CN105870157A - 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 - Google Patents
用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870157A CN105870157A CN201610370767.2A CN201610370767A CN105870157A CN 105870157 A CN105870157 A CN 105870157A CN 201610370767 A CN201610370767 A CN 201610370767A CN 105870157 A CN105870157 A CN 105870157A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- branch
- layer
- bank layer
- groove
- groove structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007639 printing Methods 0.000 title abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 35
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 10
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- -1 methoxyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法，该凹槽结构位于基板(1)上，包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3)，所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21)，所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同，最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅，其中，采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面，而采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示器件的结构一般包括：基板、阳极、阴极以及夹在阳极与阴极之间的有机功能层。其中有机功能层，一般包括空穴传输功能层(HoleTransport Layer，HTL)、发光功能层(Emissive Layer，EML)、及电子传输功能层(Electron Transport Layer，ETL)。每个功能层可以是一层，或者一层以上，例如空穴传输功能层，可以细分为空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和空穴传输层；电子传输功能层，可以细分为电子传输层和电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
OLED显示器件的制作方法通常为，先在基板上形成阳极，在该阳极上形成空穴传输层，在空穴传输层上形成发光功能层，在发光功能层上形成电子传输功能层，在电子传输功能层上形成阴极，其中阴极与阳极的材料通常采用氧化铟锡(ITO)。HTL、EML、ETL等有机功能层的制备方式通常包括真空热蒸镀(Vacuum Thermal Evaporation)与喷墨打印(Ink-jet Print，IJP)两种。
喷墨打印技术在AMOLED器件有机功能层的制备中，相比于传统的真空热蒸镀具有节省材料，制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点，所以更具应用潜力。IJP是将溶有OLED材料的墨水直接滴涂到预先制作好的像素定义层中，待溶剂挥发后形成所需图案。所述像素定义层包括堤坝、以及由堤坝围拢成的多个阵列排布的凹槽，所述凹槽由用来限制住墨水，通过干燥烘烤后，墨水收缩在该凹槽限制的范围内形成薄膜。由于OLED发光材料分为很多层，每一层采用的墨水亲疏水性不会一样，所以打印不同的OLED层时，我们对堤坝侧面的亲疏水性的需求是不一样的，对于疏水的墨水，我们需要堤坝侧面具有一定的亲水性，防止接触角过大，造成边缘膜厚较薄；反之亦然，对于亲水的墨水，我们需要堤坝侧面具有一定的疏水性，防止接触角过小，造成边缘膜厚较厚。另外一方面，堤坝的上表面我们通常是需要疏水的，防止墨水残留，可以使墨水都流入到凹槽之中。而只用一种材料来制作堤坝显然很难达到以上目的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于打印成膜的凹槽结构，具有亲疏水性不同的表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
本发明的目的还在于提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，具有亲疏水性不同的表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
为实现上述目的，本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构，该凹槽结构位于基板上，包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽；
所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层；
所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层的材料不同，最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅；
采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面为疏水性表面；
采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面。
采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。
所述堤坝包括四层层叠设置的分支堤坝层。
所述凹槽结构用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜，所述基板上设有第一电极，所述围拢成凹槽的堤坝设于所述第一电极的四周边缘及基板上。
本发明还提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层，形成堤坝，所述堤坝围拢成凹槽；
所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层的材料不同，最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅；
步骤2、对各个分支堤坝层进行氧气等离子体处理，增强各个分支堤坝层表面的亲水性；
步骤3、利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层进行单分子自组装，使采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面变为疏水性表面。
所述步骤1中，基板上设有第一电极，所述围拢成凹槽的堤坝形成于所述第一电极的四周边缘及基板上。
所述步骤3中通过将基板放入密闭容器内，再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板上，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
还包括步骤4、对所述基板进行烘烤和清洗。
本发明的有益效果：本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构，该凹槽结构位于基板上，包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽，所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层，所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层的材料不同，最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅，通过在采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖单分子硅烷基试剂使其成为疏水性表面，而采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面，在进行打印成膜时，最上层的分支堤坝层的上表面疏水，可以使墨水能够更好地进入凹槽内，不在表面残留，根据每一层材料墨水的亲疏水性不同，选择相对应的不同亲疏水性表面，合理调节墨水与其接触表面的接触角，可以避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。本发明提供的一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，具有亲疏水性不同的表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤1的示意图；
图2为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤2的示意图；
图3为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤3的第一实施例的示意图；
图4为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的步骤3的第二实施例的示意图；
图5为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的示意图；
图6为本发明的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图5，本发明提供一种用于打印成膜的凹槽结构，该凹槽结构位于基板1上，包括堤坝2、及由堤坝2围拢成的凹槽3。
具体地，所述堤坝2包括至少两层层叠设置的分支堤坝层21，所述分支堤坝层21的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层21的材料不同，最上层的分支堤坝层21的材料为氧化硅。
其中，采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面为疏水性表面。
具体地，采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。利用硅烷基试剂与氧化硅表面的硅羟基(Si-OH)键发生单分子自组装，形成疏水性表面。自组装后形成的单分子膜可以通过扫描电子显微镜(Scan Electron Microscope，SEM)、及原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)等方法观察表面粗糙度以及致密程度鉴别出来，另外通过扫描隧道显微镜(Scanning TunnelingMicroscope，STM)、或红外光谱的方法也可以发现其特征。
进一步地，所述硅烷基试剂的组成为X3SiY，其中X为可水解基团，包括：氯基(Cl)、甲氧基(OMe)、乙氧基(OEt)、或甲氧基乙氧基(OC2H4OCH3)，Y为非水解基团，包括：含有6到20个碳原子的烃基、及含有6到20个碳原子芳基中的一种或多种的组合。
具体地，采用氮化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面为亲水性表面，并可以通过氧气等离子体(O2Plasma)处理进一步增强其表面的亲水性。
需要说明的是，由于采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面具有不同亲疏水性，从而在溶液成膜时，可以对应选择不同亲疏水性的墨水，调节墨水与其接触表面的接触角，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
具体地，所述堤坝2中分支堤坝层21的数量不作限制，优选地，所述堤坝2包括四层层叠设置的分支堤坝层21。
进一步地，所述凹槽结构可用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜，所述基板1上设有第一电极11，所述围拢成凹槽3的堤坝2设于所述第一电极11的四周边缘及基板1上，在凹槽3内制作空穴注入层、发光层以及电子传输层，并在电子传输层上覆盖第二电极。所述第一电极11及第二电极分别为所述OLED显示器件的阳极和阴极。
请参阅图6，本发明还提供一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、请参阅图1，提供一基板1，通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板1上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层21，形成堤坝2，所述堤坝2围拢成凹槽3；
所述分支堤坝层21的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层21的材料不同，最上层的分支堤坝层21的材料为氧化硅。
具体地，所述堤坝2中分支堤坝层21的数量不作限制，优选地，所述堤坝2包括四层层叠设置的分支堤坝层21，材料自下而上分别为氮化硅、氧化硅、氮化硅、及氧化硅。
进一步地，所述步骤1中，基板1上设有第一电极11，所述围拢成凹槽3的堤坝2形成于所述第一电极11的四周边缘及基板1上。
步骤2、请参阅图2，对各个分支堤坝层21进行氧气等离子体处理，增强各个分支堤坝层21表面的亲水性。
需要说明的是，通过氧气等离子体处理可以增强包括采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面的亲水性，以便在后续步骤中增加采用氮化硅制作的分支堤坝层21与采用氧化硅制作的分支堤坝层21的亲疏水性差异。
步骤3、请参阅图5，利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层21进行单分子自组装，使采用氧化硅制作的分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层21的上表面变为疏水性表面。
可选地，请参阅图3，所述步骤3中通过将基板1放入密闭容器内，再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层21与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
可选地，请参阅图4，所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板1上，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层21与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
需要说明的是，采用氧化硅制作的分支堤坝层21的表面具有Si-OH键，该Si-OH键可以与硅烷基试剂发生单分子自组装，形成疏水性表面。自组装后形成的单分子膜可以通过扫描电子显微镜、及原子力显微镜等方法观察表面粗糙度以及致密程度鉴别出来，另外通过扫描隧道显微镜、或红外光谱的方法也可以发现其特征。
进一步地，所述凹槽结构可用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜，所述基板1上设有第一电极11，所述围拢成凹槽3的堤坝2设于所述第一电极11的四周边缘及基板1上，在凹槽3内制作空穴注入层、发光层以及电子传输层，并在电子传输层上覆盖第二电极。所述第一电极11及第二电极分别为所述OLED显示器件的阳极和阴极。
步骤4、对所述基板1进行烘烤和清洗。
综上所述，本发明提供了一种用于打印成膜的凹槽结构，该凹槽结构位于基板上，包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽，所述堤坝包括至少两层层叠设置的分支堤坝层，所述分支堤坝层的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层的材料不同，最上层的分支堤坝层的材料为氧化硅，通过在采用氧化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层的上表面覆盖单分子硅烷基试剂使其成为疏水性表面，而采用氮化硅制作的分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面为亲水性表面，在进行打印成膜时，最上层的分支堤坝层的上表面疏水，可以使墨水能够更好地进入凹槽内，不在表面残留，根据每一层材料墨水的亲疏水性不同，选择相对应的不同亲疏水性表面，合理调节墨水与其接触表面的接触角，可以避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。本发明提供的一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，具有亲疏水性不同的表面，能够避免溶剂挥发后造成的膜厚不均。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种用于打印成膜的凹槽结构，其特征在于，该凹槽结构位于基板(1)上，包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3)；
所述堤坝(2)包括至少两层层叠设置的分支堤坝层(21)；
所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同，最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅；
采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面为疏水性表面；
采用氮化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面为亲水性表面。
2.如权利要求1所述的用于打印成膜的凹槽结构，其特征在于，采用氧化硅材料制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面覆盖有单分子硅烷基试剂。
3.如权利要求1所述的用于打印成膜的凹槽结构，其特征在于，所述堤坝(2)包括四层层叠设置的分支堤坝层(21)。
4.如权利要求1所述的用于打印成膜的凹槽结构，其特征在于，所述凹槽结构用于OLED显示器件的有机功能层的打印成膜，所述基板(1)上设有第一电极(11)，所述围拢成凹槽(3)的堤坝(2)设于所述第一电极(11)的四周边缘及基板(1)上。
5.一种用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在所述基板(1)上依次形成至少两层层叠设置的分支堤坝层(21)，形成堤坝(2)，所述堤坝(2)围拢成凹槽(3)；
所述分支堤坝层(21)的材料为氮化硅、或氧化硅，相邻的两层分支堤坝层(21)的材料不同，最上层的分支堤坝层(21)的材料为氧化硅；
步骤2、对各个分支堤坝层(21)进行氧气等离子体处理，增强各个分支堤坝层(21)表面的亲水性；
步骤3、利用硅烷基试剂对各个分支堤坝层(21)进行单分子自组装，使采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面、以及最上层的分支堤坝层(21)的上表面变为疏水性表面。
6.如权利要求5所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，基板(1)上设有第一电极(11)，所述围拢成凹槽(3)的堤坝(2)形成于所述第一电极(11)的四周边缘及基板(1)上。
7.如权利要求5所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过将基板(1)放入密闭容器内，再将所述密闭容器抽真空后通入硅烷基试剂气体，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
8.如权利要求5所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过将溶有硅烷基试剂的溶液滴涂到基板(1)上，使得采用氧化硅制作的分支堤坝层(21)与所述硅烷基试剂发生单分子自组装。
9.如权利要求5所述的用于打印成膜的凹槽结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤4、对所述基板(1)进行烘烤和清洗。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610370767.2A CN105870157B (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
| PCT/CN2016/086545 WO2017206206A1 (zh) | 2016-05-30 | 2016-06-21 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
| US15/121,034 US10243155B2 (en) | 2016-05-30 | 2016-06-21 | Groove structure employed for printing film formation and manufacture method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610370767.2A CN105870157B (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870157A true CN105870157A (zh) | 2016-08-17 |
| CN105870157B CN105870157B (zh) | 2019-03-12 |
Family
ID=56641803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610370767.2A Active CN105870157B (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10243155B2 (zh) |
| CN (1) | CN105870157B (zh) |
| WO (1) | WO2017206206A1 (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106505159A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| CN106784409A (zh) * | 2017-02-04 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素限定层及其制备方法、oled基板及其制备方法 |
| CN107565063A (zh) * | 2017-07-24 | 2018-01-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法 |
| US10153333B1 (en) | 2017-07-24 | 2018-12-11 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing an OLED backplate and method for manufacturing an OLED panel |
| CN109065569A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-21 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
| CN109080266A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种打印机台 |
| US20190214604A1 (en) * | 2016-08-26 | 2019-07-11 | Najing Technology Corporation Limited | Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device |
| WO2019205752A1 (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件 |
| CN111048557A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN112420967A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112420968A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置 |
| CN115335221A (zh) * | 2020-03-20 | 2022-11-11 | 意大利国家研究委员会 | 用于生产具有至少两个不同组成区域的透明陶瓷体的基于光刻的方法以及由此获得的透明陶瓷体 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109698215A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| US11495456B2 (en) * | 2018-10-15 | 2022-11-08 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd | Ozone for selective hydrophilic surface treatment |
| US10741798B1 (en) * | 2019-01-18 | 2020-08-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing same |
| CN111200004A (zh) * | 2020-02-27 | 2020-05-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种像素结构及其制备方法、显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112658A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ装置および画像表示機器 |
| CN101399283A (zh) * | 2003-11-11 | 2009-04-01 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子机器 |
| US20120049210A1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Sony Corporation | Organic el display unit and electronic device |
| CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003206875A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-09-04 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Method of producing plane-parallel structures of silicon suboxide, silicon dioxide and/or silicon carbide, plane-parallel structures obtainable by such methods, and the use thereof |
| JP4148933B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置 |
| JP4497185B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2010-07-07 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| CN103187434A (zh) * | 2013-04-01 | 2013-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法 |
| CN103241025B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜的喷墨打印方法 |
| CN103337594B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
-
2016
- 2016-05-30 CN CN201610370767.2A patent/CN105870157B/zh active Active
- 2016-06-21 WO PCT/CN2016/086545 patent/WO2017206206A1/zh active Application Filing
- 2016-06-21 US US15/121,034 patent/US10243155B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101399283A (zh) * | 2003-11-11 | 2009-04-01 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子机器 |
| JP2008112658A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ装置および画像表示機器 |
| US20120049210A1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Sony Corporation | Organic el display unit and electronic device |
| CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106696501B (zh) * | 2016-08-26 | 2019-02-12 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| US10943781B2 (en) | 2016-08-26 | 2021-03-09 | Najing Technology Corporation Limited | Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device |
| US20190214604A1 (en) * | 2016-08-26 | 2019-07-11 | Najing Technology Corporation Limited | Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device |
| CN106505159A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
| CN106784409A (zh) * | 2017-02-04 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素限定层及其制备方法、oled基板及其制备方法 |
| CN106784409B (zh) * | 2017-02-04 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素限定层及其制备方法、oled基板及其制备方法 |
| CN107565063B (zh) * | 2017-07-24 | 2019-04-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法 |
| CN107565063A (zh) * | 2017-07-24 | 2018-01-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法 |
| US10153333B1 (en) | 2017-07-24 | 2018-12-11 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing an OLED backplate and method for manufacturing an OLED panel |
| WO2019019236A1 (zh) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制作方法与oled面板的制作方法 |
| WO2019205752A1 (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件 |
| CN109065569A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-21 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
| CN109080266A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种打印机台 |
| CN111048557A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN111048557B (zh) * | 2018-10-12 | 2023-08-25 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN112420967A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN112420968B (zh) * | 2019-08-21 | 2023-02-03 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置 |
| CN112420968A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 咸阳彩虹光电科技有限公司 | 一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置 |
| CN115335221A (zh) * | 2020-03-20 | 2022-11-11 | 意大利国家研究委员会 | 用于生产具有至少两个不同组成区域的透明陶瓷体的基于光刻的方法以及由此获得的透明陶瓷体 |
| CN115335221B (zh) * | 2020-03-20 | 2024-04-02 | 意大利国家研究委员会 | 用于生产具有至少两个不同组成区域的透明陶瓷体的基于光刻的方法以及由此获得的透明陶瓷体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105870157B (zh) | 2019-03-12 |
| US10243155B2 (en) | 2019-03-26 |
| WO2017206206A1 (zh) | 2017-12-07 |
| US20180205026A1 (en) | 2018-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105870157A (zh) | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 | |
| CN105895818B (zh) | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 | |
| KR102202520B1 (ko) | 다중 노즐 유기 증기 제트 프린팅 | |
| US9530962B2 (en) | Patterning method for OLEDs | |
| CN105470408B (zh) | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 | |
| CN106505159B (zh) | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 | |
| US11205751B2 (en) | Nozzle design for organic vapor jet printing | |
| CN108598110A (zh) | Oled器件 | |
| US20080067473A1 (en) | Liquid composition for deposition of organic active materials | |
| CN107275503A (zh) | Oled器件及其制作方法 | |
| CN107887423A (zh) | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 | |
| JP2017103213A (ja) | 超純粋ガス環境において気相から多層有機薄膜をプリンティングするための装置及び方法 | |
| US9871229B2 (en) | OVJP for printing graded/stepped organic layers | |
| US10654272B2 (en) | Valved micronozzle array for high temperature MEMS application | |
| CN110148617A (zh) | Oled面板、oled面板的制作方法和显示装置 | |
| CN106601779A (zh) | Oled基板及其制作方法 | |
| JP2006114480A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| TWI462642B (zh) | 發光裝置的製作方法及有機層的形成方法 | |
| CN104409470B (zh) | 像素单元及其制备方法、oled阵列基板及显示装置 | |
| CN107732026A (zh) | Oled基板结构 | |
| KR100773403B1 (ko) | 증착 장치 및 그 증착 장치의 점증발원 배열 방법 | |
| US11552247B2 (en) | Organic vapor jet nozzle with shutter | |
| CN110416440A (zh) | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 | |
| US20230011198A1 (en) | Gas Bearing Plate with integrated OVJP vacuum source | |
| US9412947B2 (en) | OLED fabrication using laser transfer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |