CN110600519A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该显示基板包括：第一衬底基板，在第一衬底基板上设有呈阵列分布的多个像素单元，每一像素单元至少包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，第一凹槽和第二凹槽间隔设置于第一衬底基板的第一侧，第三凹槽设置在第一衬底基板的第二侧，且第三凹槽对应第一凹槽和第二凹槽之间的间隙设置；设置在第一凹槽内的第一发光层；设置在第二凹槽内的第二发光层；设置在第三凹槽内的第三发光层；及，设置于第一衬底基板的第一侧的第一电极层，第一电极层覆盖于第一发光层和第二发光层之上。能够解决高分辨率显示产品由于像素间距小而导致混色不良的问题，且像素尺寸及间距可以进一步减小，提升显示产品的分辨率。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光电致(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器件由于具有自发光、响应速度快、亮度高、全视角、可柔性显示等一系列优点，因而成为目前极具竞争力和发展前景的显示装置。

OLED显示器件包括依次层叠设置在基底上的阳极、有机发光层和阴极，当阳极和阴极施加电压时，有机发光层会发光。目前OLED显示器件的有机发光层一般采用真空蒸镀的方法制作。一般采用R、G、B三种颜色的子像素并行排列的模式。在制作这种OLED器件时，先利用高精度金属掩模板遮挡，将有机发光材料通过蒸镀沉积在一种颜色对应的子像素区，再将高精度金属掩模板移动一定的位置或换一张高精度金属掩模板，将有机发光材料蒸镀沉积在另一种颜色对应的子像素区，依次制作第三种颜色的子像素，完成一个像素单元的制作。

随着分辨率的提高，在同样尺寸的显示屏上，需要制作更多的像素单元，这导致像素间距变窄，有机发光材料在蒸镀至某一颜色对应的子像素区时，会扩散沉积在相邻的其他颜色的子像素区中，由此形成混色不良，且使得OLED显示器件的分辨率难以进一步提升，而现在VR、AR等领域对OLED显示面板的分辨率要求越来越高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够解决高分辨率显示产品由于像素间距小而导致混色不良的问题，且像素尺寸及间距可以进一步减小，提升显示产品的分辨率。

本发明所提供的技术方案如下：

本发明至少一种实施例中提供了一种显示基板，包括：

第一衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧，在所述第一衬底基板上设有呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元至少包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽间隔设置于所述第一衬底基板的第一侧，所述第三凹槽设置在所述第一衬底基板的第二侧，且所述第三凹槽对应所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的间隙设置；

设置在所述第一凹槽内的第一发光层；

设置在所述第二凹槽内的第二发光层；

设置在所述第三凹槽内的第三发光层；

及，设置于所述第一衬底基板的所述第一侧的第一电极层，所述第一电极层覆盖于所述第一发光层和所述第二发光层之上。

示例性的，在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部设置有第一导电层，在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置还设有第二导电层，且在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部开设第一过孔，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接；

在所述第三凹槽的内侧底部设有第三导电层，在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置还设有第四导电层，且在所述第三凹槽的底部开设第二过孔，所述第三导电层和所述第四导电层通过所述第二过孔连接，所述第一电极层覆盖在所述第四导电层、所述第一发光层和所述第二发光层的远离所述第一衬底基板的一侧。

示例性的，在所述第一衬底基板的所述第二侧还设置有第二电极层，所述第二电极层覆盖于所述第三发光层和所述第二导电层的远离所述第一衬底基板的一侧。

示例性的，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层。

示例性的，所述显示基板还包括背板，所述背板包括：第二衬底基板，及设置在所述第二衬底基板之上的驱动TFT及像素电路，其中所述第二电极层设置在所述背板的驱动TFT及像素电路的远离所述第二衬底基板的一侧。

示例性的，所述第一衬底基板为透明树脂基板；

或者，所述第一衬底基板包括：玻璃基板；及，分别设置在所述玻璃基板的相对两侧表面上的第一透明树脂层和第二透明树脂层；其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽开设于所述第一透明树脂层上，所述第三凹槽开设于所述第二透明树脂层上。

一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

一种显示基板的制造方法，包括：

制作第一衬底基板，所述第一衬底基板的第一侧形成有第一凹槽和第二凹槽，所述第一衬底基板的第二侧形成有第三凹槽；

在所述第一凹槽内沉积第一发光层，在所述第二凹槽内沉积第二发光层，在所述第三凹槽内沉积第三发光层；

在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层，在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层。

示例性的，所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层，在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层之前，所述方法还包括：

在所述第一凹槽、所述第二凹槽的底部形成第一过孔，在所述第三凹槽的底部形成第二过孔；

在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部形成第一导电层，在所述第三凹槽的内侧底部形成第三导电层；

在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置形成第二导电层，且所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接；

在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置形成第四导电层，且所述第四导电层和所述第三导电层通过所述第二过孔连接。

示例性的，所述第一衬底基板选用透明树脂基板时，所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽，具体包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽和第二凹槽的图形；

将所述第一衬底基板翻转；

在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽的图形；

所述第一衬底基板选用玻璃基板时，所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽，具体包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一透明树脂层；

在所述第一透明树脂层上涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一透明树脂层，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽和第二凹槽的图形；

将所述第一衬底基板翻转；

在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二透明树脂层；

在所述第二透明树脂层上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二透明树脂层，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽的图形。

本发明所带来的有益效果如下：

上述方案，在第一衬底基板的第一侧设第一凹槽和第二凹槽，在第一衬底基板的第二侧设第三凹槽，且第一凹槽和第二凹槽间隔设置，第三凹槽对应第一凹槽和第二凹槽之间的间隙设置，第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽内再分别沉积发光材料，也就是说，在衬底基板的相对两侧分别开设凹槽，这样，相较于现有技术中在衬底基板的同一侧开凹槽沉积发光材料的方式来说，在同一像素单元中，衬底基板同一侧所设置的凹槽之间间距会增大，也就是，子像素间距会放大，在不变更现有蒸镀工艺基础上，依次向各凹槽内蒸镀沉积发光材料时，由于凹槽间距增大，发光材料在蒸镀至某一颜色对应的子像素区时，不容易扩散沉积到相邻的其他颜色的子像素区中，由此减少由于像素间距小而导致的混色不良现象，且显示基板的分辨率可以得到进一步提升。

附图说明

图1表示现有技术中高分辨率OLED显示产品由于像素间距窄，导致蒸镀沉积时会形成混色不良的原理示意图；

图2表示本发明所提供的显示基板改善蒸镀沉积时形成混色不良问题的原理示意图；

图3表示本发明所提供的显示基板的制造方法中提供的第一衬底基板的结构示意图；

图4表示本发明所提供的显示基板的制造方法中第一衬底基板上形成第一导电层和第三导电层的结构示意图；

图5表示本发明所提供的显示基板的制造方法中第一衬底基板上形成第二导电层和第四导电层的结构示意图；

图6表示本发明所提供的显示基板的制造方法中第一衬底基板的第一侧的第一凹槽和第二凹槽内蒸镀沉积发光材料的结构示意图；

图7表示本发明所提供的显示基板的制造方法中第一衬底基板的第一侧形成第一电极层的结构示意图；

图8表示本发明所提供的显示基板的制造方法中第一衬底基板的第二侧的第三凹槽和第二凹槽内蒸镀沉积发光材料的结构示意图；

图9表示本发明所提供的显示基板的制造方法中制作背板的结构示意图；

图10表示本发明所提供的显示基板的制造方法中发光基板和背板组装后的结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在对本发明所提供的显示基板、显示装置及显示基板的制造方法进行说明之前，有必要对现有技术中所存在的问题进行下详细说明。

图1所示为现有技术中高分辨率OLED显示产品由于像素间距窄，导致蒸镀沉积时会形成混色不良的原理示意图。如图1所示，对于高分辨率显示产品，利用高精度金属掩模板1遮挡，将有机发光材料2通过蒸镀沉积在某一种颜色对应的子像素区3时，由于像素间距a很小，有机发光材料2的蒸镀沉积范围如图1所示，有机发光材料2会扩散沉积到相邻的其他颜色子像素区4内，从而产生混色不良。

针对现有技术中高分辨率OLED显示产品由于像素间距窄，导致蒸镀沉积时会形成混色不良，且分辨率难以进一步提升的技术问题，本发明实施例中提供了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，能够减少高分辨率显示产品由于像素间距小而导致蒸镀沉积形成混色不良的问题，提升显示产品的分辨率。

如图8所示，本发明一种示例性实施例中提供的显示基板包括：

第一衬底基板100，包括相背设置的第一侧和第二侧，在所述第一衬底基板100上设有呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元至少包括第一凹槽201、第二凹槽202和第三凹槽203，所述第一凹槽201和所述第二凹槽202间隔设置于所述第一衬底基板100的第一侧，所述第三凹槽203设置在所述第一衬底基板100的第二侧，且所述第三凹槽203对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202之间的间隙设置；

设置在所述第一凹槽201内的第一发光层301；

设置在所述第二凹槽202内的第二发光层302；

设置在所述第三凹槽203内的第三发光层303；

及，设置于所述第一衬底基板100的所述第一侧的第一电极层400，所述第一电极层400覆盖于所述第一发光层301和所述第二发光层302之上。

上述方案，在第一衬底基板100的第一侧设第一凹槽201和第二凹槽202，在第一衬底基板100的第二侧设第三凹槽203，且第一凹槽201和第二凹槽202间隔设置，第三凹槽203对应第一凹槽201和第二凹槽202之间的间隙设置，第一凹槽201、第二凹槽202和第三凹槽203内再分别沉积发光材料，也就是说，在衬底基板的相对两侧分别开设凹槽。图2所示为本发明实施例中显示基板可以改善混色不良问题的原理示意图。如图2所示，本发明所提供的显示基板双侧开槽的方式，相较于现有技术中在衬底基板的同一侧开设凹槽的方式，衬底基板同一侧所设置的凹槽之间间距a会增大，也就是，子像素间距a会放大，在不变更现有蒸镀工艺基础上，遮挡掩模板10依次向各凹槽内蒸镀沉积发光材料时，对于所述第一衬底基板100的第一侧来说，仅有第一凹槽201和第二凹槽202，第一凹槽201和第二凹槽202之间间隔间距较大，对于所述第一衬底基板100的第二侧来说，仅有第三凹槽203，相邻像素单元之间的第三凹槽203间距较大，这样，发光材料20在蒸镀至某一颜色对应的子像素内时，不容易扩散沉积到相邻的其他颜色的子像素区中，因此，可减少像素间距小导致的混色不良现象，且由于将同一像素单元中的相邻两个子像素所对应的凹槽分别设置在第一衬底基板100的两侧，像素尺寸及间距可以进一步减小，使得显示基板的分辨率可以得到进一步提升。

需要说明的是，本发明实施例所提供的显示基板可以是OLED显示器件，还可以是AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点电致发光)、AMQLED显示器件等，对此不进行限定。

以下对本发明所提供的显示基板进行示例性说明。

在一种示例性的实施例中，如图8所示，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的内侧底部设置有第一导电层501，在所述第一衬底基板100的第二侧、对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的外侧底部位置还设有第二导电层502，且在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的底部开设第一过孔601，所述第一导电层501和所述第二导电层502通过所述第一过孔601连接；在所述第三凹槽203的内侧底部设有第三导电层503，在所述第一衬底基板100的第一侧、对应所述第三凹槽203的外侧底部位置还设有第四导电层504，且在所述第三凹槽203的底部开设第二过孔602，所述第三导电层503和所述第四导电层504通过所述第二过孔602连接，所述第一电极层400覆盖在所述第四导电层504、所述第一发光层301和所述第二发光层302的远离所述第一衬底基板100的一侧。

上述方案中，由于在第一衬底基板100的相对两侧分别开设凹槽，第一衬底基板100为绝缘材料，凹槽的底部绝缘，这样，各凹槽内沉积对应的发光层之后，再在第一衬底基板100的相对两侧分别设置阴、阳电极时，会存在发光层不能与其两侧电极均直接接触连通的问题，因此，如图8所示，采用上述方案，通过在各凹槽的底部内、外侧分别沉积导电层，且各凹槽的底部内、外侧的导电层通过凹槽底部的过孔连通，这样，当向所述第一衬底基板100的相对两侧分别设置电极层时，各凹槽内的发光层，可通过各凹槽所对应的底部内、外侧所沉积的导电层，来与相对应的电极层连通。

对于所述第一导电层501、所述第二导电层502、所述第三导电层503和所述第四导电层504，可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，具体制备过程可以如下：

首先，如图4所示，所述第一衬底基板100的第一侧通过掩模板遮挡，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的内侧底部沉积所述第一导电层501，所述第一衬底基板100的第二侧通过掩模板遮挡，在所述第三凹槽203的内侧底部沉积所述第三导电层503；

然后，如图5所示，在所述第一衬底基板100上，对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的位置刻蚀形成第一过孔601，对应所述第三凹槽203的位置刻蚀形成第二过孔602；

然后，如图5所示，在所述第一衬底基板100的第二侧通过掩模板遮挡，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的外侧底部沉积所述第二导电层502，所述第二导电层502通过所述第一过孔601与所述第一导电层501连接，所述第一衬底基板100的第一侧通过掩模板遮挡，在所述第三凹槽203的外侧底部沉积所述第四导电层504，所述第四导电层504通过所述第二过孔602与所述第三导电层503连接。

需要说明的是，上述方案仅是一种示例性的实施例，在实际应用中，各凹槽内的发光层还可以利用其它方式来与电极导通，对此不进行限定。

此外，在本发明所提供的一种示例性的实施例中，如图10所示，在所述第一衬底基板100的所述第二侧还设置有第二电极层700，所述第二电极层700覆盖于所述第三发光层303和所述第二导电层502的远离所述第一衬底基板100的一侧。

示例性的，所述第一电极层400为阴极层，所述第二电极层700为阳极层。

当然可以理解的是，所述第一电极层400还可以为阳极层，所述第二电极层700为阴极层。

此外，在一种示例性的实施例中，如图9和图10所示，所述显示基板还包括背板，所述背板包括：第二衬底基板800，及设置在所述第二衬底基板800之上的驱动TFT(薄膜晶体管)801及像素电路802，其中所述第二电极层700设置在所述背板的驱动TFT及像素电路的远离所述第二衬底基板800的一侧，且所述第二电极层700包括多个第二电极块，多个第二电极块分别对应所述第一凹槽201、所述第二凹槽202和所述第三凹槽203所对应的多个子像素区。

在上述方案中，如图9和图10所示，在制作显示基板时，所述第一电极层400可以直接制作于所述第一衬底基板100上，从而，所述第一衬底基板100、所述第一发光层301、所述第二发光层302、所述第三发光层303、所述第一导电层501、所述第二导电层502、所述第三导电层503、所述第四导电层504及所述第一电极层400，可以共同作为一个发光基板使用；所述背板可为单独制作的另一基板，包括第二衬底基板800、像素电路、驱动TFT以及沉积在所述驱动TFT和所述像素电路的远离所述第二衬底基板800的一侧的第二电极层700。在制作该显示基板时，将发光基板与背板精密对合，使R、G、B三个子像素区分别与对应的第二电极块连接，即可组成显示产品。

此外，在本发明所提供的一种示例性的实施例中，所述第一衬底基板100可以选用透明树脂基板，可以直接通过刻蚀工艺在所述第一衬底基板100的第一侧表面形成第一凹槽201和第二凹槽202，通过刻蚀工艺在所述第一衬底基板100的第二侧表面形成第三凹槽203，具体过程可以如下：

提供第一衬底基板100；

在所述第一衬底基板100的第一侧表面涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽201、第二凹槽202的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺(例如干刻工艺)，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板100，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽201和第二凹槽202的图形；

将所述第一衬底基板100翻转；

在所述第一衬底基板100的第二侧表面上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽203的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板100，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽203的图形。

此外，在本发明所提供的一种示例性的实施例中，所述第一衬底基板100可以选用玻璃基板，在所述玻璃基板的相对两侧表面上分别设置第一透明树脂层和第二透明树脂层；其中，所述第一凹槽201和所述第二凹槽202开设于所述第一透明树脂层上，所述第三凹槽203开设于所述第二透明树脂层上，该第一衬底基板100具体制作过程可以如下：

提供第一衬底基板100；

在所述第一衬底基板100的第一侧表面涂覆第一透明树脂层；

在所述第一透明树脂层上涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽201、第二凹槽202的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺(例如使用HF酸刻蚀)，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一透明树脂层，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽201和第二凹槽202的图形；

将所述第一衬底基板100翻转；

在所述第一衬底基板100的第二侧表面上涂覆第二透明树脂层；

在所述第二透明树脂层上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽203的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二透明树脂层，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽203的图形。

需要说明的是，所述第一衬底基板100选用树脂基板时，在凹槽底部刻蚀过孔时，只需要刻蚀一层基板，而所述第一衬底基板100选用玻璃基板时，在凹槽底部刻蚀过孔时，需要刻蚀一层玻璃基板和一层透明树脂层。

此外，还需要说明的是，所述第一透明树脂层和所述第二透明树脂层可以选用例如光学胶(OC)、合成树脂层(Resin)等。

此外，还需要说明的是，本发明一种示例性的实施例中，所述第一凹槽201对应红色子像素，所述第二凹槽202对应绿色子像素，所述第三凹槽203对应蓝色子像素，当然，并不以此为限。

此外，本发明实施例中还提供了一种显示装置，包括本发明实施例所提供的显示基板。所述显示装置可以是包括AR、VR显示装置在内的各种显示装置。

此外，本发明实施例中提供一种显示基板的制造方法，该制作方法可应用于本发明实施例所提供的显示基板，所述方法包括：

步骤S1、制作第一衬底基板100，所述第一衬底基板100的第一侧形成有第一凹槽201和第二凹槽202，所述第一衬底基板100的第二侧形成有第三凹槽203；

步骤S2、在所述第一凹槽201内沉积第一发光层301，在所述第二凹槽202内沉积第二发光层302，在所述第三凹槽203内沉积第三发光层303；

步骤S3、在所述第一衬底基板100的第一侧形成第一电极层400，在所述第一衬底基板100的第二侧形成第二电极层700。

上述方案，在第一衬底基板100的第一侧设第一凹槽201和第二凹槽202，在第一衬底基板100的第二侧设第三凹槽203，且第一凹槽201和第二凹槽202间隔设置，第三凹槽203对应第一凹槽201和第二凹槽202之间的间隙设置，第一凹槽201、第二凹槽202和第三凹槽203内再分别沉积发光材料，也就是说，在衬底基板的相对两侧分别开设凹槽，这样，相较于现有技术中在衬底基板的同一侧开设凹槽的方式，衬底基板同一侧所设置的凹槽之间间距会增大，也就是，子像素间距会放大，在不变更现有蒸镀工艺基础上，依次向各凹槽内蒸镀沉积发光材料时，对于所述第一衬底基板100的第一侧来说，仅有第一凹槽201和第二凹槽202，第一凹槽201和第二凹槽202之间间隔间距较大，对于所述第一衬底基板100的第二侧来说，仅有第三凹槽203，相邻像素单元之间的第三凹槽203间距较大，这样，发光材料在蒸镀至某一颜色对应的子像素内时，不容易扩散沉积到相邻的其他颜色的子像素区中，因此，可减少像素间距小导致的混色不良现象，且显示基板的分辨率可以得到进一步提升。

在本发明所提供的示例性的实施例中，所述步骤S3之前，所述方法还包括：

步骤S21、在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的内侧底部形成第一导电层501，在所述第三凹槽203的内侧底部形成第三导电层503；

步骤S22、在所述第一凹槽201、所述第二凹槽202的底部形成第一过孔601，在所述第三凹槽203的底部形成第二过孔602；

步骤S23、在所述第一衬底基板100的第二侧、对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的外侧底部位置形成第二导电层502，且所述第一导电层501和所述第二导电层502通过所述第一过孔601连接；

步骤S24、在所述第一衬底基板100的第一侧、对应所述第三凹槽203的外侧底部位置形成第四导电层504，且所述第四导电层504和所述第三导电层503通过所述第二过孔602连接。

需要说明的是，上述方案，对于所述第一导电层501、所述第二导电层502、所述第三导电层503和所述第四导电层504，具体制备过程可以如下：

所述第一衬底基板100的第一侧通过掩模板遮挡，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的内侧底部沉积所述第一导电层501，所述第一衬底基板100的第二侧通过掩模板遮挡，在所述第三凹槽203的内侧底部沉积所述第三导电层503；

在所述第一衬底基板100上，对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的位置刻蚀形成第一过孔601，对应所述第三凹槽203的位置刻蚀形成第二过孔602；

在所述第一衬底基板100的第二侧通过掩模板遮挡，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的外侧底部沉积所述第二导电层502，所述第二导电层502通过所述第一过孔601与所述第一导电层501连接，所述第一衬底基板100的第一侧通过掩模板遮挡，在所述第三凹槽203的外侧底部沉积所述第四导电层504，所述第四导电层504通过所述第二过孔602与所述第三导电层503连接。

需要说明的是，上述方案仅是一种示例性的实施例，在实际应用中，各凹槽内的发光层还可以利用其它方式来与电极导通，对此不进行限定。

此外，本发明所提供的实施例中，示例性的，所述第一衬底基板100选用透明树脂基板时，所述步骤S1具体包括：

提供第一衬底基板100；

在所述第一衬底基板100的第一侧表面涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽201、第二凹槽202的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板100，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽201和第二凹槽202的图形；

将所述第一衬底基板100翻转；

在所述第一衬底基板100的第二侧表面上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽203的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板100，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽203的图形。

此外，在本发明所提供的一种示例性的实施例中，所述第一衬底基板100选用玻璃基板时，所述步骤S1具体包括：

提供第一衬底基板100；

在所述第一衬底基板100的第一侧表面涂覆第一透明树脂层；

在所述第一透明树脂层上涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽201、第二凹槽202的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一透明树脂层，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽201和第二凹槽202的图形；

将所述第一衬底基板100翻转；

在所述第一衬底基板100的第二侧表面上涂覆第二透明树脂层；

在所述第二透明树脂层上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽203的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二透明树脂层，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽203的图形。

以下结合附图，对本发明所提供的显示基板的制造方法进行更为详尽的说明。如图3至图10所示，以本发明所提供的显示基板的制造方法应用于OLED显示基板为例，该方法包括以下步骤：

首先，如图3所示，提供一第一衬底基板100，在所述第一衬底基板100的第一侧形成第一凹槽201和第二凹槽202，在所述第一衬底基板100的第二侧形成第三凹槽203，其中所述第一衬底基板100为透明树脂基板时，可通过涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离等工序，在所述第一衬底基板100上直接制作所述第一凹槽201、所述第二凹槽202和所述第三凹槽203；所述第一衬底基板100为玻璃基板时，可通过在所述玻璃基板的相对两侧分别涂覆第一透明树脂层和第二透明树脂层，再通过涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离等工序，在所述第一衬底基板100上制作所述第一凹槽201、所述第二凹槽202和所述第三凹槽203；

然后，如图4所示，在所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的内侧底部沉积第一导电层501，在所述第三凹槽203的内侧底部沉积第三导电层503；

然后，通过刻蚀工艺等方式，在所述第一衬底基板100上形成第一过孔601和第二过孔602；

然后，如图5所示，在所述第一衬底基板100的第二侧、对应所述第一凹槽201和所述第二凹槽202的外侧底部位置形成第二导电层502，且所述第一导电层501和所述第二导电层502通过所述第一过孔601连接；在所述第一衬底基板100的第一侧、对应所述第三凹槽203的外侧底部位置形成第四导电层504，且所述第四导电层504和所述第三导电层503通过所述第二过孔602连接；

然后，如图6所示，通过掩模板遮挡，在所述第一凹槽201沉积第一发光层301，在所述第二凹槽202沉积第二发光层302；

然后，如图7所示，在所述第一衬底基板100的第一侧形成第一电极层400；

然后，如图8所示，通过掩模板遮挡，在所述第三凹槽203沉积第三发光层303，得到发光基板；

然后，如图9所示，制作背板，所述背板包括像素电路、驱动TFT以及沉积在所述像素电路和驱动TFT上的第二电极层700；

然后，如图10所示，将发光基板与背板精密对合，使R、G、B分别与对应第二电极层700的各电极块连接，即可组成显示面板。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

第一衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧，在所述第一衬底基板上设有呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元至少包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽间隔设置于所述第一衬底基板的第一侧，所述第三凹槽设置在所述第一衬底基板的第二侧，且所述第三凹槽对应所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的间隙设置；

设置在所述第一凹槽内的第一发光层；

设置在所述第二凹槽内的第二发光层；

设置在所述第三凹槽内的第三发光层；

及，设置于所述第一衬底基板的所述第一侧的第一电极层，所述第一电极层覆盖于所述第一发光层和所述第二发光层之上。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部设置有第一导电层，在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置还设有第二导电层，且在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部开设第一过孔，所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接；

在所述第三凹槽的内侧底部设有第三导电层，在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置还设有第四导电层，且在所述第三凹槽的底部开设第二过孔，所述第三导电层和所述第四导电层通过所述第二过孔连接，所述第一电极层覆盖在所述第四导电层、所述第一发光层和所述第二发光层的远离所述第一衬底基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，

在所述第一衬底基板的所述第二侧还设置有第二电极层，所述第二电极层覆盖于所述第三发光层和所述第二导电层的远离所述第一衬底基板的一侧。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，

所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，

所述显示基板还包括背板，所述背板包括：第二衬底基板，及设置在所述第二衬底基板之上的驱动TFT及像素电路，其中所述第二电极层设置在所述背板的驱动TFT及像素电路的远离所述第二衬底基板的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述第一衬底基板为透明树脂基板；

或者，所述第一衬底基板包括：玻璃基板；及，分别设置在所述玻璃基板的相对两侧表面上的第一透明树脂层和第二透明树脂层；其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽开设于所述第一透明树脂层上，所述第三凹槽开设于所述第二透明树脂层上。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的显示基板。

8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

制作第一衬底基板，所述第一衬底基板的第一侧形成有第一凹槽和第二凹槽，所述第一衬底基板的第二侧形成有第三凹槽；

在所述第一凹槽内沉积第一发光层，在所述第二凹槽内沉积第二发光层，在所述第三凹槽内沉积第三发光层；

在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层，在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层，在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层之前，所述方法还包括：

在所述第一凹槽、所述第二凹槽的底部形成第一过孔，在所述第三凹槽的底部形成第二过孔；

在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部形成第一导电层，在所述第三凹槽的内侧底部形成第三导电层；

在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置形成第二导电层，且所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接；

在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置形成第四导电层，且所述第四导电层和所述第三导电层通过所述第二过孔连接。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述第一衬底基板选用透明树脂基板时，

所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽，具体包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得所述第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽和第二凹槽的图形；

将所述第一衬底基板翻转；

在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽的图形；

所述第一衬底基板选用玻璃基板时，所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽，具体包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一透明树脂层；

在所述第一透明树脂层上涂覆第一光刻胶；

采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光，使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一透明树脂层，剥离剩余的第一光刻胶，形成第一凹槽和第二凹槽的图形；

将所述第一衬底基板翻转；

在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二透明树脂层；

在所述第二透明树脂层上涂覆第二光刻胶，采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光，使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二透明树脂层，剥离剩余的第二光刻胶，形成第三凹槽的图形。