CN103247675B - 具备光电转换和放大功能的异质结三极管 - Google Patents
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Abstract
具备光电转换和放大功能的异质结三极管,属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N+型GaAs衬底,在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层,以及设置在N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层,在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管,可采用分子束外延设备来生产,该设备通过提供极高的真空度,保证了器件制备过程的无污染,从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管,则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成,避免了弱信号的传输,从而使得躁声降低,这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。
Description
技术领域
本发明属于红外探测技术领域,涉及一种异质结晶体三极管,具体涉及一种具备光电转换和放大功能的异质结三极管。
背景技术
目前在进行红外探测时一般均采用光伏或光导结构,也有利用光-热-电转换的,如VO2等材料,但其反应速度很慢。而光伏和光导结构用光量子激发直接产生载流子,反应时间在微妙级。
与光伏结构相比,光导结构就是一个光敏电阻,其躁声较大,灵敏度较低。
光伏结构(PN结或PIN结构)直接把入射的光量子转化为载流子,但该结构本身没有放大环节,一般是用另外的放大器进行放大,其间的弱信号传输易于受到干扰从而使燥声加大。如果能把InSb等窄带隙材料制备成具有放大功能的三极管结构,则就能同时具备光电转化和放大的双重功能,但由于InSb的本征载流子浓度太高使得该材料的晶体三极管不容易制造出来。目前最容易制备晶体三极管的材料是Si,其次是Ge(带隙稍窄)和GaAs(带隙稍宽)。
如果把容易制备晶体三极管的材料(Ge,Si或GaAs)与能够进行红外探测的材料(InSb)结合起来,则就能利用两种材料各自的优点,从而制备出异质结晶体三极管。
发明内容
本发明的目的是将容易制备晶体三极管的材料(Ge,Si或GaAs)与能够进行红外探测的材料(InSb)结合起来,进而提供一种同时具备光电转换和放大功能的异质结三极管。
本发明的异质结三极管包括衬底,在衬底表面依次生长的与衬底材料相同的P型层、N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层,以及设置在N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层,在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。
上述结构中,所述衬底的材料为N+型GaAS、N+型Si或N+型Ge等晶体材料,在其上生长的P型层的材料应与衬底的材料相对应,即:当衬底为N+型GaAS,在其上生长P型GaAS;当衬底为N+型Si,在其上生长P型Si;当衬底为N+型Ge,在其上生长P型Ge。
上述结构中,所述衬底的掺杂浓度应在1020个原子/cm3左右;P型层的掺杂浓度在1018个原子/cm3左右,InSb或InAs/GaSb超晶格层的掺杂浓度应在1018个原子/cm3左右。
当上述掺杂浓度若有变化,则将导致所述三极管性能的变化。所述衬底的N型掺杂浓度与P型掺杂浓度之比决定异质结三极管的最大可能放大倍数,实际的放大倍数还受到P型GaAS层材料厚度的影响。
本发明的红外探测用异质结晶体三极管,可采用分子束外延设备来生产,该设备通过提供极高的真空度,保证了器件制备过程的无污染,从而获得优异的半导体器件的性能。使用本发明的异质结三极管,则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成,避免了弱信号的传输,从而使得躁声降低,这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。
附图说明
图1为本发明的异质结三极管结构,图2为本发明的异质结晶体三极管能带图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限如此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
具体实施方式一:如图1所示,本实施方式中的异质结三极管结构包括衬底101,若采用N+型GaAS衬底,则用分子束外延等方法在其表面上生长一薄层P型GaAS102,再生长一薄层N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格103,若采用InAs/GaSb超晶格则可以探测更长的波长,最后在N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格103上制备透明电极层104,在衬底101的底部和透明电极层104的上部分别设置有金属引线105,用于连接正负极。
上述结构中,所述衬底的掺杂浓度应在1020个原子/cm3左右;P型GaAs的掺杂浓度在1018个原子/cm3左右,InSb或InAs/GaSb超晶格层的掺杂浓度应在1018个原子/cm3左右。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是,所述异质结三极管结构中,在P型GaAS上生长一薄层N型InS。
如图2所示,图中P型GaAs和N+GaAs构成一个PN结,若N+GaAs的掺杂浓度是P型GaAs的100倍,则当该PN结流过正向电流时,若有一个空穴从P型GaAs流向N+GaAs,则就将有约100个电子从N+GaAs流向P型GaAs。图中的3区和4区是来自P型GaAs的空穴和来自N+GaAs的电子互扩散形成的空间电荷区。
现在来讨论左侧的异质结,若是本征GaAs和InSb相接触,则由于费米能级的关系,InSb的能带将处于GaAs能带的中部。但是由于这里是P型GaAs,界面两侧空穴的势差和浓度差将使空穴流向InSb,由于得到了正电荷,InSb的能带将下移,当外界再施加适当电压时,就得到了图2所示的能带结构。图中1区和2区是空穴从右向左流动形成的空间电荷区。当有合适能量的光子入射到1区时(红外光),将在1区激发出电子空穴对,在该区内建电场的作用下,电子将向图中的左侧漂移,最后到达N型InSb中成为多子的一部分,并进而向左移动进入外电路成为外界电流的一部分,而空穴则向图中的右侧漂移,进入P型GaAs中,也成为多子的一部分,并进一步向图中右方运动,最后通过P型GaAs和N+GaAs之间的PN结进入N+GaAs中与其中的电子复合,最后成为外界电流的一部分。
需要注意的是,当一个空穴从P型GaAs通过PN结进入N+GaAs时,将导致约100个电子从N+GaAs中越过PN结注入到P型GaAs中,当P型GaAs层制备的很薄时,这些注入的电子便能够扩散到P型GaAs层的左边缘,然后由于能级的原因便自动注入到N型InSb层中(因为是能量降低的过程,所以是自发进行的),这就是说,如果有一个光生空穴从左向右通过异质结,则就将有将近100个电子从右向左通过异质结,这些电子都向左方运动并最终成为外界电流的一部分,从而使得导线上流过的载流子数目是光激发的空穴数目的约100倍。
Claims (7)
1.具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述异质结三极管包括衬底(101),在衬底(101)表面依次生长的与衬底材料相同的P型层(102)、N型InAs/GaSb超晶格层(103),以及设置在N型InAs/GaSb超晶格层(103)之上的透明电极层(104),在衬底(101)的底部和透明电极层(104)的上部分别设置有金属引线(105),所述衬底(101)的材质为N+型GaAs、N+型Si或N+型Ge。
2.根据权利要求1所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述衬底(101)为N+型GaAs衬底时,在其表面生长P型GaAs层。
3.根据权利要求1所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述衬底(101)为N+型Si衬底时,在其表面生长P型Si层。
4.根据权利要求1所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述衬底(101)为N+型Ge衬底时,在其表面生长P型Ge层。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述衬底(101)掺杂浓度为1020个原子/cm3。
6.根据权利要求1、2、3或4所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述P型层(102)的掺杂浓度为1018个原子/cm3。
7.根据权利要求1、2、3或4所述的具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述N型InAs/GaSb超晶格层(103)的掺杂浓度为1018个原子/cm3。
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