CN105753495A - 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法 - Google Patents

一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105753495A
CN105753495A CN201610050449.8A CN201610050449A CN105753495A CN 105753495 A CN105753495 A CN 105753495A CN 201610050449 A CN201610050449 A CN 201610050449A CN 105753495 A CN105753495 A CN 105753495A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper foil
oxidizing
time
target temperature
ceramic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610050449.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105753495B (zh
Inventor
秦先志
罗小阳
唐甲林
贺瑜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Newccess Industrial Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Newccess Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Newccess Industrial Co Ltd filed Critical Shenzhen Newccess Industrial Co Ltd
Priority to CN201610050449.8A priority Critical patent/CN105753495B/zh
Publication of CN105753495A publication Critical patent/CN105753495A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105753495B publication Critical patent/CN105753495B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/54—Oxidising the surface before joining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

本发明公开一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，本发明清洗采用强酸性清洗剂并搭配清洗机，可清除铜箔表面可能就存在的CuO，保证后期的氧化的均匀性。另外，水洗采用4?8次蒸馏水漂洗，可充分除去表面残留的清洗剂，避免后续出现误差。水洗后采用在低温下自然风干的方式晾干，可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化，保证后期氧化的均匀性。氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明，不同条件的氧气含量，不同的温度区分，最大限度的避免出现交叉的化学反应，同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层，可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应，可较好的保证氧化层厚度的均匀性。

Description

一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法
技术领域
本发明涉及陶瓷基板烧制领域，尤其涉及一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法。
背景技术
之前的预氧化技术中铜箔的氧化条件和工艺匹配性较差，铜箔表面氧化不够充分，表面Cu2O的厚度不够，且均匀性差。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，旨在解决现有预氧化方法使得铜箔表面氧化不够充分，表面Cu2O的厚度不够，且均匀性差的问题。
本发明的技术方案如下：
一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，包括步骤：
A、使用强酸性清洗剂并搭配清洗机清洗铜箔表面；
B、然后使用蒸馏水漂洗4-8次，自然风干待用；
C、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化的条件为：铜箔在氧气含量为800-2000ppm的环境下，环境温度由室温升至150-500℃，到达目标温度后保温10-30min；
D、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化的条件为：环境中氧气含量为200-1000ppm，由第一次氧化时的温度升至650-850℃，到达目标温度后保温10-20min；
E、保持步骤D的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，步骤A中，强酸性清洗剂为浓硫酸重铬酸钾混合物、硝酸氢氟酸混合物、磷酸氧化铬酒精甲醛混合物中的一种。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，步骤A中，清洗机为超声波清洗机或者离子清洗机。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，步骤C中，升温速度为15-30℃/min。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，步骤D中，升温速度为10-25℃/min。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，步骤E中，降温速度为10-20℃/min。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中， 第一次氧化的条件为：升温速率25℃/min，目标温度400℃，保温时间10min，氧气含量为900ppm。
所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其中，第二次氧化的条件为：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，保温时间15min，氧气含量500ppm。
有益效果：本发明清洗采用强酸性清洗剂并搭配清洗机，可清除铜箔表面可能就存在的CuO，保证后期的氧化的均匀性。另外，水洗采用4-8次蒸馏水漂洗，可充分除去表面残留的清洗剂，避免后续出现误差。水洗后采用在自然风干的方式晾干，可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化，保证后期氧化的均匀性。氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明，不同条件的氧气含量，不同的温度区分，最大限度的避免出现交叉的化学反应，同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层，可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应，可较好的保证氧化层厚度及氧化层的均匀性。
附图说明
图1为本发明一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法另一较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法较佳实施例，其包括步骤：
A、使用强酸性清洗剂并搭配清洗机清洗铜箔表面；
优选地，所述步骤A中，强酸性清洗剂可以为浓硫酸重铬酸钾混合物、硝酸氢氟酸混合物、磷酸氧化铬酒精甲醛混合物等中的一种。采用上述强酸性清洗剂均可有效清洗铜箔表面可能就存在的CuO，以保证后期的氧化的均匀性。优选地，清洗机可以为超声波清洗机或者离子清洗机，以彻底清洗铜箔表面可能就存在的CuO，进一步提高后期的氧化的均匀性。
B、然后使用蒸馏水漂洗4-8次，自然风干待用；
所述步骤B中，使用蒸馏水漂洗4-8次，可充分除去表面残留的强酸性清洗剂，避免后续出现误差。蒸馏水漂洗后，采用在低温（不大于50℃）下自然风干的方式晾干，可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化，保证后期氧化的均匀性。
C、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化的条件为：铜箔在氧气含量为800-2000ppm的环境下，环境温度由室温升至150-500℃，到达目标温度后保温10-30min；
优选地，步骤C中，升温速度为15-30℃/min，在该升温速度下，可有效保证铜箔氧化的均匀性。
所述步骤C中，第一次氧化完成后，铜箔表面呈现棕黑色。第一次氧化时发生的化学反应是：2Cu+O2=2CuO。
D、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化的条件为：环境中氧气含量为200-1000ppm，由第一次氧化时的温度升至650-850℃，到达目标温度后保温10-20min；
优选地，步骤D中，升温速度为10-25℃/min，在该升温速度下，可有效保证铜箔氧化的均匀性，保证氧化层厚度的均匀性。
所述步骤D中，第二次氧化完成后，铜箔表面呈现粉棕色。第二次氧化时发生的化学反应是：4CuO=2Cu2O+O2。
本发明氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明，不同条件的氧气含量，不同的温度区分，最大限度地避免出现交叉的化学反应，同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层，可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应，从而较好的保证氧化层厚度的均匀性。
E、保持步骤D的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
优选地，步骤E中，降温速度为10-20℃/min。
即步骤E中，保持环境中氧气含量不变，缓慢降温，降温速度为10-20℃/min，直至室温。
请结合图1，图1为本发明一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法另一较佳实施例的流程图，如图所示，其包括：铜箔强酸性清洗剂并搭配清洗机清洗，然后蒸馏水漂洗4-8次，接着在不大于50度下风干，得到清洁铜箔；清洁铜箔进行第一次氧化，第一次氧化条件为：升温速度为15-30度/min，环境温度升至150-500℃，然后保温10-30min，得到黑色铜箔；铜箔进行第二次氧化，第二次氧化条件为：升温速度为10-25度/min，环境温度升至650-850℃，然后保温10-20min，最后，降温速度为10-20℃/min，降温至室温，得到粉棕色铜箔。通过本发明上述预氧化方法得到的铜箔表面氧化较充分，且保证了氧化层厚度的均匀性。
下面通过具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
1）、使用浓硫酸重铬酸钾混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗6次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃，氧气含量为900ppm的环境，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量为500ppm的环境，到达目标温度后保温15min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例2
1）、使用浓硫酸重铬酸钾混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗4次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率20℃/min，目标温度450℃，氧气含量为900ppm，到达目标温度后保温7min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温15min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例3
1）、使用浓硫酸重铬酸钾混合物并搭配离子清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗8次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率18℃/min，目标温度500℃，氧气含量900ppm，到达目标温度后保温5min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温15min。
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例4
1）、使用硝酸氢氟酸混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗6次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃, 氧气含量900ppm，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：20℃/min，目标温度750℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温10min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例5
1）、使用硝酸氢氟酸混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗4次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃，氧气含量900ppm，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温5min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例6
1）、使用硝酸氢氟酸混合物并搭配离子清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗8次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度350℃，氧气含量1000ppm，到达目标温度后保温12min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量400ppm，到达目标温度后保温7min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例7
1）、使用硝酸氢氟酸混合物并搭配离子清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗5次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度300℃, 氧气含量1100ppm，到达目标温度后保温15min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量300ppm，到达目标温度后保温5min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例8
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配超声波清洗机清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗7次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃，氧气含量为900ppm，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温15min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例9
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗6次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率20℃/min，目标温度450℃， 氧气含量为900ppm，到达目标温度后保温7min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温15min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例10
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗4次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率18℃/min，目标温度500℃，氧气含量900ppm，到达目标温度后保温5min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温15min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例11
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配离子清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗8次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃，氧气含量900ppm，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：20℃/min，目标温度750℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温10min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例12
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配超声波清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗5次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度400℃，氧气含量900ppm，到达目标温度后保温10min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量500ppm，到达目标温度后保温5min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例13
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配离子清洗机清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗7次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度350℃，氧气含量1000ppm，到达目标温度后保温12min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量400ppm，到达目标温度后保温7min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
实施例14
1）、使用磷酸氧化铬酒精甲醛混合物并搭配离子清洗机清洗铜箔表面；
2）、然后使用蒸馏水漂洗6次，自然风干待用；
3）、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化条件：升温速率25℃/min，目标温度300℃，氧气含量1100ppm，到达目标温度后保温15min；
4）、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化条件：升温速率：25℃/min，目标温度800℃，氧气含量300ppm，到达目标温度后保温5min；
5）、保持步骤4）的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
上述实施例1~14结果发现，铜箔表面氧化充分，保证表面Cu2O的厚度，且均匀性高。
综上所述，本发明提供的一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，本发明清洗采用强酸性清洗剂及相关清洗设备，可清除铜箔表面可能就存在的CuO，保证后期的氧化的均匀性。另外，水洗采用4-8次蒸馏水漂洗，可充分除去表面残留的清洗剂，避免后续出现误差。水洗后采用在低温下自然风干的方式晾干，可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化，保证后期氧化的均匀性。氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明，不同条件的氧气含量，不同的温度区分，最大限度的避免出现交叉的化学反应，同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层，可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应，可较好的保证氧化层厚度及氧化层的均匀性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，包括步骤：
A、使用强酸性清洗剂并搭配清洗机清洗铜箔表面；
B、然后使用蒸馏水漂洗4-8次，自然风干待用；
C、将铜箔进行第一次氧化，其中，第一次氧化的条件为：铜箔在氧气含量为800-2000ppm的环境下，环境温度由室温升至150-500℃，到达目标温度后保温10-30min；
D、将铜箔进行第二次氧化，其中，第二次氧化的条件为：环境中氧气含量为200-1000ppm，由第一次氧化时的温度升至650-850℃，到达目标温度后保温10-20min；
E、保持步骤D的环境氧气含量不变，缓慢降温至室温。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，步骤A中，强酸性清洗剂为浓硫酸重铬酸钾混合物、硝酸氢氟酸混合物、磷酸氧化铬酒精甲醛混合物中的一种。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，步骤A中，清洗机为超声波清洗机或者离子清洗机。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，步骤C中，升温速度为15-30℃/min。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，步骤D中，升温速度为10-25℃/min。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，步骤E中，降温速度为10-20℃/min。
7.根据权利要求4所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于， 第一次氧化的条件为：升温速率25℃/min，目标温度400℃，保温时间10min，氧气含量为900ppm。
8.根据权利要求5所述的陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，其特征在于，第二次氧化的条件为：升温速率：15℃/min，目标温度700℃，保温时间15min，氧气含量500ppm。
CN201610050449.8A 2016-01-26 2016-01-26 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法 Active CN105753495B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610050449.8A CN105753495B (zh) 2016-01-26 2016-01-26 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610050449.8A CN105753495B (zh) 2016-01-26 2016-01-26 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105753495A true CN105753495A (zh) 2016-07-13
CN105753495B CN105753495B (zh) 2018-07-06

Family

ID=56342544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610050449.8A Active CN105753495B (zh) 2016-01-26 2016-01-26 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105753495B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113355629A (zh) * 2021-05-19 2021-09-07 上海富乐华半导体科技有限公司 一种厚铜箔的预氧化处理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931321A (zh) * 2012-11-16 2013-02-13 上海申和热磁电子有限公司 薄铜dbc基板的制作方法
CN103117256A (zh) * 2011-11-17 2013-05-22 上海申和热磁电子有限公司 陶瓷覆铜基板及其制造方法
CN103762181A (zh) * 2014-01-02 2014-04-30 上海申和热磁电子有限公司 氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法
CN103819214A (zh) * 2014-01-10 2014-05-28 南京中江新材料科技有限公司 一种AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103117256A (zh) * 2011-11-17 2013-05-22 上海申和热磁电子有限公司 陶瓷覆铜基板及其制造方法
CN102931321A (zh) * 2012-11-16 2013-02-13 上海申和热磁电子有限公司 薄铜dbc基板的制作方法
CN103762181A (zh) * 2014-01-02 2014-04-30 上海申和热磁电子有限公司 氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法
CN103819214A (zh) * 2014-01-10 2014-05-28 南京中江新材料科技有限公司 一种AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113355629A (zh) * 2021-05-19 2021-09-07 上海富乐华半导体科技有限公司 一种厚铜箔的预氧化处理方法
CN113355629B (zh) * 2021-05-19 2022-08-16 上海富乐华半导体科技有限公司 一种厚铜箔的预氧化处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105753495B (zh) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO20075542L (no) Sammensetning for rensing av ioneimplantert fotoresist i innledende del av produksjonslinjer
CN104307781A (zh) 去除附着于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法
CN109092792A (zh) 一种陶瓷基片表面处理方法
CN105753495A (zh) 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法
CN105002564A (zh) 一种环保型蓝宝石膜层退镀液及其使用方法
CN106906464A (zh) 一种小线径弹簧钢丝的生产工艺
JP2017147336A (ja) 着色膜の形成方法
CN106935784B (zh) 一种锂电池极耳表面处理方法
CN108057681B (zh) 一种热失重仪氧化铝坩埚的清洗方法
CN105470202B (zh) 分栅快闪存储器浮栅尖端的制造方法
CN104051711B (zh) 一种正板高温固化工艺
CN208182611U (zh) 一种硅基结构的微热板
CN107895786B (zh) 柔性自支撑SnS/碳泡沫复合材料及其制备方法和应用
CN102361377B (zh) 一种电机绕组加工工艺
CN111233346B (zh) 一种退镀剂及其制备方法、退镀方法和应用
CN103866316A (zh) 一种铍材化学钝化处理方法
CN106220246A (zh) 一种陶瓷基板烧制用陶瓷片及其处理方法
US2276647A (en) Manufacture of copper-oxide rectifiers
JP6402100B2 (ja) プロトン伝導性膜用補強材並びにこれを含んだプロトン伝導性膜および固体高分子型燃料電池
CN112122080A (zh) 一种生态地板加工用喷涂工艺
JPH09233780A (ja) 積層モーターコア表面に電気絶縁被膜を被覆する方法
JP6468008B2 (ja) 余熱乾燥式食器洗い乾燥機の製造方法
CN104404486A (zh) 一种铝材氧化后的处理方法
TWI695909B (zh) 鎂合金表面處理工藝
CN106200259A (zh) 低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant