CN105679876A - 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 - Google Patents
基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105679876A CN105679876A CN201610155951.5A CN201610155951A CN105679876A CN 105679876 A CN105679876 A CN 105679876A CN 201610155951 A CN201610155951 A CN 201610155951A CN 105679876 A CN105679876 A CN 105679876A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- black phosphorus
- layer
- heterojunction
- molybdenum disulfide
- molybdenumdisulphide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010038743 Restlessness Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，属于光探测技术领域，解决器件不具有宽光谱、快速、低噪声的响应特性，同时不具有与CMOS工艺兼容、体积小、易于集成和响应光谱范围可调的问题。本发明包括二氧化硅衬底层，二氧化硅衬底层上设置的二硫化钼层，在二硫化钼层的上表面覆盖设置的黑磷导电层，黑磷导电层和二硫化钼构成异质结结构，所述黑磷导电层上设置有第一电极层和第二电极层。本发明用于实现宽光谱、超快响应的光探测器。
Description
技术领域
一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，用于实现宽光谱、超快响应的光探测器，属于光探测技术领域。
背景技术
传统基于IV族和III‐V族半导体材料(例如硅和砷化镓)的光探测器的适用光谱范围和探测带宽普遍受到其材料本身的能量带隙和载流子渡越时间的制约，因此实现宽光谱、超快响应的光调制器比较困难。随着科技的快速发展，对器件集成度的要求也越来越高，器件尺寸需要不断减小，基于传统材料的光探测器的器件已接近极限。近年来，对近红外激光器的研究也越来越受到关注，尤其是应用在医学方面的激光手术刀，涉及激光光波长从1μm到3μm范围变化，需要一个宽光谱的光探测器来对其激光光束质量进行有效地检测和评估。
黑磷和二硫化钼材料都是直接带隙材料，并且能量带隙是可控的。黑磷材料的光电学特性与其层数或厚度有着密切关联，单原子层黑磷的带隙为2eV，多原子层黑磷的带隙可低至为0.3eV(见文献L.K.Li,etal.Blackphosphorusfield‐effecttransistors.NatureNanotechnology,vol.9,2014)，因而通过控制黑磷的生长厚度来调控其带隙，可以在0.5μm～4.1μm波长范围工作。实验证明，黑磷材料具有超快的载流子恢复时间(见文献Y.W.Wang,etal.Ultrafastrecoverytimeandbroadbandsaturableabsorptionpropertiesofblackphosphorussuspension.AppliedPhysicsLetters,vol.107,2015)，且多原子层黑磷材料相对容易制备得到，从可见光到中红外光波段，其损伤阈值较高，有潜力对高功率激光脉冲进行有效检测。
发明内容
本发明针对上述不足之处提供了一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，解决器件不具有宽光谱、快速、低噪声的响应特性，同时不具有与CMOS工艺兼容、体积小、易于集成和响应光谱范围可调的问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，其特征在于：包括二氧化硅衬底层，二氧化硅衬底层上设置的二硫化钼层，在二硫化钼层的上表面覆盖设置的黑磷导电层，黑磷导电层和二硫化钼构成异质结结构，所述黑磷导电层上设置有第一电极层和第二电极层。
进一步，所述黑磷导电层为单层或多层。
进一步，所述第一电极层和第二电极层的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴、钯中的一种或多种，并作为引出电极，与外部电路相连。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
一、本发明的光探测器以二氧化硅作为衬底，与CMOS工艺兼容，易于集成；
二、本发明光探测器不仅尺寸小，且工作范围可在0.5μm～4.1μm波长范围工作，涵盖了现有医疗激光手术刀的波长范围，可在激光医疗方面发挥重要作用；
三、本发明中黑磷/二硫化钼异质结结构可以大幅度增强光子的吸收和提高光生载流子的产生，且黑磷材料具有超快的载流子恢复时间(飞秒量级)和较高的载流子迁移率，可具有较高的探测带宽和较快的光响应速度；
四、本发明中黑磷是直接带隙材料，具有更小的噪声电流，可以避免长波长杂散光产生的噪声，提高了光探测器的灵敏度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图1：1-二氧化硅衬底层、2-二硫化钼层、3-黑磷导电层、4-第一电极层、5、第二电极层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，包括二氧化硅衬底层1，二氧化硅衬底层1上设置的二硫化钼层2，在二硫化钼层2的上表面覆盖设置的黑磷导电层3，黑磷导电层3和二硫化钼2构成异质结结构，所述黑磷导电层3上设置有第一电极层4和第二电极层5。所述黑磷导电层3为单层或多层。所述第一电极层4和第二电极层5的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴、钯中的一种或多种，并作为引出电极，与外部电路相连。黑磷和二硫化钼材料都是直接带隙材料，并且能量带隙是可控的，通过控制黑磷材料的层数，黑磷/二硫化钼异质结的能量带隙可被人为调控，黑磷材料的能量带隙可低至0.3eV，可以响应0.5μm～4.1μm范围的光波长，相比于零带隙的石墨烯，黑磷材料具有一定的禁带宽度，避免了对较长波长光的响应，因而具有更小的噪声电流。以二氧化硅材料作为衬底，与CMOS工艺兼容，易于集成。黑磷/二硫化钼异质结结构可以大幅度增强光子的吸收和提高光生载流子的产生，且黑磷材料具有超快的载流子恢复时间(飞秒量级)和较高的载流子迁移率，可具有较高的探测带宽和较快的光响应速度。
实施例1
图1是本发明实施例中基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器结构示意图。
由图1可见，本发明提供的基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器包括二氧化硅衬底层1，二氧化硅衬底层1上设置的二硫化钼层2，在二硫化钼层2的上表面覆盖设置的黑磷导电层3，黑磷导电层3和二硫化钼2构成异质结结构，黑磷导电层3上设置有第一电极层4和第二电极层5，第一电极层4和第二电极层5相对称设置在黑磷导电层3上。
实施例中所述黑磷导电层3为单层或多层。
实施例中所述第一电极层4和第二电极层5的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴、钯中的一种或多种，并作为引出电极，与外部电路相连。
本发明实施例光探测器以二氧化硅材料作为衬底，与CMOS工艺兼容，易于集成；相比于传统基于IV族和III‐V族半导体材料的光探测器，本发明的光探测器具有更小的尺寸，且工作范围可在0.5μm～4.1μm波长范围工作，涵盖了现有医疗激光手术刀的波长范围，可在激光医疗方面发挥重要作用；黑磷/二硫化钼异质结结构可以大幅增强光子的吸收和提高光生载流子的产生，且黑磷材料具有超快的载流子恢复时间(飞秒量级)和较高的载流子迁移率，可具有较高的探测带宽和较快的光响应速度；相比于基于石墨烯的光探测器，石墨烯是零带隙材料，黑磷是直接带隙材料，基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器具有更小的噪声电流。
二硫化钼的优点之一是电子在平面薄片中的运行速度，即电子迁移率。二硫化钼的电子迁移速率大约是100cm2/vs(即每平方厘米每伏秒通过100个电子)，这远低于晶体硅的电子迁移速率1400cm2/vs，但是比非晶硅和其他超薄半导体的迁移速度更好。二硫化钼还有其他令人向往的特性，即直接带隙，这一特性使该材料把电子转变成光子，反之亦然。二硫化钼这种材料的结构特征，电子在其内部移动时，碰到较大的金属原子后会在其结构内发生弹离，从而会降低迁移速度。
黑磷二维晶体的电子转移速率为1000cm2/vs，且通过黑磷材料的层数，其能量带隙(能量带隙是指半导体材料中导带的最低点和价带的最高点的能量之差，当入射光的能量高于带隙能时，可以激发产生光生伏特效应，即将光信号转化为对应的电流信号)是可调谐的，但黑磷单晶在空气中不稳定。
黑磷和二硫化钼构成的异质结的材料能量带隙是可以通过外加电场作用改变的，即是可调谐的(通过电场作用改变材料的带隙能)，黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调谐的范围为0.9eV到0eV，即可针对不同探测光波长，通过调谐其能量带隙值来降低背景噪声；又由于黑磷和二硫化钼材料本身都具有较高的电子迁移率，因而基于黑磷/二硫化钼异质结材料的光探测器响应速度快。
Claims (3)
1.一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，其特征在于：包括二氧化硅衬底层(1)，二氧化硅衬底层(1)上设置的二硫化钼层(2)，在二硫化钼层(2)的上表面覆盖设置的黑磷导电层(3)，黑磷导电层(3)和二硫化钼(2)构成异质结结构，所述黑磷导电层(3)上设置有第一电极层(4)和第二电极层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，其特征在于：所述黑磷导电层(3)为单层或多层。
3.根据权利要求1所述的一种基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器，其特征在于：所述第一电极层(4)和第二电极层(5)的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴、钯中的一种或多种，并作为引出电极，与外部电路相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610155951.5A CN105679876A (zh) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610155951.5A CN105679876A (zh) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105679876A true CN105679876A (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=56310913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610155951.5A Pending CN105679876A (zh) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105679876A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107658362A (zh) * | 2017-08-09 | 2018-02-02 | 西安电子科技大学 | 基于黑磷的p‑n光电检测器 |
| CN108550640A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-18 | 张晗 | 碲化镉纳米晶复合的宽波段黑磷光电探测器及其制备方法 |
| CN110098267A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-08-06 | 深圳激子科技有限公司 | 一种基于声子激元增强的石墨烯中红外光探测器及其制备方法 |
| CN111081808A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-28 | 西安电子科技大学 | 基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 |
| CN111142174A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 南开大学 | 一种基于二维黑磷材料的太赫兹调控结构及方法 |
| WO2020130939A1 (en) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | Agency For Science, Technology And Research | Devices comprising multiple two-dimensional transition metal dichalcogenide materials |
| CN111554780A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-18 | 南方科技大学 | 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法 |
| WO2021077837A1 (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 深圳大学 | 基于石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法 |
| CN112834465A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-05-25 | 深圳罗兹曼国际转化医学研究院 | SPR生物传感芯片、芯片修饰方法、SARS-CoV-2检测试剂盒和检测方法 |
| WO2021135062A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 江南大学 | 一种基于二维黑磷材料实现igzo光电流调控的方法 |
| CN114689164A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-01 | 中国科学院半导体研究所 | 复合薄膜声音传感器及其制备方法和应用 |
| CN116825878A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 湖南大学 | 一种面外p-n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用 |
| CN117012842A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 长春理工大学 | 二维超表面结构MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579419A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-12 | 苏州科技学院 | 一种石墨烯/MoS2/Si 异质结薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| US20160020352A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Fundació Institut de Ciéncies Fotóniques | Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same |
-
2016
- 2016-03-18 CN CN201610155951.5A patent/CN105679876A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579419A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-12 | 苏州科技学院 | 一种石墨烯/MoS2/Si 异质结薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| US20160020352A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Fundació Institut de Ciéncies Fotóniques | Optoelectronic apparatus and fabrication method of the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YEXIN DENG，ET AL: "Black Phosphorus Monolayer MoS2 van der Waals Heterojunction p-n Diode", 《ACS NANO》 * |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107658362B (zh) * | 2017-08-09 | 2019-05-10 | 西安电子科技大学 | 基于黑磷的p-n光电检测器 |
| CN107658362A (zh) * | 2017-08-09 | 2018-02-02 | 西安电子科技大学 | 基于黑磷的p‑n光电检测器 |
| CN108550640A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-18 | 张晗 | 碲化镉纳米晶复合的宽波段黑磷光电探测器及其制备方法 |
| WO2020130939A1 (en) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | Agency For Science, Technology And Research | Devices comprising multiple two-dimensional transition metal dichalcogenide materials |
| CN110098267A (zh) * | 2019-04-09 | 2019-08-06 | 深圳激子科技有限公司 | 一种基于声子激元增强的石墨烯中红外光探测器及其制备方法 |
| WO2021077837A1 (zh) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | 深圳大学 | 基于石墨烯/黑磷/二硫化钼/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法 |
| CN111081808A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-28 | 西安电子科技大学 | 基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 |
| CN111081808B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-07-27 | 西安电子科技大学 | 基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 |
| CN111142174A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-12 | 南开大学 | 一种基于二维黑磷材料的太赫兹调控结构及方法 |
| WO2021135062A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 江南大学 | 一种基于二维黑磷材料实现igzo光电流调控的方法 |
| CN111554780A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-18 | 南方科技大学 | 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法 |
| CN112834465A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-05-25 | 深圳罗兹曼国际转化医学研究院 | SPR生物传感芯片、芯片修饰方法、SARS-CoV-2检测试剂盒和检测方法 |
| CN112834465B (zh) * | 2021-02-23 | 2023-08-08 | 深圳罗兹曼国际转化医学研究院 | SPR生物传感芯片、芯片修饰方法、SARS-CoV-2检测试剂盒和检测方法 |
| CN114689164A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-07-01 | 中国科学院半导体研究所 | 复合薄膜声音传感器及其制备方法和应用 |
| CN116825878A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 湖南大学 | 一种面外p-n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用 |
| CN116825878B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-24 | 湖南大学 | 一种面外p-n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用 |
| CN117012842A (zh) * | 2023-09-28 | 2023-11-07 | 长春理工大学 | 二维超表面结构MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法 |
| CN117012842B (zh) * | 2023-09-28 | 2023-12-26 | 长春理工大学 | 二维超表面结构MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105679876A (zh) | 基于黑磷/二硫化钼异质结的光探测器 | |
| CN105702775B (zh) | 一种基于黑磷/二硫化钼异质结能量带隙可调的光探测器 | |
| CN103904544A (zh) | 二维层状材料可饱和吸收体器件及其制备方法 | |
| CN110581187B (zh) | 基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法 | |
| JP5850055B2 (ja) | 太陽電池と該太陽電池の製造方法 | |
| US20170199078A1 (en) | Plasmonic avalanche photodetection | |
| CN104659145B (zh) | 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器 | |
| JP7004824B2 (ja) | 光子検出装置及び光子検出方法 | |
| Zhang et al. | Ultra-broadband, self-powered and high performance vertical WSe2/AlOx/Ge heterojunction photodetector with MXene electrode | |
| CN103545713B (zh) | 一种具有w型有源区结构的带间级联激光器 | |
| Kaur et al. | Localized surface plasmon induced enhancement of electron-hole generation with silver metal island at n-Al: ZnO/p-Cu2O heterojunction | |
| CN103247637B (zh) | 红外探测器及其制作方法 | |
| Song et al. | Self-powered photodetectors based on a ZnTe–TeO 2 composite/Si heterojunction with ultra-broadband and high responsivity | |
| CN108376724A (zh) | 一种紫外光探测器及制备方法 | |
| CN104319613A (zh) | 以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器 | |
| CN106409966A (zh) | 半导体受光元件 | |
| CN103258895A (zh) | 带有底栅控电极的平面电子发射光探测器 | |
| CN104362158A (zh) | 一种长波长GaAs基MSM和HBT单片集成光探测器 | |
| Zhang et al. | GeSn on Si avalanche photodiodes for short wave infrared detection | |
| CN112420859B (zh) | 850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法 | |
| CN104505422B (zh) | 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管 | |
| CN104617181B (zh) | 基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法 | |
| CN103247638A (zh) | 红外探测器及其制作方法 | |
| CN104037618B (zh) | 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 | |
| CN103247675B (zh) | 具备光电转换和放大功能的异质结三极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160615 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |