CN111740029B - 一种显示器件及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示器件及其制造方法、显示装置，所述显示器件包括：衬底基板、第一电极、功能材料层和第二电极；功能材料层包括空穴传输层、发光层和电子传输层；功能材料层中任一膜层的至少一侧还设有色偏调节层，显示器件包括阵列分布的多个像素，每一像素包括至少三个子像素，色偏调节层图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案，每一色偏调节图案在衬底基板上的正投影与至少一个子像素在衬底基板上的正投影部分重合，每一色偏调节图案包括位于远离衬底基板一侧的上表面，上表面至少一部分为斜面或曲面。本公开提供了一种显示器件及其制造方法、显示装置，能够降低显示面板所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，提高显示器件的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件及其制造方法、显示装置。
背景技术
在相关技术中，为了提高OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的显示效果，OLED显示面板包括OLED显示基板以及形成在OLED显示基板表面的折射层，以通过折射层反射OLED显示基板所发出的光线，使得OLED显示面板所具有的光学微腔得到调节，从而提高OLED显示面板所发出的光线的色度。但是，由于OLED显示面板所具有的光学微腔对光线波长的选择性比较高，使得OLED显示面板所显示的图像在不同视角的色坐标偏移比较大，严重影响了OLED显示面板的显示效果。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法、显示装置，能够降低显示面板所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，从而提高显示器件的显示效果。
本公开实施例所提供的技术方案如下：
本公开实施例还提供了一种显示器件，包括：衬底基板；及，依次形成于所述衬底基板之上的第一电极、功能材料层和第二电极；其中，
所述功能材料层为多膜层结构，包括空穴传输层、发光层和电子传输层；
所述功能材料层中任一膜层的至少一侧还设有色偏调节层，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素，所述色偏调节层图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影与至少一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案包括位于远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面的至少一部分为斜面或曲面。
示例性的，每一所述色偏调节图案在垂直于所述衬底基板方向上的厚度，自该色偏调节图案的中部向该色偏调节图案的边缘逐渐减小，所述上表面为自该色偏调节图案的中部向该色偏调节图案的边缘逐渐变化的斜面或曲面。
示例性的，一个所述色偏调节图案对应一个所述子像素，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影，完全落入对应的所述子像素在所述衬底基板上的正投影内；
或者，一个所述色偏调节图案对应至少两个所述子像素，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影，位于相邻的至少两个所述子像素在所述衬底基板上的正投影之间的区域，并与该相邻的至少两个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
示例性的，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影面积为对应的所述子像素在所述衬底基板上的正投影面积的1/3～1/2。
示例性的，所述色偏调整图案在所述衬底基板上的正投影形状为圆形、椭圆形、多边形或异形。
示例性的，所述色偏调节层包括第一色偏调节层，所述第一色偏调节层位于所述空穴传输层的靠近所述衬底基板的一侧面上、和/或位于所述空穴传输层的远离所述衬底基板的一侧面上，采用所述空穴传输层材料形成；
和/或，所述色偏调节层包括第二色偏调节层，所述第二色偏调节层位于所述发光层的靠近所述衬底基板的一侧面、和/或所述发光层的远离所述衬底基板的一侧面，采用所述发光层材料形成；
和/或，所述色偏调节层包括第三色偏调节层，所述第三色偏调节层位于所述电子传输层的靠近所述衬底基板的一侧、和/或位于所述电子传输层的远离所述衬底基板的一侧面上，采用所述电子传输层材料形成。
示例性的，所述色偏调节层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度取值范围为5～8nm。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例所提供的显示器件。
本公开实施例还提供了一种显示器件的制造方法，所述方法用于制造本公开实施例提供的显示器件，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成第一电极、功能材料层和第二电极，其中所述功能材料层为多膜层结构，包括空穴传输层、发光层和电子传输层；
在形成所述功能材料层过程中，在所述功能材料层中任一膜层的至少一侧形成色偏调节层，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素，所述色偏调节层图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影与至少一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案包括位于远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面的至少一部分为斜面或曲面。
示例性的，所述方法中，所述在形成所述功能材料层过程中，在所述功能材料层中任一膜层的至少一侧形成色偏调节层，具体包括：
在形成所述空穴传输层之前和/或形成所述空穴传输层之后，采用第一掩模板，利用所述空穴传输层材料沉积形成第一色偏调节层，所述第一掩模板上的开口图案对应所述第一色偏调节层上的色偏调节图案，且所述第一掩模板的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径；
和/或，
在形成所述发光层之前和/或形成所述发光层之前，依次采用第二掩模板、第三掩模板和第四掩模板，分别利用所述发光层中的第一子像素发光材料、第二子像素发光材料和第三子像素发光材料，沉积形成第二色偏调节层，所述第二掩模板的开口图案对应所述第一子像素上的色偏调节图案，所述第三掩模板的开口图案对应所述第二子像素上的色偏调节图案，所述第四掩模板的开口图案对应所述第三子像素上的色偏调节图案，且所述第二掩模板、所述第三掩模板和所述第四掩模板上的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径；
和/或，
在形成所述电子传输层之前和/或形成所述电子传输层之后，采用第五掩模板，利用所述空穴传输层材料沉积形成第三色偏调节层，所述第五掩模板上的开口图案对应所述第三色偏调节层上的色偏调节图案，且所述第五掩模板的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径。
本公开实施例所带来的有益效果如下：
本公开实施例所提供的显示器件及其制造方法、显示装置中，在功能材料层任一膜层的至少一侧来设置色偏调节层，该色偏调节层中包括多个色偏调节图案，每个所述色偏调节图案可覆盖一个或至少两个子像素，且该色偏调节图案的上表面至少一部分为斜面或曲面，这样，所述色偏调节层可对各子像素内的光学微腔进行微调，可在不影响显示器件显示亮度的情况下，降低显示器件所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，从而提高显示器件的显示效果。
附图说明
图1表示本公开提供的显示器件的一种实施例的一个像素的断面结构示意图；
图2表示本公开提供的显示器件的另一种实施例的断面结构示意图；
图3表示本公开提供的显示器件中一个子像素的一种实施例的结构示意图；
图4表示本公开提供的显示器件中一个子像素的另一种实施例的结构示意图；
图5表示本公开提供的显示器件中一个子像素的另一种实施例的结构示意图；
图6表示本公开提供的显示器件中一个子像素的另一种实施例的结构示意图；
图7表示本公开提供的显示器件中一个子像素的另一种实施例的结构示意图；
图8表示本公开提供的显示器件中一个子像素的另一种实施例的结构示意图；
图9表示本公开提供的显示器件的一种实施例的平面示意图；
图10表示本公开提供的显示器件另一种实施例的平面示意图；
图11表示本公开提供的显示器件在采用发光层材料形成色偏调节层时，在第一子像素内形成对应的色偏调节图案的一种实施例的示意图；
图12表示本公开提供的显示器件在采用发光层材料形成色偏调节层时，在第二子像素内形成对应的色偏调节图案的一种实施例的示意图；
图13表示本公开提供的显示器件在采用发光层材料形成色偏调节层时，在第三子像素内形成对应的色偏调节图案的一种实施例的示意图；
图14表示本公开提供的显示器件所采用的掩模板的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在对本公开实施例所提供的显示器件进行详细说明之前，有必要对于相关技术进行以下说明：
在相关技术中，由于OLED显示面板所具有的光学微腔对光线波长的选择性比较高，使得OLED显示面板所显示的图像在不同视角的色坐标偏移比较大，严重影响了OLED显示面板的显示效果。
针对上述技术问题，本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法、显示装置，能够降低显示面板所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，从而提高显示器件的显示效果。
如图1至图10所示，本公开实施例所提供的显示器件包括：衬底基板100；及，依次形成于所述衬底基板100之上的第一电极200、功能材料层300和第二电极400；其中，
所述功能材料层300为多膜层结构，包括空穴传输层310、发光层320和电子传输层330；
所述功能材料层300中任一膜层的至少一侧还设有色偏调节层500，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素600，所述色偏调节层500图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案510，每一所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影与至少一个所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案510包括位于远离所述衬底基板100一侧的上表面511，所述上表面511的至少一部分为斜面或曲面。
在上述公开实施例中，在显示器件的功能材料层300任一膜层的至少一侧设置了色偏调节层500，该色偏调节层500包括阵列分布的多个色偏调节图案510，每个所述色偏调节图案510可覆盖一个或至少两个子像素600，且该色偏调节图案510的上表面至少一部分为斜面或曲面，这样，该色偏调节图案510上斜面或曲面的设计，使得所述色偏调节层500可对各子像素600内的光学微腔进行微调，可在不影响显示器件显示亮度的情况下，降低显示器件所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，从而提高显示器件的显示效果。
在一些示例性的实施例中，如图1至图8所示，每一所述色偏调节图案510在垂直于所述衬底基板100方向上的厚度，自该色偏调节图案510的中部向该色偏调节图案510的边缘逐渐减小，所述上表面为自该色偏调节图案510的中部向该色偏调节图案510的边缘逐渐变化的斜面或曲面。
采用上述方案，由于所述色偏调节图案510的厚度从中部向边缘逐渐减小，这样，在色偏调节图案510的上表面则形成逐渐变化的斜面或曲面，例如，整个色偏调节图案510的结构类似于锥台状，而使得各子像素600的光学微腔内的光线发生变化，相较于相关技术中的功能材料层300的光学微腔来说，可降低显示器件所显示的图像在不同视角下的色坐标偏移量，从而提高显示器件的显示效果。
需要说明的是，在上述公开实施例中，所述色偏调节图案510的中部向边缘的厚度差值在一定范围内，所述色偏调节图案510在垂直于所述衬底基板100方向上的厚度取值范围在5～8nm之间。
还需要说明的是，所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影形状不限定，例如，可以是圆形、椭圆形、多边形或其他异形形状，且所述色偏调节图案510的大小也可以根据实际应用进行调节。
例如，一个所述色偏调节图案510对应一个所述子像素600，每一所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影，完全落入对应的所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影内，也就是说，一个所述色偏调节图案510覆盖一个子像素600；
或者，还可以是，一个所述色偏调节图案510对应至少两个所述子像素600，每一所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影，位于相邻的至少两个所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影之间的区域，并与该相邻的至少两个所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影部分重叠，也就是说，一个所述色偏调节图案510覆盖相邻的两个或两个以上的子像素600。
例如，图9所示的实施例中，以Delta型像素分布为例，一个所述色偏调节图案510覆盖一个子像素600；图10所示的实施例中，以Delta型像素分布为例，一个所述色偏调节图案510覆盖相邻两个子像素600。
在一些实施例中，每一所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影面积为对应的所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影面积的1/3～1/2。
当然可以理解的是，以上仅是示例，在实际应用中，所述色偏调节图案510的形状以及大小等可根据实际需求进行调整。
以下示例性的说明本公开所提供的显示器件。
在本公开的一些实施例中，如图1和图3所示，所述色偏调节层500包括第一色偏调节层510，所述第一色偏调节层510位于所述空穴传输层310的靠近所述衬底基板100的一侧面上，采用所述空穴传输层310材料形成。
以图1和图3所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述空穴传输层310与所述第一电极200之间形成所述第一色偏调节层510，其中所述第一色偏调节层510中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
以图2所示为例，在另一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述空穴传输层310与所述第一电极200之间形成有所述第一色偏调节层510，其中所述第一色偏调节层510中阵列分布多个色偏调节图案510，每一个色偏调节图案510覆盖相邻的两个子像素600，也就是说，相邻两个子像素600之间共用一个色偏调节图案510。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由空穴传输层310材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，在形成所述空穴传输层310之前，采用第一掩模板(shadow mask)，利用所述空穴传输层310材料沉积形成第一色偏调节层510，图14所示为所述第一掩模板11的截面示意图，所述第一掩模板11上的开口图案11对应所述第一色偏调节层510上的色偏调节图案510，且所述第一掩模板11的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第一掩模板11上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，采用精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，依次形成电子传输层330和第二电极400。
此外，在本公开的一些实施例中，如图2和图4所示，所述色偏调节层500包括第一色偏调节层510，所述第一色偏调节层510位于所述空穴传输层310的远离所述衬底基板100的一侧面上，采用所述空穴传输层310材料形成。
以图2、图4和图9所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述空穴传输层310与所述发光层320之间形成所述第一色偏调节层510，其中所述第一色偏调节层510中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
以图2和图10所示为例，在另一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述空穴传输层310与所述发光层320之间形成有所述第一色偏调节层510，其中所述第一色偏调节层510中阵列分布多个色偏调节图案510，每一个色偏调节图案510覆盖相邻的两个子像素600，也就是说，相邻两个子像素600之间共用一个色偏调节图案510。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由空穴传输层310材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，在形成所述空穴传输层310之后，采用第一掩模板11(shadow mask)，利用所述空穴传输层310材料沉积形成第一色偏调节层510，图14所示为所述第一掩模板11的截面示意图，所述第一掩模板11上的开口图案11对应所述第一色偏调节层510上的色偏调节图案510，且所述第一掩模板11的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第一掩模板11上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，采用精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，依次形成电子传输层330和第二电极400。
此外，在本公开另一些实施例中，如图5所示，所述色偏调节层500包括第二色偏调节层520，所述第二色偏调节层520位于所述发光层320的靠近所述衬底基板100的一侧面，采用所述发光层320材料形成。
以图5所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述空穴传输层310与所述发光层320之间形成所述第二色偏调节层520，其中所述第二色偏调节层520中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由发光层320材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，采用第二掩模板12，利用所述发光层320中的第一子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第一子像素600对应的色偏调节图案510，所述第二掩模板12的开口图案11对应所述第一子像素600上的色偏调节图案510，且所述第二掩模板12上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第二掩模板12上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，采用第三掩模板13，利用所述发光层320中的第二子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第二子像素600对应的色偏调节图案510，所述第三掩模板13的开口图案11对应所述第二子像素600上的色偏调节图案510，且所述第三掩模板13上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第三掩模板13上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，采用第四掩模板14，利用所述发光层320中的第三子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第三子像素600对应的色偏调节图案510，所述第四掩模板14的开口图案11对应所述第三子像素600上的色偏调节图案510，且所述第四掩模板14上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第四掩模板14上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，采用普通精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，依次形成电子传输层330和第二电极400。
此外，在本公开的另一些实施例中，如图6所示，所述色偏调节层500包括第二色偏调节层520，所述第二色偏调节层520位于所述发光层320的远离所述衬底基板100的一侧面，采用所述发光层320材料形成。
以图所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述电子传输层330与所述发光层320之间形成所述第二色偏调节层520，其中所述第二色偏调节层520中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由发光层320材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，采用普通精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，如图11所示，采用第二掩模板12，利用所述发光层320中的第一子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第一子像素600对应的色偏调节图案510，所述第二掩模板12的开口图案11对应所述第一子像素600上的色偏调节图案510，且所述第二掩模板12上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第二掩模板12上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，如图12所示，采用第三掩模板13，利用所述发光层320中的第二子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第二子像素600对应的色偏调节图案510，所述第三掩模板13的开口图案11对应所述第二子像素600上的色偏调节图案510，且所述第三掩模板13上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第三掩模板13上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，如图13所示，采用第四掩模板14，利用所述发光层320中的第三子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520中第三子像素600对应的色偏调节图案510，所述第四掩模板14的开口图案11对应所述第三子像素600上的色偏调节图案510，且所述第四掩模板14上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第四掩模板14上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，依次形成电子传输层330和第二电极400。
此外，在一些实施例中，如图所示，所述色偏调节层500包括第三色偏调节层530，所述第三色偏调节层530位于所述电子传输层330的靠近所述衬底基板100的一侧面上，采用所述电子传输层330材料形成。
在本公开的一些实施例中，如图7所示，所述色偏调节层500包括第三色偏调节层530，所述第三色偏调节层530位于所述空穴传输层310的靠近所述衬底基板100的一侧面上，采用所述电子传输层330材料形成。
以图7和图9所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述发光层320与所述电子传输层330之间形成所述第三色偏调节层530，其中所述第三色偏调节层530中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
以图7和图10所示为例，在另一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述发光层320与所述电子传输层330之间形成有所述第三色偏调节层530，其中所述第三色偏调节层530中阵列分布多个色偏调节图案510，每一个色偏调节图案510覆盖相邻的两个子像素600，也就是说，相邻两个子像素600之间共用一个色偏调节图案510。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由电子传输层330材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，采用精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，在形成所述电子传输层330之前，采用第五掩模板15(shadow mask)，利用所述电子传输层330材料沉积形成第三色偏调节层530，图14所示为所述第五掩模板15的截面示意图，所述第五掩模板15上的开口图案11对应所述第三色偏调节层530上的色偏调节图案510，且所述第五掩模板15的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第五掩模板15上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，依次形成电子传输层330和第二电极400。
此外，在一些实施例中，如图8所示，所述色偏调节层500包括第三色偏调节层530，所述第三色偏调节层530位于所述电子传输层330的远离所述衬底基板100的一侧面上，采用所述电子传输层330材料形成。
以图8和图9所示为例，在一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述第二电极400与所述电子传输层330之间形成所述第三色偏调节层530，其中所述第三色偏调节层530中阵列分布多个色偏调节图案510，每一子像素600对应一个色偏调节图案510设置。
以图8和图10所示为例，在另一种示例性实施例中，所述空穴传输层310、所述发光层320和所述电子传输层330依次形成于所述第一电极200的远离衬底基板100的一侧，所述第二电极400层与所述电子传输层330之间形成有所述第三色偏调节层530，其中所述第三色偏调节层530中阵列分布多个色偏调节图案510，每一个色偏调节图案510覆盖相邻的两个子像素600，也就是说，相邻两个子像素600之间共用一个色偏调节图案510。
上述公开的示例性实施例中，所述色偏调节层500由电子传输层330材料制成，其中色偏调节层500可通过单独设计的掩模板(shadow mask)来形成，具体的制造过程可以如下：
首先，在衬底基板100上形成第一电极200；
然后，采用普通掩模板(Common Mask)，利用空穴传输层310材料沉积形成空穴传输层310；
然后，采用精细金属掩模板FMM依次沉积形成各子像素600的发光层320；
然后，形成电子传输层330；
然后，在形成所述电子传输层330之后，采用第五掩模板15(shadow mask)，利用所述电子传输层330材料沉积形成第三色偏调节层530，图14所示为所述第五掩模板15的截面示意图，所述第五掩模板15上的开口图案11对应所述第三色偏调节层530上的色偏调节图案510，且所述第五掩模板15的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径，且所述第五掩模板15上的开口图案11与衬底基板100之间的夹角大于或等于蒸镀机的蒸镀角，以形成中部高、边缘低的色偏调节图案510；
然后，形成所述第二电极400。
以本公开所提供的一种实施例为例，所述色偏调节层500采用空穴传输层310材料(HT)形成，该色偏调节层500位于空穴传输层310与发光层320之间，且所述色偏调节层500的厚度为5nm为例，显示器件的性能变化如下表1所示：
表1
| HT | V | L | x | v | cd/A/y | λ |
| HT(1100) | 3.72 | 1297 | 0.137 | 0.051 | 170.39 | 460 |
| HT(1120) | 3.75 | 1469 | 0.135 | 0.056 | 173.72 | 462 |
| HT(1150) | 3.74 | 1566 | 0.131 | 0.065 | 161.27 | 464 |
由表1可知，本公开实施例的显示器件色偏调节层500的厚度变化，对整个显示器件的性能影响很小。
此外，需要说明的是，本公开实施例所提供的显示器件可以是OLED显示器件，但是不限于OLED显示器件。
此外，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例所提供的显示器件。显然，本公开实施例提供的显示装置也能带来本公开实施例所提供的显示器件所带来的有益效果，在此不再赘述。
所述显示装置可以是手机、平板、电脑、显示器、电视机等各种显示设备。
此外，本公开实施例还提供了一种显示器件的制造方法，所述方法用于制造本公开实施例提供的显示器件，所述方法包括：
步骤S01、提供衬底基板100；
步骤S02、在所述衬底基板100上依次形成第一电极200、功能材料层300和第二电极400，其中所述功能材料层300为多膜层结构，包括空穴传输层310、发光层320和电子传输层330；
步骤S03、在形成所述功能材料层300过程中，在所述功能材料层300中任一膜层的至少一侧形成色偏调节层500，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素600，所述色偏调节层500图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案510，每一所述色偏调节图案510在所述衬底基板100上的正投影与至少一个所述子像素600在所述衬底基板100上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案510包括位于远离所述衬底基板100一侧的上表面，所述上表面的至少一部分为斜面或曲面。
在一种示例性的实施例中，所述方法中，步骤S03具体包括：
步骤S031、在形成所述空穴传输层310之前和/或形成所述空穴传输层310之后，采用第一掩模板11，利用所述空穴传输层310材料沉积形成第一色偏调节层510，所述第一掩模板11上的开口图案11对应所述第一色偏调节层510上的色偏调节图案510，且所述第一掩模板11的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径。
本公开实施例中，如图14所示，可以通过特殊设计的第一掩模板11，利用空穴传输层310材料形成所述色偏调节层500。
在另一种示例性的实施例中，所述方法中，步骤S03具体包括：
步骤S032、在形成所述发光层320之前和/或形成所述发光层320之前，依次采用第二掩模板12、第三掩模板13和第四掩模板14，分别利用所述发光层320中的第一子像素600发光材料、第二子像素600发光材料和第三子像素600发光材料，沉积形成第二色偏调节层520，所述第二掩模板12的开口图案11对应所述第一子像素600上的色偏调节图案510，所述第三掩模板13的开口图案11对应所述第二子像素600上的色偏调节图案510，所述第四掩模板14的开口图案11对应所述第三子像素600上的色偏调节图案510，且所述第二掩模板12、所述第三掩模板13和所述第四掩模板14上的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径。
本公开实施例中，如图11至图13所示，可以通过特殊设计的第二掩模板12、第三掩模板13和第四掩模板14，利用发光层320材料形成所述色偏调节层500。
在另一种示例性的实施例中，所述方法中，步骤S03具体包括：
步骤S033、在形成所述电子传输层330之前和/或形成所述电子传输层330之后，采用第五掩模板15，利用所述空穴传输层310材料沉积形成第三色偏调节层530，所述第五掩模板15上的开口图案11对应所述第三色偏调节层530上的色偏调节图案510，且所述第五掩模板15的开口图案11在面向所述衬底基板100一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径。
本公开实施例中，可以通过特殊设计的第五掩模板15，利用电子传输层330材料形成所述色偏调节层500。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种显示器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成第一电极、功能材料层和第二电极，其中所述功能材料层为多膜层结构，包括空穴传输层、发光层和电子传输层；
在形成所述功能材料层过程中，在所述功能材料层中任一膜层的至少一侧形成色偏调节层，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素，所述色偏调节层图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影与至少一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案包括位于远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面的至少一部分为斜面或曲面；
所述方法中，所述在形成所述功能材料层过程中，在所述功能材料层中任一膜层的至少一侧形成色偏调节层，具体包括：
在形成所述空穴传输层之前和/或形成所述空穴传输层之后，采用第一掩模板，利用所述空穴传输层的材料沉积形成第一色偏调节层，所述第一掩模板上的开口图案对应所述第一色偏调节层上的色偏调节图案，且所述第一掩模板的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径；
和/或，
在形成所述发光层之前和/或形成所述发光层之后，依次采用第二掩模板、第三掩模板和第四掩模板，分别利用所述发光层中的第一子像素的发光材料、第二子像素的发光材料和第三子像素的发光材料，沉积形成第二色偏调节层，所述第二掩模板的开口图案对应所述第一子像素上的色偏调节图案，所述第三掩模板的开口图案对应所述第二子像素上的色偏调节图案，所述第四掩模板的开口图案对应所述第三子像素上的色偏调节图案，且所述第二掩模板、所述第三掩模板和所述第四掩模板上的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径；
和/或，
在形成所述电子传输层之前和/或形成所述电子传输层之后，采用第五掩模板，利用所述空穴传输层的材料沉积形成第三色偏调节层，所述第五掩模板上的开口图案对应所述第三色偏调节层上的色偏调节图案，且所述第五掩模板的开口图案在面向所述衬底基板一面的开口内径大于面向蒸镀源一面的开口内径。
2.一种显示器件，由权利要求1所述的显示器件的制作方法制作得到，其特征在于，包括：衬底基板；及，依次形成于所述衬底基板之上的第一电极、功能材料层和第二电极；其中，
所述功能材料层为多膜层结构，包括空穴传输层、发光层和电子传输层；
所述功能材料层中任一膜层的至少一侧还设有色偏调节层，所述显示器件包括阵列分布的多个像素，每一所述像素包括至少三个子像素，所述色偏调节层图案化形成阵列分布的多个色偏调节图案，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影与至少一个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重合，且每一所述色偏调节图案包括位于远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面的至少一部分为斜面或曲面。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
每一所述色偏调节图案在垂直于所述衬底基板方向上的厚度，自该色偏调节图案的中部向该色偏调节图案的边缘逐渐减小，所述上表面为自该色偏调节图案的中部向该色偏调节图案的边缘逐渐变化的斜面或曲面。
4.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
一个所述色偏调节图案对应一个所述子像素，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影，完全落入对应的所述子像素在所述衬底基板上的正投影内；
或者，一个所述色偏调节图案对应至少两个所述子像素，每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影，位于相邻的至少两个所述子像素在所述衬底基板上的正投影之间的区域，并与该相邻的至少两个所述子像素在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，
每一所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影面积为对应的所述子像素在所述衬底基板上的正投影面积的1/3~1/2。
6.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述色偏调节图案在所述衬底基板上的正投影形状为圆形、椭圆形、多边形或异形。
7.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述色偏调节层包括第一色偏调节层，所述第一色偏调节层位于所述空穴传输层的靠近所述衬底基板的一侧面上、和/或位于所述空穴传输层的远离所述衬底基板的一侧面上，采用所述空穴传输层的材料形成；
和/或，所述色偏调节层包括第二色偏调节层，所述第二色偏调节层位于所述发光层的靠近所述衬底基板的一侧面、和/或所述发光层的远离所述衬底基板的一侧面，采用所述发光层的材料形成；
和/或，所述色偏调节层包括第三色偏调节层，所述第三色偏调节层位于所述电子传输层的靠近所述衬底基板的一侧、和/或位于所述电子传输层的远离所述衬底基板的一侧面上，采用所述电子传输层的材料形成。
8.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述色偏调节层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度取值范围为5~8nm。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求2至8任一项所述的显示器件。
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