CN103325438B - 一种玻璃绝缘子材料 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种玻璃绝缘子材料。目前玻璃绝缘子中高碱玻璃绝缘性能差。该玻璃绝缘子材料中各组分质量百分含量如下：65～72﹪SiO2、0.05～4﹪PbO、2～8﹪Al2O3、2～6﹪MgO、6～12﹪Na2O、3～8﹪K2O、0.5～2﹪BaO、0～0.4﹪Li2O、0.5～1.5﹪SrO。该玻璃绝缘子材料为18℃时体积电阻率 >5×1014 ，90℃时体积电阻率>2×1010

Description

一种玻璃绝缘子材料
技术领域
本发明涉及一种玻璃绝缘子材料，特别涉及一种以废含铅玻璃为原料制备得到的绝缘子玻璃件。
背景技术
绝缘子是一种主要用于支承架空输电线路导线并使之绝缘的器件。目前使用的绝缘子主要包括瓷绝缘子、玻璃绝缘子和有机复合绝缘子三种。传统瓷绝缘子制造工艺复杂，耗能大，产品笨重易碎，抗拉和抗弯强度很差，另外瓷表面具有亲水性，因而抗污闪能力较差。有机复合绝缘子重量较轻、防闪污性能好，强度高，缺点是生产成本较高。玻璃绝缘子相比陶瓷和有机复合绝缘子具有极其明显的优势，目前在我国已得到广泛的认可，特别是沿海地区已大范围使用。绝缘子玻璃件的化学成分是决定玻璃件性能的关键。目前绝缘子中玻璃成分有低碱玻璃和高碱玻璃两大类。高碱玻璃熔融温度低、膨胀系数大、易于工业化生产，因而得到广泛应用。但是高碱玻璃的绝缘性能差，主要表现在体积电阻率低、介电损耗高，难以满足高压绝缘子的特性要求。因此急需开发新型玻璃绝缘子制备配方，满足高压绝缘子的电气性能要求。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种玻璃绝缘子材料。
本发明的玻璃绝缘子材料中各组分质量百分含量如下：65～72﹪SiO2、0.05～4﹪PbO、2～8﹪Al2O3、2～6﹪MgO、6～12﹪Na2O、3～8﹪K2O、0.5～2﹪BaO、0～0.4﹪Li2O、0.5～1.5﹪SrO。
所述的玻璃绝缘子材料为18℃时体积电阻率                                               >5×1014 ，90℃时体积电阻率>2×1010 ，18℃时介电损耗D <1.4﹪，40℃时介电损耗D<2.0﹪。
通过在废含铅玻璃中添加工业原料调整含铅玻璃的组分质量百分比，得到玻璃绝缘子材料。
所述的含铅玻璃为CRT屏玻璃、CRT锥玻璃、低铅玻璃管的一种或多种。
目前以普通玻璃制备的玻璃绝缘子存在产品成本高、体积电阻率低、介电损耗高，难以满足高压绝缘子的特性要求。本发明以废含铅玻璃为主要原料，变废为宝，实现了铅玻璃的资源化利用；本发明玻璃绝缘子材料体积电阻率高、介电损耗低、密封性能和加工性能优良，满足玻璃绝缘子材料的特性要求，可实现大规模推广应用。
具体实施方式
    下面结合具体实施例对本发明做进一步的分析。
实施例1
以废CRT屏玻璃为原料，调整废CRT屏玻璃中各组分质量百分含量，得到65﹪SiO2、3.1﹪PbO、2﹪Al2O3、6﹪MgO、12﹪Na2O、8﹪K2O、2﹪BaO、0.4﹪Li2O、1.5﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例1制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.5×1014 ，90℃时体积电阻率=2.3×1010 ，18℃时介电损耗D=1.38﹪，40℃时介电损耗D=1.97﹪。
实施例2
以废CRT锥玻璃为原料，调整废CRT锥玻璃中各组分质量百分含量，得到72﹪SiO2、4﹪PbO、8﹪Al2O3、2﹪MgO、6﹪Na2O、7﹪K2O、0.5﹪BaO、0.5﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例2制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.7×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.5×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.35﹪，40℃时介电损耗D=1.94﹪。
实施例3
以废CRT屏玻璃为原料，调整废CRT屏玻璃中各组分质量百分含量，得到69﹪SiO2、0.05﹪PbO、7.5﹪Al2O3、6﹪MgO、11﹪Na2O、3﹪K2O、1.8﹪BaO、0.35﹪Li2O、1.3﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例3制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.45×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.37×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.33﹪，40℃时介电损耗D=1.92﹪。
实施例4
以废低铅玻璃管为原料，调整废低铅玻璃管中各组分质量百分含量，得到70﹪SiO2、3.2﹪PbO、5.6﹪Al2O3、5.9﹪MgO、9.14﹪Na2O、4.3﹪K2O、0.8﹪BaO、0.27﹪Li2O、0.79﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例4制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.25×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.05×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.39﹪，40℃时介电损耗D=1.95﹪。
实施例5
以废CRT屏玻璃、废CRT锥玻璃和废低铅玻璃管为原料，调整废CRT屏玻璃、废CRT锥玻璃和废低铅玻璃管中各组分质量百分含量，得到66﹪SiO2、3.2﹪PbO、6.4﹪Al2O3、5﹪MgO、11﹪Na2O、5.1﹪K2O、1.7﹪BaO、0.3﹪Li2O、1.3﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例5制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.81×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.63×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.32﹪，40℃时介电损耗D=1.86﹪。
实施例6
以废CRT屏玻璃、废CRT锥玻璃为原料，调整废CRT屏玻璃、废CRT锥玻璃中各组分质量百分含量，得到65﹪SiO2、3﹪PbO、7.6﹪Al2O3、5﹪MgO、11﹪Na2O、5﹪K2O、1.8﹪BaO、0.4﹪Li2O、1.2﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例6制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.11×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.24×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.20﹪，40℃时介电损耗D=1.74﹪。
实施例7
以废CRT锥玻璃、废低铅玻璃管为原料，调整废废CRT锥玻璃、废低铅玻璃管中各组分质量百分含量，得到66﹪SiO2、3.2﹪PbO、6.4﹪Al2O3、5﹪MgO、11﹪Na2O、5.1﹪K2O、1.7﹪BaO、0.3﹪Li2O、1.3﹪SrO的玻璃绝缘子材料。
实施例7制备得到的玻璃绝缘子材料18℃时体积电阻率=5.63×1014 Ω·cm，90℃时体积电阻率=2.47×1010 Ω·cm，18℃时介电损耗D=1.36﹪，40℃时介电损耗D=1.97﹪。
上述实施例通过在CRT屏玻璃、CRT锥玻璃、低铅玻璃管的一种或多种材料中添加工业原料调整含铅玻璃的组分质量百分比，得到玻璃绝缘子材料。
上述实施例并非是对于本发明的限制，本发明并非仅限于上述实施例，只要符合本发明要求，均属于本发明的保护范围。

Claims (1)

1.一种玻璃绝缘子材料，其特征在于该材料中各组分质量百分含量如下：65～72﹪SiO2、0.05～4﹪PbO、2～8﹪Al2O3、2～6﹪MgO、6～12﹪Na2O、3～8﹪K2O、0.5～2﹪BaO、0～0.4﹪Li2O、0.5～1.5﹪SrO；
所述的玻璃绝缘子材料为18℃时体积电阻率ρv>5×1014Ω·cm，90℃时体积电阻率ρv>2×1010Ω·cm，18℃时介电损耗D<1.4﹪，40℃时介电损耗D<2.0﹪；
上述玻璃绝缘子材料是通过在废含铅玻璃中添加工业原料调整含铅玻璃的组分质量百分比；
所述的含铅玻璃为CRT屏玻璃、CRT锥玻璃、低铅玻璃管的一种或多种。
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