CN107978612B - 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板及柔性显示装置。柔性显示基板包括：柔性基底，包括弯曲区域和非弯曲区域，弯曲区域包括弯曲边缘和非弯曲边缘，该非弯曲边缘沿第一方向延伸；设置在柔性基底上的弯曲区域中的至少一个晶体管，其中，晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层。有源层沿大致平行于第一方向的方向延伸。

Description

柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板及柔性显示装置。
背景技术
柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)器件具有自发光的特性，因此柔性OLED显示装置可视角度大，可弯折，能够根据实际需求制作各种不同形状及可弯折的器件。与硬屏显示装置相比，柔性OLED显示装置具备更加显著的优势，并且在显示技术领域的应用也越来越广泛。
在OLED显示装置中，柔性显示暴板或柔性显示面板呈现出越来越重要的地位，因此对它们的本身性能提出了更高的要求。
发明内容
鉴于上述，为了至少部分地解决上述问题，本公开的实施例提供了一种柔性显示基板、柔性显示面板、柔性显示装置以及制备柔性显示基板的方法。
在本公开的一个方面中，提供了一种柔性显示基板，包括：柔性基底，所述柔性基底包括弯曲区域和非弯曲区域，所述弯曲区域包括弯曲边缘和非弯曲边缘，所述非弯曲边缘沿第一方向延伸；设置在所述柔性基底上的弯曲区域中的至少一个晶体管，其中，所述晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层；所述有源层沿大致平行于所述第一方向的方向延伸。
在一个示例中，在所述有源层和所述栅极之间还设置有栅极绝缘层；所述栅极绝缘层中对应于所述晶体管周边的至少一侧形成有凹槽，所述凹槽内填充有有机材料。
在一个示例中，所述凹槽设置在所述晶体管周边平行于所述第一方向的两侧。
在一个示例中，所述凹槽贯穿所述栅极绝缘层。
在一个示例中，在柔性基底上还设置有层间绝缘层，所述层间绝缘层包括位于栅极绝缘层上方的子层间绝缘层，所述凹槽贯穿层间绝缘层并延伸到所述栅极绝缘层中。
在一个示例中，所述层间绝缘层还包括阻挡层和缓冲层中的至少一个，所述凹槽还贯穿栅极绝缘层并延伸到缓冲层中，或贯穿栅极绝缘层和缓冲层并延伸到所述阻挡层中。
在一个示例中，所述凹槽的垂直于第一方向的横截面的形状为矩形、方形或梯形。
在一个示例中，在所述凹槽的垂直于第一方向的横截面中凹槽的边缘为阶梯形。
在一个示例中，所述至少一个晶体管包括至少一个驱动晶体管，所述至少一个驱动晶体管的有源层至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向的方向延伸。
在一个示例中，所述至少一个晶体管还包括至少一个发射晶体管，所述至少一个发射晶体管的有源层至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向的方向延伸。
在本公开的另一方面中，提供了一种柔性显示面板，包括上述的柔性显示基板。
在本公开的还一方面中，提供了一种柔性显示装置，包括上述的柔性显示面板。
在本公开的又一方面中，提供了一种上述的柔性显示基板的制备方法，包括：提供柔性基底，所述柔性基底包括弯曲区域和非弯曲区域，所述弯曲区域包括弯曲边缘和非弯曲边缘，所述非弯曲边缘沿第一方向延伸；在所述柔性基底的弯曲区域形成至少一个晶体管，其中，所述晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层；所述有源层沿大致平行于所述第一方向的方向延伸。
在一个示例中，所述制备方法还包括：在所述有源层和所述栅极之间形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层中对应于所述晶体管周边的至少一侧形成有凹槽，所述凹槽内填充有有机材料。
在一个示例中，通过采用半色调或灰阶掩模的光刻工艺形成边缘为阶梯形的凹槽。
附图说明
为了更清楚地说明本公开文本的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开文本的一些实施例，而非对本公开文本的限制，其中：
图1示出相关技术中的一种AMOLED显示面板的结构示意图；
图2示出了根据本发明的一个实施例的柔性AMOLED背板的结构示意图；
图3是根据本公开的一个实施例的柔性显示基板的弯曲区域和非弯曲区域的设置位置的示意图；
图4是根据本公开的一个实施例的在柔性显示基板的弯曲区域内设置的晶体管的排布方向的示意图；
图5是图4所示显示的柔性显示基板的位于弯曲区域内的晶体管的侧边开设凹槽的结构示意图；
图5A和图5B分别示出了图5中的凹槽延伸到不同的层中的结构示意图。
图6是在图5所显示柔性显示基板的凹槽内填充有机材料的结构示意图；
图7是图5开设的凹槽的形状的示意图；
图8是根据本公开的一个实施例的图3显示的柔性显示基板的制备步骤的流程图；
图9A、图9B、图9C、图9D、图9E和图9F是根据本公开的一个实施例的图3所显示的柔性显示基板的制备流程中的结构示意图；以及
图9G和图9H是根据本公开的一个实施例的图6所显示的柔性显示基板的制备流程中的结构示意图。
具体实施方式
为更清楚地阐述本公开的目的、技术方案及优点，以下将结合附图对本公开的实施例进行详细的说明。应当理解，下文对于实施例的描述旨在对本公开的总体构思进行解释和说明，而不应当理解为是对本公开的限制。在说明书和附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的部件或构件。为了清晰起见，附图不一定按比例绘制，并且附图中可能省略了一些公知部件和结构。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。措词“一”或“一个”不排除多个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”“顶”或“底”等等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
图1示出相关技术中的一种有源矩阵有机发光二极管(AMOLED：Active MatrixOrganic Light Emitting Diode)显示面板的结构示意图。参见图1，示出了一种AMOLED显示面板10的结构示意图。在该AMOLED显示面板10中，通常在诸如玻璃的基板11上设置有薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)阵列12，用来控制其中的每一个像素单元发光。在该TFT阵列12的上方设置有机发光二极管的阳极13、有机层14和阴极15等。如图1所示，阳极13、有机层14和阴极15等堆叠在布满TFT阵列12的阵列基板上，然后利用封装层16或者盖板对它们进行封装就形成了AMOLED显示面板。具体地，有机层14可以包括电子传输层、发光层和空穴传输层。本领域技术人员应当理解，在上述的AMOLED显示面板中，阳极和阴极的相对位置可以根据实际需要进行选择，即可以将阳极设置在阴极的上方，也可以将阳极设置在阴极的下方。
在希望AMOLED面板能够弯折或者制备出柔性AMOLED面板的情况下，通常将AMOLED显示面板的玻璃基板换成聚酰亚胺(Polyimide：PI)基板，以能够进行一定程度的弯折。
图2示出了根据本发明的一个实施例的柔性AMOLED背板的结构示意图。如图2所示，在该柔性AMOLED显示面板的背板20中，在柔性的PI基板21上依次设置有阻挡层22、缓冲层23、有源层24以及与有源层24位于同一层的源区41和漏区42、栅极绝缘层25、栅极26、无机层27以及在无机层27上方的源极28和漏极29。通常漏极29与有机发光二极管的阳极电连接。
然而，对于上述的柔性AMOLED显示面板来说，虽然PI基板能够允许在一定程度上实现AMOLED显示面板弯折，但是在小半径弯折或多次弯折的情况下，还希望该AMOLED显示面板中的半导体器件具有更好的柔性设计。
例如，在具有顶栅型TFT的OLED显示面板中，该顶栅型TFT结构对其下面的有源层及栅极绝缘层等提供了一定的保护作用。然而，在弯折的过程中，柔性显示基板或面板中的弯曲区域中的诸如栅极绝缘层(如图2所示的栅极绝缘层25)的无机材料层会出现损伤，从而导致了相应的半导体器件的器件特性发生偏移。最终，导致了在柔性显示基板或柔性显示面板的弯曲区域与非弯曲区域的亮度出现了显著差异。
这种情况特别是在弯折半径较小和/或是多次小半径弯折的情况下变得更为明显。可以理解，底栅型TFT结构设计也存在类似的问题。
针对上述的一个或多个问题，本公开的实施例提供了一种或多种技术方案，旨在至少部分地解决上述的显示基板中的弯曲区域的半导体器件(例如TFT)的器件特性由于弯折而造成的偏移的问题。本公开的实施例虽然是针对于柔性显示基底的显示区域中的半导体器件来进行描述，但是并不排除对于柔性显示基板的例如周边排线区的非显示区域也可以采用与本公开类似的设计。
应当理解，本文所述的柔性显示基板主要是指包括TFT阵列以及相关元件的基板，而柔性显示面板主要是指包括柔性显示基板以及设置于其上的有机发光二极管的结构。相应地，柔性显示装置是指使用了上述的柔性显示基板和柔性显示面板的任何显示装置。为了便于描述，此处以柔性AMOLED显示基板为例进行说明。
图3是根据本公开的一个实施例的柔性显示基板的弯曲区域和非弯曲区域的设置位置的示意图。如图3所示，柔性显示基板100包括位于显示区域内设置在柔性基底上的弯曲区域120和位于该弯曲区域120两侧的非弯曲区域110。然而，在多次折弯或进行小半径折弯之后，弯曲区域120内的半导体器件(例如薄膜晶体管(TFT))将会受到一定程度的损伤，这样导致了该半导体器件的器件特性发生偏移。应当注意的是，本公开仅以弯曲区域120根据需要设置在柔性显示基板100的显示区域内为例进行说明，但是不排除将该弯曲区域120设置在柔性显示基板100的非显示区域内的情形。
在多次折弯柔性显示基板100或进行小半径的折弯时，通常会导致半导体器件中的无机材料层(例如栅极绝缘层、层间绝缘层(例如缓冲层、阻挡层)等)受到损伤或断裂，本公开的实施例提出增加柔性显示基板100中的所有无机材料层或至少部分无机材料层的柔韧性，从而可以至少在一定程度上防止半导体器件的器件特性偏移，进而避免在该柔性显示基板100用到柔性显示面板或柔性显示装置中时弯曲区域120和非弯曲区域110之间的诸如亮度之类的显示特性存在明显的差异。
图4是根据本公开的一个实施例的在柔性显示基板的弯曲区域内设置的晶体管的排布方向的示意图。图5是图4所示显示的柔性显示基板的位于弯曲区域内的晶体管的侧边开设凹槽的结构示意图。图5A和图5B分别示出了图5中的凹槽延伸到不同的层中的结构示意图。图6是在图5所显示柔性显示基板的凹槽内填充有机材料的结构示意图。
如图4和5所示，本公开的一个实施例提供了一种柔性显示基板200。该柔性显示基板200包括柔性基底230。在柔性基底230上根据需要设置有弯曲区域220以及非弯曲区域210。一般情况下，该非弯曲区域210位于弯曲区域220两侧。可知，在该弯曲区域220处进行小半径的折弯或多次折弯时，该弯曲区域220内的半导体器件的器件特征会发生偏移。为此，在本公开的一个实施例中，将晶体管沿着折弯方向排布，以减小在折弯过程中，晶体管所受到的应力尤其其中的无机材料层所受到的应力。
可以理解，该柔性显示基底230上根据需要预设上述的弯曲区域220和非弯曲区域210，而不限于图示的情形。也就是说，可以设置多个弯曲区域220且其的位置和大小可以根据需要进行选择。
具体地，如图4所示，所述弯曲区域220包括非弯曲边缘202和弯曲边缘203，该非弯曲边缘202沿着第一方向201延伸，也就是说在折弯的过程中，该非弯曲边缘202不会发生任何程度的折弯。相应地，该弯曲边缘203大体沿着垂直于第一方向201的方向延伸。当然，该弯曲边缘203可以根据需要设置成与第一方向201成除平行于第一方向201之外的任意角度。
在该弯曲区域220内还设置有至少一个晶体管240、250，例如至少一个驱动晶体管240和/或至少一个发射晶体管250。
该晶体管240、250包括栅极244、源极245、漏极246以及有源层243。有源层243沿大致平行于第一方向201的方向延伸。需要说明的是，本公开的实施例以氧化物薄膜晶体管为例进行了说明，但是本领域技术人员也可以根据需要选择其他类型的晶体管。
在图4中弯曲区域220的左半部分中图示出4个驱动晶体管的有源层的形状，而在该弯曲区域220的右半部分中图示出2个发射晶体管的有源层的形状。显然，在本公开的实施例中可以任意设置晶体管的位置以及它们的数量和形状，而不一定限于图2所示的情形，其仅是一个示例性的示例，以用于说明希望将诸如驱动晶体管和/或发射晶体管的晶体管(尤其是其的有源层)的排布方向设置成沿大致平行于第一方向201(通常对应于柔性显示基板的折痕方向)的方向延伸。
在将晶体管的有源层243沿着大致平行于第一方向201的方向延伸的设计中，通常会将该晶体管的源极、漏极以及栅极也设置成沿着大致平行于第一方向201的方向延伸。可替代地，也可以将它们中的一个或几个设置成大致平行于第一方向201的方向延伸，或将根据需要选择是否要进行这样的设置。
进一步地，参见图3和4，根据本公开的另一实施例，除了在弯曲区域220内将晶体管(尤其是有源层)按照折弯方向进行排列，还可以在晶体管的周边开设凹槽并且在凹槽内填充有有机材料，以增加晶体管在柔性AMOLED显示面板在折弯过程中柔性。这样可以降低晶体管在该折弯过程中所承受的应力，减小甚至消除晶体管的器件特性的偏移。当然，本领域技术人员可以根据需要选择在晶体管的一侧、两侧设置凹槽，甚至设置成凹槽部分地或全部地包围晶体管。
具体地，该柔性显示基板200的柔性基底230被分为TFT区域和非TFT区域，鉴于图示的原因，并未示出位于TFT区域右侧的非TFT区域。根据本公开的实施例，TFT区域是指其中设置有晶体管的区域，而相应地非TFT区域是指其中没有设置有晶体管的区域。
在TFT区域中，柔性基底230上还可以依次设置有阻挡层231、缓冲层232、有源层243以及与有源层243位于同一层的源区241和漏区242、栅极绝缘层233、栅极层244以及子层间绝缘层234。在源区241和漏区242上方对应的位置处通过过孔247对应地设置有源极245和漏极246，该漏极246用于连接有机发光二极管的阳极或阴极。
不论是对于顶栅型层TFT结构还是对于底栅型的TFT结构，都将在有源层243和栅极244之间还设置有栅极绝缘层233。在本公开的实施例中仅是以顶栅型TFT结构为例进行说明，本领域技术人员可以容易想到在底栅型TFT结构中也可以进行类似的设计。
在一个示例中，为了进一步增加TFT区域内晶体管240周边结构的柔性，在栅极绝缘层233中对应于所述晶体管240周边的至少一侧(图5所示的左侧)形成有凹槽237，并在凹槽237内填充有机材料238。
在一个示例中，凹槽237设置在所述晶体管240周边平行于所述第一方向201的两侧。当然，也可以设置成凹槽237部分地或完全地包围该晶体管240。
如图5所示，该凹槽237被设置成贯穿栅极绝缘层233和子层间绝缘层234并部分地延伸到有源层243所在的层中。当然如图5A所示，该凹槽237还可以设置成贯穿子层间绝缘层234并延伸到栅极绝缘层233中，即该凹槽237可以仅延伸穿过栅极绝缘层233的一部分。也就是说，凹槽237从凹槽237所在区域的在子层间层间绝缘层的上表面延伸至不超过栅极绝缘层233的下表面所在的位置。需要说明的是，本文中所述的术语“贯穿……”的含义是指凹槽完全穿透或穿过所述的层，而术语“延伸到……中”的含义是指凹槽延伸穿过该层的一部分，并未完全穿过所述层。
在柔性基底230上设置有子层间绝缘层234时，该凹槽237还可以设置成贯穿子层间绝缘层234，并延伸到栅绝缘层233中，如图5A所不。
在如图5所示的示例中，层间绝缘层除了包括子层间绝缘层234之外，还包括阻挡层231和缓冲层232。可替代地，该层间绝缘层还可以包括阻挡层231和缓冲层232中的至少一个。此时，本领域技术人员可以根据需要选择凹槽237贯穿栅极绝缘层233并延伸到缓冲层232中还是贯穿栅极绝缘层233和缓冲层232并延伸到阻挡层231。
在一个示例中，如图5B所示，该凹槽237可以贯穿栅极绝缘层、缓冲层232以及延伸穿过阻挡层231的20-95％。
图7是图5开设的凹槽的形状的示意图。如图7所示，凹槽237的垂直于第一方向201的横截面的形状为矩形、方形或梯形。当然，本领域技术人员可以根据需要具体设置凹槽237的形状，不限于上述的具体的示例。
在图5中示出了凹槽237的另一种形状，在凹槽237的垂直于第一方向201的横截面中凹槽237的边缘为阶梯形。在这种情况下，由于凹槽237的边缘形成为阶梯状，其可以在很大的程度上缓解折弯时产生的应力。在图5的示例中，示出了凹槽237贯穿子层间绝缘层234和栅极绝缘层233以及穿过有源层242所在的层的一部分时，所形成的阶梯形状为贯穿子层间绝缘层234的凹槽的上部具有较大的开口宽度，而剩下的凹槽下部具有较小的开口宽度，也就是在图5中凹槽的截面形成一个台阶高度，即凹槽的上部具有较大的开口宽度而凹槽的下部具有较小的开口宽度。可以理解，本领域技术人员可以根据需要选择上述的阶梯形具有几个台阶，而限于图示的形式。可替代地，也可以设置成凹槽的上部具有较小的开口宽度而凹槽的下部具有较大的开口宽度。
尽管在本公开的实施例中，不对柔性显示基板200中的晶体管的类型做特定的限制，但是在至少一个晶体管240、250包括至少一个驱动晶体管240时，至少一个驱动晶体管240的有源层243至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向201的方向延伸。进一步地，在柔性显示基板200的至少一个晶体管240、250还包括至少一个发射晶体管250。至少一个发射晶体管250的有源层也至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于第一方向201的方向延伸。
图8是根据本公开的一个实施例的图3显示的柔性显示基板的制备步骤的流程图。参见图8，本公开的另一实施例提供了一种上述的柔性显示基板200的制备方法。
在步骤S810中，提供柔性基底230，其中柔性基底230包括弯曲区域220和非弯曲区域210，弯曲区域220包括非弯曲边缘202和弯曲边缘203，该非弯曲边缘202沿大致平行于第一方向201的方向延伸，而弯曲边缘203沿着大致垂直于第一方向201的方向延伸。
在步骤S820中，在柔性基底230的弯曲区域220中形成至少一个晶体管240、250，其中，晶体管240、250包括栅极244、源极241、漏极242以及有源层243。有源层243大致沿平行于第一方向201的方向延伸。
图9A、图9B、图9C、图9D、图9E和图9F是根据本公开的一个实施例的图3所显示的柔性显示基板的制备流程中的结构示意图。图9G和图9H是根据本公开的一个实施例的图6所显示的柔性显示基板的制备流程中的结构示意图。在一个示例中，具体地，上述柔性显示基板220的制备方向包括以下具体流程。
如图9A所示，在柔性显示基板220的TFT区域内依次在柔性基底230上制备阻挡层231、缓冲层232。在一个示例中，柔性基底230可以是PI衬底，阻挡层231和缓冲层232可以根据需要选择，不一定必须同时设置阻挡层231和缓冲层232，具体地可以设置它们中的任一个。
如图9B所示，在图9A所获得的结构的基础上，通过光刻工艺制备有源岛241、242、243，具体地包括源区241、有源层242和漏区243，其中为了减少工艺流程和优化工艺，源区241和漏区242将在后续的栅极制备过程中对源区241和漏区242所在位置进行掺杂来形成。在图9A的结构的基础上，通过PECVD沉积非晶硅薄膜，用晶化技术形成多晶硅薄膜，如准分子激光退火法、固相晶化法和金属诱导横向晶化法等。非晶硅薄膜采用在非晶硅薄膜生长中掺杂或者用离子掺杂的方法掺杂例如硼(B)形成。晶化后光刻形成有源岛的图形。
需要说明的是，图9B所示的截面视图是沿着图4中的第一方向201切割所获得的剖视图。可见，该晶体管240的有源层243沿着大致平行于第一方向201的方向延伸。如上所述，在本公开的实施例中希望尽可能在制备晶体管的过程中，直接将晶体管240的有源层243设置成平行于第一方向201的方向延伸。此处所述的平行于第一方向201的方向延伸是指其大体在平行于第一方向201的方向上延伸，并不是严格意义上的平行于第一方向201。在一个示例中，将晶体管240尤其是其中的有源层243设置成大体长条形，以进一步增加晶体管抵抗弯折过程中产生的应力的能力。
如图9C所示，在图9B所获得的结构的基础上，采用光刻工艺形成栅极244。具体地，用于PECVD方向沉积栅极绝缘层233，接着溅射一层金属做栅极，用光刻工艺刻蚀形成栅极244。
如图9D所示，在本示例的顶栅结构中采用栅极244图形自对准掩模部分阻挡掺杂。可以栅极做掩模进行磷掺杂以形成晶体管的源区241和漏区242。
如图9E所示，在图9D所显示的结构的基础上，在PECVD沉积子层间绝缘层234之后，通过光刻工艺形成过孔247。
如图9F所示，在图9E显示的结构的基础上，通过溅射形成一层源漏金属层，用光刻工艺形成源极245和漏极246。在过孔247处，该源极245和漏极246分别与晶体管的源区241和漏区242电连接。
在本公开的另一个实施例中，在晶体管240的一侧开设凹槽的情形中，如图9G所示，在图9D显示的结构的基础上，形成子层间绝缘层234之后，可以通过半色调(halftone)或灰阶掩模分别在预设的凹槽设置区域和源漏电极对应的过孔位置处蚀刻出凹槽237和过孔247。
在图示的情形中，凹槽237的刻蚀深度可以为栅极绝缘层233、缓冲层232和20％-95％的阻挡层231。在Halftone缓冲部分残膜厚度为蚀刻区域的120％～200％。可以理解，凹槽237的刻蚀深度可以根据需要进行设置。例如凹槽237可以是贯穿整个栅极绝缘层，也可以是仅穿过栅极绝缘层的一部分。可替代地，凹槽237的刻蚀深度还可以是贯穿栅极绝缘层233而仅穿过缓冲层232的一部分或全部。相应地，本领域技术人员应当明白，可以选择在形成了栅极图形之后，通过上述工艺形成贯穿栅极绝缘层的凹槽237。另外的凹槽深度的制备方法，本公开在此不再进行详述，本领域技术人员可以根据实际需要选择在合适的层进行类似的蚀刻工艺。
在蚀刻凹槽237时，采用半色调(halftone)或灰阶掩模的光刻工艺形成边缘为阶梯形的凹槽237。这样，在对凹槽237进行有机材料238的填充之后，可以抑制弯折时应力延伸，减少弯折过程中对栅极绝缘层等的无机材料层造成损伤。在晶体管240、250的边缘区域处，为了增加缓冲区域，使用了半色调或灰阶掩模的光刻工艺，则相应地在晶体管240、250的边缘处形成了0.5微米至1微米的缓冲区域。并且，在该缓冲区域处，残膜厚度为蚀刻区域的厚度的120％～200％。
如图9H所示，可以在图9G显示的结构的基础上，在蚀刻出凹槽237之后，可以进行有机材料238的涂布工艺，以在凹槽237内填充有机材料238。该有机材料238可以是聚酰亚胺或亚克力。之后，通过溅射源漏金属层且通过光刻工艺形成源极245和漏极246。
另外，还可以在图9H的结构的基础上，通过溅射源漏金属层且通过光刻工艺形成源极245和漏极246。
此外，如果要形成AMOLED显示面板，可以在图9G或图9H的结构的基础上，完成有机发光二极管的后续膜层的制备。鉴于本公开的主要改进在于柔性显示基板，故不再对这一部分进行详细说明。
本公开的另外的实施例还提供了一种柔性显示面板，包括至少一个上述的柔性显示基板。另外，该柔性显示基板还包括与上述柔性显示基板配合和连接的有机发光二极管，以形成AMOLED显示面板。
本公开的另外的实施例还提供了一种柔性显示装置包括上述的柔性显示面板。该柔性显示装置为柔性氧化物OLED或柔性低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon：LTPS)OLED。本公开的柔性显示装置的例子可以包括手机、电视机、电脑显示器、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、个人数字助理、导航仪等具有显示功能的产品，本公开对此不做限制。
本公开文本的实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示面板以及柔性显示装置。通过在柔性显示基板的弯曲区域内大致平行于第一方向排布的晶体管的有源层，可以增加柔性，防止晶体管器件特性的偏移。这样进而避免在用到柔性显示面板或柔性显示装置中时弯折区域与非弯曲区域(例如周边区域)的亮度之间存在明显的差异。
上述实施例仅例示性的说明了本公开的原理及构造，而非用于限制本公开，本领域的技术人员应明白，在不偏离本公开的总体构思的情况下，对本公开所作的任何改变和改进都在本公开的范围内。本公开的保护范围，应如本申请的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (7)

1.一种柔性显示基板，包括：
柔性基底，所述柔性基底包括弯曲区域和非弯曲区域，所述弯曲区域包括弯曲边缘和非弯曲边缘，所述非弯曲边缘沿第一方向延伸；以及
设置在所述柔性基底上的弯曲区域中的至少一个晶体管，其中，所述晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层；所述有源层沿大致平行于所述第一方向的方向延伸，
其中，所述至少一个晶体管包括至少一个驱动晶体管，所述至少一个驱动晶体管的有源层至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向的方向延伸，
其中，在所述有源层和所述栅极之间还设置有栅极绝缘层，在柔性基底上还设置有层间绝缘层，所述层间绝缘层包括位于栅极绝缘层上方的子层间绝缘层；所述栅极绝缘层和所述子层间绝缘层中对应于所述晶体管周边的至少一侧形成有凹槽，所述凹槽内未填充有有机材料，所述凹槽贯穿所述子层间绝缘层并延伸到所述栅极绝缘层中，所述凹槽仅延伸穿过栅极绝缘层的一部分，未完全穿过栅极绝缘层，
其中，在所述凹槽的垂直于第一方向的横截面中凹槽的边缘为阶梯形，使得凹槽在子层间绝缘层中的开口宽度大于凹槽在栅极绝缘层中的开口宽度。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其中，所述凹槽设置在所述晶体管周边平行于所述第一方向的两侧。
3.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其中，所述至少一个晶体管还包括至少一个发射晶体管，所述至少一个发射晶体管的有源层至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向的方向延伸。
4.一种柔性显示面板，包括：
根据权利要求1-3中任一项所述的柔性显示基板。
5.一种柔性显示装置，包括：
根据权利要求4所述的柔性显示面板。
6.一种根据权利要求1-3中任一项所述的柔性显示基板的制备方法，包括：
提供柔性基底，所述柔性基底包括弯曲区域和非弯曲区域，所述弯曲区域包括弯曲边缘和非弯曲边缘，所述非弯曲边缘沿第一方向延伸；以及
在所述柔性基底的弯曲区域形成至少一个晶体管，其中，所述晶体管包括栅极、源极、漏极以及有源层；所述有源层沿大致平行于所述第一方向的方向延伸，
其中，所述至少一个晶体管包括至少一个驱动晶体管，所述至少一个驱动晶体管的有源层至少部分地设置成大体长条形且沿大致平行于所述第一方向的方向延伸，
其中，在所述有源层和所述栅极之间还设置有栅极绝缘层，在柔性基底上还设置有层间绝缘层，所述层间绝缘层包括位于栅极绝缘层上方的子层间绝缘层；所述栅极绝缘层和所述子层间绝缘层中对应于所述晶体管周边的至少一侧形成有凹槽，所述凹槽内未填充有有机材料，所述凹槽贯穿所述子层间绝缘层并延伸到所述栅极绝缘层中，所述凹槽仅延伸穿过栅极绝缘层的一部分，未完全穿过栅极绝缘层，
其中，在所述凹槽的垂直于第一方向的横截面中凹槽的边缘为阶梯形，使得凹槽在子层间绝缘层中的开口宽度大于凹槽在栅极绝缘层中的开口宽度。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，
通过采用半色调或灰阶掩模的光刻工艺形成边缘为阶梯形的凹槽。
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