CN108376724A - 一种紫外光探测器及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种紫外光探测器及制备方法，涉及半导体材料和器件制备技术领域。其中，紫外光探测器包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。

Description

一种紫外光探测器及制备方法
技术领域
本发明属于半导体材料和器件制备技术领域，尤其涉及一种紫外光探测器及制备方法。
背景技术
随着科技的进步，光电探测技术也有了飞速的发。目前，其探测范围已经从微波、红外及可见波段逐渐扩展到了紫外光波段。波长在10nm～400nm范围的电磁波被定义为紫外光。根据波长的不同，可以将紫外光更细地划分为四个部分：UVA的波长范围为320nm—400nm，UVB的波长范围为280nm—320nm，UVC的波长范围为200nm—280nm，VUV的波长范围为10nm—200nm。其中，UVA穿透力非常强，大部分透明的玻璃以及塑料都能够被穿透。到达地球的太阳光中含有UVA，穿透肌肤到达真皮层，破坏弹性纤维和胶原蛋白纤维，使得皮肤晒黑。日光中UVB大部分被臭氧层所吸收，只有极少量能到达地球表面，透明玻璃可以吸收UVB中短波长的部分。UVB对人体具有红斑作用，即用适当剂量的UVB照射皮肤后，使皮肤表层细胞分解产生组织胺等物质进而引起毛细血管扩张，在皮肤表面观察到红色斑痕。红斑作用有利于体内矿物质代谢和维生素D的形成，但是长期暴晒或者过量照射时，会晒黑皮肤并引起皮肤红肿脱皮。UVC穿透能力最弱，太阳光中的UVC在到达地球之前几乎被臭氧层全被吸收。暴露在UVC中，短时间内皮肤会被灼伤，长时间或高强度则会有癌变风险，对人体具有很大的伤害。波长小于200nm的紫外光只能在高真空环境中传播，因而称为“真空紫外光”(UVC)。
紫外光探测技术在民用和军事领域得到多方面的应用，例如，研制高灵敏度、低噪声的紫外光探测器。目前，已投入商业和军事应用的紫外光探测器，主要有紫外真空二极管、紫外光电倍增管、成像型紫外变像管、紫外增强器、紫外摄像管和固体紫外探测器灯等。其中常用的是光电倍增管和硅基紫外光电管。硅基紫外光电管需要附带滤光片，光电倍增管需要在在高电压下工作，需低温冷却，而且体积大，对于实际应用有一定的局限性。因此人们开始关注宽带隙半导体固体紫外探测器。在过去十几年中，为了避免使用昂贵的滤光器，实现紫外探测器在日盲区下工作，人们开始考虑利用宽带隙半导体对可见光响应度低，光响应波长范围可以进入日盲紫外光波段，不需要外加滤光片等特点，开展宽带隙半导体紫外光电探测器件的研究。其中具有潜力的宽带隙材料有金刚石、GaN基以及ZnO基材料等。金刚石带隙为5.5eV(对应波长225nm)、具有耐高温、抗辐射、导热快等优点，但是高质量金刚石薄膜制备难度大，且不易实现可控掺杂，这些问题都影响到金刚石薄膜的实际应用；近二十年来，以GaN为代表的III-V族半导体薄膜材料的研究取得了极大的进步，特别是GaN蓝色LED和LD的商品化，紫色LD也在规模化。正因如此，GaN及其合金Al1-xGaxN在紫外光探测器方面的研究也领先于其它宽带隙半导体探测器,但是日前一个真正高响应速度、高灵敏度、低噪声AlGaN日盲紫外探测器尚未走出实验室，尤其在高Al组份AlGaN的p型掺杂浓度和生长质量上都有较大的困难，再加上GaN基半导体没有匹配的生长衬底，生长温度又很高，导致薄膜的缺陷密度大。因此，高质量GaN基薄膜的实现一直是个难题。
针对微弱紫外光信号探测的主要问题，MgZnO是继GaN之后的又一种理想紫外光电材料，这是由于MgZnO与GaN相比有其更优越的性能，如MgZnO原料丰富、价格便宜、原料丰富、无毒无害，薄膜对可见和近红外光的透射率在85％以上,具有相对较低的生长温度(100-750℃),有匹配的单晶衬底(六方相有ZnO,立方相有MgO),晶格失配和热失配极小，成膜质量高,制备和加工工艺都比较简单，带隙在3.36eV～7.8eV之间可调等优点。
目前来讲，虽然MgZnO紫外光探测器的研究工作取得了一些可惜的成果，但是还有很多问题没有解决，比如如何实现高响应度、低能耗、高灵敏度等综合性能良好的紫外探测器依然是研究者们首要解决的问题。根据目前文献的报道，金属表面等离子体技术被广泛研究并已经应用在发光二极管、太阳能电池等光电领域中。在光探测器领域中，目前已报道的金属表面等离子体技术的应用主要集中在可见光和红外光波段，这是因为大多数金属纳米结构的偶极共振位于可见和红外波段。虽然可以通过减小尺寸是金属纳米粒子的共振峰位移到紫外波段，但是金属吸收损耗也会大大增加，因此不适于将过小尺寸的金属纳米粒子应用到现有的光电器件中。最近国际上也有一些关于利用金属表面等离极化激元来提高紫外探测器响应度的报道，但是金属表面等离极化激元与宽禁带半导体带隙之间的能量匹配问题还没有得到有效解决。
综上所述，现有的技术手段导致MgZnO紫外光探测器存在光响应度低的问题。
发明内容
本发明提供一种紫外光探测器及制备方法，旨在解决现有的紫外光探测器光响应度低的问题。
本发明提供的一种紫外光探测器，包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。
本发明提供的一种紫外光探测器的制备方法，包括：
利用包含Mg、Zn和O的靶材在石英衬底上沉积MgZnO薄膜；
在MgZnO薄膜上蒸镀Ag，并在压强低于10-3Pa、温度为350～400℃的条件下退火30～45min，得到纳米Ag颗粒薄膜；
在所述纳米Ag颗粒薄膜上蒸镀Au薄膜，并制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的紫外光探测器。
本发明提供的一种紫外光探测器及制备方法，通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1是本发明提供的一种紫外光探测器的结构示意图；
图2是实施例1制备得到的MgZnO薄膜的紫外-可见透过光谱测试图；
图3是实施例1制备得到的MgZnO薄膜的紫外可见吸收光谱测试图；
图4是实施例1制备得到的MgZnO薄膜的光学带隙拟合图谱测试图；
图5是实施例1制备得到的MgZnO薄膜的X射线衍射图谱测试图；
图6是实施例1制备得到的Ag颗粒薄膜的扫描电镜测试图；
图7是实施例1制备得到的Ag颗粒薄膜的消光光谱测试图；
图8示出了对比例制备得到的紫外光探测器的光响应测试图；
图9示出了实施例1制备得到的紫外光探测器的光响应测试图；
图10示出了对比例和实施例1制备得到的紫外光探测器在不同偏压下测试图。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供的紫外光探测器的结构示意图，图1所示的紫外光探测器主要包括：石英衬底101、MgZnO薄膜102、纳米Ag颗粒薄膜103和Au薄膜104。
其中，MgZnO薄膜102覆盖石英衬底101，纳米Ag颗粒薄膜103覆盖MgZnO薄膜102，Au薄膜104覆盖纳米Ag颗粒薄膜103。
本发明提供的紫外光探测器，通过形成纳米Ag颗粒，使得纳米Ag颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，产生共振效应，进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强紫外光探测器的光电转换效率，并提高紫外光探测器的响应度。
具体地，MgZnO薄膜102中Mg与Zn的原子比为0.29:0.71。
具体地，纳米Ag颗粒薄膜103的厚度为2～20nm，粒径为10～200nm，优选地，纳米Ag颗粒薄膜的厚度为10nm，粒径为100nm。
本发明提供一种紫外光探测器的制备方法，该方法包括：
步骤一、利用包含Mg、Zn和O的靶材在石英衬底上沉积MgZnO薄膜；
步骤二、在MgZnO薄膜上蒸镀Ag，并在压强低于10-3Pa、温度为350～400℃的条件下退火30～45min，得到纳米Ag颗粒薄膜；
步骤三、在纳米Ag颗粒薄膜上蒸镀Au薄膜，并制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的紫外光探测器。
具体地，
步骤一中，靶材的化学式为Mg0.2Zn0.8O。靶材的尺寸为Φ29.6mm×h4mm。
石英衬底的尺寸为10mm×10mm，并依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声清洗10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干备用。并利用脉冲激光沉积技术烧蚀靶材，使得靶材上的原子全部沉积于石英衬底上。此时，石英衬底上的Mg和Zn的原子比分别与靶材中的Mg和Zn的原子比相同。优选地，靶材的化学式为Mg0.2Zn0.8O。
进一步地，脉冲激光沉积的参数为：沉积距离40～60mm，衬底加热温度设置为500～650℃，真空度为6.0×10-4Pa时通氧气，氧气流量速度为30～50sccm，气氛压强为6～8Pa，激光频率为4～5Hz，激光能量为200～300mJ，沉积时间为120～180min。
具体地，
步骤二中，在MgZnO薄膜上蒸镀Ag时，将步骤二制得的衬底放入真空热蒸镀腔体中，在MgZnO薄膜的正下方固定Ag的蒸发源，关闭腔体开始抽真空，将压强抽到5.0×10-3Pa，缓慢增大加热电流，控制Ag的蒸镀速度大约在0.03nm/s，通过控制蒸镀时间可以控制Ag薄膜的厚度。具体地，控制蒸镀时间为30～45min，得到的Ag薄膜的厚度为2～20nm。
具体地，将覆盖有Ag薄膜的衬底置于管式真空退火炉中，并在5.0×10-3Pa压强下，350～400℃下退火30～45min。此时Ag薄膜在高温下会团聚成Ag颗粒，退火时间的长短会影响Ag颗粒粒径的大小，退火之后会得到粒径为10～200nm的Ag纳米颗粒薄膜。优选地，退火时间为45min，退火后纳米Ag颗粒的粒径为100nm。
具体地，
步骤三中，Au薄膜的厚度为30～50nm。
为了便于理解，本发明实施例通过以下原理说明Ag纳米颗粒等离子增强的MgZnO紫外光管探测器的机理：等离子态是由相等电荷的正离子和负离子组成的物质状态，宏观上呈现电中性。但在受到外界产生的扰动之后，等离子体内部极容易产生极化现象，即正负离子不再均匀分布，这样就会在等离子体内部产生一个极强的静电恢复力，于是等离子体内部正负电荷的分布会发生强烈的电磁震荡。等离子体内的电荷流动和和外界的扰动会同时影响到这种电磁震荡。等离子体内部的电荷会有自己的一个振荡频率，而当外界扰动的频率和等离子体中电荷的振荡频率一致时，就会引起外界扰动和等离子体内部的运动电荷产生一种集体的电磁振荡(共振现象)，这就是局部表面等离子激元。对于金属纳米颗粒而言，当光照射上去时，会诱导金属纳米颗粒表面电子的重新排布，从而产生极化现象，这样就在金属纳米颗粒内部产生极强的电场，电子在电场力的作用下将以极大的加速度回到原来的位置，使整体恢复电中性。运动是加速的，由于惯性作用，电子运动不会停止，而是继续运动，这样又重新破坏电中性，产生强电场，引起电子反向运动。这一过程不断反复，就出现了等离子体中大量电子的持续集体振荡。实际上，金属正离子并没有运动，但为电子的集体振荡提供了背景。金属表面等离子体极化激元的共振频率和金属的种类、形状、尺寸、以及金属周围的介电环境有很大关系。以上因素相互制约，共同影响金属表面等离子体的震荡频率。
因此，当Ag纳米颗粒的震荡频率和MgZnO的带边耦合相匹配时，就会产生共振效应，共振会进一步激化MgZnO的带边耦合，从而增强探测器的光电转换效率，以此来提高探测器的响应度。
本发明实施例中，可以通过改变Ag纳米颗粒的振荡频率来匹配MgZnO的带边耦合，即通过改变薄膜的厚度、退火时间的长短来调整Ag金属颗粒的粒径大小，从而实现Ag纳米颗粒的振荡频率和MgZnO带边耦合的匹配；二是通过改变MgZnO薄膜的带隙来匹配Ag纳米颗粒的振荡频率，即通过改变MgZnO薄膜生长时靶材中Mg的含量来调节MgZnO薄膜中Mg的含量，从而调节MgZnO薄膜的带隙，从而实现MgZnO薄膜的带隙和Ag纳米颗粒的振荡频率的匹配。
对比例
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将Mg0.2Zn0.8O靶材固定在靶材托；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
在石英衬底的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
实施例1
1、制备MgZnO薄膜
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将Mg0.2Zn0.8O靶材固定在靶材托上；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
2、Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器
在石英衬底的MgZnO薄膜上真空蒸镀10nm的Ag薄膜，在压强为5.0×10-3Pa，温度为390℃下真空退火45min，得到粒径为100nm的Ag纳米颗粒。在Ag纳米颗粒修饰的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
实施例2
1、制备MgZnO薄膜
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将Mg0.2Zn0.8O靶材固定在靶材托上；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
2、Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器
在石英衬底的MgZnO薄膜上真空蒸镀2nm的Ag薄膜，在压强为5.0×10-3Pa，温度为390℃下真空退火45min，得到粒径为100nm的Ag纳米颗粒。在Ag纳米颗粒修饰的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
实施例3
1、制备MgZnO薄膜
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将靶材Mg0.2Zn0.8O固定在靶材托；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
2、Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器
在石英衬底的MgZnO薄膜上真空蒸镀20nm的Ag薄膜，在压强为5.0×10-3Pa，温度为390℃下真空退火45min，得到粒径为50nm的Ag纳米颗粒。在Ag纳米颗粒修饰的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
实施例4
1、制备MgZnO薄膜
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将靶材Mg0.4Zn0.6O固定在靶材托；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
2、Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器
在石英衬底的MgZnO薄膜上真空蒸镀10nm的Ag薄膜，在压强为5.0×10-3Pa，温度为390℃下真空退火45min，得到粒径为20nm的Ag纳米颗粒。在Ag纳米颗粒修饰的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
实施例5
1、制备MgZnO薄膜
将石英衬底切割成10mm×10mm的块状，依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声10分钟，用去离子水冲洗、氮气吹干。
将清洗好的衬底固定在PLD(脉冲激光沉积)真空腔的衬底托上，将靶材Mg0.2Zn0.8O固定在靶材托；设置沉积距离为60mm，加热温度为650℃，将腔体抽真空，当真空度为6.0×10-4Pa时通流量速度为50sccm的氧气，并调节腔内气氛压强至8Pa，设置激光频率为5Hz，激光能量为300mJ，沉积时间为180min，得到沉积有MgZnO薄膜的石英衬底。
2、Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器
在石英衬底的MgZnO薄膜上真空蒸镀10nm的Ag薄膜，在压强为5.0×10-3Pa，温度为390℃下真空退火45min，得到粒径为30nm的Ag纳米颗粒。在Ag纳米颗粒修饰的MgZnO薄膜上蒸镀厚度为50nm的Au膜，并利用光刻和湿法刻蚀制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。
对实施例1制备得到的MgZnO薄膜进行紫外-可见透过光谱测试、紫外可见吸收光谱测试、光学带隙拟合图谱测试和X射线衍射图谱测试，如图2～5所示，图2～5分别示出了实施例1制备得到的MgZnO薄膜的紫外-可见透过光谱测试图、紫外可见吸收光谱测试图、光学带隙拟合图谱测试图、X射线衍射图谱测试图。由图2可以看出MgZnO薄膜对于可见光波段具有较好的透过率，由图3可以看出MgZnO薄膜对于紫外光波段具有良好的吸收，MgZnO的吸收边大约在332nm附近，由图4可以看出MgZnO的光学拟合禁带宽度为3.73eV，由图5可以看出，MgZnO薄膜为六角结构，主要沿六角(0002)择优取向生长。
对实施例1制备得到的Ag颗粒薄膜进行扫描电镜测试和消光光谱测试，如图6～7所示，图6～7示出了实施例1制备得到的Ag颗粒薄膜的扫描电镜测试图和消光测试图，由图6可以看出Ag纳米颗粒的粒径大约在100nm左右，由图7可以看出，该粒径大小的Ag纳米颗粒既会向外界辐射震荡电磁波，又和MgZnO薄膜的带边耦合相匹配。
对对比例和实施例1制备得到的紫外光探测器进行光响应测试，如图8～10所示，图8～9示出了对比例和实施例1制备得到的紫外光探测器的光响应测试图，其中，峰值响应波长为330nm，偏压为25V。图10示出了对比例和实施例1制备得到的紫外光探测器在不同偏压下测试图。由图8～9可知，对比例制得的紫外光探测器在在330nm的响应度为4.76A/W，实施例1制得的紫外光探测器在330nm的响应度为4.91A/W，很明显实施例1制得的紫外光探测器明显高于对比例。
图10为对比例和实施例1制备得到的有Ag纳米颗粒的MgZnO紫外光探测器和没有Ag纳米颗粒的MgZnO紫外光探测器在不同的偏压下对330nm紫外光响应度的比值。由图10可知，对比例和实施例1制备得到的紫外光探测器在不同的偏压下的比值均大于1，说明Ag纳米颗粒对MgZnO紫外光探测器有等离子增强作用。还可以看出，Ag纳米颗粒对MgZnO紫外光探测器的等离子增强作用随偏压的增加而减低。在5V的偏压下，Ag纳米颗粒对器件光响应度的增强作用最大，达到了2.748倍，但在25V的偏压下，Ag纳米颗粒对器件紫外光响应度没有明显增强。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种紫外光探测器，其特征在于，所述紫外光探测器包括：石英衬底、MgZnO薄膜、纳米Ag颗粒薄膜和Au薄膜，其中，所述MgZnO薄膜覆盖所述石英衬底，所述纳米Ag颗粒薄膜覆盖所述MgZnO薄膜，所述Au薄膜覆盖所述纳米Ag颗粒薄膜。
2.根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述MgZnO薄膜中Mg与Zn的原子比为0.29:0.71。
3.根据权利要求1所述的紫外光探测器，其特征在于，所述纳米Ag颗粒薄膜的厚度为2～20nm，粒径为10～200nm。
4.根据权利要求2所述的紫外光探测器，其特征在于，所述MgZnO薄膜中Mg与Zn的原子比为2:8。
5.根据权利要求3所述的紫外光探测器，其特征在于，所述纳米Ag颗粒薄膜的厚度为10nm，粒径为100nm。
6.一种紫外光探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
利用包含Mg、Zn和O的靶材在石英衬底上沉积MgZnO薄膜；
在MgZnO薄膜上蒸镀Ag，并在压强低于10-3Pa、温度为350～400℃的条件下退火30～45min，得到纳米Ag颗粒薄膜；
在所述纳米Ag颗粒薄膜上蒸镀Au薄膜，并制备对叉指电极，得到Ag纳米颗粒修饰的紫外光探测器。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述靶材的化学式为Mg0.2Zn0.8O。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述Ag薄膜的厚度为2～20nm，粒径为10～200nm。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，靶材的化学式为Mg0.2Zn0.8O。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述Ag薄膜的厚度为10nm，粒径为100nm。
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