CN105845707B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105845707B
CN105845707B CN201610073093.XA CN201610073093A CN105845707B CN 105845707 B CN105845707 B CN 105845707B CN 201610073093 A CN201610073093 A CN 201610073093A CN 105845707 B CN105845707 B CN 105845707B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
flexible substrate
display device
bending
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610073093.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105845707A (zh
Inventor
朴甫益
朴注燦
李弼锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN105845707A publication Critical patent/CN105845707A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105845707B publication Critical patent/CN105845707B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：柔性基底；显示单元，在柔性基底上并被配置为显示图像；以及补偿层，在柔性基底与显示单元之间。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置是被构造为显示图像的装置，最近，有机发光二极管显示器已经受到关注。
由于与可以包括单独的光源的液晶显示器不同，有机发光二极管显示器具有自发射的特性并且可以不需要单独的光源，因此有机发光二极管显示器可以具有相对更小的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。
通常，有机发光二极管显示器可以包括基底、位于基底上的薄膜晶体管以及位于薄膜晶体管上并与薄膜晶体管连接的有机发光二极管。
最近，已经开发出其中包括柔性基底并且柔性基底的至少一部分被弯曲的柔性有机发光二极管显示器，所述柔性基底包括聚合物材料。
在此背景部分所公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景的理解，因此上述信息可以包含不形成对于本领域的普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例的方面涉及显示装置并涉及包括柔性基底的显示装置。
根据本发明的实施例的方面，即使柔性基底的至少一部分被弯曲，显示装置也可以防止或减少与显示装置的弯曲部分对应的薄膜晶体管由于应力而被损坏的损坏情形。
根据本发明的示例实施例，显示装置包括：柔性基底；显示单元，在柔性基底上并被配置为显示图像；以及补偿层，在柔性基底与显示单元之间。
补偿层可以包括具有比柔性基底小的杨氏模量的缓和层。
缓和层的脆性可以比柔性基底的脆性强。
缓和层可以包括金属。
缓和层可以包括金属氧化物。
补偿层还可以包括在缓和层与显示单元之间的第一钝化层。
第一钝化层的杨氏模量可以大于缓和层的杨氏模量。
缓和层的厚度可以小于第一钝化层的厚度。
第一钝化层可以接触缓和层。
缓和层可以接触柔性基底。
缓和层可以包括多个开口。
第一钝化层可以在所述多个开口的每个中。
补偿层还可以包括位于缓和层与柔性基底之间的第二钝化层。
第二钝化层的杨氏模量可以大于缓和层的杨氏模量。
第二钝化层可以接触缓和层。
柔性基底可以包括被构造为在一方向上弯曲的弯曲区。
柔性基底可以包括与弯曲区相邻的非弯曲区。
缓和层的与非弯曲区对应的第一部分可以是无裂纹的。
缓和层的与弯曲区对应的第二部分可以包括一个或更多个裂纹。
裂纹可以是不规则的裂纹。
与缓和层的位于弯曲区外侧的部分相比，缓和层的与弯曲区对应的部分可以更厚。
与弯曲区对应的柔性基底可以具有曲率半径，并且缓和层的厚度可与该曲率半径的尺寸成反比。
显示单元可以包括在柔性基底上的有机发光二极管，并且显示装置还可以包括驱动单元，驱动单元在补偿层与显示单元之间并包括连接到有机发光二极管的薄膜晶体管。
薄膜晶体管可以包括在柔性基底上的有源层，并且压应力可以被施加到与弯曲区对应的有源层。
根据本发明的一些示例实施例，显示装置包括：柔性基底；显示单元，在柔性基底上并被配置为显示图像；以及补偿层，在柔性基底与显示单元之间，并具有比柔性基底小的杨氏模量。
根据本发明的一些示例实施例，显示装置包括：柔性基底；显示单元，在柔性基底上并被配置为显示图像；以及补偿层，在柔性基底与显示单元之间，并具有比柔性基底强的脆性。
根据本发明的一些示例实施例，显示装置包括：柔性基底，包括被构造成在一方向上弯曲的弯曲区；显示单元，在柔性基底上并被配置为显示图像；以及补偿层，在柔性基底与显示单元之间，其中，补偿层的与弯曲区对应的第一部分包括一个或更多个裂纹。
柔性基底还可以包括与弯曲区相邻的非弯曲区。
补偿层的与非弯曲区对应的第二部分可以是无裂纹的。
裂纹可以是不规则的裂纹。
补偿层的杨氏模量可小于柔性基底的杨氏模量。
根据本发明的示例实施例，即使柔性基底的至少一部分被弯曲，显示装置也可以防止或减少与弯曲部分对应的薄膜晶体管由于应力而被损坏的情形。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明的示例实施例的显示装置的剖视图。
图2是示出其中图1中所示出的显示装置被弯曲的视图的剖视图。
图3是示出图2中所示出的显示装置的部分A、部分B和部分C中的每个的剖视图。
图4是示意性示出根据本发明的示例实施例的显示装置被弯曲的中性面的剖视图。
图5是示出根据本发明的示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
图6是示出根据本发明的示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
图7是示出根据本发明的示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照其中示出本发明的示例实施例的附图更充分地描述本发明的实施例的方面。如本领域的技术人员将理解的，在不违背本发明的精神或范围的所有情况下，所描述的实施例可以以各种不同方式修改。
因此，附图和描述将被认为是本质上说明性的而不是限制性的。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
此外，在示例实施例中，由于同样的附图标记表示具有相同构造的同样的元件，因此第一示例实施例被代表性地描述，并且在其他示例实施例中，将在一些细节上描述不同于第一示例实施例的方面，同时可以省略一些重复性的描述。
另外，为了理解和便于描述，示出了在附图中示出的每个构造的尺寸和厚度，但本发明不限于此。
在附图中，层、膜、面板、区域等的厚度为了清楚被夸大。在附图中，为了理解和便于描述，一些层和区域的厚度被夸大。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接地在所述另一元件上或也可以存在中间元件。
另外，除非明确作出相反描述，否则词语“包括”和其变型将被理解为意味着包括所陈述的元件，但是不排除任何其他元件。此外，遍及说明书，词语“在……上”意味着位于对象部分的上方或下方，但是未必意味着基于重力方向位于对象部分的上面。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接地在所述另一元件或层上、直接地连接到或直接地结合到所述另一元件或层，或可以存在一个或更多个中间的元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件或层可以是在所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或也可以存在一个或更多个中间元件或层。
在这里所使用的术语仅是用于描述具体实施例的目的，不意图是本发明的限制。如这里所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”意图也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”及其变型时，表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)(者)”的表达出现在一列元件之后时，修饰整列元件而不是修饰此列的个别元件。
如在这里所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且意图解释本领域的普通技术人员意识到的在测量或计算值上的固有偏差。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用指的是“本发明的一个或更多个实施例”。如在这里所使用的，术语“使用”及其变型可以认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性的”意图表示示例或举例说明。
除非另有限定，否则在这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被理解为具有与在相关领域和/或本说明书的环境中它们的含义一致的含义，并且不应该以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非在这里清楚地如此定义。
在下文中，将参照图1至图4描述根据本发明的示例实施例的显示装置。
在本发明的另一示例实施例中，作为柔性显示面板FD，包括有机发光二极管的有机发光二极管显示器作为示例被描述，但是根据本发明的又一示例实施例的柔性显示面板可以包括诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PD)、场发射显示器(FED)、电泳显示器(EPD)和电湿润显示器(EWD)的各种显示装置，而显示面板可以是柔性的。
图1是示意性示出根据本发明的示例实施例的显示装置的剖视图。图2是示出其中图1中所示出的显示装置被弯曲的视图或构造的剖视图。
如图1和图2中所示出的，根据本发明的示例实施例的显示装置1000包括柔性基底100、补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件(或包封层或包封剂)500。
柔性基底100是柔性的，但是其不限于此并且可以是可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。柔性基底100是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的，结果，整个柔性显示面板FD可以是柔性的、可伸缩的、可折叠的、可弯曲的或可卷曲的。
柔性基底100可以在一个方向上弯曲。这里，一个方向可以是柔性基底100的表面上的任何方向，并且不限于预定的方向。作为一个示例，柔性基底100可以具有在平面上的矩形形状，并且在这种情况下，矩形柔性基底100被弯曲所沿的一个方向可以是平行于柔性基底100的长边或短边的方向。即，柔性基底100可以沿平面中的短边方向或长边方向被弯曲。
柔性基底100可以包括诸如聚酰亚胺等的聚合物材料、金属性材料和无机材料中的至少一种，并且不限于此，可以包括任何可以被弯曲的材料。柔性基底100可以具有膜形式。
柔性基底100包括在一个方向上弯曲的弯曲区BA和与弯曲区BA相邻的非弯曲区NBA。弯曲区BA可以位于柔性基底100的中心，非弯曲区NBA可以位于柔性基底100的外侧。柔性基底100的弯曲区BA与非弯曲区NBA相邻。在图2中，柔性基底100的弯曲区BA具有在右方向上的曲率半径，但其不限于此，柔性基底100的弯曲区BA可以根据柔性基底100的方位具有在左方向或任何其他方向上的曲率半径。
位于柔性基底100的弯曲区BA上的补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件500中的每个在一个方向上弯曲，以与柔性基底100的弯曲对应。
同时，在本发明的示例实施例中，柔性基底100包括弯曲区BA和非弯曲区NBA，但是本发明不限于此，并且在本发明的另一示例实施例中，整个柔性基底100可以由弯曲区BA形成。
此外，在本发明的示例实施例中，柔性基底100的弯曲区BA位于柔性基底100的中心，但是本发明不限于此，并且在本发明的另一示例实施例中，柔性基底100的弯曲区BA可以位于柔性基底100的外侧。
图3是示出图2中所示出的显示装置的部分A、部分B和部分C的剖视图。图3和图2的部分A和部分C对应于柔性基底100的非弯曲区NBA，部分B对应于柔性基底100的弯曲区BA。
如图1至图3中所示出的，补偿层200位于柔性基底100与显示单元400之间，例如，补偿层200位于柔性基底100与驱动单元300之间。
补偿层200具有比柔性基底100小的杨氏模量和比柔性基底100强的脆性(例如，可以更易碎)。即，补偿层200比柔性基底100更易碎，结果，补偿层200的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分包括一个或更多个裂纹211。由于柔性基底100的弯曲，可以出现补偿层200的裂纹211，并可以是不规则的裂纹。即，裂纹211可以具有任意的形状或图案。与此相反，补偿层200的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分可以是无裂纹的(例如，可以具有均一的结构而在材料中没有裂纹或间隙)。形成在补偿层200上的裂纹211可以由空气间隙形成。
根据本发明的一些实施例，补偿层200包括缓和层210、第一钝化层220和第二钝化层230。
缓和层210位于第一钝化层220与第二钝化层230之间。缓和层210缓和由柔性基底100的弯曲引起的应力，并使显示装置1000中形成的中性面(NP)的位置移动。缓和层210具有比柔性基底100小的杨氏模量和比柔性基底100强的脆性(例如，更易碎)。即，缓和层210比柔性基底100更易碎，结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分包括一个或更多个裂纹211。由于柔性基底100的弯曲，可以出现缓和层210的裂纹211，并可以是不规则的(例如，不均一的或任意形状的)裂纹。此外，缓和层210的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分可以是无裂纹的。
缓和层210接触第一钝化层220和第二钝化层230中的每个，并且第一钝化层220和第二钝化层230防止其中出现裂纹211的缓和层210的碎片无意地朝向柔性基底100或驱动单元300移动。
缓和层210包括易碎金属或金属氧化物。作为一个示例，缓和层210可以包括诸如MoOx、Mo、Ti等的易碎金属或金属氧化物。与第一钝化层220和第二钝化层230中的每个相比，缓和层210可以具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)，以及与缓和层210相比，第一钝化层220和第二钝化层230可以具有更大的杨氏模量。结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分可以包括一个或更多个裂纹211，并且虽然在缓和层210的一部分出现裂纹211，但是在第一钝化层220和第二钝化层230中的每个中可以不存在裂纹。与第一钝化层220和第二钝化层230中的每个相比，缓和层210可以具有更小的厚度。
同时，在本发明的示例实施例中，缓和层210包括易碎金属或金属氧化物，但是本发明不限于此，缓和层210可以包括诸如易碎玻璃、易碎陶瓷等的无机材料或易碎的硅(Si)等，并且缓和层210可以包括任何易碎的材料。
第一钝化层220位于缓和层210与显示单元400之间以及缓和层210与驱动单元300之间，第二钝化层230位于缓和层210与柔性基底100之间。
第一钝化层220和第二钝化层230彼此分隔开，使缓和层210设置在第一钝化层220与第二钝化层230之间，并且第一钝化层220和第二钝化层230接触缓和层210。第二钝化层230可以接触柔性基底100。可选择地，第二钝化层230可以不接触柔性基底100。与缓和层210相比，第一钝化层220和第二钝化层230中的每个可以具有更大的杨氏模量。第一钝化层220和第二钝化层230中的每个可以包括诸如PSA(苯乙烯-丙烯腈共聚物)和PDMS(聚二甲基硅氧烷)的高弹性聚合物材料或诸如Al和Au的高柔性金属性材料，但其不限于此，并可以包括各种聚合物材料或各种金属性材料。第一钝化层220和第二钝化层230中的每个防止由缓和层210中的裂纹211产生的缓和层210的碎片向驱动单元300和柔性基底100移动。
驱动单元300和显示单元400位于补偿层200上。
驱动单元300位于柔性基底100上，使补偿层200设置在驱动单元300与柔性基底100之间，并且驱动单元300包括与显示单元400连接的一个或更多个薄膜晶体管310。
同时，在本发明的示例实施例中，为了便于描述，驱动单元300包括薄膜晶体管310，但是本发明不限于此，驱动单元300还可以包括一条或更多条扫描线、一条或更多条数据线、多个薄膜晶体管和一个或更多个电容器，这些组件可以具有各种已知的结构。
薄膜晶体管310包括有源层311、栅电极312、源电极313和漏电极314。
有源层311位于补偿层200上并可以由多晶硅或氧化物半导体制成。氧化物半导体可以包括基于钛(Ti)、铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、锗(Ge)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)或铟(In)的氧化物，和作为其复合氧化物的氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO4)、氧化锌铟(Zn-In-O)、氧化锌锡(Zn-Sn-O)、氧化铟镓(In-Ga-O)、氧化铟锡(In-Sn-O)、氧化铟锆(In-Zr-O)、氧化铟锆锌(In-Zr-Zn-O)、氧化铟锆锡(In-Zr-Sn-O)、氧化铟锆镓(In-Zr-Ga-O)、氧化铟铝(In-Al-O)、氧化铟锌铝(In-Zn-Al-O)、氧化铟锡铝(In-Sn-Al-O)、氧化铟铝镓(In-Al-Ga-O)、氧化铟钽(In-Ta-O)、氧化铟钽锌(In-Ta-Zn-O)、氧化铟钽锡(In-Ta-Sn-O)、氧化铟钽镓(In-Ta-Ga-O)、氧化铟锗(In-Ge-O)、氧化铟锗锌(In-Ge-Zn-O)、氧化铟锗锡(In-Ge-Sn-O)、氧化铟锗镓(In-Ge-Ga-O)、氧化钛铟锌(Ti-In-Zn-O)和氧化铪铟锌(Hf-In-Zn-O)中的任何一种。
有源层311包括没有掺杂杂质的沟道区，以及当杂质掺杂到沟道区两侧时形成的源区和漏区。在这里，杂质可以根据薄膜晶体管的种类改变，并且可以是N型杂质或P型杂质。在有源层311由氧化物半导体形成的情况下，为了保护易受外部环境(例如，暴露于高温)影响的氧化物半导体，可以添加单独的钝化层。
根据补偿层200施加的压应力被施加到有源层311中的与柔性基底100的弯曲区BA对应的有源层311。详细地，在显示装置1000中，中性面NP形成在补偿层200与柔性基底100之间，即，总厚度的中心部(该总厚度与柔性基底100、补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件500中的每个形成的总厚度对应)，但是在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处，中性面NP因为补偿层200而形成在驱动单元300与显示单元400之间，结果，缓和的压应力被施加到有源层311。
作为一个示例，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，补偿层200的与弯曲区BA对应的缓和层210根据施加到显示装置1000的压力因裂纹211而变形(transform)，结果，施加到显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP移动到驱动单元300与显示单元400之间，以与由驱动单元300和显示单元400形成的厚度对应。因此，缓和的压应力被施加到有源层311。
即，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
栅电极312位于有源层311上，并且源电极313和漏电极314中的每个位于栅电极312的上侧，结果，源电极313和漏电极314中的每个通过接触孔与有源层311的源区和漏区连接。
为了防止或减少有源层311、栅电极312、源电极313与漏电极314(它们是薄膜晶体管310的组件)之间的短路的情形，一个或更多个绝缘层位于薄膜晶体管310的这些组件之间。绝缘层包括诸如氮化硅或氧化硅的无机材料，例如，绝缘层可以包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种或更多种。
薄膜晶体管310的漏电极314与显示单元400的有机发光二极管连接。
显示单元400可以位于柔性基底100上，补偿层200和驱动单元300设置在显示单元400与柔性基底100之间，并且显示单元400通过使用多个像素来显示图像。这里，像素可以指被配置为显示图像的最小单元。
显示单元400包括发光的有机发光二极管。
有机发光二极管包括：第一电极410，与薄膜晶体管310的漏电极314连接；有机发射层420，位于第一电极410上；以及第二电极430，位于有机发射层420上。即，显示单元400的第一电极410、有机发射层420和第二电极430形成有机发光二极管。
第一电极410可以是作为空穴注入电极的阳极，并且可以是光反射电极、光透反射电极和光透射电极中的任何一种。同时，在本发明的另一示例实施例中，第一电极410可以是作为电子注入电极的阴极。
有机发射层420位于第一电极410上。有机发射层420可以由低分子有机材料或诸如聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)的高分子有机材料制成。有机发射层420可以包括用于发射红光的红色有机发射层、用于发射绿光的绿色有机发射层和用于发射蓝光的蓝色有机发射层。红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中，从而实现彩色图像。在有机发射层420中，红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层全部一起层叠在红色像素、绿色像素和蓝色像素上，并且红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器对于各个像素而形成，从而实现彩色图像。作为另一示例，发射白光的白色有机发射层形成在红色像素、绿色像素和蓝色像素中的全部中，并且红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器对于各个像素而形成，从而实现彩色图像。在通过使用作为有机发射层420的白色有机发射层和滤色器来实现彩色图像的情况下，可以不使用沉积掩模在各个像素(即，红色像素、绿色像素和蓝色像素)上沉积红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层。在另一示例中描述的作为有机发射层420的白色有机发色层可以通过一个有机发射层形成，并且也包括通过层叠多个有机发射层而形成为发射白光的构造。例如，有机发射层420可以包括可以通过组合至少一个黄色有机发射层和至少一个蓝色发光层来发射白光的构造、可以通过组合至少一个蓝绿色有机发射层和至少一个红色发光层来发射白光的构造、可以通过组合至少一个品红有机发射层和至少一个绿色发光层来发射白光的构造等。
第二电极430位于有机发射层420上并且可以是作为电子注入电极的阴极。第二电极430可以是光反射电极、光透反射电极和光透射电极中的一种电极。第二电极430在柔性基底100上方设置(例如，跨越柔性基底100延伸)以覆盖有机发射层420。同时，在本发明的另一示例实施例中，第二电极430可以是作为空穴注入电极的阳极。
包封部件500位于显示单元400上。
包封部件500位于柔性基底100上，补偿层200、驱动单元300和显示单元400设置在包封部件500与柔性基底100之间。包封部件500在柔性基底100上方设置(例如，跨越柔性基底100延伸)，并且将驱动单元300和显示单元400与柔性基底100一起包封。包封部件500可以通过薄膜包封单元形成。包封部件500可以包括有机层和位于有机层上的无机层。作为一个示例，包封部件500可以包括交替地层叠的一个或更多个有机层和一个或更多个无机层，详细地，无机层或有机层可以分别为多个，并且多个无机层和多个有机层可以交替地层叠。包封层500可以包括至少一个夹层结构，在所述夹层结构中至少一个有机层被插入至少两个无机层之间。位于包封部件500的顶层的无机层可以用比有机层更大的面积层叠，以覆盖作为另一层的有机层的端部。包封部件500的有机层由聚合物制成，并且根据一些实施例，可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一种形成的单层或层叠层。例如，有机层可以由聚丙烯酸酯形成，并且例如，包括单体组合物聚合而来的材料，所述单体组合物包括二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体。这里，单体组合物还可以包括单丙烯酸酯类单体，并且还包括诸如TPO(2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦)的已知的光引发剂，但其不限于此。包封部件500的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层叠层。详细地，无机层可以包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种或更多种。保护膜可以位于包封部件500的上部和柔性基底100的下部中的每个处。保护膜可以用于保护包封部件500和柔性基底100中的每个免受外部干扰。
如上所述，在本发明的示例实施例中，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止有源层311被损坏。
图4是示意性示出根据本发明的示例实施例的显示装置被弯曲的中性面的剖视图。图4中的(a)是示出被弯曲之前的显示装置的剖视图，图4中的(b)是示出被弯曲之后的显示装置的剖视图。
在根据本发明的示例实施例的显示装置中，如图4中的(a)所示出的，在平坦状态中，当弯矩出现在显示装置1000的一部分处(如图4中的(b)所示出的)时，裂纹出现在补偿层中，结果，形成在显示装置1000中的原始NP向最终NP移动以对应于弯曲区。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到驱动单元的薄膜晶体管，以防止包括有源层的驱动单元因为应力而被损坏。
即，提供了显示装置1000，在显示装置1000中，即使等于或大于柔性基底100的一部分的部分被弯曲，也防止对应于弯曲部分的薄膜晶体管由于应力而被损坏。
在下文中，将参照图5描述根据本发明的另一示例实施例的显示装置。在下文中，将描述与上面所描述的根据本发明的示例实施例的显示装置不同的部分。
图5是示出根据本发明的另一示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
如图5中所示，根据本发明的另一示例实施例的显示装置1000的补偿层200包括缓和层210和第一钝化层220。
缓和层210位于第一钝化层220与柔性基底100之间。缓和层210缓和由于柔性基底100的弯曲引起的应力，并使显示装置1000中形成的中性面(NP)的位置移动。缓和层210具有比柔性基底100小的杨氏模量和比柔性基底100强的脆性(例如，更易碎)。即，缓和层210比柔性基底100更易碎，结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分包括一个或更多个裂纹211。由于柔性基底100的弯曲，可以出现缓和层210的裂纹211，并可以是不规则的裂纹。此外，缓和层210的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分是无裂纹的。
缓和层210接触第一钝化层220和柔性基底100中的每个，并且第一钝化层220和柔性基底100可以防止或减少其中出现裂纹211的缓和层210的碎片无意地朝向驱动单元300移动的情形。
缓和层210包括易碎金属或金属氧化物。作为一个示例，缓和层210可以包括诸如MoOx、Mo、Ti等的易碎金属或金属氧化物。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)，并且与缓和层210相比，第一钝化层220和柔性基底100可以具有更大的杨氏模量。结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分可以包括一个或更多个裂纹211，并且虽然在缓和层210的一部分出现裂纹211，但是在第一钝化层220和柔性基底100中的每个中不存在裂纹。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的厚度。
第一钝化层220位于缓和层210与显示单元400之间以及缓和层210与驱动单元300之间。
第一钝化层220和柔性基底100彼此分隔开，缓和层210设置在第一钝化层220与柔性基底100之间，并且第一钝化层220和柔性基底100接触缓和层210。与缓和层210相比，第一钝化层220可以具有更大的杨氏模量。第一钝化层220可以包括诸如PSA和PDMS的高弹性聚合物材料或诸如Al和Au的高柔性金属性材料，但其不限于此，并可以包括各种聚合物材料或各种金属性材料。第一钝化层220可以防止或减少由缓和层210中的裂纹211引起的缓和层210中的碎片向驱动单元300移动的情形。
根据补偿层200施加的压应力被施加到驱动单元300的薄膜晶体管310的有源层311中的与柔性基底100的弯曲区BA对应的有源层311。例如，在显示装置1000中，中性面NP形成在补偿层200与柔性基底100之间，即，总厚度的中心部(该总厚度与柔性基底100、补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件500中的每个形成的总厚度对应)，但是在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处，中性面NP因为补偿层200而形成在驱动单元300与显示单元400之间，结果，缓和的压应力被施加到有源层311。
作为一个示例，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，补偿层200的与弯曲区BA对应的缓和层210根据施加到显示装置1000的压力因裂纹211而变形，结果，施加到显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP移动到驱动单元300与显示单元400之间，以与由驱动单元300和显示单元400形成的厚度对应。因此，缓和的压应力被施加到有源层311。
即，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
如上所述，在本发明的另一示例实施例中，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
即，提供了显示装置1000，在显示装置1000中，即使等于或大于柔性基底100的一部分的部分被弯曲，也可防止或减少对应于弯曲部分的薄膜晶体管310由于应力而被损坏的情形。
在下文中，将参照图6描述根据本发明的另一示例实施例的显示装置。在下文中，将描述与上面所描述的根据本发明的示例实施例的显示装置不同的部分。
图6是示出根据本发明的另一示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
如图6中所示，根据本发明的另一示例实施例的显示装置1000的补偿层200包括缓和层210和第一钝化层220。
缓和层210位于第一钝化层220与柔性基底100之间。缓和层210缓和由于柔性基底100的弯曲而引起的应力，并使显示装置1000中形成的中性面(NP)的位置移动。缓和层210具有比柔性基底100小的杨氏模量和比柔性基底100强的脆性(例如，更易碎)。即，缓和层210比柔性基底100更易碎，结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分包括一个或更多个裂纹211。由于柔性基底100的弯曲，可以出现缓和层210的裂纹211，并可以是不规则的裂纹。与此相反，缓和层210的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分是无裂纹的。
缓和层210包括多个开口212。多个开口212中的每个暴露柔性基底100，结果，缓和层210可以通过多个开口212中的每个具有岛形状。
缓和层210接触第一钝化层220和柔性基底100中的每个，第一钝化层220和柔性基底100可以防止或减少其中出现裂纹211的缓和层210的碎片无意地朝向驱动单元300移动的情形。
缓和层210包括易碎金属或金属氧化物。作为一个示例，缓和层210可以包括诸如MoOx、Mo、Ti等的易碎金属或金属氧化物。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)，并且与缓和层210相比，第一钝化层220和柔性基底100可以具有更大的杨氏模量。结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分可以包括一个或更多个裂纹211，并且虽然在缓和层210的一部分出现裂纹211，但在第一钝化层220和柔性基底100中的每个中不存在裂纹。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的厚度。
第一钝化层220位于缓和层210与显示单元400之间以及缓和层210与驱动单元300之间。第一钝化层220位于缓和层210中形成的多个开口212中的每个中，结果，具有岛形状的缓和层210被第一钝化层220和柔性基底100围绕。作为一个示例，对应于弯曲区BA出现裂纹211的缓和层210可以被第一钝化层220和柔性基底100包封，并且其中出现裂纹211的缓和层210被第一钝化层220和柔性基底100包封，以防止或减少缓和层210的碎片向驱动单元300或向外部移动的情形。
第一钝化层220和柔性基底100彼此分隔开，缓和层210设置在第一钝化层220和柔性基底100之间，并且第一钝化层220和柔性基底100接触缓和层210。与缓和层210相比，第一钝化层220可以具有更大的杨氏模量。第一钝化层220可以包括诸如PSA和PDMS的高弹性聚合物材料或诸如Al和Au的高柔性金属性材料，但其不限于此，并且可以包括各种聚合物材料或各种金属性材料。第一钝化层220防止由缓和层210中的裂纹211引起的缓和层210的碎片向驱动单元300移动。
根据补偿层200施加的压应力被施加到驱动单元300的薄膜晶体管310的有源层311中的与柔性基底100的弯曲区BA对应的有源层311。例如，在显示装置1000中，中性面NP形成在补偿层200与柔性基底100之间，即，总厚度的中心部(该总厚度与柔性基底100、补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件500中的每个形成的总厚度对应)，但是在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处，中性面NP因为补偿层200而形成在驱动单元300与显示单元400之间，结果，缓和的压应力被施加到有源层311。
作为一个示例，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，补偿层200的与弯曲区BA对应的缓和层210根据施加到显示装置1000的压力因裂纹211而变形，结果，施加到显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP移动到驱动单元300与显示单元400之间，以与由驱动单元300和显示单元400形成的厚度对应。因此，缓和的压应力被施加到有源层311。
即，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止有源层311被损坏。
如上所述，在本发明的另一示例实施例中，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力可被缓和，并且中性面NP可对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
即，提供了显示装置1000，在显示装置1000中，即使等于或大于柔性基底100的一部分的部分被弯曲，也可防止或减少对应于弯曲部分的薄膜晶体管310由于应力而被损坏的情形。
在下文中，将参照图7描述根据本发明的另一示例实施例的显示装置。在下文中，将描述与上面所描述的根据本发明的示例实施例的显示装置不同的部分。
图7是示出根据本发明的另一示例实施例的显示装置的弯曲区和非弯曲区中的每个的剖视图。
如图7中所示，根据本发明的另一示例实施例的显示装置1000的补偿层200包括缓和层210和第一钝化层220。
缓和层210位于第一钝化层220与柔性基底100之间。缓和层210缓和由于柔性基底100的弯曲而引起的应力，并使显示装置1000中形成的中性面(NP)的位置移动。缓和层210具有比柔性基底100小的杨氏模量和比柔性基底100强的脆性(例如，更易碎)。即，缓和层210比柔性基底100更易碎，结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分包括一个或更多个裂纹211。由于柔性基底100的弯曲，可以出现缓和层210的裂纹211，并可以是不规则的或不规则形状的裂纹。此外，缓和层210的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分可以是无裂纹的。
缓和层210接触第一钝化层220和柔性基底100中的每个，并且第一钝化层220和柔性基底100防止或减少其中出现裂纹211的缓和层210的碎片无意地朝向驱动单元300移动的情形。
和缓和层210的与柔性基底100的非弯曲区NBA对应的其他部分相比，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分具有更大的厚度。
例如，缓和层210的与弯曲区BA对应的部分的厚度可以和柔性基底100的与弯曲区BA对应的部分的曲率半径的尺寸成比例。作为一个示例，当柔性基底100的与弯曲区BA对应的部分的曲率半径的尺寸变小时，缓和层210的一部分的厚度变大，并且当柔性基底100的与弯曲区BA对应的部分的曲率半径的尺寸变大时，缓和层210的一部分的厚度可以变小。即，缓和层210的厚度可以阶梯式地形成以与柔性基底100的弯曲区BA的曲率半径的尺寸对应。
缓和层210包括易碎金属或金属氧化物。作为一个示例，缓和层210可以包括诸如MoOx、Mo、Ti等的易碎金属或金属氧化物。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)，并且与缓和层210相比，第一钝化层220和柔性基底100可以具有更大的杨氏模量。结果，缓和层210的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分可以包括一个或更多个裂纹211，并且虽然在缓和层210的一部分出现裂纹211，但是在第一钝化层220和柔性基底100中的每个中不存在裂纹。与第一钝化层220和柔性基底100中的每个相比，缓和层210可以具有更小的厚度。
第一钝化层220位于缓和层210与显示单元400之间以及缓和层210与驱动单元300之间。
第一钝化层220和柔性基底100彼此分隔开，缓和层210设置在第一钝化层220和柔性基底100之间，并且第一钝化层220和柔性基底100接触缓和层210。与缓和层210相比，第一钝化层220可以具有更大的杨氏模量。第一钝化层220可以包括诸如PSA和PDMS的高弹性聚合物材料或诸如Al和Au的高柔性金属性材料，但其不限于此，并且可以包括各种聚合物材料或各种金属性材料。第一钝化层220防止或减少由缓和层210中的裂纹211引起的缓和层210的碎片向驱动单元300移动的情形。
根据补偿层200施加的压应力被施加到驱动单元300的薄膜晶体管310的有源层311中的与柔性基底100的弯曲区BA对应的有源层311。例如，在显示装置1000中，中性面NP形成在补偿层200与柔性基底100之间，即，总厚度的中心部(该总厚度与柔性基底100、补偿层200、驱动单元300、显示单元400和包封部件500中的每个形成的总厚度对应)，但是在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处，中性面NP因为补偿层200的厚度(该厚度与柔性基底100的曲率半径的尺寸成反比)而阶梯式地形成在驱动单元300与显示单元400之间，结果，缓和的压应力被施加到有源层311。
作为一个示例，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，补偿层200的与弯曲区BA对应的缓和层210根据施加到显示装置1000的压力因裂纹211而变形，结果，施加到显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP移动到驱动单元300与显示单元400之间，以与由驱动单元300和显示单元400形成的厚度对应。因此，缓和的压应力被施加到有源层311。
即，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
如上所述，在本发明的另一示例实施例中，当弯矩出现在显示装置1000的与柔性基底100的弯曲区BA对应的部分处时，裂纹211因为应力而出现在与柔性基底100的弯曲区BA对应的、具有更小的杨氏模量和更强的脆性(例如，更易碎)的补偿层200中，结果，施加到显示装置1000的与弯曲区BA对应的部分的应力被缓和，并且中性面NP对应于弯曲区BA因补偿层200的变形而移动到驱动单元300和显示单元400之间。因此，不是张应力而是缓和的压应力被施加到有源层311，以防止或减少有源层311被损坏的情形。
即，提供了显示装置1000，在显示装置1000中，即使等于或大于柔性基底100的一部分的部分被弯曲，也防止或减少对应于弯曲部分的薄膜晶体管310由于应力而被损坏。
虽然已经结合目前被视为实际的示例性实施例的内容描述了本发明，但是将理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包括在权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (27)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
柔性基底，包括被构造为在一方向上弯曲的弯曲区；
显示单元，在所述柔性基底上并被配置为显示图像；以及
补偿层，在所述柔性基底与所述显示单元之间，并包括具有比所述柔性基底小的杨氏模量的缓和层，
其中，所述缓和层的与所述弯曲区对应的部分由于在所述弯曲区处的弯曲而包括一个或更多个裂纹。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的脆性比所述柔性基底的脆性强。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层包括金属。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层包括金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述补偿层还包括在所述缓和层与所述显示单元之间的第一钝化层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第一钝化层的杨氏模量大于所述缓和层的杨氏模量。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的厚度小于所述第一钝化层的厚度。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述第一钝化层接触所述缓和层。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层接触所述柔性基底。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层包括多个开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：
所述第一钝化层在所述多个开口的每个中。
12.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述补偿层还包括位于所述缓和层与所述柔性基底之间的第二钝化层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于：
所述第二钝化层的杨氏模量大于所述缓和层的杨氏模量。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于：
所述第二钝化层接触所述缓和层。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述柔性基底包括与所述弯曲区相邻的非弯曲区。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的与所述非弯曲区对应的第一部分是无裂纹的。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述裂纹具有任意的形状或图案。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的与所述弯曲区对应的所述部分比所述缓和层的位于所述弯曲区外侧的部分厚。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
与所述弯曲区对应的所述柔性基底具有曲率半径，并且
所述缓和层的厚度与所述曲率半径的尺寸成反比。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示单元包括在与所述弯曲区对应的所述柔性基底上的有机发光二极管，并且
所述显示装置包括驱动单元，所述驱动单元在所述补偿层与所述显示单元之间并包括连接到所述有机发光二极管的薄膜晶体管。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述薄膜晶体管包括在所述柔性基底上的有源层，并且
压应力被施加到与所述弯曲区对应的所述有源层。
22.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
柔性基底，包括被构造为在一方向上弯曲的弯曲区和与所述弯曲区相邻的非弯曲区；
显示单元，在所述柔性基底上并被配置为显示图像；以及
补偿层，在所述柔性基底与所述显示单元之间，并包括具有比所述柔性基底小的杨氏模量的缓和层，
其中，所述缓和层的与所述弯曲区对应的部分由于在所述弯曲区处的弯曲而包括一个或更多个裂纹。
23.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
柔性基底，包括被构造为在一方向上弯曲的弯曲区；
显示单元，在所述柔性基底上并被配置为显示图像；以及
补偿层，在所述柔性基底与所述显示单元之间，并包括具有比所述柔性基底强的脆性的缓和层，
其中，所述缓和层的与所述弯曲区对应的部分由于在所述弯曲区处的弯曲而包括一个或更多个裂纹。
24.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
柔性基底，包括被构造成在一方向上弯曲的弯曲区和与所述弯曲区相邻的非弯曲区；
显示单元，在所述柔性基底上并被配置为显示图像；以及
补偿层，在所述柔性基底与所述显示单元之间，并包括具有比所述柔性基底强的脆性的缓和层，其中，所述缓和层的与所述弯曲区对应的第一部分由于在所述弯曲区处的弯曲而包括一个或更多个裂纹。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的与所述非弯曲区对应的第二部分是无裂纹的。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其特征在于：
所述裂纹具有任意的形状或图案。
27.根据权利要求24所述的显示装置，其特征在于：
所述缓和层的杨氏模量小于所述柔性基底的杨氏模量。
CN201610073093.XA 2015-02-02 2016-02-02 显示装置 Active CN105845707B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0016355 2015-02-02
KR1020150016355A KR102367251B1 (ko) 2015-02-02 2015-02-02 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105845707A CN105845707A (zh) 2016-08-10
CN105845707B true CN105845707B (zh) 2021-04-30

Family

ID=55299301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610073093.XA Active CN105845707B (zh) 2015-02-02 2016-02-02 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9887386B2 (zh)
EP (1) EP3051334B1 (zh)
KR (1) KR102367251B1 (zh)
CN (1) CN105845707B (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510989B2 (en) * 2015-07-10 2019-12-17 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
KR102201296B1 (ko) * 2015-10-29 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
CN106783909A (zh) * 2015-11-19 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏、其制作方法及显示装置
JP2017152256A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180027705A (ko) * 2016-09-06 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106338852B (zh) * 2016-11-01 2019-10-01 上海天马微电子有限公司 一种可挠式基板、显示面板及可挠式基板的制作方法
CN108122927B (zh) * 2016-11-29 2021-01-29 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
KR102650855B1 (ko) * 2016-11-30 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102381286B1 (ko) * 2017-05-18 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102343573B1 (ko) * 2017-05-26 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN110537154B (zh) * 2017-06-08 2021-07-13 谷歌有限责任公司 利用薄的高模量层的可折叠显示器中性轴管理
KR102393377B1 (ko) 2017-08-07 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109427980B (zh) * 2017-08-24 2021-07-27 上海和辉光电股份有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
KR102349279B1 (ko) * 2017-09-08 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10615351B2 (en) * 2017-11-09 2020-04-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display assembly including a first inorganic layer formed in bending region having a thickness less than a second inorganic layer formed in non-bending region, a manufacturing method for forming the same, and a display panel
CN107978612B (zh) * 2017-11-30 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板及显示装置
US10566352B2 (en) * 2017-12-07 2020-02-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof
CN108091612B (zh) * 2017-12-07 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN108279516B (zh) * 2018-02-01 2021-10-15 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102534800B1 (ko) * 2018-02-13 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 롤러블 표시 장치
KR102510912B1 (ko) * 2018-03-19 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 크랙 검사 방법
KR102547854B1 (ko) 2018-05-04 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법
KR102545950B1 (ko) 2018-07-12 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102522469B1 (ko) * 2018-07-18 2023-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109326564B (zh) * 2018-09-19 2020-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示组件及其制作方法、显示装置
CN109461742B (zh) * 2018-10-11 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板
CN109791747B (zh) * 2018-11-09 2022-01-07 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示面板、可拉伸显示设备和制造可拉伸显示面板的方法
CN109585514A (zh) * 2018-12-12 2019-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN109659345B (zh) * 2018-12-19 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板
CN110189636B (zh) * 2019-05-31 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板以及显示装置
CN110599903B (zh) * 2019-08-12 2021-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板
CN111224009B (zh) * 2019-11-01 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及制造方法
CN113658515A (zh) * 2021-08-24 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法和显示面板
CN113920873B (zh) * 2021-10-13 2023-06-02 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545321A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置
CN103985763A (zh) * 2007-12-03 2014-08-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和显示装置
CN104103669A (zh) * 2013-04-11 2014-10-15 乐金显示有限公司 柔性显示面板
CN104241316A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 三星显示有限公司 具有改进的弯曲属性的显示装置及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080073942A (ko) 2007-02-07 2008-08-12 엘지전자 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR100956238B1 (ko) 2007-12-18 2010-05-04 삼성전기주식회사 굴곡성 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8661873B2 (en) * 2009-10-14 2014-03-04 Insightec Ltd. Mapping ultrasound transducers
KR101669928B1 (ko) 2010-03-23 2016-10-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 평판표시장치
KR101261456B1 (ko) * 2010-12-29 2013-05-10 순천향대학교 산학협력단 보호막 및 이를 포함하는 전자 소자
KR20140060776A (ko) 2012-11-12 2014-05-21 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140061779A (ko) 2012-11-14 2014-05-22 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조 방법
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9203050B2 (en) * 2013-05-21 2015-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR102081287B1 (ko) * 2013-06-07 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조방법
KR102098573B1 (ko) * 2013-07-19 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
US10137306B2 (en) * 2014-01-13 2018-11-27 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Materials, devices and systems for piezoelectric energy harvesting and storage

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985763A (zh) * 2007-12-03 2014-08-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和显示装置
CN104103669A (zh) * 2013-04-11 2014-10-15 乐金显示有限公司 柔性显示面板
CN104241316A (zh) * 2013-06-13 2014-12-24 三星显示有限公司 具有改进的弯曲属性的显示装置及其制造方法
CN103545321A (zh) * 2013-11-11 2014-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3051334B1 (en) 2019-09-04
KR20160095312A (ko) 2016-08-11
US9887386B2 (en) 2018-02-06
US20160226024A1 (en) 2016-08-04
EP3051334A1 (en) 2016-08-03
CN105845707A (zh) 2016-08-10
KR102367251B1 (ko) 2022-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105845707B (zh) 显示装置
CN105826350B (zh) 显示装置
US10673016B2 (en) Display device comprising an inorganic encapsulation layer covering a pixel area and a pixel area gap
US10957753B2 (en) Display device
KR102203104B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
US9793501B2 (en) Organic light emitting diode display
CN107104126B (zh) 具有改善的反射性质的有机发光显示装置及其制造方法
US20170117502A1 (en) Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
CN106444119B (zh) 显示设备
US20150205418A1 (en) Display device
JP2018006254A (ja) 表示装置、表示装置の製造方法
US9941311B2 (en) Flexible display device and manufacturing method thereof
CN111831158A (zh) 柔性触摸面板和柔性显示设备
TW201511951A (zh) 顯示裝置
US20160202816A1 (en) Flexible touch panel and flexible display device
US11482690B2 (en) Display device having protective window
US9252195B2 (en) Display device
US10873054B2 (en) Display apparatus
CN217767406U (zh) 显示面板和电子设备
US20150053965A1 (en) Flexible display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant