CN106505159A - 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 - Google Patents
用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106505159A CN106505159A CN201611009326.6A CN201611009326A CN106505159A CN 106505159 A CN106505159 A CN 106505159A CN 201611009326 A CN201611009326 A CN 201611009326A CN 106505159 A CN106505159 A CN 106505159A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- groove
- branch
- display device
- oled display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 198
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 claims 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 63
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010020 roller printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构及OLED显示器件的制作方法，通过将围拢成凹槽的堤坝划分为层叠设置的第一分支堤坝层、及第二分支堤坝层，所述第一分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°，从而限制空穴注入层四周向上攀爬的高度，使形成的空穴注入层的上表面平整或中间略微凸起，能够防止空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构及OLED显示器件的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示器件的结构一般包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的阴极以及夹在阳极与阴极之间的有机功能层。其中有机功能层，一般包括空穴注入层(HoleInjection Layer，HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、发光功能层(EmissiveLayer，EML)、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)、及电子传输层(ElectronTransport Layer，ETL)。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
OLED显示器件的制作方法通常为，先在基板上形成阳极，在该阳极上依次形成有机功能层及阴极，其中阴极与阳极的材料通常采用氧化铟锡(ITO)。有机功能层的制备方式通常包括真空热蒸镀(Vacuum Thermal Evaporation)与溶液成膜(Solution Process)两种。
所谓溶液成膜即是把所需材料经过处理，比如分散成纳米级的微小颗粒，然后溶解在相应的溶液中形成墨水，再应用成膜设备将该墨水沉积在基板表面，带溶剂挥发后，即可在基板表面形成所需薄膜。成膜的具体方式又可以细分为喷墨打印(Ink-jetPrinting)、连续打印(Nozzle Printing)、滚筒打印(Roller Printing)、旋转涂布(SpinCoating)等。
在应用于打印成膜工艺的基板上，通常会制作凹槽，用来限制住墨水，通过干燥烘烤后，墨水收缩在该凹槽限制的范围内形成薄膜。请参阅图1，所述凹槽120由设于基板100、及ITO阳极130四周边缘上的堤坝110围成，通过在凹槽120内沉积墨水，形成空穴注入层140、空穴传输层150、及发光功能层160。请参阅图2，由于不同墨水的亲水性不同，对于亲水性较好的墨水，会在堤坝110的倾斜内周面上爬坡较高，通常最下层的空穴注入层的导电性是各有机功能层中最好的，当最下层的空穴注入层墨水爬坡较高时，会导致空穴注入层边缘薄膜较薄的地方产生漏电，导致OLED显示器件的品质下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，能够防止OLED显示器件的空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示器件的制作方法，能够防止OLED显示器件的空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
为实现上述目的，本发明提供了一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，该凹槽结构位于基板上，包括堤坝、及由堤坝围拢成的凹槽；
所述堤坝包括：第一分支堤坝层、及层叠于所述第一分支堤坝层上的第二分支堤坝层；
所述第一分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°。
所述基板上设有阳极，所述围拢成凹槽的堤坝设于所述阳极的四周边缘及基板上。
所述第一分支堤坝层的上表面与阳极之间的高度差范围为50nm～800nm，所述堤坝的厚度小于3微米。
所述阳极的材料为ITO。
所述堤坝围拢成凹槽的倾斜内周面与基板之间的夹角为30°～60°，所述凹槽的宽度自下往上逐渐增大。
本发明还提供一种OLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板、第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料；
步骤2、在所述基板上制作阳极，使用所述第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在基板上依次制作层叠设置的第一分支堤坝层及第二分支堤坝层，形成设于所述阳极的四周边缘及基板上的堤坝，所述堤坝围拢成凹槽；
步骤3、提供空穴注入层墨水，将空穴注入层墨水滴入凹槽内，所述空穴注入层墨水与所述第一分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，所述空穴注入层墨水与所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面形成的接触角范围为30°～60°，干燥烘烤后形成空穴注入层；
步骤4、提供空穴传输层墨水，将空穴传输层墨水滴入凹槽内，所述空穴传输层墨水与所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴注入层上的空穴传输层；
步骤5、提供发光功能层墨水，将发光功能层墨水滴入凹槽内，所述发光功能层墨水与所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴传输层上的发光功能层；
步骤6、在所述发光功能层上依次制作电子传输层、电子注入层、及阴极。
所述阳极与阴极的材料均为ITO。
所述步骤2中，第一分支堤坝层的上表面与阳极之间的高度差范围为50nm～800nm，所述堤坝的厚度小于3μm。
所述电子传输层及电子注入层的制作方法为真空蒸镀。
所述步骤2中堤坝围拢成凹槽的倾斜内周面与基板之间的夹角为30°～60°，所述凹槽的宽度自下往上逐渐增大。
本发明的有益效果：本发明提供了一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，通过将围拢成凹槽的堤坝划分为层叠设置的第一分支堤坝层、及第二分支堤坝层，所述第一分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°，从而限制空穴注入层四周向上攀爬的高度，使形成的空穴注入层的上表面平整或中间略微凸起，能够防止空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。本发明还提供一种OLED显示器件的制作方法，能够防止OLED显示器件的空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的通过打印成膜方式制备有机功能层的OLED显示器件的结构示意图；
图2为现有的打印成膜方式中当空穴注入层墨水在围成凹槽的堤坝的倾斜内周面上爬升过高时，空穴注入层墨水与凹槽的关系示意图；
图3为本发明的用于打印OLED显示器件的凹槽结构的结构示意图暨本发明的OLED显示器件制作方法的步骤2的示意图；
图4为本发明的OLED显示器件制作方法的步骤3至步骤5的示意图；
图5为本发明的OLED显示器件制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明提供一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，该凹槽结构位于基板1上，包括堤坝2、及由堤坝2围拢成的凹槽3；
所述堤坝2包括：第一分支堤坝层21、及层叠于所述第一分支堤坝层21上的第二分支堤坝层22；
所述第一分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°。
具体地，所述基板1上设有阳极11，所述围拢成凹槽3的堤坝2设于所述阳极11的四周边缘及基板1上，优选地，所述阳极11的材料可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)，所述基板1为透明基板，优选玻璃基板。
具体地，所述第一分支堤坝层21的上表面与阳极11之间的高度差范围为50nm～800nm，所述堤坝2的厚度小于3微米。
优选地，所述堤坝2围拢成凹槽3的倾斜内周面与基板1之间的夹角为30°～60°，所述凹槽3的宽度自下往上逐渐增大。
值得一提到是，所述凹槽结构的作用为限制墨水的流动，使墨水容置在槽内，通过干燥烘烤后，墨水收缩在该凹槽限制的范围内形成薄膜，从而完成打印成膜工艺，在打印OLED显示器件过程中，需要制作自下而上层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、及发光功能层，其中空穴注入层的导电性最强，对平整性的要求较高，本发明通过将围拢成凹槽3的堤坝划2分为层叠设置的第一分支堤坝层21、及第二分支堤坝层22，其中第一分支堤坝层21与空穴注入层墨水呈疏水性，具体为所述第一分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层22与空穴注入层墨水呈弱疏水性，具体为所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，从而使得打印成膜制得的空穴注入层的薄膜上表面较平整，或者上表面是中间高、四周低的形态，且第二分支堤坝层22对于空穴传输层墨水及发光功能层墨水为适当亲水性，具体为所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°，使得打印成膜制得的空穴传输层和发光功能层呈中间薄、四周厚的形态，进而避免因空穴注入层墨水在与凹槽2的倾斜内周面接触的位置爬升过高，导致空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
需要说明的是，通过选择不同的材料制作所述第一分支堤坝层21及第二分支堤坝层22，进而使得第一分支堤坝层21及第二分支堤坝层22与相应墨水形成的接触角达到本发明的要求。
请参阅图5，基于上述凹槽结构，本发明提供一种OLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板1、第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料。
具体地，所述基板1为透明基板，优选玻璃基板，所述第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料具有不同的亲/疏水性质。
步骤2、请参阅图3，在所述基板1上制作阳极11，使用所述第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在基板1上依次制作层叠设置的第一分支堤坝层21及第二分支堤坝层22，形成设于所述阳极11的四周边缘及基板1上的堤坝2，所述堤坝2围拢成凹槽3。
优选地，所述阳极11的材料为ITO，所述堤坝2围拢成凹槽3的倾斜内周面与基板1之间的夹角为30°～60°，所述凹槽3的宽度自下往上逐渐增大。
步骤3、请参阅图4，提供空穴注入层墨水，将空穴注入层墨水滴入凹槽3内，所述空穴注入层墨水与所述第一分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，所述空穴注入层墨水与所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面形成的接触角范围为30°～60°，干燥烘烤后形成空穴注入层4。
具体地，通过控制空穴注入层墨水与堤坝2形成的接触角，可以使得打印成膜制得的空穴注入层4的上表面较平整，或者上表面是中间高、四周低的形态，优选地，所述空穴注入层墨水与所述第一分支堤坝层21围拢成凹槽3的倾斜内周面形成的接触角为30°～60°，可以使得后续形成的空穴注入层4的上表面为一平整表面。
步骤4、请参阅图4，提供空穴传输层墨水，将空穴传输层墨水滴入凹槽3内，所述空穴传输层墨水与所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴注入层4上的空穴传输层5。
具体地，通过控制空穴传输层墨水与堤坝2形成的接触角，可以使得打印成膜制得的空穴传输层5呈中间薄、四周厚的形态。
步骤5、请参阅图4，提供发光功能层墨水，将发光功能层墨水滴入凹槽3内，所述发光功能层墨水与所述第二分支堤坝层22围拢成凹槽3的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴传输层5上的发光功能层6。
具体地，通过控制发光功能层墨水与堤坝2形成的接触角，可以使得打印成膜制得的发光功能层6呈中间薄、四周厚的形态，配合上述空穴传输层5的形态、及空穴注入层4的形态，可以避免空穴传输层4的边缘漏电。
步骤6、在所述发光功能层6上依次制作电子传输层(未图示)、电子注入层(未图示)、及阴极(未图示)。
具体地，所述电子传输层及电子注入层的制作方法可以选择真空蒸镀，优选地，所述阴极的材料也为ITO。
综上所述，本发明提供了一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，通过将围拢成凹槽的堤坝划分为层叠设置的第一分支堤坝层、及第二分支堤坝层，所述第一分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层围拢成凹槽的倾斜内周面与空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°，从而限制空穴注入层四周向上攀爬的高度，使形成的空穴注入层的上表面平整或中间略微凸起，能够防止空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。本发明还提供一种OLED显示器件的制作方法能够防止OLED显示器件的空穴注入层边缘漏电，提升OLED显示器件的品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种用于打印OLED显示器件的凹槽结构，位于基板(1)上，其特征在于，包括堤坝(2)、及由堤坝(2)围拢成的凹槽(3)；
所述堤坝(2)包括：第一分支堤坝层(21)、及层叠于所述第一分支堤坝层(21)上的第二分支堤坝层(22)；
所述第一分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为10°～45°，所述第二分支堤坝层(22)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴注入层墨水形成的接触角范围为30°～60°，所述第二分支堤坝层(22)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面与OLED显示器件的空穴传输层墨水及发光功能层墨水形成的接触角范围为10°～45°。
2.如权利要求1所述的用于打印OLED显示器件的凹槽结构，其特征在于，所述基板(1)上设有阳极(11)，所述围拢成凹槽(3)的堤坝(2)设于所述阳极(11)的四周边缘及基板(1)上。
3.如权利要求2所述的用于打印OLED显示器件的凹槽结构，其特征在于，所述第一分支堤坝层(21)的上表面与阳极(11)之间的高度差范围为50nm～800nm，所述堤坝(2)的厚度小于3微米。
4.如权利要求2所述的用于打印OLED显示器件的凹槽结构，其特征在于，所述阳极(11)的材料为ITO。
5.如权利要求1所述的用于打印OLED显示器件的凹槽结构，其特征在于，所述堤坝(2)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面与基板(1)之间的夹角为30°～60°，所述凹槽(3)的宽度自下往上逐渐增大。
6.一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)、第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料；
步骤2、在所述基板(1)上制作阳极(11)，使用所述第一分支堤坝层材料及第二分支堤坝层材料通过涂布、干燥、及蚀刻工艺在基板(1)上依次制作层叠设置的第一分支堤坝层(21)及第二分支堤坝层(22)，形成设于所述阳极(11)的四周边缘及基板(1)上的堤坝(2)，所述堤坝(2)围拢成凹槽(3)；
步骤3、提供空穴注入层墨水，将空穴注入层墨水滴入凹槽(3)内，所述空穴注入层墨水与所述第一分支堤坝层(21)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，所述空穴注入层墨水与所述第二分支堤坝层(22)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面形成的接触角范围为30°～60°，干燥烘烤后形成空穴注入层(4)；
步骤4、提供空穴传输层墨水，将空穴传输层墨水滴入凹槽(3)内，所述空穴传输层墨水与所述第二分支堤坝层(22)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴注入层(4)上的空穴传输层(5)；
步骤5、提供发光功能层墨水，将发光功能层墨水滴入凹槽(3)内，所述发光功能层墨水与所述第二分支堤坝层(22)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面形成的接触角范围为10°～45°，干燥烘烤后形成层叠于所述空穴传输层(5)上的发光功能层(6)；
步骤6、在所述发光功能层(6)上依次制作电子传输层、电子注入层、及阴极。
7.如权利要求6所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述阳极(11)与阴极的材料均为ITO。
8.如权利要求6所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，第一分支堤坝层(21)的上表面与阳极(11)之间的高度差范围为50nm～800nm，所述堤坝(2)的厚度小于3μm。
9.如权利要求6所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述电子传输层及电子注入层的制作方法为真空蒸镀。
10.如权利要求6所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2中堤坝(2)围拢成凹槽(3)的倾斜内周面与基板(1)之间的夹角为30°～60°，所述凹槽(3)的宽度自下往上逐渐增大。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611009326.6A CN106505159B (zh) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
| US15/508,105 US10510990B2 (en) | 2016-11-14 | 2016-12-19 | Groove structure for printing OLED display and manufacturing method for OLED display |
| PCT/CN2016/110736 WO2018086194A1 (zh) | 2016-11-14 | 2016-12-19 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611009326.6A CN106505159B (zh) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106505159A true CN106505159A (zh) | 2017-03-15 |
| CN106505159B CN106505159B (zh) | 2018-07-10 |
Family
ID=58324583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611009326.6A Active CN106505159B (zh) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10510990B2 (zh) |
| CN (1) | CN106505159B (zh) |
| WO (1) | WO2018086194A1 (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108198845A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
| CN109841752A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-06-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111357393A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-06-30 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN111373561A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-03 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN111373843A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-03 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN111740029A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示器件及其制造方法、显示装置 |
| US10964758B2 (en) | 2018-04-19 | 2021-03-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel unit, display panel, display device and method of manufacturing pixel unit |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109192875B (zh) * | 2018-09-04 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板及制造方法、显示基板及制造方法和显示装置 |
| US10741798B1 (en) * | 2019-01-18 | 2020-08-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing same |
| US11367852B2 (en) * | 2020-08-07 | 2022-06-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of OLED display panel with cathode metal layer of lower conductivity and OLED display panel |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009147838A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
| CN105870157A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
| CN105895818A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3915806B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP4888268B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2012-02-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2014170761A (ja) * | 2011-06-30 | 2014-09-18 | Pioneer Electronic Corp | 有機半導体装置および有機半導体装置の製造方法 |
| CN104698662A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
| CN105774279B (zh) * | 2016-03-23 | 2019-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法 |
-
2016
- 2016-11-14 CN CN201611009326.6A patent/CN106505159B/zh active Active
- 2016-12-19 WO PCT/CN2016/110736 patent/WO2018086194A1/zh active Application Filing
- 2016-12-19 US US15/508,105 patent/US10510990B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009147838A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| CN105470408A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
| CN105895818A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 |
| CN105870157A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111357393A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-06-30 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN111373561A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-03 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN111373843A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-03 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el发光元件及其制造方法 |
| CN108198845A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
| US10964758B2 (en) | 2018-04-19 | 2021-03-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel unit, display panel, display device and method of manufacturing pixel unit |
| CN109148727A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及制备方法、显示装置 |
| US11233214B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display device and method of fabricating display substrate |
| CN109841752A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-06-04 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111740029A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示器件及其制造方法、显示装置 |
| CN111740029B (zh) * | 2020-06-30 | 2024-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示器件及其制造方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106505159B (zh) | 2018-07-10 |
| US10510990B2 (en) | 2019-12-17 |
| US20180241009A1 (en) | 2018-08-23 |
| WO2018086194A1 (zh) | 2018-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106505159B (zh) | 用于打印oled显示器件的凹槽结构及oled显示器件的制作方法 | |
| CN105470408B (zh) | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 | |
| CN105895818B (zh) | 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 | |
| CN105870157B (zh) | 用于打印成膜的凹槽结构及其制作方法 | |
| CN107887423B (zh) | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 | |
| Xiong et al. | Realizing 17.0% external quantum efficiency in red quantum dot light-emitting diodes by pursuing the ideal inkjet-printed film and interface | |
| CN105244454B (zh) | 一种印刷am‑qdled及其制作方法 | |
| Chung et al. | High performance, flexible polymer light-emitting diodes (PLEDs) with gravure contact printed hole injection and light emitting layers | |
| Chen et al. | High performance inkjet-printed QLEDs with 18.3% EQE: improving interfacial contact by novel halogen-free binary solvent system | |
| CN108538892A (zh) | Oled显示器件的制作方法 | |
| CN108242458A (zh) | 电致发光显示装置 | |
| CN107768529A (zh) | 钙钛矿发光二极管及其制作方法 | |
| CN111886931B (zh) | 显示设备及其制造方法 | |
| CN107968108B (zh) | 像素界定层及其制备方法和应用 | |
| CN108598110A (zh) | Oled器件 | |
| CN106373980A (zh) | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 | |
| WO2017128457A1 (zh) | 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置 | |
| CN104241329A (zh) | 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法 | |
| US20210151526A1 (en) | Organic thin film pattern and manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
| CN105870346A (zh) | Led显示屏的制造方法和led显示屏 | |
| CN109698215B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN105261709A (zh) | 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法 | |
| CN106229393A (zh) | 一种发光二极管及其制备方法 | |
| CN107845661A (zh) | 一种像素界定层及其制备方法、显示面板 | |
| CN107706315A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |