치된다. 또한, 스핀노즐 유닛(133)은 분사되는 증착가스의 궤적이 기판(10)과 직선 형태로 만날 수 있도록 분사구(331)가 스핀노즐 유닛(133)의 외주면에서 외측 방향을 향해 수직 방향으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 분사구(331)의 형상 및 크기는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
샤워헤드 플레이트(105)는 하우징(131)과 기판(10) 사이에 구비되어 가스분사 모듈(103)에서 분사되는 증차가스를 기판(10)에 균일하게 분배하는 역할을 한다. 샤워헤드 플레이트(105)는 기판(10)에 대응되는 크기를 갖는 플레이트 형태를 갖고, 상기 샤워헤드 플레이트(105)를 관통하여 증차가스를 통과시키기 위한 다수의 샤워헤드홀(151)이 형성된다.
샤워헤드 플레이트(105)는 증착가스를 기판(10)에 균일하게 제공하기 위해서 샤워헤드홀(151)이 균일하고 조밀하게 배치된다. 예를 들어, 하우징(131)은 스핀노즐 유닛(133)이 수용된 위치에 대응되는 위치에 한 줄의 분사홀이 형성되고, 샤워헤드 플레이트(105)는 상기 하우징(131)의 분사홀(311)보다 좁은 간격으로 샤워헤드홀(151)이 형성될 수 있다. 또한, 샤워헤드 플레이트(105)는 상기 분사홀(311)보다 작은 개구 면적을 갖는 샤워헤드홀(151)이 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 샤워헤드 플레이트(105)의 홀의 크기와 면적 및 형상, 그리고 배치 형태 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
여기서, 스핀노즐 유닛(133)은 서로 다른 증착가스를 제공하기 위해서는 일정 크기 이상의 크기를 가져야 하고 서로 독립된 공간으로 형성되는 수용부(313)에 수용되어야 한다. 이 때문에 가스분사 모듈(103)은 스핀노즐 유닛(133)을 서로 조밀하게 배치한다고 하더라고, 스핀노즐 유닛(133) 자체의 크기 때문에 실질적으로 제한이 있다. 이로 인해 가스분사 모듈(103)은 분사홀(311)의 간격 역시 스핀노즐 유닛(133)의 간격에 대응되는 간격으로 제한된다고 할 수 있다. 이에 본 실시예에서는 샤워헤드 플레이트(105)를 구비함으로써 증착가스가 분사되는 홀의 간격을 보다 조밀하게 형성할 수 있어서 증착가스를 균일하게 분사하는 데 유리하다.
샤워헤드 플레이트(105)는 하우징(131)과 소정 간격 이격되어 구비된다. 그리고 샤워헤드 플레이트(105)와 하우징(131)이 이격된 간극(130)은 가스분사 모듈(103)에서 분사되는 증착가스를 균일하게 분사하기 위한 버퍼 역할을 한다. 즉, 상기 간극(130)을 통해 증착가스가 샤워헤드 플레이트(105)에 전달되면서 균일하게 되고, 샤워헤드 플레이트(105)를 통과하면서 보다 균일하게 기판(10)에 제공될 수 있다.
이하에서는 도 2와 도 3을 참조하여 본 실시예에 따른 가스분사 모듈(103)의 동작을 설명한다. 여기서, 설명의 편의를 위해 도 2와 도 3에서는 프리커서 가스(S1)가 분사되는 홀을 기준으로 하여 스핀노즐 유닛(133)의 회전 각도를 설명한다.
우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 스핀노즐 유닛(133)이 0°일 때는 스핀노즐 유닛(133)에서 일측 기판(10)에 프리커서 가스(S1)가 분사되고, 반대쪽 기판(10)에는 리액턴스 가스(S1)가 분사된다.
다음으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 스핀노즐 유닛(133)이 90° 회전하면 양쪽 기판(10)에는 각각 퍼지 가스(P)가 제공된다.
다음으로, 스핀노즐 유닛(133)이 180° 회전하면, 스핀노즐 유닛(133)에서 상기 일 기판(10)에는 리액턴스 가스(S2)가 제공되고, 반대쪽 기판(10)에는 프리커서 가스(S1)가 제공된다.
그리고 스핀노즐 유닛(133)이 270° 회전하면 양쪽 기판(10)에 각각 퍼지 가스(P)가 제공된다. 그리고 이와 같이 스핀노즐 유닛(133)의 1회전에 의해 기판(10)에 한 층의 단원자층을 형성하는 증착 공정의 한 사이클이 된다. 그리고 스핀노즐 유닛(133)이 연속적으로 회전함에 따라 상술한 바와 같이 증착가스가 반복적으로 제공되어, 상기 스핀노즐 유닛(133)의 회전 수에 대응되는 두께로 박막을 형성할 수 있다.
여기서, 상술한 실시예는 설명의 편의를 위한 것으로, 기판(10) 분사되는 증착가스의 순서가 반드시 상술한 순서에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에 따르면 가스분사 모듈(103) 전방에 샤워헤드 플레이트(105)를 구비함으로써 증착가스를 보다 균일하게 기판(10)에 제공할 수 있어서, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판(10)의 크기가 대형화 대면적화 되더라도 샤워헤드 플레이트(105)를 분할 형성함으로써, 대형 및 대면적 기판(10)에 대응되는 샤워헤드 플레이트(105)를 제작하는 것이 용이하다. 즉, 기판(10)의 크기나 형태에 의해 가스분사 모듈(103)의 형태가 크게 바뀌지 않더라도 샤워헤드 플레이트(105)의 형태 및 크기 변경이 용이하므로, 대면적 및 대형 기판, 또는 다각형과 같이 다양한 형태의 기판에 대해서 용이하게 증착할 수 있다. 또한, 기판(10)을 직립으로 세워서 증착 및 이송되므로 기판(10)의 이송 과정에서 기판(10)의 변형 및 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판(10)이 대면적화 되더라도 증착장치(100)의 크기 증가를 효과적으로 억제할 수 있으며, 증착장치(100) 전체의 크기를 줄이고 설비를 간소화할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 기판
20: 셔틀부(shuttle)
100: 증착장치
103: 가스분사 모듈
104: 가스공급부
105: 샤워헤드 플레이트
106: 히터 유닛
111: 기판 이송 유닛(substrate moving unit)
115: 메인 배기 배플부(main vacuum baffle)
130: 간극
131: 하우징
151: 샤워헤드홀
311: 분사홀
313: 수용부
133: 스핀노즐 유닛
331: 분사구

Claims (4)

  1. 직립으로 세워진 2장의 기판을 마주보는 양쪽 측면이 형성된 하우징;
    상기 기판의 높이에 대응되는 길이의 원기둥 형태를 갖고, 외주면 둘레를 따라 서로 다른 복수의 증착가스를 분사하는 복수의 분사구가 형성되어 상기 하우징 내부에서 축을 중심으로 자전 가능하게 구비된 복수의 스핀노즐 유닛; 및
    상기 하우징에서 상기 기판을 마주보는 양쪽 측면의 전방에 각각 구비되고, 다수의 샤워헤드홀이 형성된 샤워헤드 플레이트;
    를 포함하는 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드 플레이트는 상기 기판에 대응되는 크기를 갖는 플레이트 형태를 갖는 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 증착가스를 분사하는 복수의 분사홀이 형성되고,
    상기 샤워헤드 플레이트는 상기 분사홀의 간격보다 좁은 간격으로 샤워헤드홀이 형성된 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 샤워헤드 플레이트는 상기 하우징과 일정 간극 이격되어 구비되고,
    상기 간극은 상기 하우징에서 분사되는 상기 증착가스의 버퍼 역할을 하는 직립방식 증착장치용 가스분사 모듈.

KR1020100120180A 2010-11-30 2010-11-30 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치 KR101237772B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100120180A KR101237772B1 (ko) 2010-11-30 2010-11-30 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100120180A KR101237772B1 (ko) 2010-11-30 2010-11-30 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120058749A KR20120058749A (ko) 2012-06-08
KR101237772B1 true KR101237772B1 (ko) 2013-02-28

Family

ID=46610173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100120180A KR101237772B1 (ko) 2010-11-30 2010-11-30 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101237772B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712311B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-27 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 기상 증착 장치
KR20090099205A (ko) * 2008-03-17 2009-09-22 주식회사 아이피에스 진공처리장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712311B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-27 어플라이드 매터리얼스 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 기상 증착 장치
KR20090099205A (ko) * 2008-03-17 2009-09-22 주식회사 아이피에스 진공처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120058749A (ko) 2012-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101223489B1 (ko) 기판 가공 장치
US8833294B2 (en) Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
KR101997808B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스
US8871542B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
KR101983213B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스
US20150217319A1 (en) Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly For The Organic Layer Deposition Apparatus, And Method Of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using The Frame Sheet Assembly
US20120299016A1 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the organic layer deposition apparatus
KR101406199B1 (ko) 증착장치
KR20120039944A (ko) 기판 증착 시스템 및 증착 방법
KR20100114717A (ko) 기판 가공 장치
US20130017343A1 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR101081625B1 (ko) 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치
KR101219061B1 (ko) 스핀노즐 유닛 사이의 간격을 줄인 가스분사 모듈 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치
KR101237772B1 (ko) 샤워헤드를 구비하는 직립방식 증착장치
KR101213965B1 (ko) 스핀노즐 방식의 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치
KR101232089B1 (ko) 직립장식 증착장치
KR101129058B1 (ko) 분사홀이 나선형으로 배치된 스핀노즐 유닛 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치
KR101268672B1 (ko) 직립장식 증착장치
KR101175126B1 (ko) 타원형 유로를 갖는 가스분사 모듈 및 직립방식 증착장치
KR101265017B1 (ko) 직립방식 증착장치
KR20120044590A (ko) 샤워헤드 방식 증착장치
KR101206833B1 (ko) 기판 증착 장치
KR100762683B1 (ko) 유기 증발 증착원 및 이를 포함한 유기 증발 증착장치
KR20150045805A (ko) 박막증착장치 및 박막증착시스템
JP2014232727A (ja) 有機層エッチング装置及び有機層エッチング法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160122

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170125

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180116

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190103

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200121

Year of fee payment: 8