CN105814760A - 具有简化对准的激光模块 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了用于组装半导体照明模块的载体结构（100,200），包括至少两个子载体（110,210）和机械耦合子载体（110,210）的对准结构（120,130,230,232）。对准结构（120,130,230,232）适于使得到子载体（110,210）的至少部分的机械耦合在将载体结构（100,200）热学配对于载体（110,250）上期间消失。对准结构（120,130,230,232）进一步适于补偿比载体结构（100,200）的材料的热膨胀系数更高的载体（110,250）的材料的热膨胀系数。本发明还描述了包括这样的载体结构（100,200）的半导体芯片以及包括载体结构（100,200）或半导体芯片的半导体照明模块。本发明最后描述了制造半导体照明模块的对应方法。本发明使得能够通过热学配对以减少的对准努力组装半导体照明模块。
Description
技术领域
本发明涉及用于组装半导体照明模块的载体结构。载体结构可以包括用于安装半导体光源的基板。可替换地，载体结构可以是包括半导体光源的半导体芯片的部分。本发明还涉及使用载体结构制造半导体照明模块的方法。
背景技术
将VCSEL阵列焊接到热沉或基板由于两个组件之间的CTE失配而引起应力。这限制了可以以良好可靠性焊接的最大芯片面积。此外，增加了将VCSEL阵列对准到可能是使VCSEL的射束成形和准直所需要的比如微透镜阵列那样的光学元件的努力。
US7,792,173B2公开了一种多射束半导体激光设备，其中应用到安装于基板上的激光芯片的每一个发光部分的剪切应变中的相对差异被抑制。
组装所描述的多射束半导体激光设备的努力仍旧是高的。
发明内容
因而，本发明的目的是减少半导体照明模块的组装努力。
根据第一方面，提出一种用于组装半导体照明模块的载体结构。该载体结构包括至少两个子载体和机械耦合子载体的对准结构。该对准结构适于成使得在将载体结构热学配对（mating）于载体上期间，到子载体的至少部分的机械耦合消失或者释放，如果施加于载体结构上的压应力超过阈值的话。对准结构还适于补偿比载体结构材料的热膨胀系数更高的载体材料的热膨胀系数。
载体结构可以实现以减少的对准努力通过热学配对来组装半导体照明模块。热学配对意指用于借助于热量提供两个或更多单独部分之间的永久性耦合的技术，如例如焊接、银烧结等。两个、三个、四个或者更多子载体借助于子载体的机械耦合而彼此对准。耦合可以借助于对准结构来提供，对准结构可以包括与子载体相同和/或不同的材料。对准结构的材料的部分可以例如在加热过程期间蒸发。对准结构可以可替换地由与子载体相同的材料构成。子载体之间的材料可以以其例如优选地在热学配对的冷却阶段期间断裂的方式被弱化。材料必须以使得子载体能够在热学配对的冷却阶段期间接近彼此而不会触碰彼此的方式被弱化。可替换地或者此外，子载体之间的材料可以完全移除，并且对准结构可以布置在子载体周围，从而提供子载体的某种共同悬挂，其抑制子载体的相对运动。载体结构因而可以放置在例如载体的若干焊接点上。放置在焊接点上的焊料在加热阶段期间熔化并且形成到子载体的对应焊接点的单独接头。焊料在冷却阶段期间固化，使得可以为热沉的载体向载体结构施加压应力，这是由于载体材料的热膨胀系数（CTE）比载体结构的CTE更高。如果压应力超过阈值，则通过对准结构提供的到子载体的机械耦合至少部分地被破坏或者移除。对准结构可以实现子载体的线性或二维（2×2、2×3、4×4等）对准。半导体照明元件可以包括可以布置在阵列中的发光二极管或激光二极管。激光二极管可以是侧发射体或者垂直腔表面发射激光器（VCSEL）。VCSEL可以在基于晶片的工艺中制造，使得一个半导体芯片可以包括众多VCSEL或者甚至VCSEL阵列。
载体结构的子载体可以是用于安装如例如VCSEL阵列的半导体光源的基板。对准结构可以包括至少一个第一框架结构以及每一基板至少一个桥，该桥将基板机械耦合到第一框架结构，使得基板平行于第一框架结构布置，并且这些桥适于使得到基板的桥的至少部分在将载体结构热学配对到载体期间断裂。载体结构、基板和桥可以由一种具有比热沉低的CTE的材料来制成，热沉可以用作可以在其上安装基板的载体。载体结构可以例如从一片氮化铝（AlN）切分。第一框架结构可以实现基板的线性布置。桥的长度和宽度以及因而稳定性可以取决于到载体结构的中心的距离，使得例如相比于到更远离载体结构的中心的子载体的机械耦合，到在载体结构的中心附近的子载体的机械耦合可能更弱。这可以被使用，以便考虑到取决于载体结构的几何结构而在冷却期间施加于桥的不同力。
载体结构的机械稳定性可以借助于第二框架结构以及每一基板至少一个桥而增大，该桥将基板机械耦合到第二框架结构，使得基板平行于第二框架结构布置，并且这些桥适于使得到基板的桥的至少部分在将载体结构热学配对于载体上期间断裂。子载体在该情况下被布置于第一和第二框架结构之间。
载体结构还可以包括具有至少一个对准孔的至少一个第一对准框架以及将至少一个基板或至少一个框架结构机械耦合到第一对准框架的至少一个桥。与对准孔组合的第一对准框架可以简化载体结构到载体的对准。载体可以包括标记，其对应于对准孔以便在将载体结构热学配对到载体之前支持载体结构到载体的对准。载体结构还可以包括具有至少一个对准孔的第二对准框架以及将至少一个基板或至少一个框架结构机械耦合到第二对准框架的至少一个桥。具有第二对准孔的第二对准结构还可以在载体结构在载体上的定位期间降低载体结构的自由度。对准孔之间的距离越大，对准偏差就越小。与单个子载体相比，载体结构的尺寸可以减少未对准。
载体结构的对准结构可以包括将基板耦合到第一框架结构的一个或多个稳定剂，而不是桥。稳定剂可以在热学配对的加热阶段期间蒸发，或者稳定剂的固化温度可以低于焊料或银膏的固化温度。稳定剂还可以提供到第二框架结构、第一对准框架和/或第二对准框架的机械耦合。在子载体的二维阵列的情况下，稳定剂可以是有利的。
半导体芯片可以包括载体结构。半导体芯片可以包括半导体光源，如在子载体上提供的LED或激光二极管。载体结构包括半导体芯片的衬底的至少部分，并且对准结构包括至少第一子载体与第二子载体之间的断裂线。VCSEL的若干阵列可以在GaAs衬底上制造。断裂线可以布置在阵列之间，使得在其上提供VCSEL阵列的衬底部分是子载体。子载体通过断裂线分离，从而实现线性以及二维阵列。对准结构的断裂线通常在热学配对期间焊料、银膏等的固化之后断裂。由具有较高CTE的载体施加的压应力引起断裂线的断裂，如果超过阈值的话。载体例如可以是如铜微通道冷却器那样的热沉或者基板。
对准结构的断裂线可以包括衬底中的沟槽或孔。孔或沟槽可以通过蚀刻、钻孔、切分等提供。孔或沟槽被布置成使得断裂线的残余结构在热学配对期间断裂之后可以彼此接近而不会撞击。残余结构可以布置成使得它们在完成热学配对之后基本上重叠而不触碰彼此。
孔可以例如沿着至少两个平行的行提供，并且第一行的孔可以布置成与第二行的孔交错。与行平行的孔的扩展可以大于行中的两个孔之间的接头，使得在将载体结构热学配对到载体期间，第一行的接头可以在第二行的对应孔中滑动并且第二行的接头可以在第一行的对应孔中滑动。
在可替换方案中，半导体芯片可以包括至少两个沟槽，第一沟槽可以在半导体芯片的发光侧处提供，并且第二沟槽可以与第一沟槽平行地提供在与半导体芯片的发光侧相对的那侧处，并且第一和第二沟槽的深度以某种方式布置，以使得两个沟槽在衬底内重叠。沟槽的重叠部分可以提供分隔两个沟槽的薄壁或桥。该壁可以以其在焊料、烧结的银膏等的固化之后由于载体所引发的压应力而断裂的方式进行布置。使得断裂线的残余物能够在彼此上方滑动而基本上不触碰彼此直到达到热平衡。三个或者更多沟槽可以增大可以在不同子载体之间提供的距离。可替换地或者此外，沟槽的宽度可以进行适应性调节。
半导体照明模块可以包括热学配对到热沉的载体结构的至少两个子载体以及在不同子载体上提供的至少两个半导体光源。子载体可以是如上文所述的半导体芯片的衬底的部分或者基板。半导体照明模块还可以包括热学配对到热沉的基板以及热学配对到基板的半导体芯片的子载体。半导体芯片和基板可以在一个共同的制造步骤中或者在随后的步骤中热学配对。半导体照明元件可以包括可以在阵列中布置的LED或激光二极管，比如VCSEL。光学设备可以在半导体光源的发光侧的顶部上提供。光学设备可以是用于对由例如VCSEL阵列的VCSEL发射的光进行射束成形的微透镜阵列。
根据另一的方面，提供一种制造半导体照明模块的方法。该方法包括以下步骤：
-提供包括至少两个子载体和机械耦合子载体的对准结构的载体结构，该对准结构适于使得到子载体的至少部分的机械耦合在将载体结构热学配对于载体上期间消失，其中对准结构被布置成补偿比载体结构材料的热膨胀系数更高的载体材料的热膨胀系数；
-在子载体上提供至少两个半导体光源；以及
-将载体结构热学配对到载体。
该方法可以使得能够通过借由创建例如大VCSEL阵列中的一个或若干预定的断裂点或线而减少例如若干单独VCSEL子阵列之间的对准努力来更简单地制造半导体照明模块。大VCSEL阵列可以作为整体放置并且在热学配对期间断裂。当断裂在焊料、烧结的银膏等固化之后（在冷却下来的阶段期间）发生时，在VCSEL阵列的不同部分上的VCSEL的位置仍旧由先前的大阵列的原始几何结构限定，从而允许在一个步骤中在先前的大VCSEL阵列的所有部分前方对准一个大透镜阵列，而不是使用必须以复杂且耗时的方式一个接一个地对准的若干小透镜阵列。该方法因而可以包括将比如微透镜阵列那样的一个或多个光学设备附接到VCSEL阵列的另外步骤。
应当理解到，半导体照明模块和制造半导体照明模块的方法具有类似和/或相同的实施例，特别地如在从属权利要求中所限定的。
应当理解到，本发明的优选实施例还可以是从属权利要求与相应的独立权利要求的任何组合。特别地，关于基板所讨论的框架结构、桥等可以与半导体芯片组合地使用。此外，关于半导体芯片所讨论的沟槽和孔可以与基板组合地使用。
在下文限定另外的有利实施例。
附图说明
本发明的这些和其它方面将从以下描述的实施例显而易见并且参照以下描述的实施例阐述。
现在将通过示例方式基于参照附图的实施例来描述本发明。
在附图中：
图1示出载体结构的第一实施例的主图。
图2示出载体结构的第二实施例的主图。
图3示出载体结构的第三实施例的主图。
图4示出载体结构的第四实施例的主图。
图5示出载体结构的第五实施例的顶视图的主图。
图6示出图5中所示的实施例的截面的主图。
图7示出载体结构的第六实施例的截面的主图。
图8示出半导体照明模块的第一实施例的截面的主图。
图9示出半导体照明模块的第二实施例的截面的主图。
图10示出制造半导体照明模块的方法的方法步骤的主图。
在图中，相同编号自始至终指代相同对象。图中的对象未必按照比例绘制。
具体实施方式
现在将借助于各图来描述本发明的各种实施例。
图1示出载体结构100的第一实施例的主图。载体结构100的三个子载体110是用于安装具有一个或多个VCSEL阵列的半导体芯片的基板。对准结构包括第一和第二框架结构120以及每一基板两个桥130，其将基板机械耦合到第一和第二框架结构120。基板布置在第一和第二框架结构120之间的线性阵列中，并且桥的至少部分适于在将载体结构100热学配对到载体期间断裂。载体结构、基板和桥由一种具有比热沉低的CTE的材料制成，热沉可以用作可以将基板安装在其上的载体。到载体结构100的左侧和右侧上的外基板的四个桥130将在冷却下来期间受应力，其通过借助于具有较高CTE的载体施加到载体结构100的压应力所引起。如果应力超过阈值，则四个桥130断裂。到载体结构100中部的基板的两个桥130在冷却下来期间基本上不受应力，使得这两个桥130可以不断裂。残余的桥130可以在基板的热学配对之后手动地或者自动地移除。载体结构100由一片氮化铝（AlN）制成，其通过激光处理来制造。
图2示出载体结构100的第二实施例的主图。除第一和第二框架结构120之外，载体结构100包括第一和第二对准框架140。第一对准框架140直接机械耦合到第一框架结构120。第二对准框架140直接机械耦合到第二框架结构120。载体结构100的左侧上的第一对准框架140借助于一个桥130而机械耦合到左基板。载体结构100的右侧上的第二对准框架140借助于一个桥130而机械耦合到右基板。两个对准框架140包括沿着基板的线性布置的中心线布置的一个对准孔150。对准框架140可以简化载体结构100的处置，并且对准孔150可以与载体上的对应标记组合地使用以在热学配对之前对准基板。三个子载体110是借助于四个桥130（每一框架结构120两个桥）而机械耦合到第一和第二框架结构120的基板。
图3示出载体结构100的第三实施例的主图，其类似于图2中示出的实施例。对准框架140在该情况下借助于每一框架结构120一个桥130而机械耦合到第一和第二框架结构。在对准框架140与基板之间不存在借助于桥130的直接机械耦合。对准孔150是伸长孔，其适于配合载体上的对准销。对准销的伸长适于补偿载体的对准销的相对移动的至少部分。载体的对准销因而可以仅在用于热学配对的焊料、银膏等的固化之后向载体结构100施加力，使得可以避免未对准。
图4示出载体结构100的第四实施例的主图。框架结构120和对准框架140在该情况下形成基板周围的一个连接的框架。再次，在框架的相对侧处提供两个对准孔150。六个基板布置在具有两行和三列的阵列中。所连接的框架与基板之间以及基板之间的机械耦合借助于稳定剂170来提供，稳定剂170布置在方形（quadratic）基板的每一个角落处。对准结构包括所连接的框架和稳定剂170。稳定剂170由具有低于或者稍微高于可以在热学配对期间使用的焊料的熔化温度的熔点的塑料制成。熔化的塑料关于基板和载体的材料的湿润优选地是低的。稳定剂170可以在焊料熔化之前熔化，使得在将基板对准到载体的对应焊盘之后，基板被释放。可替换地，稳定剂170可以在稍微高于焊料的熔化温度的温度下熔化，使得子载体110的对准维持，直到在热学配对期间达到该温度。
图5示出载体结构100的第五实施例的顶视图的主图。载体结构200是半导体芯片的集成特征。半导体芯片包括提供在两个子载体210上的两个激光器阵列220。载体结构200包括半导体芯片的衬底的至少部分。半导体芯片的GaAs衬底可以用于载体结构200。此外，沉积在GaAs衬底上以最终形成VCSEL阵列的层结构的部分也可以由载体结构200所包括。对准结构包括由第一和第二子载体220之间的两列蚀刻孔230制成的断裂线235，使得在子载体220上提供的两个VCSEL阵列借助于断裂线235而分隔。两列的孔230是伸长孔，其中第一列的伸长孔布置成与第二列的伸长孔交错。伸长孔跨完整的GaAs衬底而提供，如在图6中的图5的半导体芯片的截面中所示。平行于列的伸长孔的扩展大于一列的两个伸长孔之间的接头。一列的两个伸长孔之间的接头布置成与另一列的伸长孔的中心相对。子载体因此借助于窄桥而连接，窄桥在一侧上具有第一列的一个伸长孔并且在第二侧上具有第二列的一个伸长孔。在例如半导体芯片的焊盘和载体的焊盘之间的焊料的固化之后，半导体芯片与载体之间的CTE失配引起半导体芯片上的压应力。窄桥在冷却降低到阈值温度之后断裂，并且第一列的接头在第二列的对应伸长孔中滑动，并且反之亦然。子载体220因而可以由于载体的较高CTE而接近彼此而不触碰彼此。
图7示出载体结构200的第六实施例的截面的主图。半导体芯片包括至少两个沟槽232，第一沟槽232切分在半导体芯片的发光侧中，并且第二沟槽232与第一沟槽232平行地切分在与半导体芯片的发光侧相对的那侧中。两个沟槽232在衬底内重叠。沟槽的重叠部分形成窄桥，其在一侧上具有一个沟槽232并且在另一侧上具有另一沟槽232。窄桥被布置成在用于将半导体芯片热学配对到具有比GaAs衬底更高的CTE的基板的烧结银膏的固化之后断裂。基板被用作载体。使得断裂线235的残余物能够在彼此上方滑动而基本上不触碰彼此，直到达到热平衡。比如金属化或聚酰亚胺保护那样的外延侧上的任何涂层应当在沟槽232附近打开以便允许结晶GaAs的清楚断裂。断裂线235的宽度必须足够大以允许充足空间来避免由于CTE失配所致的问题。它们必须允许子载体210的自由移动，使得机械应力主要在窄桥处累积。图5-7中所示的实施例可以明显地用于线性或二维阵列布置中的众多子载体。
图8示出半导体照明模块的第一实施例的截面的主图。载体结构200利用被用作载体的热沉250（微通道冷却器）上的焊料260而焊接在焊盘上。在焊接步骤中使用的典型焊料是无铅焊料（SAC）。在焊接过程期间，焊料将在其熔化温度下（例如对于SAC，在大约200℃的温度下）变为固体。当进一步冷却下来时，由于CTE方面的差异，载体结构200的尺寸比热沉250的尺寸更缓慢地减小。机械应力将累积，其引起载体结构200的断裂线235的桥接结构的断裂。子载体210（在该情况下，具有半导体照明模块中的两个激光器阵列220的半导体芯片的部分）之间的距离因而在焊接之前小于子载体200上的情况。因而必须在子载体200（半导体芯片）的设计期间考虑到激光器阵列220之间的不同距离。此外，断裂线235的宽度必须布置成使得在焊接之后子载体210之间的窄间隙保持。最后，将共同的微透镜阵列240附接到VCSEL阵列220。在焊接过程期间借助于共同载体结构200的VCSEL阵列的对准使得能够使用共同的微透镜阵列240，因为VCSEL阵列220自动地对准。不必借助于用于每一个VCSEL阵列的单独的微透镜阵列来补偿未对准。
图9示出半导体照明模块的第二实施例的截面的主图。借助于载体结构100、200的自动对准的主体（principal）可以扩展。四个激光器阵列220间接附接到热沉250。包括半导体芯片的部分的子载体210（每一个具有一个激光器阵列220）被焊接到基板，其中基板再次是载体结构100的子载体110。此外，具有两个激光器阵列的两个基板热学配对到一个共同的热沉250。基板和激光器阵列220在焊接期间自动对准，使得一个共同的微透镜阵列被附接到四个激光器阵列。子载体100、200的设计适于补偿由包括基板的载体结构100和热沉250所引起的收缩。热沉的CTE高于包括基板的载体结构100的CTE，并且包括基板的载体结构100的CTE高于包括具有VCSEL阵列的半导体芯片的部分的载体结构200的CTE。
在许多半导体照明模块中，比如高功率VCSEL模块中，若干基板被放置到一个热沉250。VCSEL阵列220和基板然后使用引线结合连接到彼此。今天，在具有激光器阵列220的基板在热沉250上的第二焊接步骤之后完成引线结合。使用载体结构100、200使得能够在基板级的第一焊接步骤之后进行引线结合，其提供了增加组装速度的另外选项。
图10示出制造半导体照明模块的方法的方法步骤的主图。在步骤310中，提供包括至少两个子载体110、210和机械耦合子载体110、210的对准结构120、130、230、232的载体结构100、200。对准结构120、130、230、232适于使得到子载体110、210的至少部分的机械耦合在将载体结构100、200热学配对于载体110、250上期间消失。对准结构120、130、230、232还布置成补偿比载体结构100、200的材料的热膨胀系数更高的载体110、250的材料的热膨胀系数。在步骤320中，在子载体110、210上提供至少两个半导体光源220。在步骤330中，将载体结构100、200热学配对到载体110、250。
当前的发明使得能够使用热沉250、基板和半导体芯片之间的CTE失配以使得能够实现激光器阵列220、基板和热沉250的固有对准。一个共同的光学设备，比如微透镜阵列，可以附接到众多激光器阵列，而不是每一激光器阵列220一个微透镜阵列。因而可以避免单独的微透镜阵列的对准。此外，可以简化引线结合。因而可以简化组装比如高功率VCSEL模块那样的半导体照明模块的努力。
尽管已经在附图和以上描述中详细图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述要视为是说明性或示例性而非限制性的。
通过阅读本公开内容，其它修改将是本领域技术人员所显而易见的。这样的修改可以涉及已经在本领域中已知以及可以替代于或者附加于已经在本文描述的特征而使用的其它特征。
通过研究附图、公开内容和随附权利要求，本领域技术人员可以理解和实现对所公开的实施例的变形。在权利要求中，词语“包括”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一”不排除多个元件或步骤。在相互不同的从属权利要求中记载某些措施的仅有事实不指示这些措施的组合不能用于获益。
在权利要求中的任何参考标记不应当解释为限制其范围。
参考标记列表：
100,200载体结构
110,210子载体
120框架结构
130桥
140对准框架
150对准孔
170稳定剂
220激光器阵列
230孔
232沟槽
235断裂线
240微透镜阵列
250热沉
260焊料
310提供载体结构的步骤
320提供半导体光源的步骤
330热学配对的步骤。
Claims (15)
1.一种用于组装半导体照明模块的载体结构（100,200），包括至少两个子载体（110,210）和机械耦合子载体（110,210）的对准结构（120,130,230,232），对准结构（120,130,230,232）适于使得到子载体（110,210）的至少部分的机械耦合在将载体结构（100,200）热学配对于载体（110,250）上期间消失，其中对准结构（120,130,230,232）进一步适于补偿比载体结构（100,200）的材料的热膨胀系数更高的载体（110,250）的材料的热膨胀系数。
2.根据权利要求1的载体结构（100），其中子载体（110）是用于安装半导体光源（220）的基板，并且对准结构（120,130）包括至少一个第一框架结构（120）以及每一基板至少一个桥（130），其将基板机械耦合到第一框架结构（120）以使得基板平行于第一框架结构（120）布置，并且桥（130）适于在将载体结构（100）热学配对到载体（250）的期间在施加在桥上的热应力超过阈值的情况下断裂。
3.根据权利要求2的载体结构（100），包括至少第二框架结构（120）以及每一基板至少一个桥（130），其将基板机械耦合到第二框架结构（120）以使得基板平行于第二框架结构（120）布置，并且桥（130）适于在将载体结构（100）热学配对到载体（250）期间在施加于桥上的热应力超过出阈值的情况下断裂。
4.根据权利要求2或3的载体结构（100），包括具有至少一个对准孔（150）的至少一个第一对准框架（140）以及将至少一个基板或至少一个框架结构（120）机械耦合到第一对准框架（140）的至少一个桥（130）。
5.根据权利要求4的载体结构（100），包括具有至少一个对准孔（150）的第二对准框架（140）以及将至少一个基板或至少一个框架结构（120）机械耦合到第二对准框架（140）的至少一个桥（130）。
6.包括根据权利要求1的载体结构（200）的半导体芯片，该半导体芯片包括提供在子载体（210）上的半导体光源（220），其中载体结构（200）包括半导体芯片的衬底的至少部分，并且对准结构（230,232）包括至少第一子载体（210）与第二子载体（210）之间的断裂线（235）。
7.根据权利要求6的半导体芯片，其中对准结构（230,232）包括衬底中的孔（230）。
8.根据权利要求7的半导体芯片，其中孔（230）沿着至少两个平行的行推提供，并且第一行的孔（230）被布置成与第二行的孔（230）交错，并且与行平行的孔（230）的扩展大于行中的两个孔（230）之间的接头，使得在将载体结构（200）热学配对到载体（110,250）期间，第一行的接头可以在第二行的对应孔（230）中滑动，并且第二行的接头可以在第一行的对应孔（230）中滑动。
9.根据权利要求6的半导体芯片，其中对准结构（230,232）包括衬底中的沟槽（232）。
10.根据权利要求9的半导体芯片，其中提供至少两个沟槽（232），第一沟槽（232）提供在半导体芯片的发光侧处，并且第二沟槽（232）与第一沟槽平行地提供在与半导体芯片的发光侧相对的那侧处，并且第一和第二沟槽（232）的深度以使得两个沟槽在衬底内重叠的方式进行布置。
11.根据权利要求6-10中任一项的半导体芯片，其中半导体光源（220）包括提供在不同子载体（210）上的至少两个激光器阵列。
12.半导体照明模块，包括热学配对到热沉（250）的根据权利要求1-5中任一项的载体结构（100,200）和/或根据权利要求6-11的半导体芯片的至少两个子载体以及在不同子载体（110,210）上提供的至少两个半导体光源（220）。
13.根据权利要求12的半导体照明模块，包括在半导体光源（220）的发光侧的顶部上提供的光学设备。
14.根据权利要求13的半导体照明模块，其中光学设备是微透镜阵列（240）。
15.制造半导体照明模块的方法，该方法包括以下步骤：
-提供包括至少两个子载体（110,210）和机械耦合子载体（110,210）的对准结构（120,130,230,232）的载体结构（100,200），对准结构（120,130,230,232）适于使得到子载体（110,210）的至少部分的机械耦合在将载体结构（100,200）热学配对于载体（110,250）上期间消失，其中对准结构（120,130,230,232）被布置成补偿比载体结构（100,200）的材料的热膨胀系数更高的载体（110,250）的材料的热膨胀系数；
-在子载体（110,210）上提供至少两个半导体光源（220）；以及
-将载体结构（100,200）热学配对到载体（110,250）。
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