CN105810675B - 集成封装的led - Google Patents

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Abstract

本发明公开了集成封装的LED,本发明LED采用热敏感应油墨,使LED能够通过热量传导,使热敏感应油墨颜色由浅变深,形成字体,尤其是形成路标标识,使道路名称一目了然,光学透镜采用新的配方,光透率比传统的要加强,减少光衰。本发明的注胶是先盖好光学透镜,然后通过围胶坝上的四个圆孔注胶,注胶孔延伸至封装基板底面,避免了起泡现象。

Description

集成封装的LED
技术领域
本发明涉及LED技术领域,具体的说是涉及一种集成封装的LED。
背景技术
目前,LED器件的封装方式大致有两种形式,一种是由单颗LED芯片进行封装的光源器件,一种是由多颗LED芯片进行集成封装的光源器件,两种形式LED光源在照明应用产品中各有特长。相比之下,集成式封装LED器件能使单个光源的功率更大化,具有更好的实用性、适用性和可靠性,集成式封装LED器件技术的出现,为LED应用到室内外大功率照明提供了良好的思路和发展方向。在制作集成封装LED器件时,为了引导器件出光方向和圈定封装胶水的范围,往往会采取在芯片所在范围的外围加设金属反光圈,或采用陶瓷、环氧树脂等材料的包围圈;现有的集成封装LED器件存在着出光引导性不理想、制作工艺复杂、生产成本高的不足之处。
发明内容
针对现有技术中的不足,本发明要解决的技术问题在于提供了一种集成封装的LED。
为解决上述技术问题,本发明通过以下方案来实现:集成封装的LED,该LED包括封装基板,在该封装基板上集成有LED芯片;
所述封装基板上设置有凹槽阵列,每个凹槽呈倒锥形,在倒锥形凹槽底面设置LED芯片;
沿凹槽阵列的边缘设置有一圈围胶坝,围胶坝内部形成一个凹槽面,所述围胶坝的四个角上设置有方形块,在方形块的中部设置有注胶孔,所述注胶孔延伸至封装基板底面;
在封装基板表面、凹槽阵列的凹槽间隙处,设置有文字形沟槽,在该文字形沟槽内,填充有热敏感应油墨。
进一步的,在围胶坝上端面盖有光学透镜,该光学透镜为平面透镜,其四角设置有圆孔,所述光学透镜盖于围胶坝的上端面后,其四个圆孔与注胶孔重合。
进一步的,所述围胶坝内填充有封装胶。
进一步的,所述LED芯片上涂有一层荧光粉。
进一步的,在围胶坝的两侧设置有条形槽。
进一步的,所述注胶孔连通出胶孔,出胶孔紧贴封装基板表面。
进一步的,所述光学透镜上的四个圆孔配有平头塞。
进一步的,所述光学透镜由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚芒砜 (PAS) 2%;
聚丙烯酸酯 5%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮(PEKK) 10%。
进一步的,所述光学透镜由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
进一步的,所述光学透镜由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚缩醛 5%;
聚醚砜 (PES) 8%
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
相对于现有技术,本发明的有益效果是:本发明LED采用热敏感应油墨,使LED能够通过热量传导,使热敏感应油墨颜色由浅变深,形成字体,尤其是形成路标标识,使道路名称一目了然,光学透镜采用新的配方,光透率比传统的要加强,减少光衰。本发明的注胶是先盖好光学透镜,然后通过围胶坝上的四个圆孔注胶,注胶孔延伸至封装基板底面,避免了起泡现象。
附图说明
图1为本发明LED结构示意图。
图2为本发明光学玻璃示意图。
图3为带有山字体的LED示意图。
图4为带有RD字体的LED示意图。
附图中标记:文字形沟槽1、封装基板2、凹槽3、条形槽4、出胶孔5、注胶孔6、围胶坝7、光学透镜8、圆孔9。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参照附图1~2,本发明的集成封装的LED,该LED包括封装基板2,在该封装基板2上集成有LED芯片;
所述封装基板2上设置有凹槽阵列,每个凹槽3呈倒锥形,在倒锥形凹槽底面设置LED芯片;
沿凹槽阵列的边缘设置有一圈围胶坝7,围胶坝7内部形成一个凹槽面,所述围胶坝7的四个角上设置有方形块,在方形块的中部设置有注胶孔6,所述注胶孔6延伸至封装基板2底面;
在封装基板2表面、凹槽阵列的凹槽3间隙处,设置有文字形沟槽1,在该文字形沟槽内,填充有热敏感应油墨。
在围胶坝7上端面盖有光学透镜8,该光学透镜8为平面透镜,其四角设置有圆孔9,所述光学透镜8盖于围胶坝7的上端面后,其四个圆孔9与注胶孔6重合。
在注胶时,先将光学透镜8盖于围胶坝7上,使其紧贴,边缘密封,然后将注胶枪插入3个圆孔9内,预留一个圆孔作为排气用,并将枪头插进注胶孔6内,进行注胶,当注胶填满围胶坝内部空腔时,并且封装胶的胶水漫至第四个排气用的注胶孔内,待封装胶固化后,利用平头塞将圆孔9塞平。
所述围胶坝7内填充有封装胶,所述LED芯片上涂有一层荧光粉,在围胶坝7的两侧设置有条形槽4,条形槽4作用为连接LED灯座用。所述注胶孔6连通出胶孔5,出胶孔5紧贴封装基板表面。
当LED工作时,会发出热量,其热量会传导至封装基板上,封装基板上的热敏感应油墨会随着温度增加而颜色加深,使文字清晰显现,当LED不工作时,热敏感应油墨颜色恢复至原封装基板颜色,使LED封装基板就像一个整体。
本发明的光学透镜8的制作有三种方案:
第一种,光学透镜8由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚芒砜 (PAS) 2%;
聚丙烯酸酯 5%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮(PEKK) 10%。
第二种,所述光学透镜8由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
第三种,所述光学透镜8由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚缩醛 5%;
聚醚砜 (PES) 8%
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
实施例1:
请参照附图1、3、4,三个LED组合在一起,形成“中”“山”“RD”字样,合在一起就是“中山RD”,RD为路的意思,即“中山路”。
以上所述仅为本发明的优选实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.集成封装的LED,该LED包括封装基板(2),在该封装基板(2)上集成有LED芯片,其特征在于:
所述封装基板(2)上设置有凹槽阵列,每个凹槽(3)呈倒锥形,在倒锥形凹槽底面设置LED芯片;
沿凹槽阵列的边缘设置有一圈围胶坝(7),围胶坝(7)内部形成一个凹槽面,所述围胶坝(7)的四个角上设置有方形块,在方形块的中部设置有注胶孔(6),所述注胶孔(6)延伸至封装基板(2)底面;
在封装基板(2)表面、凹槽阵列的凹槽(3)间隙处,设置有文字形沟槽(1),在该文字形沟槽内,填充有热敏感应油墨;
在围胶坝(7)上端面盖有光学透镜(8),该光学透镜(8)为平面透镜,其四角设置有圆孔(9),所述光学透镜(8)盖于围胶坝(7)的上端面后,其四个圆孔(9)与注胶孔(6)重合;
所述围胶坝(7)内填充有封装胶;
所述注胶孔(6)连通出胶孔(5),出胶孔(5)紧贴封装基板表面;
所述光学透镜(8)上的四个圆孔(9)配有平头塞;
所述光学透镜(8)由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚芒砜 (PAS) 2%;
聚丙烯酸酯 5%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮(PEKK) 10%。
2.根据权利要求1所述的集成封装的LED,其特征在于:所述LED芯片上涂有一层荧光粉。
3.根据权利要求1所述的集成封装的LED,其特征在于:在围胶坝(7)的两侧设置有条形槽(4)。
4.根据权利要求1所述的集成封装的LED,其特征在于:所述光学透镜(8)由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 5%;
聚醚醚酮 (PEEK) 8%;
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
5.根据权利要求1所述的集成封装的LED,其特征在于:所述光学透镜(8)由以下原料通过注塑制成,其组成的的质量百分比如下:
聚甲基丙烯酸甲酯 30%;
聚酰胺亚胺 5%;
聚酰胺 -11(PA-11) 3%;
聚酰胺 -12(PA-12) 或聚酰胺 -6(PA-6) 10%;
聚酰亚胺 (PI) 2%;
聚苯硫 (PPS) 2%;
聚氨酯 2%;
聚脲 2%;
聚酯 1%;
聚缩醛 5%;
聚醚砜 (PES) 8%
聚乙烯化合物 10%;
聚丙烯腈 10%;
聚醚酮酮 (PEKK) 10%。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000318327A (ja) * 1999-03-09 2000-11-21 Dainippon Printing Co Ltd 感温印刷物及びその製造方法
ATE528220T1 (de) * 2005-08-29 2011-10-15 Sinclair Systems International Llc Verfahren und vorrichtung für die markierung von mehrschichtigen, lichtmarkierbaren medien
CN102275399A (zh) * 2010-06-08 2011-12-14 何仁城 利用光的热敏打印的方法及其装置
CN105047806A (zh) * 2015-09-01 2015-11-11 宏齐光电子(深圳)有限公司 一种小功率晶片封装的面光源及其制备方法

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