CN105742316B - 薄膜晶体管阵列基底和包括该基底的有机发光显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基底和包括该基底的有机发光显示装置 Download PDF

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Abstract

提供了薄膜晶体管(TFT)阵列基底和包括该TFT阵列基底的有机发光显示装置，该TFT阵列基底包括：驱动TFT，设置在基底上；和开关TFT，设置在基底上并包括：开关半导体层，包括开关沟道区、开关源区和开关漏区；以及与开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极。开关源电极包括与开关源区接触的源接触部，开关漏电极包括与开关漏区接触的漏接触部。源接触部掺杂有与开关源区的离子不同的离子，漏接触部掺杂有与开关漏区的离子不同的离子。

Description

薄膜晶体管阵列基底和包括该基底的有机发光显示装置
本申请要求于2014年12月29日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0192549号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底和包括该TFT阵列基底的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是自发射显示装置，所述自发射显示装置包括空穴注入电极、电子注入电极和有机发光二极管(OLED)，所述OLED包括在空穴注入电极与电子注入电极之间形成的有机发射层，当激子由激发态变为基态时所述自发射显示装置产生光，所述激子是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中彼此结合时产生的。
作为自发射显示装置的有机发光显示装置可以以低电压操作，因为它们不需要光源而可被构造为轻质且纤薄的，并且由于它们的宽视角、高对比度和快速响应时间而作为下一代显示装置备受关注。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底和包括该TFT阵列基底的有机发光显示装置。
另外的方面将会在下面的描述中部分地阐述，部分地通过该描述将是明显的，或者可通过实施给出的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底包括：驱动TFT，设置在基底上；以及开关TFT，设置在基底上并包括：开关半导体层，包括开关沟道区、开关源区和开关漏区；以及与开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极，其中，开关源电极包括与开关源区接触的源接触部，开关漏电极包括与开关漏区接触的漏接触部，其中，源接触部掺杂有与开关源区的离子不同的离子，漏接触部掺杂有与开关漏区的离子不同的离子。
开关源区和开关漏区可以是p型掺杂的，源接触部和漏接触部可以是n型掺杂的。
开关源区和开关漏区可以是n型掺杂的，源接触部和漏接触部可以是p型掺杂的。
在源接触部和开关源区中，势垒高度可以由于p-n结而增大。
在漏接触部和开关漏区中，势垒高度可以由于p-n结而增大。
该TFT阵列基底还可包括存储电容器，存储电容器包括：第一电极，连接到驱动TFT的驱动栅电极；和第二电极，设置在第一电极上并与第一电极绝缘。
该TFT阵列基底还可包括层间绝缘膜，层间绝缘膜包括开口，其中，第二电极设置在开口中。
根据一个或更多个实施例，一种有机发光显示装置包括：显示区，包括多个像素；非显示区，设置在显示区周围，其中，多个像素中的每个包括：驱动薄膜晶体管(TFT)，设置在基底上；开关TFT，设置在基底上并包括：开关半导体层，包括开关沟道区、开关源区和开关漏区；以及与开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极，其中，开关源电极包括与开关源区接触的源接触部，开关漏电极包括与开关漏区接触的漏接触部，其中，源接触部掺杂有与开关源区的离子不同的离子，漏接触部掺杂有与开关漏区的离子不同的离子。
开关源区和开关漏区可以是p型掺杂的，源接触部和漏接触部可以是n型掺杂的。
开关源区和开关漏区可以是n型掺杂的，源接触部和漏接触部可以是p型掺杂的。
该有机发光显示装置还可包括存储电容器，存储电容器包括：第一电极，连接到驱动TFT的驱动栅电极；和第二电极，设置在第一电极上并与第一电极绝缘。
驱动TFT和存储电容器可被布置成使得驱动TFT的至少一部分与存储电容器的至少一部分彼此叠置。
附图说明
这些/或其他方面通过以下的结合附图进行的描述而将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是示出了根据实施例的有机发光显示装置的图；
图2是示出了根据实施例的有机发光显示装置的一个像素的等效电路图；
图3是示出了根据实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列基底的剖视图；
图4是示出了根据实施例的开关漏电极的接触图3的开关半导体层的一部分的放大图；
图5是示出了根据另一实施例的TFT阵列基底的剖视图；
图6是示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明构思，附图中示出了某些实施例。然而，应理解的是，没有意图将实施例局限于公开的具体形式，而是相反地，实施例将覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替换物。附图中同样的附图标记一般表示同样的元件。
将被理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语只是用来将一个元件与另一个元件区分开。
这里使用的术语只是为了描述实施例的目的，而不意图成为限制。将被理解的是，当这里使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和所有组合。当诸如“中的至少一个(种)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件，而不是修饰该列的个别元件。
现在将参照附图更充分地描述本公开，附图中示出了某些实施例。
图1是示出了根据实施例的有机发光显示装置1000的图。
有机发光显示装置1000包括显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50，显示单元10包括多个像素1。
显示单元10包括多个像素1，多个像素1以矩阵的形式布置在多条扫描线SL1至SLn+1、多条数据线DL1至DLm和多条发射控制线EL1至ELn的交叉处。多条扫描线SL1至SLn+1和多条发射控制线EL1至ELn在作为行方向的第二方向上延伸，多条数据线DL1至DLm和驱动电压线ELVDDL在作为列方向的第一方向上延伸。一个像素行中的多条扫描线SL1至SLn+1的n值可以不同于多条发射控制线EL1至ELn的n值。
每个像素1连接到与显示单元10连接的多条扫描线SL1至SLn+1中的三条扫描线。扫描驱动器20产生三种扫描信号并通过多条扫描线SL1至SLn+1将三种扫描信号发送到每个像素1。即，扫描驱动器20顺序地将扫描信号施加到第一扫描线SL2～SLn、第二扫描线SL1～SLn-1和第三扫描线SL3～SLn+1。
外部电源VINT可以将显示单元初始化电压施加到初始化电压线IL。
此外，每个像素1连接到与显示单元10连接的多条数据线DL1至DLm中的一条数据线并连接到与显示单元10连接的多条发射控制线EL1至ELn中的一条发射控制线。
数据驱动器30通过多条数据线DL1至DLm将数据信号发送到每个像素1。每当扫描信号被施加到第一扫描线SL2～SLn时，数据信号被施加到由扫描信号选择的像素1。
发射控制驱动器40产生发射控制信号并通过多条发射控制线EL1至ELn将发射控制信号发送到每个像素1。发射控制信号用来控制每个像素1的发射时间。根据每个像素1的内部结构，可以省略发射控制驱动器40。
控制器50将从外部发送的多个图像信号R、G和B转换成多个图像数据信号DR、DG和DB，并将图像数据信号DR、DG和DB发送到数据驱动器30。此外，控制器50接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，并且产生控制信号并将控制信号分别发送到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40以控制它们。控制器50分别产生并且发送用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS和用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS。
第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS可以从外部施加到多个像素1中的每个。第一电源电压ELVDD可以是高电平电压，第二电源电压ELVSS可以是电平低于第一电源电压ELVDD的电平的电压，或者可以是地电压。第一个电源电压ELVDD通过驱动电压线ELVDDL施加到每个像素1。
由于根据通过多条数据线DL1至DLm发送的数据信号供应到发光器件的驱动电流，因此每个像素1发射预定亮度的光。
图2是示出了根据实施例的有机发光显示装置1000的一个像素1的等效电路图。
有机发光显示装置1000的像素1包括像素电路2，像素电路2包括多个TFT和至少一个存储电容器Cst。像素1可以包括从像素电路2接收驱动电流并发光的有机发光二极管(OLED)。
多个TFT包括驱动TFT T1、数据发送TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
像素1包括将第一扫描信号Sn发送到数据发送TFT T2和补偿TFT T3的第一扫描线14、将第二扫描信号Sn-1发送到第一初始化TFT T4的第二扫描线24、将第三扫描信号Sn+1发送到第二初始化TFT T7的第三扫描线34、将发射控制信号En发送到第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6的发射控制线15、发送数据信号Dm的数据线16、发送第一电源电压ELVDD的驱动电压线26以及发送用于初始化驱动TFT T1的初始化电压VINT的初始化电压线22。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一电极C1。驱动TFT T1的驱动源电极S1通过第一发射控制TFT T5连接到驱动电压线26。驱动TFT T1的驱动漏电极D1通过第二发射控制TFT T6电连接到OLED的像素电极(例如阳极)。驱动TFT T1根据数据发送TFT T2的开关操作接收数据信号Dm并将驱动电流Id供应到OLED。
数据发送TFT T2的数据发送栅电极G2连接到第一扫描线14。数据发送TFT T2的数据发送源电极S2连接到数据线16。数据发送TFT T2的数据发送漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并通过第一发射控制TFT T5连接到驱动电压线26。数据发送TFT T2根据通过第一扫描线14接收的第一扫描信号Sn而导通，并且执行将发送到数据线16的数据信号Dm发送到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到第一扫描线14。补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并通过第二发射控制TFT T6连接到OLED的阳极。补偿TFTT3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一电极C1、第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3根据通过第一扫描线14接收的第一扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1连接来以二极管接法连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到第二扫描线24。第一初始化TFTT4的第一初始化漏电极D4连接到初始化电压线22。第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4连接到存储电容器Cst的第一电极C1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4根据通过第二扫描线24接收的第二扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压VINT发送到驱动TFT T1的驱动栅电极G1来执行将驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
第一发射控制TFT T5的第一发射控制栅电极G5连接到发射控制线15。第一发射控制TFT T5的第一发射源电极S5连接到驱动电压线26。第一发射控制TFT T5的第一发射漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和数据发送TFT T2的数据发送漏电极D2。
第二发射控制TFT T6的第二发射控制栅电极G6连接到发射控制线15。第二发射控制TFT T6的第二发射源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3。第二发射控制TFT T6的第二发射控制漏电极D6电连接到OLED的阳极。第一发射控制TFT T5与第二发射控制TFT T6根据通过发射控制线15接收的发射控制信号En同时导通，第一电源电压ELVDD发送到OLED，并且驱动电流Id流入OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到第三扫描线34。第二初始化TFTT7的第二初始化源电极S7连接到OLED的阳极。第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到初始化电压线22。第二初始化TFT T7根据通过第三扫描线34接收到的第三扫描信号Sn+1导通，并初始化OLED的阳极。
存储电容器Cst的第二电极C2连接到驱动电压线26。存储电容器Cst的第一电极C1连接到驱动TFT T1的驱动栅电极G1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4。
OLED的阴极连接到第二电源电压ELVSS。OLED通过从驱动TFT T1接收驱动电流并发光来显示图像。
图3是示出了根据实施例的TFT阵列基底的剖视图。图4是示出了根据实施例的开关漏电极的接触开关半导体层的一部分的放大图。
术语“TFT阵列基底”是指包括至少一个TFT的基底。这里使用的术语“TFT阵列基底”是指其中多个TFT有规律地布置、多个TFT无规律地布置或只设置一个TFT的基底。
尽管在一些实施例中TFT阵列基底被应用于有机发光显示装置1000，但是本公开并不限于此。TFT阵列基底可以应用于诸如液晶显示装置、电泳显示装置或等离子体显示装置或其他显示装置的各种显示装置中的任意一种。
为了清楚，沿着切割线截取的剖视图中存在的与驱动TFT T1、开关TFT、存储电容器Cst不相关的元件(例如一些布线、一些电极和一些半导体层)没有在图3中示出。
如图3所示，TFT阵列基底可以包括驱动TFT T1、存储电容器Cst、开关TFT、第一层间绝缘膜150和第二层间绝缘膜170。这里使用的术语“开关TFT”是指除了驱动TFT T1之外的并且主要执行开关操作的TFT。即，开关TFT可以与数据发送TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7中的任意一个对应。第二发射控制TFT T6与图3中的开关TFT(后文中被称作开关TFT T6)对应。
驱动TFT T1包括驱动半导体层A1、驱动栅电极G1、驱动源电极S1和驱动漏电极D1。驱动栅电极G1可以与存储电容器Cst的第一电极C1的层用同一层一体地形成。
开关TFT T6包括开关半导体层A6、与第二发射控制栅电极G6对应的开关栅电极(后文中被称作开关栅电极G6)、与第二发射控制源电极S6对应的开关源电极(后文中被称作开关源电极S6)和与第二发射控制漏电极D6对应的开关漏电极(后文中被称作开关漏电极D6)。开关半导体层A6可以包括掺杂有杂质的开关漏区121和开关源区125以及在开关漏区121与开关源区125之间形成的开关沟道区123。将会在下文中更详细地解释开关半导体层A6。
第一层间绝缘膜150和第二层间绝缘膜170堆叠在开关TFT T6上。存在这样的部分，在该部分，只有第一层间绝缘膜150设置在存储电容器Cst的第一电极C1与第二电极C2之间。
为了确保TFT阵列基底的高性能和/或高集成度，可以布置各种布线和各种TFT，布线可以彼此叠置或者布线与TFT可以彼此叠置。因此，在TFT阵列基底中会出现寄生电容和/或信号干扰。
第二层间绝缘膜170还可以设置在布线之间和/或布线与TFT之间，从而减小寄生电容和/或信号干扰。由于存在其中第二层间绝缘膜170没有设置在存储电容器Cst的第一电极C1与第二电极C2之间的一部分，因此可以保持高存储容量。
提供了第一层间绝缘膜150，以确保存储电容器Cst的高存储容量。为了增大存储容量，第一层间绝缘膜150的厚度t1可以是小的，和/或可使用具有高介电常数的材料形成第一层间绝缘膜150。
提供了第二层间绝缘膜170，以减小寄生电容。为了减小寄生电容，第二层间绝缘膜170的厚度t2可以是大的，和/或可使用具有低介电常数的材料形成第二层间绝缘膜170。
在一些实施例中，第二层间绝缘膜170的厚度t2可以大于第一层间绝缘膜150的厚度t1。例如，第二层间绝缘膜170的厚度t2可是第一层间绝缘膜150的厚度t1的大约二至五倍大。第二层间绝缘膜170的厚度t2可以在大约1μm至大约5μm的范围内。第一层间绝缘膜150的厚度t1可以在大约0.2μm至大约1μm的范围内。然而，实施例并不限制于此。例如，在一些实施例中，第二层间绝缘膜170的厚度t2可以小于或等于第一层间绝缘膜150的厚度t1。
在一些实施例中，第二层间绝缘膜170的介电常数可以小于第一层间绝缘膜150的介电常数。
在一些实施例中，第二层间绝缘膜170可以包括有机材料，第一层间绝缘膜150可以包括无机材料。与当第二层间绝缘膜170包括无机材料时相比，当第二层间绝缘膜170包括有机材料时的第二层间绝缘膜170的厚度可以更容易较大。因此，当第二层间绝缘膜170包括有机材料，第一层间绝缘膜150包括无机材料时，第二层间绝缘膜170的厚度t2大于第一层间绝缘膜150的厚度t1并且第二层间绝缘膜170的材料具有低介电常数的可能性可以增大。
返回参照图3，缓冲层111可以形成在基底110上。缓冲层111可以防止杂质离子的扩散，并防止潮气或外部空气渗透到有机发光二极管中，并且可用作用于使基底110的表面平坦化的阻断层和/或阻挡层。
驱动半导体层A1和开关半导体层A6形成在缓冲层111上。驱动半导体层A1和开关半导体层A6中的每个可以包括多晶硅，并且可以包括未掺杂杂质的沟道区以及形成在沟道区两侧并掺杂有杂质的源区和漏区。杂质可以根据TFT的类型而改变，可以是N型杂质或P型杂质。尽管只有第二发射控制TFT T6在图3中示出，但是数据发送TFT T2的数据发送半导体层A2、补偿TFT T3的补偿半导体层A3、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层A4、第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层A7和第一发射控制TFT T5的第一发射控制半导体层A5也可以同时形成，以连接到驱动半导体层A1和第二发射控制半导体层A6。
如上所述，开关半导体层A6可以包括未掺杂杂质的开关沟道区123以及形成在开关沟道区123两侧并掺杂有杂质的开关源区125和开关漏区121。
参照图4，开关漏电极D6的接触开关漏区121的部分可以被称作漏接触部DC。即，只有开关漏区121的局部地接触开关漏电极D6的中心部分与漏接触部DC对应。开关漏区121的不直接接触开关漏电极D6的部分设置在漏接触部DC的两侧。
尽管没有在图4中示出，但是开关源电极S6的接触开关源区125的部分被称作源接触部SC。即，只有开关源区125的局部地接触开关源电极S6的中心部分与源接触部SC对应。
在TFT阵列基底中，掺杂到漏接触部DC中的杂质离子可以与掺杂到开关漏区121中的杂质离子不同，如图4所示。
此外，掺杂到源接触部SC中的杂质离子可以与掺杂到开关源区125中的杂质离子不同。
当局部地不同的杂质离子只掺杂到开关漏区121的漏接触部DC或者开关源区125的源接触部SC中时，p-n结可以沿着边界形成。
术语“p-n结”是指半导体之间的具有在现代电子学中有用的性质的界面。P型半导体和N型半导体都具有高导电率，然而位于P型半导体和N型半导体之间的界面具有低导电率。
半导体之间的具有低导电率的界面被称作耗尽区，其中，当作为P型半导体的载流子的空穴与作为N型半导体的载流子的电子彼此吸引，彼此复合并扩散开时形成耗尽区。
二极管可以通过使用这种具有低导电率的耗尽区来形成。术语“二极管”是指电流只可在一个方向上流动且不能在另一个方向上流动的器件。
在形成有p-n结的区域中，在能量方面，势垒高度增大。
开关漏区121、开关源区125、漏接触部DC和源接触部SC可以根据离子的类型掺杂有N型杂质或P型杂质。
掺杂有N型杂质的目的是增加作为载流子的电子。由于如上所述，开关半导体层A6可以包括多晶硅，因此将硅作为例子来解释。每个硅原子具有四个电子，并与四个相邻的硅原子形成四个共价键。
当将具有五个电子的原子(例如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)或铋(Bi))添加到硅原子的晶体结构时，添加的原子具有四个共价键，并剩余一个未被共用的电子。剩余的电子比较弱地约束于添加的原子，因此剩余的电子容易跃迁到导带。在室温下，任何这种电子实际上都跃迁到导带。当电子以这种方式跃迁时，不形成电子空穴，因此在N型掺杂的材料中，电子比电子空穴多得多。在此情况下，电子变成多数载流子，电子空穴变成少数载流子。
相反地，掺杂有P型杂质的目的是增加电子空穴。当将三价原子(例如硼(B)、铝(Al)、铟(In)或镓(Ga))添加到硅原子的晶体结构时，由于缺乏一个电子，所以硅原子的四个共价键中的一个键是不完整的。
因此，作为掺杂剂的三价原子可以从相邻原子借电子以完成四键。掺杂剂可称作受体。一旦掺杂剂接受一个电子，相邻原子就失去一个电子，因而产生“电子空穴”。每个电子空穴与相邻的带负电的掺杂剂离子相关联，因此，半导体保持中性。然而，当每个电子空穴逃逸进入晶格，电子空穴的位置上的质子被“暴露”，因此质子不再被电子抵消。因此，电子空穴表现为正电荷。如果加入许多受体原子，则电子空穴数大大超过热激发电子数。因此，在P型材料中，电子空穴变成多数载流子，电子变成少数载流子。
在一个实施例中，开关薄膜晶体管T6的开关漏区121和开关源区125可以掺杂有N型杂质。在此情况下，漏接触部DC和源接触部SC掺杂有P型杂质。
因此，p-n结可以形成在开关漏区121和开关源区125中的每个中。
一旦p-n结形成，在能量方面，势垒高度增大，接触电阻Rc增大，如上所述。
一旦接触电阻Rc增大，IR值就减小，从而避免了由于高电压Vds而导致的退化。
此外，诸如漏致势垒降低(DIBL)和热载流子不稳定(HCI)的特性得到改善。
DIBL是指当在短沟道处Vds电压增大时，电流因漏区的P-N结势垒的降低而增加的现象。当p+poly与源电极/漏电极之间的接触电阻Rc增大且电流流过时，出现IR降，从而使施加在源极与漏极之间的电压低于实际施加的Vds电压。
因此，当接触电阻Rc高时，在短沟道处DIBL得到改善。
同样地，HCI是当高Vds电压施加到短沟道时，形成高的漏极场并因此在漏区中形成电子-空穴对，从而使器件劣化的现象。
同样地，通过引起IR降并减小施加在源极与漏极之间的电压使其低于实际施加的Vds电压，来抑制因漏极场而形成热载流子。因此，HCI可以减少。
在另一个实施例中，开关TFT T6的开关漏区121和开关源区125可以掺杂有P型杂质。在此情况下，漏接触部DC和源接触部SC掺杂有N型杂质。
即使在此情况下，与上面的示例类似，p-n结可形成在开关漏区121和开关源区125中的每个中。
返回参照图3，栅极绝缘膜130堆叠在基底110的整个表面上以覆盖半导体层A1至A7。例如，栅极绝缘膜130可以包括诸如氧化硅或氮化硅的无机材料以具有单层结构或多层结构。栅极绝缘膜130将每个半导体层与栅电极G1至G7中的其对应的栅电极绝缘。
开关TFT T6的开关栅电极G6、驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一电极C1形成在栅极绝缘膜130上。驱动栅电极G1可与存储电容器Cst的第一电极C1一体地形成。
此外，尽管没有在图3中示出，但多个TFT T1至T7的栅电极G1至G7、第一扫描线14、第二扫描线24、第三扫描线34、网(mesh)驱动电压线26'和初始化电压线22可以在与驱动栅电极G1、第二发射控制栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15相同的层上包括与其相同的材料。
驱动栅电极G1、开关栅电极G6、第一电极C1和发射控制线15的材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。
根据一个实施例，存储电容器Cst可以与驱动TFT T1叠置。详细地讲，由于驱动TFTT1和第一电极C1彼此一体地形成，因此存储电容器Cst和驱动TFT T1彼此叠置。由于存储电容器Cst与驱动TFT T1叠置，因此可以确保第一电极C1和第二电极C2的足够的面积。因此，可以确保存储电容器Cst的足够的存储容量。
第一层间绝缘膜150形成在基底110的整个表面上以覆盖驱动栅电极G1、开关栅电极G6和存储电容器Cst的第一电极C1。
第一层间绝缘膜150可包括无机材料或有机材料。在一些实施例中，第一层间绝缘膜150可以包括无机材料。例如，第一层间绝缘膜150可以包括金属氧化物或金属氮化物。无机材料的示例可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZrO2)。在一些实施例中，第一层间绝缘膜150可以包括介电常数在大约4至大约7的范围内的材料。
例如，第一层间绝缘膜150可以包括诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料以具有单层结构或多层结构。在一些实施例中，例如，第一层间绝缘膜150可以具有诸如SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的双层结构。
第一层间绝缘膜150可以将驱动栅电极G1、开关栅电极G6和第一电极C1与形成在第一层间绝缘膜150上的布线绝缘。此外，第一层间绝缘膜150可以用作存储电容器Cst的介电层。第一层间绝缘膜150的厚度t1可以小于第二层间绝缘膜170的厚度t2。可通过考虑到存储电容器Cst的存储容量来设定第一层间绝缘膜150的厚度t1。
第二层间绝缘膜170可以包括无机材料或有机材料。在一些实施例中，第二层间绝缘膜170可以包括有机材料。例如，第二层间绝缘膜170可以包括丙烯酰基类树脂(例如聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种。在一些实施例中，第二层间绝缘膜170可以包括介电常数在大约2至大约4的范围内的材料。
平坦化膜190在基底110的整个表面上形成在第一层间绝缘膜170上。像素电极191可以形成在平坦化膜190上。像素电极191通过通孔连接到驱动源电极S1。
平坦化膜190可以包括绝缘材料。例如，平坦化膜190可以包括无机材料、有机材料或者其组合以具有单层结构或多层结构，并且可以使用各种沉积方法中的任意一种形成。在一些实施例中，平坦化膜190可以包括丙烯酰基类树脂(例如聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB中的至少一种。
图5是示出了根据另一实施例的TFT阵列基底的剖视图。与图3中的元件相同的元件使用相同的附图标记表示，并且为了方便描述，将不给出其重复解释。
图5中的第二层间绝缘膜170设置在第一层间绝缘膜150上，并且包括开口170a，通过开口170a暴露第一层间绝缘膜150的部分。存储电容器Cst的第二电极C2设置在开口170a中。
存储电容器Cst的第二电极C2设置在第二层间绝缘膜170的开口170a中。因为第二电极C2与第一电极C1叠置，所以开口170a形成在与存储电容器Cst的第一电极C1叠置的部分中。因为第二电极C2设置在开口170a中，所以第二电极C2可以接触第一层间绝缘膜150的顶表面。此外，第二电极C2可以沿着开口170a的侧壁延伸到第二层间绝缘膜170的顶表面。然而，实施例不限制于此，第二电极C2可以只形成在开口170a中，如图5所示。
因为存储电容器Cst的第二电极C2设置在第二层间绝缘膜170的开口170a中，所以存储电容器Cst的存储容量取决于第一层间绝缘膜150的介电常数和厚度t1。因此，因为设定第一层间绝缘膜150的材料和厚度t1，而与第二层间绝缘膜170无关，所以可以确保存储电容器Cst的高存储容量。
图6是示出了根据另一个实施例的有机发光显示装置的剖视图。图6示出了包括图5的TFT阵列基底的有机发光显示装置。在图6中，与图5中的元件相同的元件采用相同的附图标记表示，并且为了方便描述，将不给出其重复解释。
有机发光显示装置包括具有多个像素的显示区和设置在显示区周围的非显示区。OLED在有机发光显示装置的显示区中设置在TFT阵列基底上。OLED包括像素电极191、包括有机发射层的中间层193和对电极195。此外，有机发光显示装置还可以包括像素限定膜210和分隔件230。
像素电极191和/或对电极195可以是透明电极或反射电极。当像素电极191和/或对电极195是透明电极时，像素电极191和/或对电极195可以包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。当像素电极191和/或对电极195是反射电极时，像素电极191和/或对电极195可以包括反射膜和透明膜，所述反射膜包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物，所述透明膜包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。在一些实施例中，例如，像素电极191或对电极195可以具有诸如ITO/Ag/ITO的结构。
像素限定膜210可限定像素区和非像素区。像素限定膜210可以包括通过其来暴露像素电极191的开口，并且可以形成为全面地覆盖TFT阵列基底。中间层193可以形成在开口中，并且开口可以基本上变成像素区。
像素电极191、中间层193和对电极195可以构成OLED。分别从OLED的像素电极191和对电极195注入的空穴和电子可以在中间层193的有机发射层中彼此结合以产生光。
中间层193可以包括有机发射层。可选地，中间层193可以包括有机发射层，还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。然而，实施例不限制于此，中间层193可以包括有机发射层，还可以包括各种其他功能层中的任一个。
对电极195形成在中间层193上。对电极195可以与像素电极191形成电场以从中间层193发光。像素电极191可以图案化在各个像素中，可以形成对电极195从而将共电压施加给所有像素。
分隔件230可以设置在显示区中的像素区之间。可以设置分隔件230以保持基底110和密封基底(未示出)之间的间隔并且防止由于外部冲击造成的显示特性退化。
分隔件230可以设置在像素限定膜210上。分隔件230可以从像素限定膜210向密封基底突出。
如上所述，在根据一个或更多个实施例的有机发光显示装置中，因为开关源电极和开关漏电极的接触开关半导体层的源接触部和漏接触部掺杂有与开关源区和开关漏区的杂质不同的杂质，所以可形成p-n结。因此，电阻Rc增大，IR降低，因此，避免了由于高电压而导致的退化。
另外，因为其中设置有存储电容器的第二电极C2的开口形成在第二层间绝缘膜170中，所以寄生电容可减小，并可确保存储电容器的高存储容量。
如上所述，根据一个或更多个实施例，接触电阻增大，IR降低，因此，避免了由于高电压而导致的退化。
虽然已经参考某些实施例具体示出并描述了本公开，但本领域普通技术人员将理解的是，在此可以做出形式和细节上的各种改变，而不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围。因此，所述范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求书限定，所述范围内的所有差异将被解释为包括在本公开中。

Claims (12)

1.一种薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底包括：
驱动薄膜晶体管，设置在基底上；以及
开关薄膜晶体管，设置在所述基底上并包括：
开关半导体层，包括开关沟道区、开关源区和开关漏区；以及
与所述开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极，
其中，所述开关源电极包括与所述开关源区接触的源接触部，所述开关漏电极包括与所述开关漏区接触的漏接触部，
其中，所述源接触部的在与所述基底相交的方向上的外周表面被所述开关源区完全地围绕，
其中，所述漏接触部的在与所述基底相交的所述方向上的外周表面被所述开关漏区完全地围绕，
其中，所述源接触部掺杂有与所述开关源区的离子的导电类型不同的离子，所述漏接触部掺杂有与所述开关漏区的离子的导电类型不同的离子。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述开关源区和所述开关漏区是p型掺杂的，所述源接触部和所述漏接触部是n型掺杂的。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述开关源区和所述开关漏区是n型掺杂的，所述源接触部和所述漏接触部是p型掺杂的。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，在所述源接触部和所述开关源区中，势垒高度由于p-n结而增大。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，在所述漏接触部和所述开关漏区中，势垒高度由于p-n结而增大。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底还包括存储电容器，所述存储电容器包括：第一电极，连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极；和第二电极，设置在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基底，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基底还包括层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括开口，其中，所述第二电极设置在所述开口中。
8.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括：
显示区，包括多个像素；
非显示区，设置在所述显示区周围，
其中，所述多个像素中的每个包括：
驱动薄膜晶体管，设置在基底上；
开关薄膜晶体管，设置在所述基底上并包括：
开关半导体层，包括开关沟道区、开关源区和开关漏区；以及
与所述开关半导体层接触的开关源电极和开关漏电极，
其中，所述开关源电极包括与所述开关源区接触的源接触部，所述开关漏电极包括与所述开关漏区接触的漏接触部，
其中，所述源接触部的在与所述基底相交的方向上的外周表面被所述开关源区完全地围绕，
其中，所述漏接触部的在与所述基底相交的所述方向上的外周表面被所述开关漏区完全地围绕，
其中，所述源接触部掺杂有与所述开关源区的离子的导电类型不同的离子，所述漏接触部掺杂有与所述开关漏区的离子的导电类型不同的离子。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述开关源区和所述开关漏区是p型掺杂的，所述源接触部和所述漏接触部是n型掺杂的。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述开关源区和所述开关漏区是n型掺杂的，所述源接触部和所述漏接触部是p型掺杂的。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还包括存储电容器，所述存储电容器包括：第一电极，连接到所述驱动薄膜晶体管的驱动栅电极；和第二电极，设置在所述第一电极上并与所述第一电极绝缘。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管和所述存储电容器被布置成使得所述驱动薄膜晶体管的至少一部分与所述存储电容器的至少一部分彼此叠置。
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