CN105720200A - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105720200A
CN105720200A CN201510634578.7A CN201510634578A CN105720200A CN 105720200 A CN105720200 A CN 105720200A CN 201510634578 A CN201510634578 A CN 201510634578A CN 105720200 A CN105720200 A CN 105720200A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
illuminating part
display device
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510634578.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105720200B (zh
Inventor
皮性勳
韩敞旭
崔晎硕
宋基旭
安昭姸
金承炫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105720200A publication Critical patent/CN105720200A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105720200B publication Critical patent/CN105720200B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机发光显示装置，包括位于第一电极与第二电极之间的两个发光部，其中所述两个发光部之中的至少一个发光部包括两个发光层，由此可提高效率和色再现率。

Description

有机发光显示装置
本申请要求于2014年12月17日申请的韩国专利申请No.10-2014-0182517的权益，为了所有目的援引该专利申请并入本文，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种可提高效率和色再现率的有机发光显示装置。
背景技术
近来，随着信息时代的到来，在视觉上显示电信息信号的显示器领域得到快速发展。对应于这种趋势，已研发了在薄形化、轻量化和低功耗方面具有出色性能的平板显示装置。
平板显示装置的具体例子包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光显示(OLED)装置。
特别是，有机发光显示装置是自发光二极管，与其他平板显示装置相比，其在快速响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角方面是有利的。
有机发光二极管是基于以下原理：在两个电极之间形成有机发光层，来自两个电极的电子和空穴注入到有机发光层中，以通过电子和空穴的复合产生激子，且当激子从激发态跃迁至基态时产生光。
相关参考文献
[专利文献]
(专利文献1)，白色有机发光二极管(韩国专利申请No.10-2009-0092596)
发射白色光的有机发光二极管可具有颜色彼此互补的两个发光层的结构。当白色光穿过滤色器时，该结构在每个发光层的电致发光(EL)峰值的波长区域与滤色器的透射区域之间产生差别。因此，产生了很难获得理想的色再现率的问题，因为可显示的颜色范围变窄。
例如，在包括蓝色发光层和黄绿色发光层的发射白色光的有机发光二极管的情形中，在蓝色波长区域和黄绿色波长区域中形成EL峰值波长，由此发射白色光。然而，当白色光穿过红色、绿色和蓝色滤色器时，蓝色波长区域的透射率变得低于红色或绿色波长区域的透射率，由此发光效率和色再现率降低。此外，蓝色发光层由荧光发光材料形成，黄色发光层由磷光发光材料形成。黄色磷光发光层的发光效率相对高于蓝色荧光发光层的发光效率，由此由于黄色磷光发光层的效率与蓝色荧光发光层的效率之间的差别，发光效率和色再现率降低。
此外，在底部发光型装置的情形中，应当使用偏振器来降低外部光源的反射率。由于使用偏振器，产生了亮度减小60％范围内的问题。
在这方面，本发明的发明人已意识到前述问题并发明了一种可提高效率和色再现率的具有新结构的有机发光显示装置。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置。
本发明的一个目的是提供一种提高效率和色再现率的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括两个发光部，两个发光部中的一个发光部具有两个发光层。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于本领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，一种有机发光显示装置，包括：在基板上彼此面对的第一电极和第二电极；位于所述第一电极上的第一发光部；和位于所述第一发光部上的第二发光部，其中所述第一发光部或所述第二发光部包括绿色发光层和黄绿色发光层之中的一个发光层、以及红色发光层，以提高绿色效率、红色效率和色偏率特性之中的任意一个。
所述第一发光部包括所述绿色发光层和所述红色发光层。
所述第二发光部包括深蓝色发光层。
所述绿色发光层比所述红色发光层更靠近所述第一电极。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到230nm范围内的厚度，以提高红色效率。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有320nm到350nm范围内的厚度，以提高色偏率特性。
所述红色发光层比所述绿色发光层更靠近所述第一电极。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到230nm范围内的厚度，以提高绿色效率。
所述第二发光部包括所述绿色发光层和所述红色发光层。
所述红色发光层比所述绿色发光层更靠近所述第二电极。
所述第一发光部包括深蓝色发光层。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有320nm到350nm范围内的厚度，以提高绿色效率。
所述第一发光部包括所述黄绿色发光层和所述红色发光层。
所述第二发光部包括蓝色发光层。
所述黄绿色发光层比所述红色发光层更靠近所述第一电极。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到240nm范围内的厚度，以提高红色效率。
所述有机发光显示装置进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有340nm到370nm范围内的厚度，以提高色偏率特性。
所述第一电极和所述第二电极的每一个包括ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和IGZO(氧化铟镓锌)之中的一个。
所述第一电极和所述第二电极的每一个包括反射电极和透反电极之中的一个电极。
所述第一发光部和所述第二发光部的每一个包括位于440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的电致发光(EL)峰值。
在另一个方面中，一种有机发光显示装置，包括：在基板上彼此面对的第一电极和第二电极；位于所述第一电极上的第一发光部；和位于所述第一发光部上的第二发光部，其中所述第一发光部和所述第二发光部中的至少一个包括两个发光层，且所述第一发光部和所述第二发光部具有展现出三个EL峰值的发光特性。所述第一发光部包括所述两个发光层，且所述第二发光部包括单个发光层。
所述第一发光部中的所述两个发光层包括绿色发光层和红色发光层，所述第二发光部中的所述单个发光层包括深蓝色发光层。
所述第一发光部中的所述两个发光层包括黄绿色发光层和红色发光层，所述第二发光部中的所述单个发光层包括蓝色发光层。
所述第一发光部包括单个发光层，且所述第二发光部包括所述两个发光层。
所述第一发光部中的所述单个发光层包括深蓝色发光层，所述第二发光部中的所述两个发光层包括绿色发光层和红色发光层。
所述三个EL峰值具有在440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的波长。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1A和1B是图解根据本发明示例实施方式的发光层的PL光谱的示图；
图2是图解根据本发明第一示例实施方式和第二示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图；
图3是图解根据本发明第一示例实施方式的等高线图(contourmap)的示图；
图4是图解根据本发明第二示例实施方式的等高线图的示图；
图5是图解根据本发明第三示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图；
图6是图解根据本发明第三示例实施方式的等高线图的示图；
图7是图解根据本发明第四示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图；
图8是图解根据本发明第四示例实施方式的等高线图的示图；
图9是图解根据本发明第一到第四示例实施方式的EL光谱的示图；
图10是图解根据本发明第一到第四示例实施方式的基于视角的色偏率的示图；
图11是图解根据本发明第五和第六示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图；
图12是图解根据本发明第五示例实施方式的等高线图的示图；
图13是图解根据本发明第六示例实施方式的等高线图的示图；
图14是图解根据本发明第五和第六示例实施方式的EL光谱的示图；
图15是图解根据本发明第五和第六示例实施方式的基于视角的色偏率的示图；以及
图16是图解根据本发明示例实施方式的有机发光显示装置的剖面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的典型实施方式，在附图中图示了这些实施方式的一些例子。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些典型实施方式是为了使本说明书全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本说明书中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其他部件，除非使用了“仅”。单数形式的术语可包括复数形式，除非有相反指示。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
在本发明实施方式的描述中，当一结构(例如电极、线、配线、层或接触部)被描述为形成在另一结构的上部/下部处或者其他结构的上方/下方时，该描述应当解释为包括这些结构彼此接触的情形以及在它们之间设置第三结构的情形。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来彼此区分元件。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可能被称为第二元件，相似地，第二元件可能被称为第一元件。
所属领域技术人员能够充分理解，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
因为构成有机发光二极管的发光层包含至少一个基质和至少一个掺杂剂，所以将参照图1描述发光层，图1图解了发光层的光致发光(PL)光谱。在该实施方式中，提出了根据各实施方式的有机发光显示装置的结构，其中使用顶部发光型提高了亮度和开口率，并提高了效率和色再现率。
在该情形中，包括有机发光二极管的有机发光显示装置的电致发光(EL)峰值是由发光层的显示单一颜色的光致发光(PL)峰值与构成有机发光二极管的有机层的发射(EM)峰值(Emittancepeak)的乘积确定的。有机层的发射(EM)峰值受有机层的厚度和光学特性影响。
图1A和1B是图解构成有机发光二极管的发光层的PL光谱的示图。
图1A图解了磷光绿色掺杂剂(由①标记)、磷光黄绿色掺杂剂(由②标记)和磷光红色掺杂剂(由③标记)的PL光谱。
图1B图解了深蓝色掺杂剂(由④标记)和蓝色掺杂剂(由⑤标记)的PL光谱。
如已描述过的，随着通过空穴和电子的复合而产生的激子发射能量，有机发光二极管发光。用于发光的电致发光具有两个特性，即荧光和磷光，其中随着激子从单重态跃迁到激发态，荧光发光，且随着激子从三重态跃迁到激发态，磷光发光。
如图1A中所示，使用PL峰值的最大波长为532nm的磷光绿色掺杂剂①，使用PL峰值的最大波长为556nm的黄绿色掺杂剂②，并使用PL峰值的最大波长为620nm的红色掺杂剂③。
如图1B中所示，使用PL峰值的最大波长为444nm的深蓝色掺杂剂④，并使用PL峰值的最大波长为456nm的蓝色掺杂剂⑤。因为深蓝色掺杂剂④布置于比蓝色掺杂剂⑤短的波长区域中，所以对于提高色再现率和亮度会是有利的。
下文中，将描述应用图1A和1B中所述的掺杂剂的各实施方式的有机发光二极管。
本发明提出了各实施方式的有机发光二极管，有机发光二极管包括两个发光部，至少一个发光部具有两个发光层。该两个发光层可包括绿色发光层和黄绿色发光层之中的一个发光层、以及红色发光层。
图2是图解根据本发明第一示例实施方式和第二示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图。
图2中所示的有机发光二极管100包括位于基板101上的第一电极102和第二电极104、以及位于第一电极102和第二电极104之间的第一发光部110和第二发光部120。
第一电极102为提供空穴的正电极，第一电极102可由Au、Ag、Al、Mo、Mg或它们的合金形成，但并不限于此。可选择地，第一电极102可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、或IGZO(氧化铟镓锌)形成，但并不限于此。可在第一电极102下方额外设置反射电极，以将光向着第二电极104反射。
第二电极104为提供电子的负电极，第二电极104可由作为TCO(诸如透明导电氧化物)之类的透明导电材料的ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IGZO(氧化铟镓锌)形成，但并不限于此。可在第二电极104下方额外设置缓冲层，以在形成第二电极104时防止第二电极104被溅射损伤。
可选择地，第一电极102和第二电极104的每一个都可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和IGZO(氧化铟镓锌)之中的一种形成，但并不限于此。
第一电极102可称为阳极，第二电极104可称为阴极。
将给本发明应用其中第一电极102为反射电极且第二电极104为透反电极(transflective)的顶部发光型。
在本发明的第一和第二实施方式中，第一发光部包括两个发光层，第二发光部包括单个发光层。第一发光部中的两个发光层包括绿色发光层和红色发光层，且第二发光部中的单个发光层包括深蓝色发光层。
第一发光部110可包括第一空穴传输层(HTL)112、第一发光层(EML)114、第二发光层(EML)115和第一电子传输层(ETL)116。
第一发光部110可进一步包括位于第一电极102上方的空穴注入层(HIL)。空穴注入层(HIL)形成在第一电极102上方并用于积极地注入来自第一电极102的空穴。
第一空穴传输层(HTL)112将来自空穴注入层(HIL)的空穴提供给第一发光层(EML)114和第二发光层(EML)115。第一电子传输层(ETL)116将来自第二电极104的电子提供给第一发光部110的第一发光层(EML)114和第二发光层(EML)115。
第一空穴传输层(HTL)112可包括一个或多个层、或者一种或多种材料。第一空穴传输层(HTL)112可由NPD(N,N-双萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲苯基)-1,1’-二苯基-4,4’-二胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二苯氨基)-9,9'-螺芴)和MTDATA(4,4',4”-三(N-3-甲苯基-N-苯基氨基)三苯胺)中的一个或多个形成，但并不限于此。
空穴注入层(HIL)可由MTDATA(4,4',4”-三(N-3-甲苯基-N-苯基氨基)三苯胺)、CuPc(酞菁铜络合物)或PEDOT/PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸)形成，但并不限于此。
通过第一空穴传输层(HTL)112提供的空穴和通过第一电子传输层(ETL)116提供的电子在第一发光层(EML)114和第二发光层(EML)115复合，由此产生光。
第一电子传输层(ETL)116可包括一个或多个层、或者一种或多种材料。第一电子传输层(ETL)116可由Alq3(三(8-羟基-喹啉)铝)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑)、Liq(8-羟基喹啉-锂)和BALq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)之中的任意一个或多个形成，但并不限于此。
构成第一发光部110的第一发光层(EML)114包括绿色发光层，第二发光层(EML)115包括红色发光层。绿色发光层比红色发光层更靠近第一电极102。
第一发光部110的第一发光层(EML)114包括其中应用PL峰值的最大波长为532nm的绿色掺杂剂的绿色发光层。此外，第二发光层(EML)115包括其中应用PL峰值的最大波长为620nm的红色掺杂剂的红色发光层。
第一发光层(EML)114中的掺杂剂可由Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱(III)形成，但并不限于此。此外，第二发光层(EML)115中的掺杂剂可由Ir(piq)3(三(1-苯基异喹啉)铱(III)、Ir(piq)2(acac)(双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)、Ir(btp)2(acac)(双)2-苯并噻吩-2-基-吡啶(乙酰丙酮)铱(III)或Ir(BT)2(acac)(双(2-苯基苯并噻唑硫醇)(乙酰丙酮)铱(III)(Bis(2-phenylbenzothiazolato(acetylacetonate)iridium(III))形成，但并不限于此。
可在第一发光部110与第二发光部120之间进一步设置电荷生成层(CGL)140。电荷生成层(CGL)140控制第一发光部110与第二发光部120之间的电荷平衡。电荷生成层(CGL)140可包括N型电荷生成层(N-CGL)和P型电荷生成层(P-CGL)。N型电荷生成层(N-CGL)用于给第一发光部110注入电子，P型电荷生成层(P-CGL)用于给第二发光部120注入空穴。电荷生成层(CGL)140可由单层形成。
第二发光部120可包括第二空穴传输层(HTL)122、第三发光层(EML)124和第二电子传输层(ETL)126。
第二发光部120可进一步包括位于第二电子传输层(ETL)126上方的电子注入层(EIL)。电子注入层(EIL)是通过在电子传输层(ETL)上掺杂碱金属来形成的。碱金属可由Li、Na、Mg或Ca形成，但并不限于此。电子传输层(ETL)可由包括杂环的、基于稠合芳族环(fusedaromaticring)的有机材料形成，但并不限于此。可在0.6％以上且2.0％以下的范围内掺杂碱金属。
第二发光部120可进一步包括空穴注入层(HIL)。
第二空穴传输层(HTL)122可由与第一空穴传输层(HTL)112相同的材料形成，但并不限于此。
第二空穴传输层(HTL)122可包括一个或多个层、或者一种或多种材料，但并不限于此。
第二电子传输层(ETL)126可由与第一电子传输层(ETL)116相同的材料形成，但并不限于此。
第二电子传输层(ETL)126可包括一个或多个层、或者一种或多种材料。
第二发光部120的第三发光层(EML)124包括深蓝色发光层。第三发光层(EML)124包括其中应用PL峰值的最大波长为444nm的深蓝色掺杂剂的深蓝色发光层。第三发光层(EML)124中的掺杂剂可由基于铱的材料形成，但并不限于此。
如前所述，随着通过空穴和电子的复合而产生的激子发射能量，有机发光二极管发光。用于发光的电致发光具有两个特性，即荧光和磷光，其中随着激子从单重态跃迁到激发态，荧光发光，且随着激子从三重态跃迁到激发态，磷光发光。在该情形中，在单重态中一个激子跃迁而在三重态中三个激子跃迁，由此荧光具有25％的效率，磷光具有75％的效率。应当使用三重态-三重态湮灭(TTA)和迟滞荧光提高荧光型电致发光的内部量子效率。TTA表示，随着激子以高密度彼此相邻，在具有较长寿命的三重态激子之间发生碰撞，一些三重态激子转变为单重态激子，从而发光。三重态激子通过TTA而转变为单重态激子，从而发光，由此可提高内部量子效率。例如，通过具有比直接激发的单重态激子的寿命长的寿命的三重态激子的碰撞所导致的单重态激子的跃迁和碰撞来产生迟滞荧光。通过迟滞荧光可更加提高电致发光效率。
因此，使用TTA和迟滞荧光来提高深蓝色发光层，即第二发光部120的第三发光层(EML)124的效率。因为通过TTA的迟滞荧光有助于基于单重态激子的电致发光，所以内部量子效率(IQE)可从25％提高到40％。为了在发光层中有效地产生TTA效率，如果发光层的基质和掺杂剂的单重态和三重态之间的能量差(单重态-三重态交换能：ΔEst)变小，则易于产生从三重态到单重态的能量转换。为了在发光层中有效地形成三重态激子，空穴传输层(HTL)和电子传输层(ETL)的三重态能量应当高于发光层的基质的三重态能量。就是说，第二空穴传输层(HTL)122和第二电子传输层(ETL)126的三重态能量被调整为比深蓝色发光层，即第三发光层(EML)124的三重态能量高0.01eV到0.4eV，由此可更加提高蓝色效率。尽管示例性地描述了深蓝色发光层，但TTA和迟滞荧光可应用于本发明的所有实施方式，以提高深蓝色发光层或蓝色发光层的效率。
在本发明的所有实施方式中，电荷生成层(CGL)的结构已被优化。尽管在本发明的第一和第二实施方式中描述了电荷生成层(CGL)的结构，但该结构将应用于本发明的第三到第六实施方式。如前所述，电荷生成层包括N型电荷生成层和P型电荷生成层。
N型电荷生成层(N-CGL)可由掺杂有诸如Li、Na、K或Cs之类的碱金属或诸如Mg、Ca、Sr、Ba或Ra之类的碱土金属的有机层形成，但并不限于此。可在0.6％以上且2.0％以下的范围内掺杂碱金属或碱土金属。
P型电荷生成层(P-CGL)可由至少一个有机基质和至少一个有机掺杂剂形成，但并不限于此。至少一个P基质可包括与第二空穴传输层(HTL)122，即与其相邻的空穴传输层(HTL)相同的材料或者与空穴传输层(HTL)不同的材料形成。空穴传输层(HTL)的三重态能量为2.5eV或更大，在该范围中，其可防止电子移动并防止三重态激子扩散。此外，P基质的HOMO(最高占有分子轨道)能级被调整为与第二空穴传输层(HTL)122的HOMO能级相近，由此可实现空穴注入到发光层。而且，可防止第二发光部的磷光发光层的三重态激子扩散到第二空穴传输层(HTL)122中，由此可提高有机发光二极管的寿命。例如，P基质的HOMO能级可在4.5eV到6.0eV的范围内，P掺杂剂的LUMO(最低未占有分子轨道)能级可在4.5eV到6.0eV的范围内。P型电荷生成层(P-CGL)可具有5nm到20nm范围内的厚度。
在包括根据本发明第一和第二实施方式的有机发光二极管的有机发光显示装置中，在基板上布置有界定每个像素区域的栅极线和数据线之中的至少一个、以及与栅极线和数据线之中的任意一个平行延伸的电源线，且在每个像素区域中布置有与栅极线和数据线连接的开关薄膜晶体管、以及与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管与第一电极102连接。
通过基于图2中所示的有机发光二极管的光学模拟获得的等高线图提出本发明的结构。
图3是图解根据本发明第一实施方式的等高线图的示图，图4是图解根据本发明第二实施方式的等高线图的示图。
在图3和4中，横轴表示波长，纵轴表示有机材料的厚度。在图3和4中有机材料的厚度单位为纳米(nm)。有机材料的厚度表示布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度。有机层表示构成如图2中所示的第一发光部110和第二发光部120的有机层，有机层包括空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电荷生成层(CGL)以及发光层(EML)。如果在第二电极下方进一步设置缓冲层，则缓冲层不包括在有机层中。
图2中所示的有机发光二极管应用于本发明的第一实施方式，且位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在200nm到230nm的范围内。图2中所示的有机发光二极管应用于本发明的第二实施方式，且位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在320nm到350nm的范围内。
如图3中所示，从本发明的第一实施方式注意到，位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在200nm到230nm的范围内。例如，位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度可调整为215nm。此外，第一电极102的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极104的厚度可在100nm到1500的范围内，例如，第二电极104的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置114E在距第一电极102为30nm到60nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置114E可在距第一电极102为50nm处。第二发光层(EML)的位置115E可在距第一电极102为50nm到90nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置115E可在距第一电极102为60nm处。第一发光层(EML)114的厚度可在20nm到的范围内，且第二发光层(EML)115的厚度可在5nm到10nm的范围内。
第二发光部的第三发光层(EML)的位置124E在距第一电极102为120nm到160nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置124E可在距第一电极102为140nm处。第三发光层(EML)124的厚度可在20nm到30nm的范围内。
如图4中所示，从本发明的第二实施方式注意到，位于第一电极102与第二电极104之间的有机层的厚度在320nm到350nm的范围内。例如，位于第一电极102与第二电极104之间的有机层的厚度可设置为340nm。此外，第一电极102的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极104的厚度可在100nm到的范围内，例如，第二电极104的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置114E在距第一电极102为30nm到60nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置114E可在距第一电极102为40nm处。第二发光层(EML)的位置115E在距第一电极102为50nm到90nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置115E可在距第一电极102为60nm处。第一发光层(EML)114的厚度可在20nm到的范围内，且第二发光层(EML)115的厚度可在5nm到10nm的范围内。
第二发光部的第三发光层(EML)的位置124E在距第一电极102为120nm到160nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置124E可在距第一电极102为140nm处。第三发光层(EML)124的厚度可在20nm到30nm的范围内。
将参照表1描述根据本发明第一和第二实施方式测量的效率、色坐标、DCI面积比、DCI覆盖率以及Δu'v'的结果。
[表1]
在表1中，参照效率注意到，第一实施方式的红色(R)效率比第二个实施方式的红色(R)效率提高了15％。此外，注意到第一实施方式的绿色(G)效率、蓝色(B)效率和白色(W)效率与第二实施方式相似。注意到第一实施方式的面板效率比第二实施方式的面板效率提高了16％。因此，注意到就红色效率和面板效率而言，第一实施方式比第二实施方式提高。
参照白色色坐标(Wx，Wy)，注意到第一实施方式显示出(0.314，0.353)，第二实施方式显示出(0.302，0.364)。
参照DCI(数字电影倡导组织)面积比，注意到第一实施方式显示出103.2％，第二实施方式显示出104.8％。参照DCI覆盖率，注意到第一实施方式显示出99.6％，第二实施方式显示出99.7％。结果，第一实施方式和第二实施方式的色再现率彼此相似。
参照基于视角的Δu'v'，注意到第一实施方式显示出0.029，第二实施方式显示出0.021。因为第二实施方式的Δu'v'比第一实施方式的Δu'v'小，所以注意到第二实施方式具有比第一实施方式更加出色的色偏率特性。将参照图10详细描述基于视角的Δu'v'。
图5是图解根据本发明第三示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图。
图5中所示的有机发光二极管200包括位于基板201上的第一电极202和第二电极204、以及位于第一电极202和第二电极204之间的第一发光部210和第二发光部220。
在本发明的第三实施方式中，第一发光部包括两个发光层，且第二发光部包括单个发光层。第一发光部中的两个发光层包括绿色发光层和红色发光层，第二发光部中的单个发光层包括深蓝色发光层。
第一发光部210可包括第一空穴传输层(HTL)212、第一发光层(EML)214、第二发光层(EML)215和第一电子传输层(ETL)216。
构成第一发光部210的第一发光层(EML)214包括红色发光层，第二发光层(EML)215包括绿色发光层。红色发光层可比绿色发光层更靠近第一电极202。
第一发光部210的第一发光层(EML)214包括其中应用PL峰值的最大波长为620nm的红色掺杂剂的红色发光层。此外，第二发光层(EML)215包括其中应用PL峰值的最大波长为532nm的绿色掺杂剂的绿色发光层。
第二发光部220可包括第二空穴传输层(HTL)222、第三发光层(EML)224和第二电子传输层(ETL)226。
第二发光部220的第三发光层(EML)224包括深蓝色发光层。第二发光部220的第三发光层(EML)224包括其中应用PL峰值的最大波长为444nm的深蓝色掺杂剂的深蓝色发光层。
可在第一发光部210与第二发光部220之间进一步设置电荷生成层(CGL)240。
为提高蓝色效率，第二空穴传输层(HTL)222和第二电子传输层(ETL)226的三重态能量可调整为比深蓝色发光层，即第三发光层(EML)224的基质的三重态能量高0.01eV到0.4eV。
因为第三实施方式的其他要素与第一实施方式相同，所以将省略其描述。
在包括根据本发明第三实施方式的有机发光二极管的有机发光显示装置中，在基板上布置有界定每个像素区域的栅极线和数据线之中的至少一个、以及与栅极线和数据线之中的任意一个平行延伸的电源线，且在每个像素区域中布置有与栅极线和数据线连接的开关薄膜晶体管、以及与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管与第一电极202连接。
图6通过基于图5中所示的有机发光二极管的光学模拟获得的等高线图提出了本发明的结构。
图6是图解根据本发明第三实施方式的等高线图的示图。
在图6中，横轴表示波长，纵轴表示有机材料的厚度。在图6中有机材料的厚度单位为纳米(nm)。有机材料的厚度表示布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度。有机层表示构成如图5中所示的第一发光部210和第二发光部220的有机层，有机层包括空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电荷生成层(CGL)以及发光层(EML)。如果在第二电极下方进一步设置缓冲层，则缓冲层不包括在有机层中。
如图6中所示，从本发明的第三实施方式注意到，位于第一电极202与第二电极204之间的有机层的厚度在200nm到230nm的范围内。例如，位于第一电极202与第二电极204之间的有机层的厚度可调整为215nm。第一电极202的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极204的厚度可在100nm到的范围内，例如，第二电极204的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置214E在距第一电极202为20nm到50nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置214E可在距第一电极202为30nm处。第二发光层(EML)的位置215E在距第一电极202为25nm到60nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置215E可在距第一电极202为50nm处。第一发光层(EML)214的厚度可在5nm到的范围内，且第二发光层(EML)215的厚度可在20nm到30nm的范围内。
第二发光部的第三发光层(EML)的位置224E在距第一电极202为120nm到160nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置224E可在距第一电极202为140nm处。第三发光层(EML)224的厚度可在20nm到30nm的范围内。
将参照表2描述根据本发明第三实施方式测量的效率、色坐标、DCI面积比、DCI覆盖率以及Δu'v'的结果。
[表2]
尽管表2显示了第三实施方式的结果，但将与第一实施方式的结果对应的表1对比地来描述第三实施方式的结果。就是说，因为第一发光部中包括的第一发光层和第二发光层在第一和第三实施方式中设置为彼此不同，所以将与第一实施方式的结果对比地描述第三实施方式的结果。
参照效率注意到，与第一实施方式的红色(R)效率相比，第三实施方式的红色(R)效率减小了13％。此外，注意到第一实施方式的绿色(G)效率、蓝色(B)效率和白色(W)效率与第三实施方式相似。注意到与第一实施方式的面板效率相比，第三实施方式的面板效率减小了8％。因此，注意到与第一实施方式相比，第三实施方式的红色效率和面板效率减小。
参照白色色坐标(Wx，Wy)，注意到第三实施方式显示出(0.306，0.353)。
参照DCI(数字电影倡导组织)面积比，注意到第三实施方式显示出102.3％，其与第一实施方式相似。参照DCI覆盖率，注意到第三实施方式显示出99.4％，其与第一实施方式相似。结果，第一实施方式和第三实施方式的色再现率彼此相似。
参照基于视角的Δu'v'，注意到第三实施方式显示出0.030，其与第一实施方式相似。将参照图10详细描述基于视角的Δu'v'。
图7是图解根据本发明第四示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图。
图7中所示的有机发光二极管300包括位于基板301上的第一电极302和第二电极304、以及位于第一电极302和第二电极304之间的第一发光部310和第二发光部320。
在本发明的第四实施方式中，第一发光部包括单个发光层，且第二发光部包括两个发光层。第一发光部中的单个发光层包括蓝色发光层，第二发光部中的两个发光层包括绿色发光层和蓝色发光层。
第一发光部310可包括第一空穴传输层(HTL)312、第一发光层(EML)314和第一电子传输层(ETL)316。
构成第一发光部310的第一发光层(EML)314包括其中应用PL峰值的最大波长为444nm的深蓝色掺杂剂的深蓝色发光层。
第二发光部320可包括第二空穴传输层(HTL)322、第二发光层(EML)324、第三发光层(EML)325和第二电子传输层(ETL)326。
第二发光部320的第二发光层(EML)324包括其中应用PL峰值的最大波长为532nm的绿色掺杂剂的绿色发光层。此外，第三发光层(EML)325包括其中应用PL峰值的最大波长为620nm的红色掺杂剂的红色发光层。红色发光层可比绿色发光层更靠近第二电极304。
可在第一发光部310与第二发光部320之间进一步设置电荷生成层(CGL)340。
为提高蓝色效率，第一空穴传输层(HTL)312和第一电子传输层(ETL)316的三重态能量可调整为比深蓝色发光层，即第一发光层(EML)314的基质的三重态能量高0.01eV到0.4eV。
因为第四实施方式的其他要素与第一实施方式相同，所以将省略其描述。
在包括根据本发明第四实施方式的有机发光二极管的有机发光显示装置中，在基板上布置有界定每个像素区域的栅极线和数据线之中的至少一个、以及与栅极线和数据线之中的任意一个平行延伸的电源线，且在每个像素区域中布置有与栅极线和数据线连接的开关薄膜晶体管、以及与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管与第一电极302连接。
图8通过基于图7中所示的有机发光二极管的光学模拟获得的等高线图提出了本发明的结构。
图8是图解根据本发明第四实施方式的等高线图的示图。
在图8中，横轴表示波长，纵轴表示有机材料的厚度。在图8中有机材料的厚度单位为纳米(nm)。有机材料的厚度表示布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度。有机层表示构成如图7中所示的第一发光部310和第二发光部320的有机层，有机层包括空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电荷生成层(CGL)以及发光层(EML)。如果在第二电极下方进一步设置缓冲层，则缓冲层不包括在有机层中。
如图8中所示，从本发明的第四实施方式注意到，位于第一电极302与第二电极304之间的有机层的厚度在320nm到350nm的范围内。例如，布置在第一电极302与第二电极304之间的有机层的厚度可设为340nm。此外，第一电极302的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极304的厚度可在100nm到的范围内，例如，第二电极304的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置314E在距第一电极302为120nm到160nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置314E可在距第一电极302为140nm处。第一发光层(EML)314的厚度可在20nm到30nm的范围内。
第二发光部的第二发光层(EML)的位置324E在距第一电极302为170nm到200nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置324E可在距第一电极302为190nm处。第三发光层(EML)的位置325E在距第一电极302为200nm到230nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置325E可在距第一电极302为210nm处。第二发光层(EML)324的厚度可在20nm到的范围内。第三发光层(EML)325的厚度可在5nm到10nm的范围内。
将参照表3描述根据本发明第四实施方式测量的效率、色坐标、DCI面积比、DCI覆盖率以及Δu'v'的结果。
[表3]
尽管表3显示了第四实施方式的结果，但将与第一实施方式的结果对应的表1对比地来描述第四实施方式的结果。就是说，因为第一发光部中包括的第一发光层和第二发光层在第一和第四实施方式中设置为彼此不同，所以将与第一实施方式的结果对比地描述第四实施方式的结果。
参照效率注意到，与第一实施方式的红色(R)效率相比，第四实施方式的红色(R)效率减小了30％。此外，注意到第一实施方式的绿色(G)效率、蓝色(B)效率和白色(W)效率与第四实施方式相似。注意到与第一实施方式的面板效率相比，第四实施方式的面板效率减小了6％。因此，注意到与第一实施方式相比，第四实施方式的红色效率和面板效率减小。
参照白色色坐标(Wx，Wy)，注意到第四实施方式显示出(0.290，0.361)。
参照DCI(数字电影倡导组织)面积比，注意到第四实施方式显示出103.7％，其与第一实施方式相似。参照DCI覆盖率，注意到第四实施方式显示出99.6％，其与第一实施方式相似。结果，第一实施方式和第四实施方式的色再现率彼此相似。
参照基于视角的Δu'v'，注意到第四实施方式显示出0.028，其与第一实施方式相似。将参照图10详细描述基于视角的Δu'v'。
图9是图解根据本发明第一到第四实施方式的有机发光显示装置的EL光谱的示图。在图9中，横轴表示光的波长(nm)，纵轴表示电致发光强度。电致发光强度(a.u.，任意单位)是被表示为基于EL光谱的最大值的相对值的数值。例如，如图9中所示，通过基于0.30(a.u.)，即EL光谱的最大值进行转换，具有440nm到480nm范围的蓝色区域中的电致发光强度可以是0.30(a.u.)且具有540nm到580nm范围的黄绿色区域中的电致发光强度可以是0.18(a.u.)。就是说，0.18(a.u.)被表示为基于0.30(a.u.)，即EL光谱的最大值的相对值。此外，黄绿色区域中的电致发光强度是基于蓝色区域中的电致发光强度，即EL光谱的最大值而表示的。
此外，在图9中，因为本发明第一、第二、第三和第四实施方式与上面所述相同，所以将省略它们的描述。由实线表示根据本发明第一实施方式的EL光谱，由虚线表示根据第二实施方式的EL光谱，由点划线表示根据第三实施方式的EL光谱，且由双点划线表示根据第四实施方式的EL光谱。
如图9中所示，从本发明的第一到第四实施方式注意到，在EL光谱中产生三个EL峰值。就是说，第一峰值对应于蓝色区域，对应于蓝色区域的波长可在440nm到480nm的范围内。第二峰值对应于绿色区域，对应于绿色区域的波长可在530nm到580nm的范围内。第三峰值对应于红色区域，对应于红色区域的波长可在600nm到650nm的范围内。因此，注意到三个EL峰值可分别具有位于440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的波长。
在第一峰值的波长区域中，注意到第一实施方式的EL强度与第二到第四实施方式的每一个的EL强度相似。在第二峰值的波长区域中，注意到与第一和第三实施方式的每一个相比，第二和第四实施方式的每一个的EL强度提高。因此，注意到与第一和第三实施方式相比，第二和第四实施方式的绿色效率提高。在第三峰值的波长区域中，注意到与第二到第四实施方式相比，第一实施方式的红色效率提高。
图10是图解根据本发明第一到第四实施方式的有机发光显示装置的基于视角的Δu'v'的示图。在图10中，横轴表示视角，纵轴表示Δu'v'。
在图10中，通过从有机发光显示装置的前方倾斜0°、15°、30°、45°和60°测量Δu'v'。特定视角的Δu'v'表示视角0°的色偏率与该特定视角的色偏率之间的差。例如，视角60°的Δu'v'表示视角0°的色偏率与视角60°的色偏率之间的差。视角60°可以是在有机发光显示装置的侧方向上的角度。此外，Δu'v'是通过CIE1976UCS(u'v'坐标系统)来测量的。
此外，在图10中，因为第一、第二、第三和第四实施方式与上面所述相同，所以将省略它们的描述。由实线表示根据本发明第一实施方式的变化，由虚线表示根据第二实施方式的变化，由点划线表示根据第三实施方式的变化，且由双点划线表示根据第四实施方式的变化。
如图10中所示，注意到在与有机发光显示装置的前侧对应的0°到60°的视角方向上，第二实施方式中的Δu'v'比第一、第三和第四实施方式中的Δu'v'低。结果，注意到第二实施方式中的色偏率特性比第一、第三和第四实施方式的每一个中的色偏率特性更出色。
图11是图解根据本发明第五和第六示例实施方式的有机发光二极管的简要剖面图。
图11中所示的有机发光二极管400包括位于基板401上的第一电极402和第二电极404、以及位于第一电极402和第二电极404之间的第一发光部410和第二发光部420。
在本发明的第五和第六实施方式中，第一发光部包括两个发光层，且第二发光部包括单个发光层。第一发光部中的两个发光层包括黄绿色发光层和红色发光层，第二发光部中的单个发光层包括蓝色发光层。
第一发光部410可包括第一空穴传输层(HTL)412、第一发光层(EML)414、第二发光层(EML)415和第一电子传输层(ETL)416。
构成第一发光部410的第一发光层(EML)414包括其中应用PL峰值的最大波长为556nm的黄绿色掺杂剂的黄绿色发光层。第二发光层(EML)415包括其中应用PL峰值的最大波长为620nm的红色掺杂剂的红色发光层。黄绿色发光层可比红色发光层更靠近第一电极402。
第二发光部420可包括第二空穴传输层(HTL)422、第三发光层(EML)424和第二电子传输层(ETL)426。
第二发光部420的第三发光层(EML)424包括其中应用PL峰值的最大波长为456nm的蓝色掺杂剂的蓝色发光层。
本发明的第五和第六实施方式可代替绿色发光层而应用黄绿色发光层，由此可提高有机发光显示装置的寿命。
此外，可在第一发光部410与第二发光部420之间进一步设置电荷生成层(CGL)440。
为提高蓝色效率，第二空穴传输层(HTL)4222和第二电子传输层(ETL)426的三重态能量可调整为比蓝色发光层，即第三发光层(EML)424的基质的三重态能量高0.01eV到0.4eV。
因为第五和第六实施方式的其他要素与第一实施方式相同，所以将省略其描述。
在包括根据本发明第五和第六实施方式的有机发光二极管的有机发光显示装置中，在基板上布置有界定每个像素区域的栅极线和数据线之中的至少一个、以及与栅极线和数据线之中的任意一个平行延伸的电源线，且在每个像素区域中布置有与栅极线和数据线连接的开关薄膜晶体管、以及与开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管与第一电极402连接。
通过基于图11中所示的有机发光二极管的光学模拟获得的等高线图提出本发明的结构。
图12是图解根据本发明第五实施方式的等高线图的示图，图13是图解根据本发明第六实施方式的等高线图的示图。
在图12和13中，横轴表示波长，纵轴表示有机材料的厚度。在图12和13中有机材料的厚度单位为纳米(nm)。有机材料的厚度表示布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度。有机层表示构成如图11中所示的第一发光部410和第二发光部420的有机层，有机层包括空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电荷生成层(CGL)以及发光层(EML)。如果在第二电极下方进一步设置缓冲层，则缓冲层不包括在有机层中。
图11中所示的有机发光二极管应用于本发明的第五实施方式，且布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在200nm到240nm的范围内。图11中所示的有机发光二极管应用于本发明的第六实施方式，且布置在第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在340nm到370nm的范围内。
如图12中所示，从本发明的第五实施方式注意到，位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度在200nm到240nm的范围内。例如，位于第一电极与第二电极之间的有机层的厚度可调整为225nm。此外，第一电极402的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极404的厚度可在100nm到的范围内，例如，第二电极404的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置414E在距第一电极402为30nm到60nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置414E可在距第一电极402为50nm处。第二发光层(EML)的位置415E在距第一电极402为50nm到90nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置415E可在距第一电极402为60nm处。第一发光层(EML)414的厚度可在20nm到的范围内，且第二发光层(EML)415的厚度可在5nm到10nm的范围内。
第二发光部的第三发光层(EML)的位置424E在距第一电极402为120nm到160nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置424E可在距第一电极402为140nm处。第三发光层(EML)424的厚度可在20nm到30nm的范围内。
如图13中所示，从本发明的第六实施方式注意到，布置在第一电极402与第二电极404之间的有机层的厚度在340nm到370nm的范围内。例如，位于第一电极402与第二电极404之间的有机层的厚度可调整为360nm。此外，第一电极402的厚度可在10nm到15nm的范围内。第二电极404的厚度可在100nm到的范围内，例如，第二电极404的厚度可以是140nm。
第一发光部的第一发光层(EML)的位置414E在距第一电极402为30nm到60nm的范围内。例如，第一发光层(EML)的位置414E可在距第一电极402为40nm处。第二发光层(EML)的位置415E在距第一电极402为50nm到90nm的范围内。例如，第二发光层(EML)的位置415E可在距第一电极402为60nm处。第一发光层(EML)414的厚度可在20nm到的范围内，且第二发光层(EML)415的厚度可在5nm到10nm的范围内。
第二发光部的第三发光层(EML)的位置424E在距第一电极102为120nm到160nm的范围内。例如，第三发光层(EML)的位置424E可在距第一电极402为140nm处。第三发光层(EML)424的厚度可在20nm到30nm的范围内。
将参照表4描述根据本发明第五和第六实施方式测量的效率、色坐标、DCI面积比、DCI覆盖率以及Δu'v'的结果。
[表4]
在表4中，参照效率注意到，第五实施方式的红色(R)效率比第六实施方式的红色(R)效率提高了20％，且第五实施方式的绿色(G)效率比第六实施方式的绿色(G)效率提高了10％。此外，注意到第五实施方式的蓝色(B)效率比第六实施方式的蓝色(B)效率提高了8％，且第五实施方式的白色(W)效率比第六实施方式的白色(W)效率提高了10％。注意到第五实施方式的面板效率比第六实施方式的面板效率提高了10％。因此，注意到就红色效率、绿色效率、蓝色效率、白色效率和面板效率而言，第五实施方式比第六实施方式提高。
参照白色色坐标(Wx，Wy)，注意到第五实施方式显示出(0.336，0.325)，第六实施方式显示出(0.333，0.328)。
参照DCI(数字电影倡导组织)面积比，注意到第五实施方式显示出97.3％，第六实施方式显示出94.7％。参照DCI覆盖率，注意到第五实施方式显示出96.4％，第六实施方式显示出93.7％。结果，第五实施方式的色再现率比第六实施方式更加出色。
参照基于视角的Δu'v'，注意到第五实施方式显示出0.033，第六实施方式显示出0.029。因为第六实施方式的Δu'v'比第五实施方式的Δu'v'小，所以注意到第六实施方式具有比第五实施方式的色偏率特性更加出色的色偏率特性。将参照图15详细描述基于视角的Δu'v'。
图14是图解根据本发明第五和第六实施方式的有机发光显示装置的EL光谱的示图。在图14中，横轴表示光的波长，纵轴表示电致发光强度。电致发光强度是被表示为基于EL光谱的最大值的相对值的数值。
此外，在图14中，因为第五和第六实施方式与上面所述相同，所以将省略它们的描述。由实线表示根据本发明第五实施方式的EL光谱，由虚线表示本发明第六实施方式的EL光谱。
如图14中所示，从本发明的第五和第六实施方式注意到，在EL光谱中产生三个EL峰值。就是说，第一峰值对应于蓝色区域，对应于蓝色区域的波长可在440nm到480nm的范围内。第二峰值对应于绿色区域，对应于绿色区域的波长可在530nm到580nm的范围内。第三峰值对应于红色区域，对应于红色区域的波长可在600nm到650nm的范围内。因此，注意到三个EL峰值可分别具有440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的波长。
在第一峰值的波长区域中，注意到第五实施方式的EL强度与第六实施方式的EL强度相似。在第二峰值的波长区域中，注意到与第六实施方式的EL强度相比，第五实施方式的EL强度提高。因此，注意到与第六实施方式相比，第五实施方式的绿色效率提高。在第三峰值的波长区域中，注意到与第六实施方式相比，第五实施方式的红色效率提高。
图15是图解根据本发明第五和第六实施方式的有机发光显示装置的基于视角的Δu'v'的示图。在图15中，横轴表示视角，纵轴表示Δu'v'。
在图15中，通过从有机发光显示装置的前方倾斜0°、15°、30°、45°和60°测量Δu'v'。
此外，在图15中，因为第五和第六实施方式与上面所述相同，所以将省略它们的描述。由实线表示第五实施方式的变化，由虚线表示根据第六实施方式的变化。
如图15中所示，注意到在与有机发光显示装置的前侧对应的0°到60°的视角方向上，第六实施方式中的Δu'v'比第五实施方式中的Δu'v'低。结果，注意到第六实施方式中的色偏率特性比第五实施方式中的色偏率特性更出色。
注意到根据第一到第六实施方式的基于顶部发光型的有机发光显示装置具有比基于底部发光型的有机发光显示装置提高40％或更多的开口率。此外，因为不需要偏振器，所以可提高有机发光显示装置的亮度。因此，可提供具有提高的开口率、提高的亮度、提高的效率以及提高的色再现率的有机发光显示装置。
如上所述根据本发明的有机发光二极管可应用于照明装置，可用作LCD装置的薄型光源，或者可应用于显示装置。下文中，将描述根据本发明的有机发光二极管应用于显示装置的实施方式。
图16是图解包括根据本发明示例实施方式的有机发光二极管的有机发光显示装置的剖面图，其中有机发光显示装置是基于根据本发明第一到第六实施方式的前述有机发光二极管的。
如图16中所示，本发明的有机发光显示装置1000包括基板501、薄膜晶体管TFT、第一电极502、发光部1180和第二电极504。薄膜晶体管TFT包括栅极电极1115、栅极绝缘层1120、半导体层1131、源极电极1133和漏极电极1135。
尽管以反交错结构显示了薄膜晶体管TFT，但可以以共平面结构形成薄膜晶体管TFT。
基板501可由玻璃、金属或塑料形成。
栅极电极1115形成在基板501上并与栅极线(未示出)连接。栅极电极1115可以是Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或它们的合金中的任意一个的多层。
栅极绝缘层1120形成在栅极电极1115上并可由氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、或SiOx和SiNx的多层膜形成，但并不限于此。
半导体层1131形成在栅极绝缘层1120上，并可由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物半导体或有机半导体形成。如果半导体层1131由氧化物半导体形成，则半导体层1131可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或ITZO(氧化铟锡锌)形成，但并不限于此。尽管可在半导体层1131上形成蚀刻阻止部(未示出)来保护半导体层1131，但根据薄膜晶体管(TFT)的结构可省略蚀刻阻止部。
源极电极1133和漏极电极1135可形成在半导体层1131上。源极电极1133和漏极电极1135可包括由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu以及它们的合金中的任意一个组成的单层或多层。
在源极电极1133和漏极电极1135上形成有钝化层1140，钝化层1140可由氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、或SiOx和SiNx的多层膜形成。可选择地，钝化层1140可由亚克力树脂或聚酰亚胺树脂形成，但并不限于此。
第一电极502形成在钝化层1140上，第一电极502可由Au、Ag、Al、Mo、Mg或类似物或它们的合金形成，但并不限于此。可选择地，第一电极502可由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或类似物形成，但并不限于此。可在第一电极502下方额外设置反射电极，以将光向着第二电极504反射。
第一电极502通过钝化层1140的预定区域的接触孔CH与漏极电极1135电连接。尽管在图16中漏极电极1135和第一电极502彼此电连接，但源极电极1133和第一电极502可通过钝化层1140的预定区域的接触孔CH彼此电连接。
在第一电极502上形成有堤层1170，堤层1170界定出像素区域。就是说，堤层1170以矩阵布置方式形成在多个像素之间的边界区域中，由此通过堤层1170界定出像素区域。堤层1170可由诸如苯并环丁烯(BCB)基树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺树脂这样的有机材料形成。可选择地，堤层1170可由包括黑色颜料的光刻胶形成。在该情形中，堤层1170用作遮光部件。
发光部1180形成在堤层1170上。发光部1180包括如图2、5、7和11中所示形成在第一电极502上的第一发光部和第二发光部。
第二电极504形成在发光部1180上，第二电极504可由作为诸如TCO(透明导电氧化物)之类的透明导电材料的ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或类似物形成，但并不限于此。可在第二电极504下方额外设置缓冲层。
在第二电极504上设置有封装层1190。封装层1190用于防止水分渗透到发光部1180中。封装层1190可由沉积有不同无机材料的多个层形成，或可由交替沉积有无机材料和有机材料的多个层形成。封装基板701可通过封装层1190粘合到第一基板501。封装基板701可由玻璃或塑料形成，或可由金属形成。在封装基板701上布置有滤色器702和黑矩阵703。从发光部1180发射的光向着封装基板701传播，以通过滤色器702显示图像。
如上所述，根据本发明，两个发光部之中的一个发光部包括绿色发光层或黄绿色发光层、以及红色发光层，由此可提高绿色效率和红色效率，并可提高色再现率。
此外，因为两个发光部之中的一个发光部包括两个发光层且提供有三个EL峰值，所以可提高效率和色再现率，由此可提供能应用于大尺寸TV的有机发光显示装置。
此外，因为不需要偏振器，所以可提供具有提高的亮度的有机发光显示装置。
此外，因为使用顶部发光型，所以可提供具有提高的开口率的有机发光显示装置。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，本发明可进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (27)

1.一种有机发光显示装置，包括：
在基板上彼此面对的第一电极和第二电极；
位于所述第一电极上的第一发光部；和
位于所述第一发光部上的第二发光部，
其中所述第一发光部或所述第二发光部包括绿色发光层和黄绿色发光层之中的一个发光层、以及红色发光层，以提高绿色效率、红色效率和色偏率特性之中的任意一个。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部包括所述绿色发光层和所述红色发光层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部包括深蓝色发光层。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述绿色发光层比所述红色发光层更靠近所述第一电极。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到230nm范围内的厚度，以提高红色效率。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有320nm到350nm范围内的厚度，以提高色偏率特性。
7.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述红色发光层比所述绿色发光层更靠近所述第一电极。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到230nm范围内的厚度，以提高绿色效率。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部包括所述绿色发光层和所述红色发光层。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述红色发光层比所述绿色发光层更靠近所述第二电极。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部包括深蓝色发光层。
12.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有320nm到350nm范围内的厚度，以提高绿色效率。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部包括所述黄绿色发光层和所述红色发光层。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光部包括蓝色发光层。
15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述黄绿色发光层比所述红色发光层更靠近所述第一电极。
16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有200nm到240nm范围内的厚度，以提高红色效率。
17.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，进一步包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层具有340nm到370nm范围内的厚度，以提高色偏率特性。
18.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极和所述第二电极的每一个包括反射电极和透反电极之中的一个电极。
19.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部和所述第二发光部的每一个包括位于440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的电致发光峰值。
20.一种有机发光显示装置，包括：
在基板上彼此面对的第一电极和第二电极；
位于所述第一电极上的第一发光部；和
位于所述第一发光部上的第二发光部，
其中所述第一发光部和所述第二发光部中的至少一个包括两个发光层，且所述第一发光部和所述第二发光部具有展现出三个EL峰值的发光特性。
21.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部包括所述两个发光层，且所述第二发光部包括单个发光层。
22.根据权利要求21所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部中的所述两个发光层包括绿色发光层和红色发光层，所述第二发光部中的所述单个发光层包括深蓝色发光层。
23.根据权利要求21所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部中的所述两个发光层包括黄绿色发光层和红色发光层，所述第二发光部中的所述单个发光层包括蓝色发光层。
24.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部包括单个发光层，且所述第二发光部包括所述两个发光层。
25.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部中的所述单个发光层包括深蓝色发光层，所述第二发光部中的所述两个发光层包括绿色发光层和红色发光层。
26.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极和所述第二电极的每一个包括反射电极和透反电极之中的一个电极。
27.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中所述三个EL峰值具有在440nm到480nm、530nm到580nm和600nm到650nm范围内的波长。
CN201510634578.7A 2014-12-17 2015-09-29 有机发光显示装置 Active CN105720200B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140182517A KR102381626B1 (ko) 2014-12-17 2014-12-17 유기발광 표시장치
KR10-2014-0182517 2014-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105720200A true CN105720200A (zh) 2016-06-29
CN105720200B CN105720200B (zh) 2018-09-11

Family

ID=54106199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510634578.7A Active CN105720200B (zh) 2014-12-17 2015-09-29 有机发光显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (5) US10177330B2 (zh)
EP (2) EP3035402B1 (zh)
KR (5) KR102381626B1 (zh)
CN (1) CN105720200B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111725434A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 赛诺拉有限公司 有机电致发光器件
CN112242429A (zh) * 2020-10-20 2021-01-19 安徽熙泰智能科技有限公司 一种顶发射硅基oled器件结构以及显示方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102379123B1 (ko) 2015-08-27 2022-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 적용한 차량용 조명장치
JP5991686B1 (ja) * 2016-04-14 2016-09-14 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
US10020351B2 (en) * 2016-06-24 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescence display device
US10720606B2 (en) * 2016-12-26 2020-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device having pixel including a first region in which a pixel circuit is disposed
KR102527664B1 (ko) 2018-04-24 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102560868B1 (ko) * 2018-06-01 2023-07-27 엘지디스플레이 주식회사 공간 전하 이동 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치
JP7169126B2 (ja) * 2018-08-30 2022-11-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 塗布型有機電界発光素子
US11289557B2 (en) * 2018-12-17 2022-03-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same
KR102087102B1 (ko) * 2018-12-17 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20220092301A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 엘지디스플레이 주식회사 백색 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101043069A (zh) * 2006-03-21 2007-09-26 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置和电子装置
CN102034934A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 乐金显示有限公司 白色有机发光器件
CN102738409A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备以及照明装置
CN103022370A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 乐金显示有限公司 白色有机发光装置
CN103107288A (zh) * 2011-11-10 2013-05-15 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
US20130320837A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Universal Display Corporation Four Component Phosphorescent OLED For Cool White Lighting Application
US20140306207A1 (en) * 2011-10-26 2014-10-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element, and material for organic electroluminescence element
WO2014185032A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104205398A (zh) * 2012-04-06 2014-12-10 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673279B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示素子及びその製造方法
KR20080018557A (ko) * 2006-08-25 2008-02-28 삼성전자주식회사 유기 발광 장치
KR101316752B1 (ko) * 2007-05-31 2013-10-08 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
KR100944909B1 (ko) 2008-02-27 2010-03-03 주식회사 유라코퍼레이션 그로멧
JP2009301731A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Rohm Co Ltd 有機発光装置及び有機発光装置の製造方法
KR20120041460A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR101365824B1 (ko) * 2010-10-22 2014-02-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR101786881B1 (ko) * 2010-12-30 2017-10-18 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
JP6108664B2 (ja) * 2011-04-04 2017-04-05 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
KR101469484B1 (ko) * 2011-09-20 2014-12-05 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR101511552B1 (ko) * 2011-11-10 2015-04-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
KR101908510B1 (ko) * 2012-04-06 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
CN103681760B (zh) * 2012-09-12 2016-08-17 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US9577221B2 (en) * 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
KR102059601B1 (ko) * 2013-04-01 2019-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
DE112014005483B4 (de) * 2013-12-02 2022-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element, Anzeigemodul, Beleuchtungsmodul, Licht emittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
CN104851981B (zh) * 2014-02-18 2018-02-06 财团法人工业技术研究院 蓝光发光元件及发光元件

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101043069A (zh) * 2006-03-21 2007-09-26 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置和电子装置
CN102034934A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 乐金显示有限公司 白色有机发光器件
CN102738409A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 株式会社半导体能源研究所 发光装置、电子设备以及照明装置
CN103022370A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 乐金显示有限公司 白色有机发光装置
US20140306207A1 (en) * 2011-10-26 2014-10-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element, and material for organic electroluminescence element
CN103107288A (zh) * 2011-11-10 2013-05-15 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
CN104205398A (zh) * 2012-04-06 2014-12-10 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
US20130320837A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Universal Display Corporation Four Component Phosphorescent OLED For Cool White Lighting Application
WO2014185032A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111725434A (zh) * 2019-03-21 2020-09-29 赛诺拉有限公司 有机电致发光器件
CN112242429A (zh) * 2020-10-20 2021-01-19 安徽熙泰智能科技有限公司 一种顶发射硅基oled器件结构以及显示方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10818862B2 (en) 2020-10-27
US20190288228A1 (en) 2019-09-19
US10985338B2 (en) 2021-04-20
KR20210149000A (ko) 2021-12-08
US10177330B2 (en) 2019-01-08
US20190097153A1 (en) 2019-03-28
KR20160073771A (ko) 2016-06-27
KR102651677B1 (ko) 2024-03-26
US10355231B2 (en) 2019-07-16
KR20230054347A (ko) 2023-04-24
EP4084082A2 (en) 2022-11-02
KR20220044696A (ko) 2022-04-11
KR20240041897A (ko) 2024-04-01
US20200168828A1 (en) 2020-05-28
KR102523495B1 (ko) 2023-04-18
US20160181562A1 (en) 2016-06-23
KR102381626B1 (ko) 2022-04-01
US10586939B2 (en) 2020-03-10
EP3035402A1 (en) 2016-06-22
EP4084082A3 (en) 2023-02-22
US20200411787A1 (en) 2020-12-31
CN105720200B (zh) 2018-09-11
EP3035402B1 (en) 2022-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105720200B (zh) 有机发光显示装置
KR102412875B1 (ko) 유기발광 표시장치
US10347858B2 (en) White organic light emitting device
CN105655372A (zh) 有机发光显示装置
KR20100013799A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102595367B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
KR102587943B1 (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant