CN105848076B - 声响传感器 - Google Patents

声响传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN105848076B
CN105848076B CN201610069975.9A CN201610069975A CN105848076B CN 105848076 B CN105848076 B CN 105848076B CN 201610069975 A CN201610069975 A CN 201610069975A CN 105848076 B CN105848076 B CN 105848076B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode film
vibrating
fixed
back plate
vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610069975.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105848076A (zh
Inventor
奥川晃宏
笠井隆
桃谷幸志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MMI Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Publication of CN105848076A publication Critical patent/CN105848076A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105848076B publication Critical patent/CN105848076B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067Mechanical properties
    • B81B3/0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0257Microphones or microspeakers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2400/00Loudspeakers
    • H04R2400/01Transducers used as a loudspeaker to generate sound aswell as a microphone to detect sound
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2410/00Microphones
    • H04R2410/03Reduction of intrinsic noise in microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/006Interconnection of transducer parts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明提供一种声响传感器,包括:背面板,包含以与半导体基板的表面相对向的方式而配设的固定板以及设置在固定板上的固定电极膜;振动电极膜,以与背面板介隔空隙且相对向的方式而配设;并且将声响振动转换成振动电极膜与固定电极膜之间的静电电容的变化来进行检测,振动电极膜包含感应到声压而进行振动的板状振动部,并通过包含一个或多个固定部的固定构件而固定在背面板上,一个或多个固定部的至少一部分具有设置在从振动部的边缘突出的梁的突端上的突端固定部,背面板的边缘以至少包围突端固定部的周围的一部分的方式而形成。藉此,可一方面抑制在各部产生的应力,一方面改善振动电极膜及背面板的耐冲击性能。

Description

声响传感器
技术领域
本发明涉及一种声响传感器。
背景技术
以往,作为小型的传声器,是使用被称为驻极体电容传声器(Electret CondenserMicrophone,ECM)的利用声响传感器的装置。但是,ECM不耐热,而且在对数字化的适应性或小型化等方面,利用使用微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)技术而制造的声响传感器的传声器(MEMS传声器)更优越,因此近年来,MEMS传声器的采用不断增加(例如,参照专利文献1-专利文献4)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2007-228352号公报
[专利文献2]日本专利特开2007-243768号公报
[专利文献3]日本专利特表2009-523341号公报
[专利文献4]美国专利申请公开第2013/016859号说明书
发明内容
[发明所要解决的问题]
有一种声响传感器是利用MEMS技术来实现将振动电极膜与固定有电极膜的背面板介隔空隙且对向配置的形态,所述振动电极膜收到声波而进行振动。这种声响传感器例如可通过如下方式来实现:在基板上形成振动电极膜以及覆盖振动电极膜的牺牲层之后,在牺牲层上形成背面板,然后去除牺牲层。MEMS应用半导体制造技术,因而可获得极小的声响传感器。但是,通常利用MEMS技术而制作的声响传感器包含为了检测微弱的压力而薄膜化的振动电极膜及背面板。而且,与只检测压力的传感器等不同,声响传感器通过使振动电极膜从基板上悬浮而形成通气孔(vent hole)来改善声响特性,所以需要使支撑振动电极膜的构件软化。因此,声响传感器存在强度上容易变弱的倾向,而难以确保它们的耐冲击性。对此,也可以考虑在振动电极膜或背面板之中也使在构造上容易被施加应力的部分坚固,然而使特定的部位坚固有提高施加至其它部位的应力的担忧。
因此,本发明的解决课题在于一方面抑制在各部产生的应力,一方面改善振动电极膜及背面板的耐冲击性能。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题,本发明是一种在背面板与半导体基板之间包含振动电极膜的声响传感器,其中包含设置在从振动部的边缘突出的梁的突端上的突端固定部,作为将感应到声压而进行振动的板状的振动部固定在背面板上的固定构件的至少一部分,并且背面板的边缘以至少包围突端固定部的周围的一部分的方式而形成。
详细而言,本发明的声响传感器包括:背面板,包含以与半导体基板的表面相对向的方式而配设的固定板、以及设置在所述固定板上的固定电极膜;以及振动电极膜,以与所述背面板介隔空隙且相对向的方式而配设;并且将声响振动转换成所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容的变化来进行检测,所述声响传感器中,所述振动电极膜包含感应到声压而进行振动的板状的振动部,并通过包含一个或多个固定部的固定构件而固定在所述背面板上,所述一个或多个固定部的至少一部分包含设置在从所述振动部的边缘突出的梁的突端上的突端固定部,所述背面板的边缘以至少包围所述突端固定部的周围的一部分的方式而形成。
如果是所述声响传感器,则是利用固定构件将振动部固定在背面板上,所述固定构件的至少一部分包含设置在从振动部的边缘突出的梁的突端上的突端固定部,因此例如,因借由半导体制造制程而形成的振动部的热膨胀率等所引起的残留应力通过梁而得到缓和,从而可防止背面板的变形。而且,背面板之中吊挂着振动电极膜的部位是形成为背面板的边缘包围固定部的周围的构造,因此成为即使在背面板之中刚性也比较高的部位,是即使吊挂着振动电极膜也比较不易变形的部位。
所述声响传感器如上所述,振动电极膜的固定部位于梁的突端,进而将固定部固定在呈死头状包围着固定部的周围的一部分的背面板的死头部分上,因此振动部的残留应力通过梁而得到缓和,由此可防止背面板的变形。并且,吊挂在背面板上的振动电极膜可追随于背面板的变形,而且,来自半导体基板的应力或应变难以直接传递至振动电极膜,所以可一方面抑制在各部产生的应力,一方面改善振动电极膜及背面板的耐冲击性能。
再者,其特点也可以是在所述固定构件之中的至少一个固定部上,在所述背面板上的固定有所述振动电极膜之侧的相反侧设置有强化部。如果是这种声响传感器,则在设置有强化部的固定部上,背面板的刚性提高,从而可抑制背面板的翘曲。
而且,其特点也可以是在所述固定构件的所有的所述固定部上,在所述背面板上的固定有所述振动电极膜之侧的相反侧,设置有强化部。如果是这种声响传感器,则可在设置有强化部的所有固定部上,缓和施加至背面板的载荷集中在振动电极膜的吊挂部分。
而且,其特点也可以是所述强化部之中的至少一个与所述振动电极膜导通而作为所述振动电极膜的端子。如果是这种声响传感器,则不需要与强化部另外设置与振动电极膜导通的端子,因而可以简化声响传感器的构成。
而且,其特点也可以是关于所述固定部之中的至少一个,所述固定部由面积更小的一群分割固定部所形成。如果是这种声响传感器,则与固定部是未经分割形成的相比,可缓和在固定部分所产生的应力。
而且,其特点也可以是所述振动电极膜在俯视时被分割成多个区域,并且在每个所述经分割的区域内形成有所述振动部,所述振动部之中至少一部分振动部的面积形成为小于其它振动部的面积,面积小于所述其它振动部的振动部是在于边缘上设置有一处以上的固定部固定在所述背面板上。如果是这种声响传感器,则形成为如下形态,即,因面积比较小而使得刚性提高的振动部固定在刚性低于半导体基板的背面板上,因此例如,所述振动部会以追随于因落下等而施加有压缩空气时的背面板的变形的方式也发生变形,因此应力得到缓和,与固定在刚性高于背面板的半导体基板上的情况相比施加至振动部的应力得到缓和。
而且,本发明例如也可以是如下声响传感器,包括:背面板,包含以与半导体基板的表面相对向的方式而配设的固定板、以及设置在所述固定板上的固定电极膜;以及振动电极膜,以与所述背面板介隔空隙且相对向的方式而配设;并且所述振动电极膜在俯视时被分割成多个区域,并且在每个所述经分割的区域内,形成有将声响振动转换成所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容的变化的振动部,所述振动部之中至少一部分振动部的面积形成为小于其它振动部的面积,面积小于所述其它振动部的振动部是在于边缘上设置有一处以上的固定部固定在所述背面板上。如果是这种声响传感器,则形成为如下形态,即,因面积比较小而使得刚性提高的振动部固定在刚性低于半导体基板的背面板上,因此与固定在刚性高于背面板的半导体基板上的情况相比施加至振动部的应力得到缓和。
[发明的效果]
如果是所述声响传感器,可以一方面抑制在各部产生的应力,一方面改善振动电极膜及背面板的耐冲击性能。
附图说明
图1是表示实施方式的声响传感器的一例的立体图。
图2是表示声响传感器的内部构造的一例的分解立体图。
图3是固定部附近的内部构造的放大图的一例。
图4是背面板产生有翘曲时的固定部附近的内部构造的放大图的一例。
图5是对振动电极膜施加有过大压力时的固定部附近的内部构造的放大图的一例。
图6是表示固定部附近的变形例的图。
图7是表示将固定部附近加以强化时的变形例的图。
图8(A)至图8(D)是表示梁的变形例的图。
图9是表示振动电极膜未经狭缝一分为二的声响传感器的图的一例。
图10是表示振动部为圆形的声响传感器的图的一例。
图11是表示振动部的固定部分的形状与强度的关系的对比结果的一例,是对比地表示对振动部施加声压而产生龟裂时的声压的大小的图。
符号的说明
1、1′、1″:声响传感器
2:背音室
3:硅基板
4、4′、4″:振动电极膜
5、5′、5″:背面板
7a、7b:固定电极膜
8a、8b、8′、8″:振动部
9a、9b:引出配线
10:狭缝
11a、11b:固定电极衬垫
12a、12b、12′、12″:固定部
13a、13b:固定部群
14:联络部
15、15′、15″:梁
16:间隔件
17:边缘
18:死头部分
19:突出部
20:强化部
具体实施方式
以下,对本申请发明的实施方式进行说明。以下所示的实施方式是本申请发明的一个实施方式,而并非对本申请发明的技术范围进行限定。
图1是表示实施方式的声响传感器1的一例的立体图。此外,图2是表示声响传感器1的内部构造的一例的分解立体图。声响传感器1是利用MEMS技术而制作的静电电容型的声响传感器,是在设置有背音室(back chamber)2的硅基板(半导体基板)3上积层有振动电极膜(横膈膜(diaphragm))4及背面板(backplate)5的积层体。在背面板5的硅基板3侧形成有固定电极膜7a、固定电极膜7b。而且,配置在固定电极膜7a、固定电极膜7b的硅基板3侧的振动电极膜4被分成与固定电极膜7a相对向的振动部8a及与固定电极膜7b相对向的振动部8b。关于振动部8a及振动部8b,振动部8b的面积形成为小于振动部8a的面积。
在背面板5上整面地设置有多个声孔(acoustic hole)(音孔)(图1及图2所示的背面板5的影线的各点相当于各个声孔)。而且,在固定电极膜7a、固定电极膜7b上,设置有分别通过引出配线9a、引出配线9b而电性连接的固定电极衬垫11a、固定电极衬垫11b。
硅基板3例如是由单晶硅形成的基板。在硅基板3上,形成有由从表面贯穿至背面的贯通孔所形成的背音室2。
振动电极膜4例如是由导电性的多晶硅所形成的膜。振动电极膜4是包含经狭缝10分割形成的大致正方形的振动部8a及大致长方形的振动部8b的薄膜,在进行振动的各振动部8a、振动部8b的角部的方位上设置有固定部12a、固定部12b。而且,振动电极膜4中,各振动部8a、振动部8b是以覆盖背音室2的方式配置在硅基板3的背面板5侧,振动部8a是以通过包含多个固定部12a的固定部群13a(本申请中所谓的“固定构件”的一例)而吊挂在背面板5上的状态而固定,振动部8b是以通过固定部群13b而吊挂在背面板5上的状态而固定。振动部8a及振动部8b虽然被狭缝10所分割,但是通过位于振动部8a的角部及振动部8b的角部的联络部14而在构造上及电性上相连。固定部群13b是以聚集着多个小面积的固定部12b(本申请中所谓的“分割固定部”的一例)的方式而形成。
振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b感应到声压而沿振动电极膜4的法线方向进行振动。并且,振动部8a与振动部8b因为面积互不相同,所以所感应的声压不同。例如,面积小于振动部8a的振动部8b与振动部8a相比感应到更大的声音而沿振动部8a的法线方向进行振动。设置在背面板5上的固定电极膜7a设置成与振动部8a之中除了四角的固定部12a以外的进行振动的部分相对向。而且,设置在背面板5上的固定电极膜7b也与固定电极膜7a同样,设置成与振动部8b之中除了位于长边方向上的两端的固定部12b以外的进行振动的部分相对向。其原因在于,位于振动部8a的四角的固定部12a及位于振动部8b的两端的固定部12b因为被固定,所以感应到声压而不会振动,从而不会有助于振动电极膜4与固定电极膜7a、固定电极膜7b之间的静电电容的变化。
当声音抵达至声响传感器1时,声音穿过声孔,将声压施加至振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b。通过所述声孔,将声压施加至振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b。而且,通过设置声孔,背面板5与振动电极膜4之间的气隙(air gap)中的空气容易逃逸至外部,使热杂讯(thermal noise)得以减轻,从而可减少噪声。
在声响传感器1中,通过所述构造,接收到声音,振动电极膜4产生振动,从而振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b与固定电极膜7a、固定电极膜7b之间的距离发生变化。当振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b与固定电极膜7a、固定电极膜7b之间的距离发生变化时,振动电极膜4的各振动部8a、振动部8b与固定电极膜7a、固定电极膜7b之间的静电电容发生变化。因此,通过预先对振动电极膜4与固定电极膜7a、固定电极膜7b之间施加直流电压,而以电性信号的形式撷取所述静电电容的变化,可将声压作为电气信号加以检测。
图3是固定部12a附近的内部构造的放大图的一例。位于振动电极膜4的四角的固定部12a如图3所示,设置在从感应声压而进行振动的振动部8a的边缘突出的梁15的突端上。因此,固定部12a也可以称为“突端固定部”。而且,固定部12a经由间隔件16固定在背面板5上。并且,梁15是从俯视时呈矩形状的振动部8a的边缘之中角部的部分突出,沿振动部8a的表面延伸的细长的低刚性的部位,对在背面板5与振动部8a之间经由固定部12a而相互进行作用的应力进行缓和。而且,背面板5的边缘17以包围固定部12a的周围的方式而形成。因此,梁15及固定部12a形成为配置在由背面板5及硅基板3形成的死头状的空间内的状态。因此,以下,将背面板5之中包围着梁15及固定部12a的部位称为死头部分18。
图4是背面板5产生有翘曲时的固定部12a附近的内部构造的放大图的一例。背面板5存在因为由热膨胀系数差所产生的力的力矩(moment)而产生翘曲的情况,所述热膨胀系数差是因为各种应力或各部位的材质的不同而产生,或存在背面板5受到硅基板3的变形的影响而产生翘曲的情况,所述硅基板3会因背音室2的开口而产生变形。当背面板5产生翘曲时,在理论上也可能会对经由间隔件16而固定在背面板5上的振动电极膜4带来影响。但是,本实施方式的声响传感器1是经由从振动部8a的边缘之中角部的部分突出的梁15而将振动部8a固定在背面板5上,因此由背面板5的变形所带来的影响通过梁15而得到缓和。而且,背面板5之中吊挂着振动电极膜4的部位形成为边缘17包围固定部12a的周围的构造,进而在背面板5的下表面侧设置有用于吊挂振动电极膜4的间隔件16,因此成为即使在背面板5之中刚性也比较高的部位,可以说是即使整个背面板5产生翘曲也比较不易变形的部位。本实施方式的声响传感器1如上所述,固定部12a位于梁15的突端,进而将固定部12a固定在包围着固定部12a的周围的背面板5的死头部分18上,因此可将背面板5的变形对振动电极膜4的影响抑制在最小限度,从而可改善振动电极膜4及背面板5的耐冲击性能。而且,背面板5之中吊挂着振动电极膜4的部位形成为边缘17包围固定部12a的周围的构造,成为即使在背面板5之中刚性也比较高的部位,因此可抑制因吊挂振动电极膜4而产生的背面板5的翘曲。
而且,本实施方式的声响传感器1还具有如下所述的效果。即,本实施方式的声响传感器1是将振动部8a经由梁15固定在背面板5上,因此即使由于半导体制造制程中的热膨胀率的不同等,而出现在振动电极膜4的振动部8a产生残留应力之类的伸缩,从振动部8a传递至固定部12a的残留应力也会被吸收至刚性低的梁15中。其结果为,从振动电极膜4的振动部8a传递至固定部12a的残留应力得到缓和,从而可实现振动电极膜4及背面板5的耐冲击性能的改善。
图5是对振动电极膜4施加有过大压力时的固定部12a附近的放大图的一例。本实施方式的声响传感器1是以各振动部8a、振动部8b覆盖背音室2的方式而在硅基板3的上侧配置有振动电极膜4。并且,固定在背面板5上的固定部12a经由从振动部8a的边缘之中角部的部分突出的梁15而固定在背面板5上。由此,固定部12a与背音室2的开口部的边缘之间相隔相当于梁15的长度的距离。因此,例如,如图5所示,即使对振动部8a施加过大压力而将振动部8a向背音室2侧按压,振动部8a也会与背音室2的开口部的边缘接触,从而梁15不会产生大幅变形。因此,应力容易集中的梁15或固定部12a的应力集中得到缓和,从而可实现振动电极膜4及背面板5的耐冲击性能的改善。
图6是表示固定部12a附近的变形例的图。所述实施方式的声响传感器1例如,也可以如图6所示,背面板5的一部分代替间隔件16来形成吊挂振动电极膜4的部位。当间隔件16例如由氧化硅膜形成时,由于间隔件16的形状会受到湿式蚀刻的时间影响,因此间隔件16的形状有可能不规定为唯一。就所述方面而言,例如,如果在使用耐蚀性、耐磨损性优于氧化硅膜的氮化硅膜而形成的背面板5的一部分上,设置吊挂振动电极膜4的部位来代替间隔件16,便不会由不想要的形状的间隔件16来固定振动电极膜4。
当背面板5的一部分形成吊挂振动电极膜4的部位时,例如,如图6所示,可在背面板5的下侧的面之中,与固定部12a、固定部12b相对向的部位上,形成向下突出的突出部19,来代替间隔件16。突出部19可应用各种形状的构件,但是如果鉴于用于形成背面板5的氮化硅膜的成膜性或背面板5的膜厚,固定部12a、固定部12b的固定部分的面积的确保等各种观点,例如,如图6所示,优选的是圆筒状的构件。
图7是表示对固定部12a附近进行强化时的变形例的图。所述实施方式或变形例的声响传感器1例如,如图7所示,也可以在固定部12a上,在背面板5上的固定有振动电极膜4之侧的相反侧,设置包含金属膜的强化部20。在吊挂振动电极膜4的背面板5上,经由间隔件16或突出部19而施加振动电极膜4的载荷。因此,如果在背面板5的固定部12a或固定部12b等适当的部位上,设置包含金属膜的强化部20,则吊挂着振动电极膜4的部分的背面板5的强度会提高。再者,强化部20也可以由多晶硅代替金属膜来形成。
再者,当在设置强化部20的部位上设置有圆筒状的突出部19时,强化部20例如,如图7所示,形成在圆筒状的突出部19的内外。因此,例如,如果在形成强化部20之前的突出部19的下部,设置有将背面板5的上表面侧与振动电极膜4的固定部12a加以连通的孔,那么包含金属膜的强化部20通过突出部19的下部的孔而与振动电极膜4电性连接。这时,强化部20可作为振动电极膜4的端子而发挥作用。
再者,强化部20可设置在固定部12a或固定部12b等适当的部位,但是想要在受到声压而进行振动的振动部8a、振动部8b的面内静电电容均匀地进行变化,而可良好地检测声音的话,优选的是将强化部20彼此相互以振动部8a、振动部8b的中心部分为中心对称地配置,以抑制背面板5与振动部8a、振动部8b的非对称性翘曲。
图8(A)至图8(D)是表示梁15的变形例的图。梁15是发挥对在背面板5与振动部8a之间经由固定部12a而相互作用的应力进行缓和的作用的部位,由此,优选的是将梁15调整成具有适当的刚性。因此,梁15例如,也可以是从振动部8a到固定部12a为止呈现固定的横宽的如图8(A)的形态,但是当想要使刚性进而低于图8(A)的形态时,也可以采用如以下所述的形态。即,例如,如图8(B)所示,也可以使从振动部8a到固定部12a为止之间的横宽变细而使刚性降低。而且,例如,如图8(C)所示,也可以在梁15上设置多个孔而使刚性降低。而且,例如,如图8(D)所示,也可以使梁15变长而使刚性降低。
然而,所述实施方式或各变形例的声响传感器1是包含两个振动部8a、振动部8b,但本申请中所揭示的声响传感器并不限定于这种形态。图9是表示振动电极膜4未经狭缝10一分为二的声响传感器的图的一例。所述实施方式或各变形例的声响传感器1例如,也可以设为如图9所示,包括未经狭缝一分为二的振动电极膜4′的声响传感器1′。
本变形例的声响传感器1′如图9所示,包括具有俯视时呈大致正方形的振动部8′的振动电极膜4′。并且,振动电极膜4′在从振动部8′的边缘之中四角的角部分别突出的梁15′的突端上具有固定部12′(是“突端固定部”的一例)。通过将固定部12′固定在背面板5′上,振动电极膜4′成为从背面板5′上吊挂的形态。而且,背面板5′的边缘以包围固定部12a′的周围的方式而形成。
本变形例的声响传感器1′也与所述实施方式或各变形例的声响传感器1同样,固定部12′位于梁15′的突端,进而将固定部12′固定在包围着固定部12′的周围的背面板5′的死头部分,因此可使背面板5′的变形对振动电极膜4′的影响抑制在最小限度,从而可改善振动电极膜4′及背面板5′的耐冲击性能。
然而,所述实施方式或各变形例的声响传感器1、声响传感器1′包含矩形的振动部8a、振动部8b、振动部8′,但是本申请中所揭示的声响传感器并不限定于这种形态。图10是表示振动部为圆形的声响传感器的图的一例。所述实施方式或各变形例的声响传感器1、声响传感器1′例如,如图10所示,也可以设为包括具有圆形的振动部8″的振动电极膜4″的声响传感器1″。即使振动部8″为圆形,如果将从振动部8″的边缘突出的梁15″的突端的固定部12″固定在背面板5″上,使振动电极膜4″吊挂在背面板5″上,进而将背面板5″以包围固定部12″的周围的方式而形成,则也可以与所述实施方式或各变形例的声响传感器1、声响传感器1′同样地,改善振动电极膜4″及背面板5″的耐冲击性能。
以下,对所述实施方式或各变形例的声响传感器1、声响传感器1′、声响传感器1″的效果已进行验证,因此以下揭示其结果。
<验证1>
图11是表示振动部的固定部分的形状与强度的关系的对比结果的一例,是对比地表示对振动部施加声压而产生龟裂时的声压的大小的图。图11所示的比较例A表示将振动电极膜固定在硅基板上时的强度。此外,图11所示的比较例B表示将振动电极膜以吊挂在背面板上的方式加以固定时的强度。而且,实施例表示像所述实施方式的振动部8b那样,利用面积更小的一群固定部来形成将振动电极膜吊挂在背面板上的固定部分时的强度。
例如,像主要检测大音量的声音的振动部8b那样,面积比较小的振动部因为体型小于面积大的振动部,所以刚性提高。因此,当振动部的面积变小而振动部自身的刚性提高时,在振动部容易产生龟裂。因此,如对图11所示的比较例A与比较例B及实施例进行对比后所表明,在刚性低于硅基板的背面板上固定有振动部的比较例B及实施例中,吊挂在背面板上的振动部可追随于背面板的变形,因此可知与将振动部固定在在刚性高的硅基板上的比较例A相比呈现约2倍左右的耐冲击性能。而且,在由面积更小的一群固定部形成将振动部吊挂在背面板上的固定部分的实施例中,可知呈现出比固定部未经分割的比较例2稍高的耐冲击性能。实施例的强度高于比较例2的理由可推测为借由固定部的分割,而使在固定部分所产生的应力得到缓和。

Claims (5)

1.一种声响传感器,包括:
背面板,包含以与半导体基板的表面相对向的方式而配设的固定板以及设置在所述固定板上的固定电极膜;以及
振动电极膜,以与所述背面板介隔空隙且相对向的方式而配设;并且
将声响振动转换成所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容的变化来进行检测,所述声响传感器的特征在于:
所述振动电极膜包含感应声压而进行振动的板状的振动部,并通过包含一个或多个固定部的固定构件而固定在所述背面板上,所述一个或多个固定部的至少一部分具有设置在从所述振动部的边缘突出的梁的突端上的突端固定部,
所述背面板的边缘以至少包围所述突端固定部的周围的一部分的方式而形成,且
在所述固定构件之中的至少一个固定部上,在所述背面板上的固定有所述振动电极膜之侧的相反侧设置有强化部,所述强化部之中的至少一个与所述振动电极膜导通而作为所述振动电极膜的端子。
2.根据权利要求1所述的声响传感器,其特征在于:在所述固定构件的所有的所述固定部上,在所述背面板上的固定有所述振动电极膜之侧的相反侧设置有强化部。
3.根据权利要求1或2所述的声响传感器,其特征在于:关于所述固定部之中的至少一个,所述固定部由面积更小的一群分割固定部所形成。
4.根据权利要求1或2所述的声响传感器,其特征在于:所述振动电极膜在俯视时被分割成多个区域,并且在每个经分割的所述区域内形成有所述振动部,
所述振动部之中至少一部分振动部的面积形成为小于其它振动部的面积,
面积小于所述其它振动部的振动部是在于边缘上设置有一处以上的固定部固定在所述背面板上。
5.一种声响传感器,其特征在于包括:
背面板,包含以与半导体基板的表面相对向的方式而配设的固定板以及设置在所述固定板上的固定电极膜;以及
振动电极膜,以与所述背面板介隔空隙且相对向的方式而配设;并且
所述振动电极膜在俯视时被分割成多个区域,并且在每个经分割的所述区域内,形成有将声响振动转换成所述振动电极膜与所述固定电极膜之间的静电电容的变化的振动部,
所述振动部之中至少一部分振动部的面积形成为小于其它振动部的面积,
面积小于所述其它振动部的振动部是在于边缘上设置有一处以上的固定部固定在所述背面板上,且
在至少一个所述固定部上,在所述背面板上的固定有所述振动电极膜之侧的相反侧设置有强化部,所述强化部之中的至少一个与所述振动电极膜导通而作为所述振动电极膜的端子。
CN201610069975.9A 2015-02-02 2016-02-01 声响传感器 Active CN105848076B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015018774A JP6432372B2 (ja) 2015-02-02 2015-02-02 音響センサ
JP2015-018774 2015-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105848076A CN105848076A (zh) 2016-08-10
CN105848076B true CN105848076B (zh) 2020-10-27

Family

ID=56555019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610069975.9A Active CN105848076B (zh) 2015-02-02 2016-02-01 声响传感器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9743195B2 (zh)
JP (1) JP6432372B2 (zh)
CN (1) CN105848076B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102359943B1 (ko) * 2017-09-13 2022-02-07 현대자동차 주식회사 마이크로폰 장치
CN113573218B (zh) * 2020-04-29 2022-10-18 华为技术有限公司 压电声学传感器及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006001493B4 (de) 2006-01-11 2007-10-18 Austriamicrosystems Ag MEMS-Sensor und Verfahren zur Herstellung
JP4737719B2 (ja) * 2006-02-24 2011-08-03 ヤマハ株式会社 コンデンサマイクロホン
JP4737721B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-03 ヤマハ株式会社 コンデンサマイクロホン
JP4244232B2 (ja) * 2006-07-19 2009-03-25 ヤマハ株式会社 コンデンサマイクロホン及びその製造方法
JP2008054307A (ja) * 2006-07-27 2008-03-06 Yamaha Corp シリコンマイクロホン
JP5374077B2 (ja) * 2008-06-16 2013-12-25 ローム株式会社 Memsセンサ
JP5872163B2 (ja) * 2011-01-07 2016-03-01 オムロン株式会社 音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン
US8625823B2 (en) 2011-07-12 2014-01-07 Robert Bosch Gmbh MEMS microphone overtravel stop structure
JP5928163B2 (ja) * 2012-05-31 2016-06-01 オムロン株式会社 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン

Also Published As

Publication number Publication date
US9743195B2 (en) 2017-08-22
US20160227330A1 (en) 2016-08-04
CN105848076A (zh) 2016-08-10
JP6432372B2 (ja) 2018-12-05
JP2016144046A (ja) 2016-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9820058B2 (en) Capacitive MEMS microphone with insulating support between diaphragm and back plate
JP6127600B2 (ja) 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン
JP5987572B2 (ja) 音響トランスデューサ
EP2320678B1 (en) Microphone device with accelerometer for vibration compensation
US20150110309A1 (en) Acoustic transducer and package module including the same
US8861753B2 (en) Acoustic transducer, and microphone using the acoustic transducer
JP6127611B2 (ja) 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン
KR102193337B1 (ko) Mems 구조 및, mems 구조를 갖는 정전 용량형 센서, 압전형 센서, 음향 센서
JP6390423B2 (ja) 音響センサおよび音響センサの製造方法
EP3219112A1 (en) Integrated package forming wide sense gap micro electro-mechanical system microphone and methodologies for fabricating the same
JP2008085507A (ja) 音響センサ並びにそれを備えた音響モジュール
US9344807B2 (en) Capacitance-type transducer, acoustic sensor, and microphone
WO2018197836A1 (en) Mems device and process
CN108702576A (zh) 电容式mems麦克风及电子装置
US9560454B2 (en) Acoustic transducer
CN105848076B (zh) 声响传感器
JP2011176533A (ja) 音響センサ
CN108235202B (zh) 声学传感器及电容式变换器
US20150139467A1 (en) Acoustic device and microphone package including the same
JP6307171B2 (ja) Memsマイクロホン
JP7143056B2 (ja) 静電容量型トランスデューサシステム、静電容量型トランスデューサ及び、音響センサ
JP6559365B2 (ja) 圧電式マイクロフォン
JP2009060259A (ja) 容量型センサ
JP6498453B2 (ja) コンタクトマイクロホン
CN105338456A (zh) 楼层式微机电麦克风

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220414

Address after: Tama, Tokyo 852-206-11, Japan

Patentee after: MMI Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Japan, Kyoto Kyoto Beijing District shiokoji through hori East into the South Hall real Ting 801 GA

Patentee before: Omron Corp.