CN105825981B - 自洁型高强度棒形瓷绝缘子的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子,包括绝缘子本体,在本体表面釉层上设有一层或数层纳米分子结构层。制备方法包括如下步骤:1)将功能性物质在乙醇溶剂中稀释成一定倍数;得到浸渍液;2)将绝缘子本体浸入步骤1)得到的浸渍液中,浸渍后将绝缘子吊出,待绝缘子表面的有机溶剂挥发后,长链单分子在绝缘子表面生长一层或数层纳米分子结构,最后把绝缘子竖直放在地面,解除绳索;即得到所述自洁型高强度棒形瓷绝缘子。本发明的优点是:通过在绝缘子表面添加膜材料纳米分子层的方法,使得绝缘子具有良好的憎水表面,不仅使得绝缘子表面难以积污,而且绝缘子积污后遇到雨水冲洗,污秽很容易被冲洗掉,从而达到自清洁的目的。

Description

自洁型高强度棒形瓷绝缘子的制备方法
技术领域
本发明属于绝缘子领域,尤其涉及一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子及其制备方法。
背景技术
电气化铁路接触网用绝缘子常年处于外界自然环境中,因此各种自然条件变化、各种气候变化都会对其产生很大的影响。比如在雨雪天气容易受潮,冰霜气候下会覆盖冰雪,雷电闪击也会造成一定影响,这些都容易导致绝缘子的闪络。但除此之外,最容易对电气化铁路接触网用绝缘子造成很大危害的却是污闪,也就是由于污秽导致的闪络。污闪的次数在几种外绝缘中不算多,但是它造成的损失却是最大的,是雷电闪络所造成损害的10倍。由于大气环境自然条件等在一个比较广泛的地域内是基本一致的,所以发生在工作电压下的污闪一旦出现,很有可能是一大片绝缘子同时出现问题,影响非常严重,因此绝缘子自洁性的实现显得尤为重要。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子及其制备方法。
为达到上述目的,本发明是通过以下的技术方案来实现的:
一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子,包括绝缘子本体,在本体表面釉层上设有一层或数层纳米分子结构层。
本发明的原理是:采用的是将功能性物质长链烷基硅烷与绝缘子表面的釉层反应,使功能性物质通过化学键结合在绝缘子表面,形成纳米级的多层分子结构。
上述自洁型高强度棒形瓷绝缘子的制备方法,该方法包括如下步骤:
1)将功能性物质在乙醇溶剂中稀释成一定倍数;得到浸渍液;
2)用绳索将绝缘子两端套住通过升降、移动浸入步骤1)得到的浸渍液中,通过升降、移动装置将绝缘子吊出,待绝缘子表面釉层的有机溶剂挥发后,长链单分子在绝缘子表面釉层生长一层或数层纳米分子结构;最后把绝缘子竖直放在地面,解除绳索;即得到所述自洁型高强度棒形瓷绝缘子。
进一步地,步骤1)中所述功能性物质为长链烷基硅烷。
更进一步地,所述长链烷基硅烷包括十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷中的一种或几种混合物。
本发明中绝缘子表面的釉层由氧化物组成,氧化物在自然条件下存在羟基(-OH)。通过功能性物质A的活性基团X或Y,与绝缘子表面的羟基发生反应,使得A通过化学键与绝缘子表面结合,形成了稳定的分子结构。由于绝缘子釉层表面的长链高分子层厚度很薄,所以不改变绝缘子本身的结构、强度、性能等。
有益效果:与现有技术相比,本发明的优点在于:通过在绝缘子表面添加膜材料纳米分子层的方法,使得绝缘子具有良好的憎水表面,不仅使得绝缘子表面难以积污,而且绝缘子积污后遇到雨水冲洗,污秽很容易被冲洗掉,从而达到自清洁的目的。
另外,本发明采用独特工业氧化铝配方,提高瓷质机械强度。传统的电瓷配方中普遍添加矾土粉来提高瓷材料的机械强度,但由于矾土粉氧化铝含量和真密度较低(含量为85%左右,真密度为3.5左右),远不如工业氧化铝(含量98%以上,真密度3.9以上)。因此用工业氧化铝替代矾土粉可以有效提高瓷材料的机械强度,减少瓷件的裂纹、气孔等缺陷,从而达到提高产品整体强度的目的,能保证绝缘子的安全运行。
附图说明
图1为本发明的反应机理图;
图2为本发明的反应状态图。
具体实施方式
下面结合实例对本发明作进一步的详细说明。
本发明中,工业氧化铝的质量含量98%以上,真密度3.9以上;高纯氧化铝的质量含量是99%。
实施例1:一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子,包括绝缘子本体,在本体表面釉层上设有一层或数层纳米分子结构层。
上述自洁型高强度棒形瓷绝缘子的制备方法,该方法包括如下步骤:
1)将十二烷基三甲氧基硅烷在无水乙醇溶剂中稀释150倍;得到浸渍液;
2)用绳索将绝缘子两端套住通过升降、移动完全浸入步骤1)得到的浸渍液中,浸渍时间为3至10min;通过升降、移动装置将绝缘子吊出,待绝缘子表面釉层 的有机溶剂自然挥发至表面干燥、光滑为止,挥发时间在3-5min。有机溶剂挥发后,长链单分子在绝缘子表面釉层生长一层或数层纳米分子结构,如图2所示;最后把绝缘子竖直放在地面,解除绳索;即得到所述自洁型高强度棒形瓷绝缘子。
上述釉层由氧化物组成,氧化物为SiO2、AL2O3,釉层的氧化物组成是常规的配方。
上述绝缘子采用高强氧化铝配方:在传统的电瓷配方中加入高纯氧化铝与工业氧化铝按质量比1:1的混合物。
实施例2:与实施例1基本相同,所不同的是:长链烷基硅烷是乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷中的任意一种。
步骤1)中稀释的倍数为200倍。
实施例3:与实施例1基本相同,所不同的是:长链烷基硅烷是十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷中的任意一种。
步骤1)中稀释的倍数为100倍。
实施例4:与实施例1基本相同,所不同的是:长链烷基硅烷是十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷中的任意两种组合的混合物。
步骤1)中稀释的倍数为150倍。
实施例5:与实施例1基本相同,所不同的是:长链烷基硅烷是十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷的混合物,三者之间的配比为任意配比。
步骤1)中稀释的倍数为150倍。
对于上述实施例1-5中所得到的自洁型高强度棒形瓷绝缘子,
通过GB/T 19519-2014和DL/T627-2012进行检测,采用本发明后该绝缘子的表面性能有所改变,见表1。
表1
由上表可知,通过在绝缘子釉层表面添加膜材料纳米分子层的方法,使得绝缘子具有良好的憎水表面,不仅使得绝缘子表面难以积污,而且绝缘子积污后遇到雨水冲洗,污秽很容易被冲洗掉,从而达到自清洁的目的。本发明采用独特工业氧化铝配方,提高瓷质机械强度。
本发明按照上述实施例进行了说明,应当理解,上述实施例不以任何形式限定本发明,凡采用等同替换或等效变换方式所获得的技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种自洁型高强度棒形瓷绝缘子的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
1)将功能性物质在乙醇溶剂中稀释成100-200倍,得到浸渍液;所述功能性物质为长链烷基硅烷,所述长链烷基硅烷包括十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰基硅烷、丁二烯基三乙氧基硅烷中的一种或几种的混合物;
2)用绳索将绝缘子本体的两端套住通过升降、移动装置浸入步骤1)得到的浸渍液中,浸渍3至10min后通过升降、移动装置将绝缘子吊出,待绝缘子表面釉层的有机溶剂自然挥发至表面干燥、光滑为止,挥发时间在3-5min;长链单分子在绝缘子表面釉层生长一层或数层纳米分子结构;最后把绝缘子竖直放在地面,解除绳索;绝缘子采用高强氧化铝配方:在传统的电瓷配方中加入高纯氧化铝与工业氧化铝按质量比1:1的混合物,高纯氧化铝的质量含量是99%,工业氧化铝的质量含量98%以上。
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