CN105845085A - 一种像素电路、修复像素亮点的方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种像素电路、修复像素亮点的方法及显示装置，属于显示技术领域。所述像素电路包括：发光单元；像素驱动单元，用于在驱动信号的控制下，驱动所述发光单元发光；和开关单元，用于当所述发光单元出现亮点时，控制所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接。本发明解决了像素电路的亮点无法修复的问题。

Description

一种像素电路、修复像素亮点的方法及显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，特别涉及一种像素电路、修复像素亮点的方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管是一种新型的发光二极管，由于其具有高亮度、宽视角和较快的响应速度的优点，被越来越广泛的应用于显示屏的制造中。利用有机发光二极管制造的显示屏通常称为有机发光显示屏(Organic Light EmittingDisplay，OLED)，根据电流驱动方式的不同，有机发光显示屏可以分为无源矩阵有机发光显示屏(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵有机发光显示屏(Active Matrix OLED，AMOLED)。

对于有源矩阵有机发光显示屏，由于其制作技术还不够成熟，在工作过程中，有一些有机发光二极管会出现亮度无法调节的问题(即产生亮点)，从而影响了显示屏的整体质量。目前，一旦显示屏出现该问题，整块屏幕都将作废，导致生产成本大幅提高。

发明内容

为了解决像素电路的亮点无法修复的问题，本发明实施例提供了一种像素电路、修复像素亮点的方法及显示装置。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种像素电路，所述像素电路包括：

发光单元；

像素驱动单元，用于在驱动信号的控制下，驱动所述发光单元发光；和

开关单元，用于当所述发光单元出现亮点时，控制所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接。

在本发明的一种实现方式中，所述开关单元包括场效应管，所述场效应管的栅极用于输入电平信号，所述场效应管的漏极与所述发光单元的输出端连接，所述场效应管的源极与所述发光单元的输入端连接。

在本发明的另一种实现方式中，所述场效应管为耗尽型场效应管，所述耗尽型场效应管的栅极与电平信号线连接；所述场效应管为增强型场效应管，所述增强型场效应管的栅极与连接线连接，所述连接线与所述电平信号线绝缘间隔设置。

在本发明的又一种实现方式中，所述连接线与所述电平信号线位于不同层且交叉设置。

在本发明的又一种实现方式中，当所述场效应管为N沟道耗尽型场效应管时，所述N沟道耗尽型场效应管的栅极与低电平信号线连接；

当所述场效应管为P沟道耗尽型场效应管时，所述P沟道耗尽型场效应管的栅极与高电平信号线连接。

在本发明的又一种实现方式中，当所述场效应管为N沟道增强型场效应管时，所述连接线与高电平信号线绝缘间隔设置；或者，

当所述场效应管为P沟道增强型场效应管时，所述连接线与低电平信号线绝缘间隔设置。

在本发明的又一种实现方式中，所述发光单元为有机发光二极管，所述有机发光二极管的正极与所述像素驱动单元连接，所述有机发光二极管的负极与公共接地端连接。

另一方面，本发明实施例提供了一种修复像素亮点的方法，所述方法适用于上述像素电路，所述方法包括：

驱动所述发光单元发光；

如果所述发光单元出现亮点，则通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接。

在本发明的一种实现方式中，所述开关单元包括场效应管，所述场效应管的栅极用于输入电平信号，所述场效应管的漏极与所述发光单元的输出端连接，所述场效应管的源极与所述发光单元的输入端连接；

所述驱动发光单元发光，包括：向所述发光单元提供电压，并控制所述场效应管保持关断。

在本发明的另一种实现方式中，所述通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接，包括：

当所述场效应管为耗尽型场效应管时，切断所述耗尽型场效应管的栅极与电平信号线的连接。

在本发明的又一种实现方式中，所述通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接，还包括：

当所述场效应管为增强型场效应管时，将与所述增强型场效应管的栅极连接的连接线与电平信号线连接。

又一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述像素电路。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过像素驱动单元在驱动信号的控制下驱动发光单元发光，当发光单元出现亮点时，开关单元控制发光单元的输入端和输出端短接，使得发光单元熄灭，从而达到修复亮点的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的像素电路的结构框图；

图2是本发明实施例提供的耗尽型场效应管的电路连接示意图；

图3是本发明实施例提供的增强型场效应管的电路连接示意图；

图4是本发明实施例提供的像素驱动单元的电路结构示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种像素驱动单元的电路结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种修复像素亮点的方法的流程示意图；

图7是本发明实施例提供的一种修复像素亮点的方法的流程示意图；

图中各符号表示含义如下：

1-发光单元，2-像素驱动单元，3-开关单元，31-场效应管，31a-耗尽型场效应管，31b-增强型场效应管，4-栅线，5-电平信号线，6-连接线，7-焊盘。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种像素电路的结构框图，参见图1，该像素电路包括：

发光单元1、像素驱动单元2和开关单元3。其中，像素驱动单元2用于在驱动信号的控制下，驱动发光单元1发光；开关单元3用于当发光单元1出现亮点时，控制发光单元1的输入端和发光单元1的输出端短接。

本发明实施例通过像素驱动单元2在驱动信号的控制下驱动发光单元1发光，当发光单元1出现亮点时，开关单元3控制发光单元1的输入端和输出端短接，发光单元1随之熄灭，以使得亮点转变为黑点，从而可以达到修复亮点的目的。

值得说明的是，由于黑点对画面性能的影响要远小于亮点对画面性能的影响，所以将亮点转化为黑点能够有效的降低出现亮点问题的像素电路对画面性能所造成的影响。另外，为了进一步地保证画面质量，可以将黑点数量限制在5个以内，容易理解的，黑点的数量限制可以根据实际需求进行相应的改变，本发明对此不作限制。

在上述实现方式中，驱动信号可以由设置在阵列基板外围的栅线4输入像素驱动单元2。

参见图2，在本发明实施例中，开关单元3包括场效应管31，场效应管31的栅极用于输入电平信号，场效应管31的漏极与发光单元1的输出端连接，场效应管31的源极与发光单元1的输入端连接。在上述实现方式中，可以根据场效应管31的栅极输入的电平信号，场效应管31的漏极和源极之间相应的导通或关断，当场效应管31的漏极和源极导通时，达到控制发光单元1的输入端和输出端短接的目的，而当场效应管31的漏极和源极关断时，发光单元1正常发光。

继续参见图2，在一种实现方式中，场效应管31可以为耗尽型场效应管31a，耗尽型场效应管31a的栅极与电平信号线5连接。根据耗尽型场效应管31a的特性，当耗尽型场效应管31a的栅极电压为0时，导电沟道已经存在，此时耗尽型场效应管31a的漏极和源极之间导通，而对耗尽型场效应管31a的栅极施加电压后，导电沟道被逐渐消耗，直至导电沟道被耗尽(栅极电压达到夹断电压值)，此时耗尽型场效应管31a的漏极和源极之间关断。

在上述实现方式中，当像素电路工作时，同时有电平信号输入电平信号线5、驱动信号输入像素驱动单元2，当耗尽型场效应管31a通过电平信号线5接收到电平信号后，耗尽型场效应管31a的源极和漏极之间关断，使得像素驱动单元2可以正常驱动发光单元1发光，从而避免了耗尽型场效应管31a影响发光单元1的正常发光。

具体地，当场效应管为N沟道耗尽型场效应管时，N沟道耗尽型场效应管的栅极与低电平信号线连接(即电平信号线5上输入的电平信号为低电平信号)，以在N沟道耗尽型场效应管的栅极施加负电压，从而使得N沟道耗尽型场效应管内感应产生正电荷，这些正电荷会消耗N沟道耗尽型场效应管中存在的导电沟道中的电子，进而达到关断N沟道耗尽型场效应管的漏极和源极的作用.

当场效应管为P沟道耗尽型场效应管时，P沟道耗尽型场效应管的栅极与高电平信号线连接(即电平信号线5上输入的电平信号为高电平信号)，以在P沟道耗尽型场效应管的栅极施加正电压，由于P沟道耗尽型场效应管的关断特性与N沟道耗尽型场效应管的关断特性相反，所以通过在P沟道耗尽型场效应管的栅极施加正电压，可以达到关断P沟道耗尽型场效应管的漏极和源极的作用。

参见图3，在本发明实施例的另一种实现方式中，场效应管31也可以为增强型场效应管31b，增强型场效应管31b的栅极与连接线6连接，连接线6与电平信号线5绝缘间隔设置。根据增强型场效应管31b的特性，当增强型场效应管31b的栅极电压为0时，增强型场效应管31b内不存在导电沟道，此时增强型场效应管31b的漏极和源极之间关断，而对增强型场效应管31b的栅极施加电压后，增强型场效应管31b内逐渐积累电子，直至形成导电沟道(栅极电压达到开启电压值)，此时增强型场效应管31b的漏极和源极之间导通。

在上述实现方式中，当像素电路工作时，同时有电平信号输入电平信号线5、驱动信号输入像素驱动单元2，由于增强型场效应管31b与电平信号线5绝缘间隔设置，所以增强型场效应管31b的栅极不得电，因此源极和漏极之间保持关断状态，使得像素驱动单元2可以正常驱动发光单元1发光，从而避免了增强型场效应管31b影响发光单元1的正常发光。

具体地，当场效应管为N沟道增强型场效应管时，连接线6与高电平信号线(即电平信号线5上输入的电平信号为高电平信号)绝缘间隔设置，从而当N沟道增强型场效应管的栅极通过连接线6与高电平信号线连通时，施加在N沟道增强型场效应管的栅极上的正电压可以使得N沟道增强型场效应管内形成导电沟道，进而达到导通N沟道增强型场效应管的漏极和源极的作用。

当场效应管为P沟道增强型场效应管时，连接线6与低电平信号线(即电平信号线5上输入的电平信号为低电平信号)绝缘间隔设置，从而当P沟道增强型场效应管的栅极通过连接线6与低电平信号线连通时，可以在P沟道增强型场效应管的栅极施加负电压，由于P沟道增强型场效应管的导通特性与N沟道增强型场效应管的导通特性相反，所以通过在P沟道增强型场效应管的栅极施加负电压，可以达到导通P沟道增强型场效应管的漏极和源极的作用。

优选地，连接线6与电平信号线5位于不同层且交叉设置，从而便于将连接线6与电平信号线5连接，进而将场效应管31的栅极与电平信号线5电连接。

优选地，连接线6的与电平信号线5相连的一端在阵列基板上的投影和电平信号线5的与连接线6相连的一端在阵列基板上的投影重合，从而进一步地便于连接线6与电平信号线5之间的连接。

在上述实现方式中，可以通过将连接线6与电平信号线5焊接至同一焊盘7(Pad)上，以实现连接线6与电平信号线5之间的连接。

需要说明的是，考虑到增强型场效应管在关断时，其自身在源极和漏极之间会产生一定的漏电流，为了避免漏电流造成发光单元1的输入端和输出端之间短接，导致影响发光单元1正常发光，可以通过加大增强型场效应管内的沟道长度和宽度，以增加导电沟道的形成难度，从而降低了漏电数量级。具体实现时，可以将漏电流限制在1E^-11A/cm²至1E^-12A/cm²之间。

再次参见图2，在本发明实施例中，发光单元1为有机发光二极管11，有机发光二极管11的正极与像素驱动单元2连接，有机发光二极管11的负极与公共接地端连接。在像素电路工作时，像素驱动单元2在驱动信号的控制下，向有机发光二极管11的正极提供工作电压，使得有机发光二极管11在工作电压的作用下发光。

图4为本发明实施例提供的一种像素驱动单元的电路结构示意图，在图4中，以像素驱动单元2为2T1C驱动单元配合耗尽型场效应管为例进行说明。具体的，如图4所示，该像素驱动单元2包括开关管T1、驱动管T2和储存电容C1，开关管T1的栅极与栅线4连接，开关管T1的漏极与数据线连接，开关管T1的源极与驱动管T2的栅极连接，驱动管T2的漏极与电源线ELVDD连接，驱动管T2的源极与有机发光二极管11的正极连接，有机发光二极管11的负极与公共接地端连接，储存电容C1的正极分别与开关管T1的源极和驱动管T2的栅极连接，储存电容C1的负极与公共接地端连接，耗尽型场效应管的栅极与电平信号线VL连接，耗尽型场效应管的源极和栅极分别与有机发光二极管11的正极和负极连接。在图4中，耗尽型场效应管为N沟道耗尽型场效应管，因此，电平信号线VL输入的是低电平信号。

图5为本发明实施例提供的另一种像素驱动单元的电路结构示意图，在图5中，以像素驱动单元2为7T1C驱动单元配合增强型场效应管为例进行说明。具体地，如图5所示，该像素驱动单元包括驱动晶体管DTFT、储存电容C1和T1-T6共6个开关管，开关管T1和开关管T2的栅极分别与复位信号线连接，开关管T3和开关管T4的栅极分别与栅线连接，开关管T5和开关管T6的栅极分别与发光控制信号线连接，开关管T1的源极与电源线ELVDD连接，开关管T2的源极与初始化电平信号线Vinit连接，开关管T3的源极与数据线Vdata连接，开关管T5的漏极与基准电平信号线Vref连接，储存电容C1的正极与开关管T5的源极连接，储存电容C1的负极与驱动晶体管DTFT的栅极连接，驱动晶体管DTFT的漏极与电源线ELVDD连接，驱动晶体管DTFT的源极与开关管T6的漏极连接，有机发光二极管11的正极与开关管T6的源极连接，有机发光二极管11的负极与公共接地端连接，增强型场效应管的栅极用于输入电平信号线Vint的电平信号，增强型场效应管的源极和栅极分别与有机发光二极管11的正极和负极连接。在图5中，增强型场效应管为P沟道增强型场效应管，因此，电平信号线Vint输入的是低电平信号。

需要说明的是，图4和图5中的像素驱动单元2的电路结构仅为举例，并不作为对本发明的限制，在其他实施例中，像素驱动单元2的电路结构可以在必要时改变开关管TFT或者驱动管TFT的数量，形成本领域技术人员所熟知的4T1C、5T1C等常规的像素驱动单元，由于只是改变了开关管TFT或者驱动管TFT的数量，在此就不再将每种类型的像素驱动单元的具体结构展开赘述。

参见图6，本发明实施例提供了一种修复像素亮点的方法，该方法适用于图1中所示的像素电路，该方法包括：

步骤101：驱动发光单元1发光。

步骤102：如果发光单元1出现亮点，则通过开关单元3将发光单元1的输入端和发光单元1的输出端短接。

本发明实施例所提供的修复像素亮点的方法，如果发光单元1出现亮点，则通过开关单元3将发光单元1的输入端和输出端短接，发光单元1随之熄灭，以使得亮点转变为黑点，从而可以达到修复亮点的目的。

参见图7，本发明实施例提供了一种修复像素亮点的方法，该方法适用于图1中所示的像素电路，该方法包括：

步骤201：驱动发光单元1发光。

再次参见图2，在本实施例中，开关单元3包括场效应管31，场效应管31的栅极用于输入电平信号，场效应管31的漏极与发光单元1的输出端连接，场效应管31的源极与发光单元1的输入端连接。

实现时，向发光单元1提供电压，并控制场效应管31保持关断。

由于场效应管31的漏极与发光单元1的输出端连接，场效应管31的源极与发光单元1的输入端连接，所以为了避免发光单元1的输出端和输入端因场效应管导通而短接，需要保持场效应管31始终为关断状态。

下面根据场效应管的类型，分别介绍控制场效应管保持关断的方法：

继续参见图2，当场效应管为耗尽型场效应管31a时，将耗尽型场效应管31a的栅极与电平信号线5之间常通设置，当像素电路工作时，电平信号线5同时向像素驱动单元2和耗尽型场效应管31a发出电平信号，当耗尽型场效应管31a接收到电平信号后，耗尽型场效应管31a的源极和漏极之间先行关断，使得像素驱动单元2可以正常向发光单元1供电，从而避免了耗尽型场效应管31a影响发光单元1的正常得电。

再次参见图3，当场效应管为增强型场效应管31b时，将耗尽型场效应管31b的栅极与电平信号线5之间常开设置，当像素电路工作时，电平信号线5同时向像素驱动单元2和增强型场效应管31b发出电平信号，由于增强型场效应管31b与电平信号线5绝缘间隔设置，所以增强型场效应管31b的栅极不得电，因此源极和漏极之间保持关断状态，使得像素驱动单元2可以正常向发光单元1供电，从而避免了增强型场效应管31b影响发光单元1的正常得电。

步骤202：观察点亮的发光单元1。

实现时，将点亮的发光单元1，分为两种状态，一种为正常发光状态，另一种为亮点状态。在发光单元1点亮后，可以通过肉眼观察发光单元1，如果发光单元1的亮度与其他像素电路中的发光单元的亮度保持一致，那么可以判断该发光单元1为正常发光状态；如果发光单元1的亮度，明显高于其他像素电路中的发光单元的亮度，则可以判断该发光单元1为亮点状态。进一步地，如果发光单元1为正常发光状态，则可以不进行其他操作，使得发光单元1正常发光；如果发光单元1为亮点状态，则执行步骤203。

步骤203：如果发光单元1出现亮点，则通过开关单元3将发光单元1的输入端和发光单元1的输出端短接。

这样，使得发光单元1因不得电而熄灭，从而达到修复亮点的目的。

下面根据场效应管的类型，分别介绍通过开关单元将发光单元的输入端和发光单元的输出端短接的方法：

再次参见图2，当场效应管为耗尽型场效应管31a时，切断耗尽型场效应管31a的栅极与电平信号线5的连接，从而使得施加到耗尽型场效应管31a的栅极上的电压为0，耗尽型场效应管31a内重新自动形成导电沟道，进而耗尽型场效应管31a的漏极和源极之间导通，以达到短接发光单元1的输入端和发光单元1的输出端的目的。

在上述实现方式中，可以采用物理手段，例如通过激光设备切断耗尽型场效应管的栅极与电平信号线之间的连接，容易理解的，在其他实施例中，也可以通过其他物理手段切断耗尽型场效应管的栅极与电平信号线之间的连接，本发明对此不做限制。

再次参见图3，当场效应管为增强型场效应管31b时，将增强型场效应管31b的栅极通过连接线6与电平信号线5连接，从而在增强型场效应管31b的栅极上施加电压，使得增强型场效应管31b内产生导电沟道，进而增强型场效应管31b的漏极和源极之间导通，以达到短接发光单元1的输入端和发光单元1的输出端的目的。

在上述实现方式中，也可以采用物理手段，例如通过激光焊接手段将电平信号线5和连接线6焊接至同一焊盘7上，以达到连接增强型场效应管31b的栅极和电平信号线5的目的，容易理解的，在其他实施例中，也可以通过其他物理手段切断耗尽型场效应管的栅极与电平信号线之间的连接，本发明对此不做限制。

再次参见图4，下面以传统的2T1C像素驱动单元搭配耗尽型场效应管为例，对本实施例所提供的修复像素亮点的过程进行介绍：

当像素驱动单元2的开关管T1被选址时，电平信号线5向耗尽型场效应管31a输入电平信号，耗尽型场效应管31a关断，与此同时开关管T1的栅极接收栅线4输入的驱动信号，使得开关管T1的漏极和源极之间导通，数据电压通过开关管T1对储存电容C1充电，且数据电压施加在驱动管T2的栅极上，使得驱动管T2导通，从而对有机发光二极管11供电，有机发光二极管11点亮；当开关管T1未被选址时，储存电容C1向驱动管T2的栅极施压，使得驱动管T2保持导通，从而使得有机发光二极管11持续点亮；

观察点亮的有机发光二极管11，如果有机发光二极管11为正常发光状态，则可以不进行其他操作，使得有机发光二极管11正常发光；如果有机发光二极管11为亮点状态，切断耗尽型场效应管31a的栅极与电平信号线5的连接，从而使得施加到耗尽型场效应管31a的栅极上的电压为0，耗尽型场效应管31a内重新自动形成导电沟道，进而耗尽型场效应管31a的漏极和源极之间导通，使得机发光二极管11的输入端和输出端短接，达到修复亮点的目的。

本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括图1-图5中任一幅图中所示实施例提供的像素电路。

在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例通过显示装置的像素驱动单元1在驱动信号的控制下驱动发光单元1发光，当发光单元1出现亮点时，开关单元3控制发光单元1的输入端和输出端短接，发光单元1随之熄灭，以使得亮点转变为黑点，从而可以达到修复亮点的目的。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括：

发光单元；

像素驱动单元，用于在驱动信号的控制下，驱动所述发光单元发光；和

开关单元，用于当所述发光单元出现亮点时，控制所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述开关单元包括场效应管，所述场效应管的栅极用于输入电平信号，所述场效应管的漏极与所述发光单元的输出端连接，所述场效应管的源极与所述发光单元的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述场效应管为耗尽型场效应管，所述耗尽型场效应管的栅极与电平信号线连接；或者，所述场效应管为增强型场效应管，所述增强型场效应管的栅极与连接线连接，所述连接线与所述电平信号线绝缘间隔设置。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述连接线与所述电平信号线位于不同层且交叉设置。

5.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，当所述场效应管为N沟道耗尽型场效应管时，所述N沟道耗尽型场效应管的栅极与低电平信号线连接；

当所述场效应管为P沟道耗尽型场效应管时，所述P沟道耗尽型场效应管的栅极与高电平信号线连接。

6.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，当所述场效应管为N沟道增强型场效应管时，所述连接线与高电平信号线绝缘间隔设置；

当所述场效应管为P沟道增强型场效应管时，所述连接线与低电平信号线绝缘间隔设置。

7.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光单元为有机发光二极管，所述有机发光二极管的正极与所述像素驱动单元连接，所述有机发光二极管的负极与公共接地端连接。

8.一种修复像素亮点的方法，其特征在于，所述方法适用于上述权利要求1所述的像素电路，所述方法包括：

驱动所述发光单元发光；

如果所述发光单元出现亮点，则通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接。

9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述开关单元包括场效应管，所述场效应管的栅极用于输入电平信号，所述场效应管的漏极与所述发光单元的输出端连接，所述场效应管的源极与所述发光单元的输入端连接；

所述驱动发光单元发光，包括：向所述发光单元提供电压，并控制所述场效应管保持关断。

10.根据权利要求9所述的像素电路，其特征在于，所述通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接，包括：

当所述场效应管为耗尽型场效应管时，切断所述耗尽型场效应管的栅极与电平信号线的连接。

11.根据权利要求9所述的像素电路，其特征在于，所述通过所述开关单元将所述发光单元的输入端和所述发光单元的输出端短接，还包括：

当所述场效应管为增强型场效应管时，将与所述增强型场效应管的栅极连接的连接线与电平信号线连接。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-7任一项所述的像素电路。