CN105763107B - 用以减少开关损耗之马达驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用以减少开关损耗之马达驱动电路，应用于一马达，包括一马达驱动单元、一推挽式输出单元及一控制单元，该控制单元耦接该马达驱动单元与推挽式输出单元，该控制单元用传送一驱动电压给该推挽式输出单元并驱动，令该推挽式输出单元产生放大电流传送至马达驱动单元上，该马达驱动单元则根据接收到的放大电流而减少其充放电时间的效果。

Description

用以减少开关损耗之马达驱动电路

【技术领域】

本发明有关于一种马达驱动电路，尤指一种具有减少马达驱动单元的第一、三开关组件之充放电时间的效果，以及还可达到降低开关损耗的效果之用以减少开关损耗之马达驱动电路。

【背景技术】

随着科技的进步与电脑产业的发展，轻巧的电子产品，如笔记型电脑，已日渐成为市场主流。在此轻薄短小的电子产品中，散热能力的优劣往往影响到系统的稳定性，产品的效能，甚至是产品的使用年限。以电脑系统而言，为了能够使电脑系统所产生之热能能够快速地散逸，通常电脑系统配装风扇以作为散热装置，以使得电脑系统得以在适当的温度环境之下正常运作。

一般来说，使用于电脑系统中用以散热之风扇多由无刷直流马达来驱动。请参照图1所示，目前习用的直流马达驱动电路1主要是由一控制晶片10传送一脉宽调变讯号(Pulse Width Modulation，PWM )给马达驱动单元12，以驱动马达运转，但是该马达驱动单元12内上臂中PMOS电晶体(即P型金氧半场效电晶体)的跨导小、逻辑摆幅大及充放电时间长，导致开关件(即PMOS电晶体)损耗大，相对的便会造成风扇效率不佳的问题。其中前述PMOS电晶体的充放电时间长意思是为PMOS电晶体的闸极与源极之间存在有一电容(或称寄生电容(parasitic capacitance))，该电容的充放电时间与驱动电流大小有关，所以当驱动电流不足(即驱动电流小)时会使该电容的充放电时间越长，进而会导致PMOS电晶体的开关速度变慢，从而增加了PMOS电晶体的开关损耗。

所以在高频率下的PMOS电晶体在切换时，因开关损耗大的关系导致PMOS电晶体的表面之温度Tc会很高，以致于容易造成出现结温Tj降额不足的问题。

是以，要如何解决上述习用之问题与缺失，即为本案之发明人与从事此行业之相关厂商所亟欲研究改善之方向所在。

【发明内容】

为有效解决上述之问题，本发明之主要目的在提供一种具有减少(或减短)马达驱动单元的第一、三开关组件之充放电时间，以降低开关损耗之效果的用以减少开关损耗之马达驱动电路。

本发明之另一目的在提供一种具有提升风扇效率及可有效解决结温(Tj)降额不足之问题的用以减少开关损耗之马达驱动电路。

为达上述目的，本发明提供一种用以减少开关损耗之马达驱动电路，应用于一马达，包括：一马达驱动单元，设有一第一开关组件、一第二开关组件、一第三开关组件及一第四开关组件，该第一、二、三、四开关组件各具有一第一端、一第二端、一第三端及一第四端，该第一、三开关组件之第二端分别耦接对应该第二、四开关组件之第三端，该第一开关组件之第三端耦接对应该第三开关组件之第三端，该第二开关组件之第二端耦接对应该第四开关组件之第二端，并该第二、四开关组件之第四端耦接一接地端，且该第三开关组件的第一端耦接一输入电压；一推挽式输出单元，设有一第一推挽式放大器及一第二推挽式放大器，该第一、二推挽放大器各具有一第一端、一第二端、一第三端及一第四端，该第一推挽放大器的第二、三端分别连接相对该第一开关组件的第四端与第一端，该第二推挽放大器的第二、三端分别连接相对该第三开关组件的第四端与第一端，并该第一、二推挽放大器的第四端共同耦接该接地端；及一控制单元，其具有复数接脚，其中一第一接脚分别耦接相对该第一、二推挽放大器的第一端，并传送一驱动电压给该第一、二推挽放大器，令该第一、二推挽放大器受驱动后，以分别产生一第一、二放大电流，该第一、三开关组件根据分别接收到该第一、二放大电流而减少其充放电时间。

该控制单元的一第二接脚与一第三接脚分别耦接该第四、二开关组件的第一端，且其分别传送一第一讯号与一第二讯号给对应该第四开关组件与第二开关组件的第一端。

该第一推挽放大器设有一第一电晶体、一第二电晶体、一第三电晶体、一第一电阻件及一第二电阻件，该第一、二、三电晶体各设有一基极、一射极及一集极，该第一电晶体的集极与该第一开关组件的第一端与该第一电阻件的一端及该输入电压共同耦接，其该射极与该第二电晶体的射极及该第一开关组件的第四端共同耦接，该第二电晶体的集极耦接至该接地端，其该基极与该第一电晶体之基极、该第一电阻件的另一端及该第三电晶体之集极共同耦接，该第三电晶体之射极耦接该接地端，其该基极耦接相对该第二电阻件的一端，该第二电阻件的另一端则耦接至该控制单元的第一接脚。

该第二推挽放大器设有一第四电晶体、一第五电晶体、一第六电晶体、一第三电阻件及一第四电阻件，该第四、五、六电晶体各设有一基极、一射极及一集极，该第四电晶体的集极分别耦接相对该第三开关组件的第一端与该第三电阻件的一端，其该射极与该第五电晶体的射极及该第三开关组件的第四端共同耦接，该第五电晶体的集极耦接至该接地端，其该基极与该第四电晶体之基极、该第三电阻件的另一端及该第六电晶体之集极共同耦接，该第六电晶体之射极耦接该控制单元的第一接脚，其该基极耦接相对该第四电阻件的一端，该第四电阻件的另一端则耦接至该控制单元的一第四接脚。

该第一开关组件包含一第一MOS电晶体、一第一电容件、一第五电阻件及一第六电阻件，该第一MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该源极连接该马达之一端，该第一电容件的一端及另一端分别连接该第一MOS电晶体的汲极与闸极，该第五电阻件的一端与该第一电容件的一端、该输入电压及该第一电晶体的集极共同电性连接，该第五电阻件的另一端则分别耦接该电容件的另一端与该第六电阻件的一端，该第六电阻件的另一端耦接相对该第一电晶体的射极。

该第二开关组件包含一第二MOS电晶体、一第七电阻件及一第八电阻件，该第二MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第二MOS开关件之汲极分别耦接该马达之一端及该第一MOS电晶体的源极，其该闸极分别耦接该第七电阻件与第八电阻件的一端，该第二MOS电晶体的源极则耦接该接地端与该第八电阻件的另一端，并该第七电阻件的另一端与相对该控制单元的第三接脚相耦接。

该第三开关组件包含一第三MOS电晶体、一第二电容件、一第九电阻件及一第十电阻件，该第三MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第三MOS电晶体之源极耦接该马达之另一端，其该汲极与该第一MOS电晶体的汲极、该第二电容件的一端及第九电阻件的一端共同耦接，并该第二电容件的另一端则分别与该第三MOS电晶体的闸极及该第九电阻件的另一端相耦接，该第十电阻件的一端与另一端分别与该第九电阻件的另一端与该第四电晶体的射极相耦接。

该第四开关组件包含一第四MOS电晶体、一第十一电阻件及一第十二电阻件，该第四MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第四MOS电晶体之汲极分别耦接该马达之另一端及该第三MOS电晶体的源极，其该闸极分别耦接该第十一电阻件与第十二电阻件的一端，该第四MOS电晶体的源极则耦接该接地端，并该第十一电阻件的另一端与相对该控制单元的第二接脚相耦接，该第十二电阻件的另一端耦接至该接地端。

该第一MOS电晶体、第三MOS电晶体为一PMOS电晶体，该第二MOS电晶体、第四MOS电晶体为一NMOS电晶体。

该第一电晶体、第二电晶体、第三电晶体、第四电晶体、第五电晶体、第六电晶体为一BJT电晶体。

透过本发明藉以降低该第一、三开关组件的开关损耗，进而还有效助于风扇效率的提升及解决结温(Tj)降额不足的问题。

【附图说明】

图1为已知之方块示意图；

图2为本发明之实施例之方块示意图；

图3为本发明之实施例之另一方块示意图；

图4为本发明之实施例之电路示意图。

图中各附图标记对应的构件名称为：

马达驱动电路…2

马达驱动单元…20

第一开关组件…21

第二开关组件…22

第三开关组件…23

第四开关组件…24

第一端…211、221、231、241

第二端…212、222、232、242

第三端…213、223、233、243

第四端…214、224、234、244

推挽输出单元…26

第一推挽式放大器…261

第二推挽式放大器…262

第一端…2611、2621

第二端…2612、2622

第三端…2613、2623

第四端…2614、2624

控制单元…28

第一接脚…281

第二接脚…282

第三接脚…283

第四接脚…284

第五接脚…285

第六接脚…286

第七接脚…287

第八接脚…288

霍尔元件…29

第一电晶体…Q1

第二电晶体…Q2

第三电晶体…Q3

第四电晶体…Q4

第五电晶体…Q5

第六电晶体…Q6

第一电阻件…R1

第二电阻件…R2

第三电阻件…R3

第四电阻件…R4

第五电阻件…R5

第六电阻件…R6

第七电阻件…R7

第八电阻件…R8

第九电阻件…R9

第十电阻件…R10

第十一电阻件…R11

第十二电阻件…R12

第十三电阻件…R13

第一MOS电晶体…M1

第二MOS电晶体…M2

第三MOS电晶体…M3

第四MOS电晶体…M4

第一电容件…C1

第二电容件…C2

第三电容件…C3

第四电容件…C4

二极体…D

稽纳二极体…Z

输入电压…Vin

接地端…GND

【具体实施方式】

本发明之上述目的及其结构与功能上的特性，将依据所附图式之实施例予以说明。

本发明提供一种用以减少开关损耗之马达驱动电路，请参阅图2、图3，为本发明之实施例之方块图示；该马达驱动电路2应用于一马达上，且于该实施例将该马达驱动电路2使用在直流无刷风扇之马达做说明，但并不局限于此。前述马达驱动电路2包括一马达驱动单元20、一推挽式输出单元26及一控制单元28，该推挽式输出单元26分别电性连接该马达驱动单元20与控制单元28，并该马达驱动单元20设有一第一开关组件21、一第二开关组件22、一第三开关组件23及一第四开关组件24，该第一、二、三、四开关组件21、22、23、24各具有一第一端211、221、231、241、一第二端212、222、232、242、一第三端及一第四端。

前述第一、三开关组件21、23之第二端212、232分别耦接对应该第二、四开关组件22、24之第三端223、243，该第一开关组件21之第三端耦接(或电性连接)对应该第三开关组件23之第三端233，该第二开关组件22之第二端222耦接对应该第四开关组件24之第二端242，并该第二、四开关组件22、24之第四端224、244耦接一接地端GND，且该第三开关组件23的第一端231耦接一输入电压Vin，所述第一开关组件21的第一、三端211、213内部彼此电性连接相连通，该第三开关组件23的第一、三端231、233内部彼此电性连接相连。

而前述推挽式输出单元26设有一第一推挽式放大器261及一第二推挽式放大器262，该第一、二推挽放大器261、262各具有一第一端2611、2621、一第二端2612、2622、一第三端2613、2623及一第四端2614、2624，该第一推挽放大器261的第二、三端2612、2613分别连接相对该第一开关组件21的第四端214与第一端211，该第二推挽放大器262的第二、三端2622、2623分别连接相对该第三开关组件23的第四端234与第一端231，并该第一、二推挽放大器261、262的第四端2614、2624共同耦接该接地端GND。

前述控制单元28具有复数接脚，其中一第一接脚281分别耦接相对该第一、二推挽式放大器261、262的第一端2611、2621，其用以传送一驱动电压给该第一、二推挽式放大器261、262，令该第一、二推挽式放大器261、262接收到驱动电压而受驱动后，以分别产生一第一放大电流与一第二放大电流，该第一开关组件21便根据接收到的第一放大电流而减少其充放电时间，或该第三开关组件23则根据接收到的第二放大电流而减少其充放电时间；一第二接脚282电性连接(或耦接)相对该第四开关组件24的第一端241，且该第二接脚282用以传送一第一讯号给对应该第四开关组件24的第一端241，一第三接脚283电性连接相对该第二开关组件22的第一端221，且该第三接脚283用以传送一第二讯号给对应该第二开关组件22的第一端221，其中前述第一、二讯号为一PWM(Pulse Width Modulation)讯号。

所以透过本发明之第一、二推挽式放大器261、262将该第一、二放大电流分别传送给该第一、三开关组件21、23，令该第一、三开关组件21、23分别根据接收到的第一、二放大电流后而减少其充放电的时间，因减少了该第一、三开关组件21、23的充放电时间，相对的便提高(或加快)前述第一、三开关组件21、23的开关速度，以有效达到减少(或降低)开关的损耗，进而还有效助于风扇效率的提升及解决结温(Tj)降额不足的问题。

续参阅图4所示，并辅以参阅图2、图3将就各结构详细说明：

前述第一推挽式放大器261设有一第一电晶体Q1、一第二电晶体Q2、一第三电晶体Q3、一第一电阻件R1及一第二电阻件R2，该第一、二、三电晶体Q1、Q2、Q3于该实施例以BJT(Bipolar Junction Transistor)电晶体做说明，但并不局限于此；并所述第一、二、三电晶体Q1、Q2、Q3各设有一基极、一射极及一集极，该第一电晶体Q1的集极与该第一开关组件21的第一端211与该第一电阻件R1的一端及该输入电压Vin共同耦接，该第一电晶体Q1的射极与该第二电晶体Q2的射极及该第一开关组件21的第四端共同耦接，该第二电晶体Q2的集极与该第三电晶体Q3的射极共同电性连接至接地端GND，其该基极与该第一电晶体Q1之基极、该第一电阻件R1的另一端及该第三电晶体Q3之集极共同耦接(或电性连接)，而该第三电晶体Q3之该基极耦接相对该第二电阻件R2的一端，该第二电阻件R2的另一端则耦接至该控制单元28的第一接脚281，用以接收第一接脚281输出的驱动电压，以使该第一推挽式放大器261接收到驱动电压后而驱动导通，换言之，就是该第一推挽式放大器261的第三电晶体Q3接收到该驱动电压受驱动而导通后，令该第一推挽式放大器261的第二电晶体Q2的电流会变大。

前述第二推挽式放大器262设有一第四电晶体Q4、一第五电晶体Q5、一第六电晶体Q6、一第三电阻件R3及一第四电阻件R4，该第四、五、六电晶体于该实施例以BJT(BipolarJunction Transistor)电晶体做说明，但并不局限于此；该第四、五、六电晶体Q4、Q5、Q6各设有一基极、一射极及一集极，该第四电晶体Q4的集极分别耦接相对该第三开关组件23的第一端231与该第三电阻件R3的一端，其该射极与该第五电晶体Q5的射极及该第三开关组件23的第四端234共同耦接，并该第三电阻件R3的一端与一第三电容件C3的一端、一二极体D的阴极及一稽纳二极体Z(Zener diode))的阴极共同电性连接一起，该二极体D的阳极与输入电压Vin相耦接，该稽纳二极体Z的阳极与第三电容件C3的另一端共同电性连接至该接地端GND。

并该第五电晶体Q5的集极耦接至该接地端GND，且该第五电晶体Q5之基极与该第四电晶体Q4之基极、该第三电阻件R3的另一端及该第六电晶体Q6之集极共同电性连接(或耦接)，该第六电晶体Q6之射极电性连接相对该控制单元28的第一接脚281，其用以接收该第一接脚281输出的驱动电压，以使该第二推挽式放大器262接收到驱动电压后而驱动导通，换言之，就是该第二推挽式放大器262的第六电晶体Q6接收到该驱动电压受驱动而导通后，令该第二推挽式放大器262的第五电晶体Q5的电流会变大，并该第六电晶体Q6的基极耦接相对该第四电阻件R4的一端。

而该第一开关组件21包含一第一MOS电晶体M1、一第一电容件C1、一第五电阻件R5及一第六电阻件R6，该第一MOS电晶体M1于该实施例以一P型金氧半场效(PMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中所述第一MOS电晶体M1具有一闸极、一源极及一汲极，该第一MOS电晶体M1之源极电性连接该马达之一端L1，并前述第一电容件C1的一端及另一端分别电性连接该第一MOS电晶体M1的汲极与闸极，该第五电阻件R5的一端与该第一电容件C1的一端、该输入电压Vin及该第一电晶体Q1的集极共同电性连接，且该第五电阻件R5的另一端则分别耦接该第一电容件C1的另一端与该第六电阻件R6的一端，该第六电阻件R6的另一端耦接至相对该第一电晶体Q1的射极，换言之，就是该第六电阻件R6的另一端与第一、二电晶体Q1、Q2的射极共同电性连接。

由于所述第一MOS电晶体M1之闸极与源极之间存在有一电容(或称寄生电容；parasitic capacitance)，对该电容充电(即开启第一MOS电晶体M1)和放电(关闭第一MOS电晶体M1)的时间会影响到第一MOS电晶体M1的开关速度，所以透过本发明之第一推挽式放大器261提供放大电流对电容充电，可有效减少充放电的时间，进而因加快了第一MOS电晶体M1的开关速度也有效达到降低开关损耗的效果，且还有效解决结温(Tj)降额不足的问题。

另外，根据此公式Q=I×T= C×V，可知当电流(I)变大时，时间(T)便会变小，所以当前述第一MOS电晶体M1之闸极与源极间的电容接收到该第一推挽式放大器261传送的第一放大电流后，令该第一放大电流对前述电容充电的时间可有效减少(或减短)，且还有效提升第一MOS电晶体M1的开关速度，以及让第一MOS电晶体M1的开关损耗降低的效果。其中Q为电荷量；C为电容量；V为电压；I为电流；T为时间。

参阅图3、图4，前述第二开关组件22包含一第二MOS电晶体M2、一第六电阻件R6及一第七电阻件R7，该第二MOS电晶体M2于该实施例以一N型金氧半场效(NMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中该第二MOS电晶体M2具有一闸极、一源极及一汲极，该第二MOS电晶体M2之汲极分别耦接该马达之一端L1及该第一MOS电晶体M1的源极，其该闸极分别耦接该第七电阻件R7与第八电阻件R8的一端，该第二MOS电晶体M2的源极则耦接该接地端GND与该第八电阻件R8的另一端。

前述第三开关组件23包含一第三MOS电晶体M3、一第二电容件C2、一第九电阻件R9及一第十电阻件R10，该第三MOS电晶体M3于该实施例以一P型金氧半场效(NMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中前述第三MOS电晶体M3具有一闸极、一源极及一汲极，该第三MOS电晶体M3之源极耦接该马达之另一端L2，其该汲极与该第一MOS电晶体M1的汲极、该第二电容件C2的一端及第九电容件的一端共同耦接，并该第二电容件C2的另一端则分别与该第三MOS电晶体M3的闸极及该第九电阻件R9的另一端相耦接，该第十电阻件R10的一端与另一端分别与该第九电阻件R9的另一端与该第四电晶体Q4的射极相耦接，换言之，前述第十电阻件R10的另一端与该第四、五电晶体Q4、Q5的射极共同电性连接。

由于所述第三MOS电晶体M3之闸极与源极之间存在有一电容(或称寄生电容；parasitic capacitance)，对该电容充电(即开启第三MOS电晶体M3)和放电(关闭第三MOS电晶体M3)的时间会影响到第三MOS电晶体M3的开关速度，所以透过本发明之第二推挽式放大器262提供放大电流对电容充电，可有效减少充放电的时间，进而因加快了第三MOS电晶体M3的开关速度也有效达到降低开关损耗的效果，且还有效解决结温(Tj)降额不足的问题。

续参阅图3、图4，前述第四开关组件24包含一第四MOS电晶体M4、一第十一电阻件R11及一第十二电阻件R12，该第四MOS电晶体M4于该实施例以一N型金氧半场效(NMOS)电晶体做说明，但并不局限于此；其中所述第四MOS电晶体M4具有一闸极、一源极及一汲极，该第四MOS电晶体M4之汲极分别耦接该马达之另一端L2及该第三MOS电晶体M3的源极，其该闸极分别耦接该第十一电阻件R11与第十二电阻件R12的一端，该第四MOS电晶体M4的源极则耦接该接地端GND，该第十二电阻件R12的另一端耦接至该接地端GND。

前述控制单元28具有前述第一接脚281、第二接脚282、第三接脚283、一第四接脚284、一第五接脚285、一第六接脚286、一第七接脚287及一第八接脚288，其中该第一接脚281为HIGH-SIDE接脚分别电性连接该第六电晶体Q6的射极与第二电阻件R2的另一端，其用以输出驱动电压，该第二接脚282为PWMA接脚电性连接相对前述第十一电阻件R11的另一端，其用以输出第一讯号，该第三接脚283为PWMB接脚电性连接相对该第七电阻件R7的另一端，其用以输出第二讯号，该第四接脚284为VDD接脚电性连接该第四电阻件R4的另一端，其用以输出一操作电压，该第五接脚285为HALL-IN接脚电性连接一霍尔元件29，其用以接收霍尔元件29传送的一感测讯号(即霍尔讯号)，该第六接脚286为VSS接脚与一第四电容件C4的一端共同电性连接至该接地端GND，该第四电容件C4的另一端则与一第十三电阻件R13的一端电性连接，该第十三电阻件R13的另一端则耦接至相对该第一接脚281。

并前述控制单元28于该实施例以8只接脚的控制单元28做说明，但并不局限于此，于具体实施时，使用者可以根据功能需求，改设计用更多接脚的控制单元28(或称控制晶片)，如使用10只接脚的控制晶片或12只接脚的控制晶片或12只接脚以上的控制晶片，合先陈明。

故透过本发明此电路的设计，使得能有效减少(或减短)第一、三MOS电晶体M1、M3之充放电的时间，以增快(或提升)该第一、三MOS电晶体M1、M3的开关速度，进而有效达到降低该第一、三开关件的开关损耗以及解决结温(Tj)降额不足，且藉由本发明此马达驱动电路2应用于风扇上，令该第一、三MOS电晶体M1、M3的结温(Tj)会明显减小，以有效助于提升风扇的效率。

以上所述，本发明相较于已知具有下列之优点：

1. 具有达到减少该第一、三开关组件之充放电时间的效果。

2. 具有增快该第一、三MOS电晶体的开关速度，来达到降低该第一、三开关件的开关损耗。

3. 具有解决结温(Tj)降额不足之问题。

4. 有助于提升风扇的效率。

惟以上所述，仅本发明之较佳可行之实施例而已，举凡利用本发明上述之方法、形状、构造、装置所为之变化，皆应包含于本案之权利范围内。

Claims (9)

1.一种用以减少开关损耗之马达驱动电路，应用于一马达，其特征在于，包括：

一马达驱动单元，设有一第一开关组件、一第二开关组件、一第三开关组件及一第四开关组件，该第一、二、三、四开关组件各具有一第一端、一第二端、一第三端及一第四端，该第一、三开关组件之第二端分别耦接对应该第二、四开关组件之第三端，该第一开关组件之第三端耦接对应该第三开关组件之第三端，该第二开关组件之第二端耦接对应该第四开关组件之第二端，并该第二、四开关组件之第四端耦接一接地端，且该第三开关组件的第一端耦接一输入电压；

一推挽式输出单元，设有一第一推挽式放大器及一第二推挽式放大器，该第一、二推挽式放大器各具有一第一端、一第二端、一第三端及一第四端，该第一推挽式放大器的第二、三端分别连接相对该第一开关组件的第四端与第一端，该第二推挽式放大器的第二、三端分别连接相对该第三开关组件的第四端与第一端，并该第一、二推挽式放大器的第四端共同耦接该接地端；及

一控制单元，其具有复数接脚，其中一第二接脚与一第三接脚分别耦接该第四、二开关组件的第一端，且其分别传送一第一讯号与一第二讯号给对应该第四开关组件与第二开关组件的第一端，所述第一信号与第二讯号均为PWM讯号；一第一接脚分别耦接相对该第一、二推挽式放大器的第一端，并传送一驱动电压给该第一、二推挽式放大器，令该第一、二推挽式放大器受驱动后，以分别产生一第一、二放大电流，该第一、三开关组件根据分别接收到该第一、二放大电流而减少其充放电时间。

2.根据权利要求1所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第一推挽式放大器设有一第一电晶体、一第二电晶体、一第三电晶体、一第一电阻件及一第二电阻件，该第一、二、三电晶体各设有一基极、一射极及一集极，该第一电晶体的集极与该第一开关组件的第一端与该第一电阻件的一端及该输入电压共同耦接，其该射极与该第二电晶体的射极及该第一开关组件的第四端共同耦接，该第二电晶体的集极耦接至该接地端，其该基极与该第一电晶体之基极、该第一电阻件的另一端及该第三电晶体之集极共同耦接，该第三电晶体之射极耦接该接地端，其该基极耦接相对该第二电阻件的一端，该第二电阻件的另一端则耦接至该控制单元的第一接脚。

3.根据权利要求2所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第二推挽式放大器设有一第四电晶体、一第五电晶体、一第六电晶体、一第三电阻件及一第四电阻件，该第四、五、六电晶体各设有一基极、一射极及一集极，该第四电晶体的集极分别耦接相对该第三开关组件的第一端与该第三电阻件的一端，其该射极与该第五电晶体的射极及该第三开关组件的第四端共同耦接，该第五电晶体的集极耦接至该接地端，其该基极与该第四电晶体之基极、该第三电阻件的另一端及该第六电晶体之集极共同耦接，该第六电晶体之射极耦接该控制单元的第一接脚，其该基极耦接相对该第四电阻件的一端，该第四电阻件的另一端则耦接至该控制单元的一第四接脚。

4.根据权利要求3所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第一开关组件包含一第一MOS电晶体、一第一电容件、一第五电阻件及一第六电阻件，该第一MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该源极连接该马达之一端，该第一电容件的一端及另一端分别连接该第一MOS电晶体的汲极与闸极，该第五电阻件的一端与该第一电容件的一端、该输入电压及该第一电晶体的集极共同电性连接，该第五电阻件的另一端则分别耦接该电容件的另一端与该第六电阻件的一端，该第六电阻件的另一端耦接相对该第一电晶体的射极。

5.根据权利要求4所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第二开关组件包含一第二MOS电晶体、一第七电阻件及一第八电阻件，该第二MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第二MOS开关件之汲极分别耦接该马达之一端及该第一MOS电晶体的源极，其该闸极分别耦接该第七电阻件与第八电阻件的一端，该第二MOS电晶体的源极则耦接该接地端与该第八电阻件的另一端，并该第七电阻件的另一端与相对该控制单元的第三接脚相耦接。

6.根据权利要求5所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第三开关组件包含一第三MOS电晶体、一第二电容件、一第九电阻件及一第十电阻件，该第三MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第三MOS电晶体之源极耦接该马达之另一端，其该汲极与该第一MOS电晶体的汲极、该第二电容件的一端及第九电阻件的一端共同耦接，并该第二电容件的另一端则分别与该第三MOS电晶体的闸极及该第九电阻件的另一端相耦接，该第十电阻件的一端与另一端分别与该第九电阻件的另一端与该第四电晶体的射极相耦接。

7.根据权利要求6所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第四开关组件包含一第四MOS电晶体、一第十一电阻件及一第十二电阻件，该第四MOS电晶体具有一闸极、一源极及一汲极，该第四MOS电晶体之汲极分别耦接该马达之另一端及该第三MOS电晶体的源极，其该闸极分别耦接该第十一电阻件与第十二电阻件的一端，该第四MOS电晶体的源极则耦接该接地端，并该第十一电阻件的另一端与相对该控制单元的第二接脚相耦接，该第十二电阻件的另一端耦接至该接地端。

8.根据权利要求7所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第一MOS电晶体、第三MOS电晶体为一PMOS电晶体，该第二MOS电晶体、第四MOS电晶体为一NMOS电晶体。

9.根据权利要求3所述之用以减少开关损耗之马达驱动电路，其特征在于，所述第一电晶体、第二电晶体、第三电晶体、第四电晶体、第五电晶体、第六电晶体为一BJT电晶体。