CN105656468A - 电子器件的开关控制装置、方法和电子器件 - Google Patents

电子器件的开关控制装置、方法和电子器件 Download PDF

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CN105656468A CN201610032300.7A CN201610032300A CN105656468A CN 105656468 A CN105656468 A CN 105656468A CN 201610032300 A CN201610032300 A CN 201610032300A CN 105656468 A CN105656468 A CN 105656468A
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孙伟
陈丽莉
陈忠君
李牧冰
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Abstract

本发明提供了一种电子器件的开关控制装置、方法和电子器件。所述电子器件的开关控制装置包括：高电平输出单元，与高电平输入端连接，用于向高电平输入端输出具有预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；逻辑电平输出单元，用于输出逻辑电平；以及，开关单元，控制端接入逻辑电平，第一端与接地端连接，第二端接入低电平，用于当逻辑电平处于第一状态时控制所述第一端与第二端连接，以控制开启电子器件，当所述逻辑电平处于第二状态时控制所述第一端不与所述第二端连接，以控制关闭所述电子器件。本发明所述的电子器件的开关控制装置、方法和电子器件能够产生幅值大的开启电压，能方便的控制电子器件的开启和关断。

Description

电子器件的开关控制装置、方法和电子器件
技术领域
本发明涉及电子器件的开关控制技术领域，尤其涉及一种电子器件的开关控制装置、方法和电子器件。
背景技术
如图1所示，现有技术是由电平转换电路11将逻辑控制器12输出的最大幅值为3.3V的高电平VC1，转换为最大幅值为5.5V的高电平VC2，然后将VC2输出至电子器件10的高电平输入端Singal，以控制打开该电子器件10，当该逻辑控制器12输出的是低电平时，电子器件10关闭；在图1中，电子器件10的接地端GND接地，地端标示为Gnd。但是现有的电平转换电路最大只能生成幅值为5.5V的高电平，但是有些电子器件的用于开启的高电平是大于5.5V的，因此采用现有的电平转换电路不能成功开启这些电子器件。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电子器件的开关控制装置、方法和电子器件，解决现有技术中由电平转换电路生成的高电平幅值小而不能满足所有的电子器件的开启控制的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种电子器件的开关控制装置，所述电子器件包括接地端和高电平输入端，所述开关控制装置包括：
高电平输出单元，与所述高电平输入端连接，用于向所述高电平输入端输出具有预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；
逻辑电平输出单元，用于输出逻辑电平；以及，
开关单元，控制端接入所述逻辑电平，第一端与所述接地端连接，第二端接入低电平，用于当所述逻辑电平处于第一状态时控制所述第一端与所述第二端连接，以控制开启所述电子器件，当所述逻辑电平处于第二状态时控制所述第一端不与所述第二端连接，以控制关闭所述电子器件。
实施时，所述高电平输出单元具体用于分时向所述高电平输入端输出具有不同的预定幅值的高电平。
实施时，所述开关单元包括：开关晶体管，控制极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
实施时，所述开关晶体管包括开关三极管；
所述开关三极管，基极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
实施时，所述开关晶体管包括开关MOS管或开关TFT；
所述开关晶体管，栅极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
实施时，在所述开关晶体管包括开关MOS管时，当所述开关MOS管为N沟道增强型MOS管或P沟道耗尽型MOS管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为高电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为低电平；
在所述开关晶体管包括开关MOS管时，当所述开关晶体管为P沟道增强型晶体管或N沟道耗尽型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为高电平。
本发明还提供了一种电子器件的开关控制方法，所述电子器件包括接地端和高电平输入端，所述开关控制方法包括：
高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；
逻辑电平输出单元输出逻辑电平；
当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，以控制打开所述电子器件；当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空，以控制关闭所述电子器件。
实施时，所述高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平步骤包括：
所述高电平输出单元分时向所述高电平输入端输出具有不同的预定幅值的高电平。
实施时，所述开关单元包括开关晶体管；
所述当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空步骤包括：
当所述逻辑电平为第一电平时，所述开关晶体管导通所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，当所述逻辑电平为第二电平时，所述开关晶体管断开所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，以使得所述电子器件的接地端悬空。
本发明还提供了一种电子器件，包括接地端和高电平输入端，述电子器件还包括上述的开关控制装置。
本发明所述的电子器件的开关控制装置、方法和电子器件能够产生比现有的电平转换器能产生的幅值更大的开启电压，并能方便的控制电子器件的开启和关断。
附图说明
图1是现有的电子器件的开关控制装置的结构图；
图2是本发明实施例所述的电子器件的开关控制装置的结构图；
图3A是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第一具体实施例的结构图；
图3B是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第二具体实施例的结构图；
图3C是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第三具体实施例的结构图；
图3D是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第四具体实施例的结构图；
图4A是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第五具体实施例的结构图；
图4B是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第六具体实施例的结构图；
图4C是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第七具体实施例的结构图；
图4D是本发明所述的电子器件的开关控制装置的第八具体实施例的结构图；
图5是本发明所述的电子器件的开关控制方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图2所示，本发明实施例所述的电子器件的开关控制装置，用于对电子器件20进行开关控制，所述电子器件20包括接地端GND和高电平输入端Signal；
所述开关控制装置包括：
高电平输出单元21，与所述高电平输入端Signal连接，用于向所述高电平输入端Signal输出具有预定幅值的高电平VCC；所述预定幅值大于预定电压；
逻辑电平输出单元22，用于输出逻辑电平LS；
以及，开关单元23，控制端Ctrl接入所述逻辑电平，第一端D1与所述接地端GND连接，第二端D2接入低电平VSS，用于当所述逻辑电平LS处于第一状态时控制所述第一端D1与所述第二端D2连接，以控制开启所述电子器件20，当所述逻辑电平处于第二状态时控制所述第一端D1与所述第二端D2不连接，以控制关闭所述电子器件20。
本发明实施例所述的开关控制装置通过高电平输出单元21向电子器件的高电平输入端Signal输出高电平VCC，与现有技术相比，该高电平VCC的幅值可以大于现有的电平转换器能够转换输出的最大高电压，例如5.5V，并且本发明实施例所述的开关控制装置通过开关单元23在逻辑电平LS处于第一状态时控制电子器件的接地端GND接入低电平VSS，例如此时GND可以接地，在这种情况下电子器件的高电平输入端Signal与接地端GND之间的电势差即为VCC，即使该电子器件的开启电压大于现有的电平转换器能够转换输出的最大高电压，本发明实施例所述的开关控制装置也可以顺利开启所述电子器件；而当逻辑电平LS处于第二状态时，开关单元23控制电子器件的接地端GND不接入低电平VSS，从而使得电子器件的接地端GND悬空，从而使得电子器件的高电平输入端Signal与接地端GND之间没有电势差，因此电子器件不能开启。
优选，所述高电平输出单元21可以具体用于分时向所述高电平输入端Signal输出具有不同的预定幅值的高电平，以满足不同时间电子器件的供电需要。例如，在图2所示的实施例中，在优选情况下，VCC可以分时幅值为6V、12V、24V或其他的电压值。
具体的，所述开关单元可以包括：开关晶体管，控制极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平；
当所述逻辑电平处于第一状态时，所述开关晶体管导通，电子器件的接地端接入低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关晶体管断开，电子器件的接地端接入低电平。
更具体的，所述开关晶体管可以包括开关三极管；
所述开关晶体管，基极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平；
当所述开关三极管接入的逻辑电平为高电平时，所述开关三极管导通，当所述开关三极管接入的逻辑电平为低电平时，所述开关三极管断开；
在实际操作时，所述开关三极管的第一极可以为集电极或发射极，所述开关三极管的第二极可以为发射极或集电极。
优选的，所述开关晶体管可以包括开关MOS(Metal-Oxide-semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)管或开关TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)；
所述开关晶体管，栅极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平；
当所述逻辑电平处于第一状态时，所述开关MOS管或所述开关TFT导通，电子器件的接地端接入低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关MOS管或所述开关TFT断开，电子器件的接地端接入低电平。
在实际操作时，所述开关三极管的第一极可以为源极或漏极，所述开关三极管的第二极可以为源极或漏极。
所述开关晶体管优选包括开关MOS管或开关TFT，所述开关MOS管和所述开关TFT的导通和关断速度很快，尤其是当所述开关晶体管采用开关MOS管时，其导通和关断速度可以满足适用于高速显示装置的电子器件。
具体的，当所述开关晶体管包括开关MOS管或开关TFT时，当所述开关晶体管为N型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为高电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为低电平；
当所述开关晶体管为P型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为高电平。
下面通过几个具体实施例来说明本发明所述的电子器件的开关控制装置，在以下的具体实施例中，所述电子器件均是以工业相机或射频开关为例的，但是所述电子器件包括但并不限于工业相机或射频开关，也可以为其他的由脉冲控制信号控制开关的电子器件。
在以下的具体实施例中，逻辑电平输出单元可以为逻辑电平控制器，例如FPGA(Field－ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列)、DSP(DigitalSignalProcessor，数字信号处理器)、ARM微处理器或单片机，但是并不限于此，该逻辑电平输出单元可以为任何可以输出逻辑电平的器件。
如图3A所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第一具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口Trigger，由高电平输出单元(图3A中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为N沟道增强型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为高电平时，M1导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图3B所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第二具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口Trigger，由高电平输出单元(图3B中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为P沟道耗尽型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为高电平时，M1导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图3C所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第三具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口Trigger，由高电平输出单元(图3C中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为N沟道耗尽型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为低电平时，M1导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图3D所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第四具体实施例中，电子器件为工业相机30，工业相机30的高电平输入端也即工业相机的触发接口Trigger，由高电平输出单元(图3D中未示)输出的高电平为幅值为6V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为P沟道增强型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器31的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述工业相机30的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器31输出的逻辑电平为低电平时，M1导通，工业相机30的接地端GND接地，此时Trigger与GND之间的电势差为6V，对工业相机来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足工业相机对信号电平的要求，实现工业相机的触发功能；
当逻辑电平控制器31输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，工业相机30的接地端GND悬空，则Trigger与GND之间不存在电势差，对于工业相机来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图4A所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第五具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4A中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为N沟道增强型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为高电平时，M1导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图4B所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第六具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4B中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为P沟道耗尽型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为高电平时，M1导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为低电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图4C所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第七具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4A中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为N沟道耗尽型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为低电平时，M1导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图4D所示，在本发明所述的电子器件的开关控制装置的第八具体实施例中，电子器件为射频开关40，射频开关40的高电平输入端也即射频开关40的高电平端VCC，由高电平输出单元(图4D中未示)输出的高电平为幅值为12V的高电平；
所述开关单元采用开关MOS管M1；M1为P沟道增强型MOS管；
M1的栅极G与逻辑电平控制器41的逻辑电平输出端连接，M1的漏极D与所述射频开关40的接地端GND连接，M1的源极S接入地端Gnd；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“0”时，即逻辑电平控制器41输出的逻辑电平为低电平时，M1导通，射频开关40的接地端GND接地，此时VCC与GND之间的电势差为6V，对射频开关来说接收到的触发电平是幅值为6V的高电平，满足射频开关对信号电平的要求，实现射频开关的触发功能；
当逻辑电平控制器41输出逻辑“1”时，即逻辑电平控制器输出的逻辑电平为高电平时，M1断开，射频开关40的接地端GND悬空，则VCC与GND之间不存在电势差，对于射频开关来说接收到的触发电平为低电平，不能满足触发要求。
如图5所示，本发明实施例所述的电子器件的开关控制方法，用于对电子器件进行开关控制，所述电子器件包括接地端和高电平输入端，所述开关控制方法包括：
S1：高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；
S2：逻辑电平输出单元输出逻辑电平；
S3：当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，以控制打开所述电子器件；当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空，以控制关闭所述电子器件。
本发明实施例所述的开关控制方法通过高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出高电平，与现有技术相比，该高电平的幅值可以大于现有的电平转换器能够转换输出的最大高电压，例如5.5V，并且本发明实施例所述的开关控制方法通过开关单元在逻辑电平处于第一状态时控制电子器件的接地端接入低电平，例如此时该电子器件的接地端可以接地，在这种情况下该电子器件的开启电压大于现有的电平转换器能够转换输出的最大高电压，可以顺利开启所述电子器件；而当逻辑电平处于第二状态时，开关单元控制电子器件的接地端不接入低电平，从而使得电子器件的接地端悬空，从而使得电子器件的高电平输入端与接地端之间没有电势差，因此电子器件不能开启。
具体的，所述高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平步骤包括：
所述高电平输出单元分时向所述高电平输入端输出具有不同的预定幅值的高电平。
具体的，所述开关单元可以包括开关晶体管；
所述当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空步骤包括：
当所述逻辑电平为第一电平时，所述开关晶体管导通所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，当所述逻辑电平为第二电平时，所述开关晶体管断开所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，以使得所述电子器件的接地端悬空。
本发明实施例所述的电子器件，包括接地端和高电平输入端，所述电子器件还上述的开关控制装置。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电子器件的开关控制装置，所述电子器件包括接地端和高电平输入端，其特征在于，所述开关控制装置包括：
高电平输出单元，与所述高电平输入端连接，用于向所述高电平输入端输出具有预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；
逻辑电平输出单元，用于输出逻辑电平；以及，
开关单元，控制端接入所述逻辑电平，第一端与所述接地端连接，第二端接入低电平，用于当所述逻辑电平处于第一状态时控制所述第一端与所述第二端连接，以控制开启所述电子器件，当所述逻辑电平处于第二状态时控制所述第一端不与所述第二端连接，以控制关闭所述电子器件。
2.如权利要求1所述的电子器件的开关控制装置，其特征在于，所述高电平输出单元具体用于分时向所述高电平输入端输出具有不同的预定幅值的高电平。
3.如权利要求1或2所述的电子器件的开关控制装置，其特征在于，所述开关单元包括：开关晶体管，控制极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
4.如权利要求3所述的电子器件的开关控制装置，其特征在于，所述开关晶体管包括开关三极管；
所述开关三极管，基极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
5.如权利要求3包括所述的电子器件的开关控制装置，其特征在于，所述开关晶体管包括开关MOS管或开关TFT；
所述开关晶体管，栅极接入所述逻辑电平，第一极与所述接地端连接，第二极接入低电平。
6.如权利要求5所述的电子器件的开关控制装置，其特征在于，在所述开关晶体管包括开关MOS管时，当所述开关MOS管为N沟道增强型MOS管或P沟道耗尽型MOS管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为高电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为低电平；
在所述开关晶体管包括开关MOS管时，当所述开关晶体管为P沟道增强型晶体管或N沟道耗尽型晶体管时，当所述逻辑电平处于第一状态时，所述逻辑电平为低电平，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述逻辑电平为高电平。
7.一种电子器件的开关控制方法，所述电子器件包括接地端和高电平输入端，其特征在于，所述开关控制方法包括：
高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平；所述预定幅值大于预定电压；
逻辑电平输出单元输出逻辑电平；
当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，以控制打开所述电子器件；当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空，以控制关闭所述电子器件。
8.如权利要求7所述的电子器件的开关控制方法，其特征在于，所述高电平输出单元向电子器件的高电平输入端输出预定幅值的高电平步骤包括：
所述高电平输出单元分时向所述高电平输入端输出具有不同的预定幅值的高电平。
9.如权利要求7或8所述的电子器件的开关控制方法，其特征在于，所述开关单元包括开关晶体管；
所述当所述逻辑电平处于第一状态时，开关单元控制低电平接入所述电子器件的接地端，当所述逻辑电平处于第二状态时，所述开关单元控制所述电子器件的接地端悬空步骤包括：
当所述逻辑电平为第一电平时，所述开关晶体管导通所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，当所述逻辑电平为第二电平时，所述开关晶体管断开所述电子器件的接地端与低电平输入端之间的连接，以使得所述电子器件的接地端悬空。
10.一种电子器件，包括接地端和高电平输入端，其特征在于，所述电子器件还包括如权利要求1至6中任一权利要求所述的开关控制装置。
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