CN105717737A - 一种掩膜版及彩色滤光片基板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种掩膜版，包括：基板；多个遮光部，分别间隔设置在所述基板的表面；多个半透光部，分别紧靠多个所述遮光部的两侧边而设置，其中，在相邻的两个所述遮光部之间，相邻的两个所述半透光部之间形成透光区域。本发明还公开一种彩色滤光片基板的制备方法。本发明所提供的掩膜版在遮光部与透光区域之间设置两个半透光部，在使用该掩膜版进行曝光时，因对应半透光部的黑色光刻胶材料层的曝光量小于对应透光区域的黑色光刻胶材料层的曝光量，使得对应半透光部的黑色光刻胶材料层在显影时的溶解度介于对应透光区域及遮光部的溶解度之间，从而起到一个缓冲的作用，易于通过控制显影时间提高显影精度。

Description

一种掩膜版及彩色滤光片基板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜版及彩色滤光片基板的制备方法。
背景技术
随着显示屏技术的发展，窄边框及清晰度高的显示屏越来越受到消费者们的青睐。为满足消费者们的需求，在对影响到显示屏清晰度及尺寸的黑矩阵的精度也要求越高。目前在制作黑矩阵的过程中，通常采用扫描式曝光及接近式曝光。其中扫描式曝光精度较高，但因费用较为昂贵而使得制造成本较高，因此大多数企业会采用接近式曝光方式，但接近式曝光方式所用的掩膜版为“透光区-遮光区”结构，使得曝光充足的与未曝光的光刻胶直接接触，在后续显影过程中因难以控制时间而影响到光刻胶的尺寸精度，进而使得所制成的黑矩阵图案的尺寸精度较低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种在制作黑矩阵时能提高黑矩阵精度以及显示面板的清晰度的掩膜版。
另外，还有必要提供一种彩色滤光片基板的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的一种技术方案是：提供一种掩膜版，包括：
基板；
多个遮光部，分别间隔设置在所述基板的表面；
多个半透光部，分别紧靠多个所述遮光部的两侧边而设置，其中，在相邻的两个所述遮光部之间，相邻的两个所述半透光部之间形成透光区域。
其中，所述透光区域的宽度大于所述半透光部的宽度。
其中，所述基板的材料为石英，所述遮光部的材料是铬。
其中，所述半透光部的材料为灰色调掩膜版或半色调掩膜版所使用的材料。
为解决上述技术问题，本发明提供的另一种技术方案是：提供一种彩色滤光片基板的制备方法，包括在衬底基板上形成黑矩阵，所述在衬底基板上形成黑矩阵的步骤，包括：
在所述衬底基板上涂覆一层黑色光刻胶材料，形成黑色光刻胶材料层；
采用掩膜版对所述黑色光刻胶材料层进行曝光；
进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵；
其中，所述掩膜版包括：
基板；
多个遮光部，分别间隔设置在所述基板的表面；
多个半透光部，分别紧靠多个所述遮光部的两侧边而设置，其中，在相邻的两个所述遮光部之间，相邻的两个所述半透光部之间形成透光区域。
其中，所述黑色光刻胶材料层经过曝光后，分为第一曝光区、第二曝光区及第三曝光区，所述第一曝光区对应所述掩膜版的遮光部，所述第二曝光区对应所述掩膜版的半透光部，所述第三曝光区对应所述掩膜版的透光区域，其中所述第三曝光区、第二曝光区及第一曝光区的曝光量依次减小。
其中，在显影时，所述第一曝光区、第二曝光区及第三曝光区在同等条件下的溶解度依次减小。
其中，所述进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵具体包括：
将曝光后的衬底基板至于显影液中，以将所述第一曝光区及第二曝光区去除，留下所述第三曝光区，即形成所述黑矩阵。
其中，所述黑矩阵的宽度等于所述掩膜版上所述透光区域的宽度。
其中，所述半透光部的材料为灰色调掩膜版或半色调掩膜版所使用的材料。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明所提供的掩膜版在遮光部与透光区域之间设置两个半透光透光部，使用该掩膜版进行曝光时，因对应半透光部的黑色光刻胶材料层的曝光量小于对应透光区域的黑色光刻胶材料层的曝光量，使得对应半透光部的黑色光刻胶材料层在显影时的溶解度介于对应透光区域及遮光部的溶解度之间，从而起到一个缓冲的作用，易于通过控制显影时间提高显影精度。另外，由于对应半透光部的黑色光刻胶材料层可以起到缓冲的作用，便于将透光区域的宽度设置为比现有技术中掩膜版的透光区域的宽度小，进而使制成的黑矩阵的宽度更小，从而提高彩色滤光片中面积单位内子像素的数量，进而提高显示面板的清晰度。
附图说明
图1是本发明掩膜版的剖面结构示意图；
图2是本发明彩色滤光片基板的制备方法的流程示意图；
图3(a)-图3(d)是本发明彩色滤光片基板的制备方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
请参阅图1，本发明提供的掩膜版100包括基板10、多个遮光部30、多个半透光部50，多个遮光部30分别间隔设置在基板10的表面，多个半透光部50分别紧靠多个遮光部30的两侧边而设置，在相邻的两个遮光部30之间，相邻的两个半透光部50之间形成透光区域70。
基板10的材料可为但不限于石英，遮光部30的材料可为但不限于铬。
半透光部50的材料为灰色调掩膜版或半色调掩膜版所使用的材料，以使掩膜版100在进行照射时，部分光线能穿过半透光部50，而其它部分光线则被反射。
相较于传统的掩膜版100，本发明所提供的掩膜版100在遮光部30与透光区域70之间设置一半透光部50，在使用本发明的掩膜版100进行曝光时，因对应半透光部50的黑色光刻胶材料层的曝光量小于对应透光区域70的黑色光刻胶材料层的曝光量，使得对应半透光部50的黑色光刻胶材料层在显影时的溶解度介于对应透光区域70及遮光部30的区域之间，从而起到一个缓冲的作用，易于通过控制显影时间从而提高显影精度。另外，由于对应半透光部50的黑色光刻胶材料层可以起到缓冲的作用，便于将透光区域70的宽度设置为比现有技术中掩膜版的透光区域的宽度小，进而使制成的黑矩阵的宽度更小，从而提高彩色滤光片中面积单位内子像素的数量，进而提高显示面板的清晰度。
请参阅图2及图3(a)-图3(d)，本发明还提供一种彩色滤光片基板200的制备方法，包括在衬底基板20上形成黑矩阵21的步骤，包括：
步骤S11，请参阅图3(a)，在所述衬底基板20上涂覆一层黑色光刻胶材料，形成黑色光刻胶材料层22。
可以理解，在同样曝光能量下，对应半透光部的黑色光刻胶材料层22和对应透光区域的黑色光刻胶材料层22在显影时溶解度不一样，对应透光区域的黑色光刻胶材料层22在同等条件下更难溶解。
步骤S12，请参阅图3(b)，采用掩膜版100对黑色光刻胶材料层22进行曝光。
其中，掩膜版100包括基板10、多个遮光部30、多个半透光部50，多个遮光部30分别间隔设置在基板10的表面，多个半透光部50分别紧靠多个遮光部30的两侧边而设置，在相邻的两个遮光部30之间，相邻的两个半透光部50之间形成透光区域70。
透光区域70的宽度大于半透光部50的宽度。
基板10的材料为石英，遮光部30的材料是铬。
半透光部50的材料为灰色调掩膜版100或半色调掩膜版100所使用的材料。
可以理解，曝光的作用是通过紫外线的照射，将掩膜版100上遮光部30、半透光部50及透光区域70组成的图像投影至黑色光刻胶材料层22上。
可以理解，请结合参阅图3(c)，经过曝光后，黑色光刻胶材料层22分为第一曝光区221、第二曝光区222及第三曝光区223，其中第一曝光区221为对应掩膜版100的遮光部30的区域，即不受紫外线的照射，第二曝光区222为对应掩膜版100的半透光部50的区域，即受到部分紫外线的照射，第三曝光区223为对应掩膜版100的透光区域70的位置，即受到充分的紫外线的照射。其中第三曝光区223、第二曝光区222及第一曝光区221的曝光量依次减小。
步骤S13，请结合参阅图3(d)，进行显影，以在衬底基板20上形成黑矩阵21。
可以理解，在显影时，第一曝光区221、第二曝光区222及第三曝光区223在同等条件下的溶解度依次减小，如此，第二曝光区222就可以起到缓冲的作用，易于控制显影时间，从而提高第三曝光区223，即黑矩阵21的精度。
其中，进行显影，以在衬底基板20上形成黑矩阵21具体步骤包括：
将曝光后的衬底基板20至于显影液中，以将第一曝光区221及第二曝光区222去除，留下第三曝光区223，即形成黑矩阵21。
可以理解，通过控制显影时间，使得黑矩阵21的宽度为掩膜版100上透光区域70的宽度。
可以理解，在其他实施方式中，进一步包括在衬底基板20上形成至少两种颜色的彩色树脂图案的流程。
区别于现有技术的情况，本发明提供的彩色滤光片的制备方法中所应用的掩膜版100在遮光部30及透光区域70之间设置半透光部50，使得在曝光时，第二曝光区222在显影时的溶解度介于第一曝光区221及第三曝光区223之间，如此第二曝光区222可以起到缓冲的作用，便于工作人员控制显影时间，提高显影后第三曝光区223的精度，即制备的黑矩阵21的精度。另外，由于第二曝光区222在显影时可以起到缓冲作用，便于将透光区域70的宽度设置为比现有技术中掩膜版100的透光区域70的宽度小，进而使制成的黑矩阵21的宽度更小，从而提高彩色滤光片中面积单位内子像素的数量，进而提高显示面板的清晰度。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板；
多个遮光部，分别间隔设置在所述基板的表面；
多个半透光部，分别紧靠多个所述遮光部的两侧边而设置，其中，在相邻的两个所述遮光部之间，相邻的两个所述半透光部之间形成透光区域。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述透光区域的宽度大于所述半透光部的宽度。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述基板的材料为石英，所述遮光部的材料是铬。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，
所述半透光部的材料为灰色调掩膜版或半色调掩膜版所使用的材料。
5.一种彩色滤光片基板的制备方法，包括在衬底基板上形成黑矩阵，其特征在于，所述在衬底基板上形成黑矩阵的步骤，包括：
在所述衬底基板上涂覆一层黑色光刻胶材料，形成黑色光刻胶材料层；
采用掩膜版对所述黑色光刻胶材料层进行曝光；
进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵；
其中，所述掩膜版包括：
基板；
多个遮光部，分别间隔设置在所述基板的表面；
多个半透光部，分别紧靠多个所述遮光部的两侧边而设置，其中，在相邻的两个所述遮光部之间，相邻的两个所述半透光部之间形成透光区域。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述黑色光刻胶材料层经过曝光后，分为第一曝光区、第二曝光区及第三曝光区，所述第一曝光区对应所述掩膜版的遮光部，所述第二曝光区对应所述掩膜版的半透光部，所述第三曝光区对应所述掩膜版的透光区域，其中所述第三曝光区、第二曝光区及第一曝光区的曝光量依次减小。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
在显影时，所述第一曝光区、第二曝光区及第三曝光区在同等条件下的溶解度依次减小。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵具体包括：
将曝光后的衬底基板至于显影液中，以将所述第一曝光区及第二曝光区去除，留下所述第三曝光区，即形成所述黑矩阵。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述黑矩阵的宽度等于所述掩膜版上所述透光区域的宽度。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述半透光部的材料为灰色调掩膜版或半色调掩膜版所使用的材料。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105892142A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 黑色矩阵光罩、制备黑色矩阵的方法及其应用
CN107632453A (zh) * 2017-10-31 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法和显示装置
CN108267928A (zh) * 2017-01-04 2018-07-10 永嘉光电股份有限公司 光罩的制作方式
CN108563098A (zh) * 2018-01-17 2018-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制备方法
CN109212907A (zh) * 2018-11-05 2019-01-15 江苏博砚电子科技有限公司 一种制造黑色矩阵涂膜的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107369777B (zh) * 2017-08-31 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及其制备方法、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050157236A1 (en) * 2003-09-29 2005-07-21 Quanta Display Inc. Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
CN100337306C (zh) * 2003-06-30 2007-09-12 Hoya株式会社 灰调掩模的制造方法和灰调掩模
US20080266691A1 (en) * 2007-03-07 2008-10-30 Fujifilm Corporation Optical filter, and liquid-crystal display device comprising it
US20120202158A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
US20130222936A1 (en) * 2010-11-02 2013-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Color filter substrate and method for producing same
CN103383522A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 Hoya株式会社 光掩模、图案转印方法以及平板显示器的制造方法
US20140045102A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Mask and method of manufacturing a substrate using the mask

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3449857B2 (ja) 1996-06-03 2003-09-22 株式会社リコー ハーフトーン位相シフトマスクとその製造方法
JP3441711B2 (ja) 2000-11-02 2003-09-02 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク
JP2002196473A (ja) 2000-12-22 2002-07-12 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスク
JP5605917B2 (ja) 2011-12-27 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
CN102854656A (zh) 2012-09-29 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 彩色滤光基板以及其相关制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100337306C (zh) * 2003-06-30 2007-09-12 Hoya株式会社 灰调掩模的制造方法和灰调掩模
US20050157236A1 (en) * 2003-09-29 2005-07-21 Quanta Display Inc. Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
US20080266691A1 (en) * 2007-03-07 2008-10-30 Fujifilm Corporation Optical filter, and liquid-crystal display device comprising it
US20130222936A1 (en) * 2010-11-02 2013-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Color filter substrate and method for producing same
US20120202158A1 (en) * 2011-02-09 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process
CN103383522A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 Hoya株式会社 光掩模、图案转印方法以及平板显示器的制造方法
US20140045102A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Mask and method of manufacturing a substrate using the mask

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105892142A (zh) * 2016-06-29 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 黑色矩阵光罩、制备黑色矩阵的方法及其应用
US10324325B2 (en) 2016-06-29 2019-06-18 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Black matrix mask, method for manufacturing black matrix, and application thereof
CN108267928A (zh) * 2017-01-04 2018-07-10 永嘉光电股份有限公司 光罩的制作方式
CN107632453A (zh) * 2017-10-31 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法和显示装置
CN107632453B (zh) * 2017-10-31 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法和显示装置
CN108563098A (zh) * 2018-01-17 2018-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制备方法
WO2019140914A1 (zh) * 2018-01-17 2019-07-25 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及用于制备掩膜版的方法
CN109212907A (zh) * 2018-11-05 2019-01-15 江苏博砚电子科技有限公司 一种制造黑色矩阵涂膜的方法

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CN105717737B (zh) 2019-08-02
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