CN105676588A - 衬底刻蚀方法 - Google Patents

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张君
谢秋实
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Abstract

本发明提供一种衬底刻蚀方法，其包括以下步骤：S1.在衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；S2.在底膜上制备光刻胶掩膜；S3.采用纳米压印的方式在光刻胶掩膜上制备所需的图形；S4.除衬底表面未被光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；S5.刻蚀底膜，以将光刻胶掩膜的图形复制在底膜上；S6.刻蚀衬底，以将光刻胶掩膜的图形复制在衬底上；其中，底膜用于在进行步骤S5时，降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。本发明提供的衬底刻蚀方法，其可以在保证获得理想的衬底图形形貌的前提下，提高图形的刻蚀高度。

Description

衬底刻蚀方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种衬底刻蚀方法。
背景技术
PSS(PatternedSappSubstrates，图形化蓝宝石衬底)技术是目前普遍采用的一种提高GaN(氮化镓)基LED器件的出光效率的方法。在进行PSS工艺的过程中，其通常在衬底上生长干法刻蚀用掩膜，并采用光刻工艺将掩膜刻出图形；然后采用ICP技术刻蚀衬底表面，以形成需要的图形，再去除掩膜，并采用外延工艺在刻蚀后的衬底表面上生长GaN薄膜。刻蚀工艺所获得的衬底沟槽底部的平整性越好，越有利于后续的外延工艺，外延GaN薄膜的晶体质量越高。
目前，掩膜图形的制备大都采用步进式光刻机。随着PSS技术的逐步发展，PSS越来越趋向于采用更小的尺寸，达到了纳米量级，即所谓的NPSS(NanometerPatternedSappSubstrates，纳米图形化蓝宝石衬底)。
现有的一种NPSS的刻蚀工艺通常采用纳米压印技术制备掩膜图形，如图1所示，为光刻胶掩膜图形的制备流程示意图。首先在衬底1的表面上涂覆一层光刻胶2，然后利用纳米压印模板3在光刻胶2上制备所需的图形。纳米压印技术具有工艺简单，成本低等优点，但是其在实际应用中会存在以下缺陷：
在完成掩膜图形的制备之后，在衬底1的未被光刻胶2覆盖的区域存在残留的光刻胶，如图1中示出的光刻胶的残留部分4。这会导致在后续的PSS刻蚀过程中，需要首先将该残留部分4刻蚀掉之后，再刻蚀残留部分4下面的衬底。虽然可以在掩膜图形制备之后增加残胶的去除步骤，例如通过通入O2等气体或者采用较高的下电极功率来实现残胶的去除，但是，这又会存在这样的问题，即：在去除残胶的同时，光刻胶会被减薄，从而导致NPSS的刻蚀高度降低，无法满足工艺需要，衬底的图形形貌如图2所示，该图形的刻蚀高度如图2中示出的高度H。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种衬底刻蚀方法，其可以在保证获得理想的衬底图形形貌的前提下，提高图形的刻蚀高度。
为实现本发明的目的而提供一种衬底刻蚀方法，包括以下步骤：
S1，在所述衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；
S2，在所述底膜上制备光刻胶掩膜；
S3，采用纳米压印的方式在所述光刻胶掩膜上制备所需的图形；
S4，去除所述衬底表面未被所述光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；
S5，刻蚀所述底膜，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述底膜上；
S6，刻蚀所述衬底，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述衬底上；
其中，所述底膜用于在进行所述步骤S5时，降低所述光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行所述步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。
优选的，所述特定材料包括硅。
优选的，所述底膜的厚度根据在分别进行所述步骤S4和步骤S5时所述光刻胶掩膜的消耗量而设定。
优选的，所述底膜的厚度的取值范围在45～55nm。
优选的，在步骤S5中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述底膜；所述干法刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括O2和SF6。
优选的，所述干法刻蚀工艺所采用的腔室压力的取值范围在20～50mT；上电极功率的取值范围在400～500W；下电极功率的取值范围在70～80W；SF6的流量的取值范围在40～50sccm；O2的流量的取值范围在25～35sccm。
优选的，所述步骤S6进一步包括：
主刻蚀步骤，用于在刻蚀衬底的同时，控制刻蚀速率和刻蚀选择比；
过刻蚀步骤，用于在刻蚀衬底的同时，修饰所述衬底的图形形貌。
优选的，在所述过刻蚀步骤中，下电极功率的取值范围在500～700W。
优选的，所述主刻蚀步骤进一步包括步骤S61和S62，所述步骤S61所采用的下电极功率高于所述步骤S62所采用的下电极功率，以保证所述底膜能够被消耗。
优选的，所述步骤S61所采用的下电极功率的取值范围在400～500W。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的衬底刻蚀方法，其在制备光刻胶掩膜之前增设了一步底膜制备步骤，该底膜通过采用特定材料，可以实现在定义底膜图形时降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在刻蚀衬底时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比，从而可以实现在保证获得理想的衬底图形形貌的前提下，提高图形的刻蚀高度。
附图说明
图1为光刻胶掩膜图形的制备流程示意图；
图2为衬底的图形形貌的扫描电镜图；
图3为本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的流程框图；
图4A为完成本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的步骤S1获得的衬底的图形形貌示意图；
图4B为完成本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的步骤S2获得的衬底的图形形貌示意图；
图4C为完成本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的步骤S3获得的衬底的图形形貌示意图；
图4D为完成本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的步骤S4获得的衬底的图形形貌示意图；
图4E为完成本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的步骤S5获得的衬底的图形形貌示意图；以及
图5为采用本发明实施例提供的衬底刻蚀方法获得的衬底图形演变的过程示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的衬底刻蚀方法进行详细描述。
图3为本发明实施例提供的衬底刻蚀方法的流程框图。请参阅图3，衬底刻蚀方法包括以下步骤：
S1，在衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；
S2，在底膜上制备光刻胶掩膜；
S3，采用纳米压印的方式在光刻胶掩膜上制备所需的图形；
S4，去除衬底表面未被光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；
S5，刻蚀底膜，以将光刻胶掩膜的图形复制在底膜上；
S6，刻蚀衬底，以将光刻胶掩膜的图形复制在衬底上；
其中，底膜用于在进行步骤S5时，降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。
在步骤S1中，如图4A所示，在衬底21的表面制备一层底膜22，该底膜22采用特定材料制作，该特定材料选用在被刻蚀时可使光刻胶掩膜的厚度消耗少，同时在刻蚀衬底时，该特定材料作为掩膜相对于衬底的刻蚀选择比较高的材料，例如硅等，从而底膜2可以实现以下功能，即：在进行步骤S5时，降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。
在步骤S2中，如图4B所示，在底膜22上制备光刻胶掩膜23，该光刻胶掩膜23覆盖在底膜22的整个表面上。
在步骤S3中，采用纳米压印的方式在光刻胶掩膜23上制备所需的图形。所谓纳米压印，如图4C所示，是利用纳米压印模板24在光刻胶掩膜23上制备所需的图形。纳米压印具有工艺简单、成本较低的优点，但是在完成光刻胶掩膜的图形定义之后，在衬底表面未被光刻胶掩膜覆盖的区域上会出现胶残留的现象，需要将残留的这部分光刻胶去除。
因此，进行步骤S4，以去除衬底21表面未被光刻胶掩膜23覆盖的区域上(即如图4C中示出的图形凹槽底面232)上残留的光刻胶，而被光刻胶掩膜23覆盖的区域(即如图4C中示出的图形顶面231)不进行去除操作，完成步骤S4获得的衬底的图形形貌如图4D所示，光刻胶掩膜23a为去除残胶后的图形形貌。残胶的去除可以采用干法刻蚀的方法刻蚀光刻胶，其中，刻蚀气体采用O2，并采用适当的较高的下电极功率，这是因为：如果采用较低的下电极功率，容易出现刻蚀粘连现象。
在步骤S5中，采用干法刻蚀工艺刻蚀底膜22，且将光刻胶掩膜23用作掩膜对底膜22进行刻蚀，以将光刻胶掩膜23的图形复制在底膜22上，即，定义底膜22的图形，如图4E所示，底膜22a为具有图形的底膜形貌。容易理解，以光刻胶掩膜23为掩膜刻蚀底膜22的刻蚀选择比越高，则在刻蚀底膜22的过程中，光刻胶掩膜23的厚度消耗越少，而剩余的光刻胶掩膜23的厚度越多，则有利于获得更高的衬底图形的刻蚀高度。基于上述原理，在选用制作底膜22的特定材料时，选择以光刻胶掩膜为掩膜刻蚀底膜高的材料，例如，干法刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括O2和SF6，以光刻胶为掩膜刻蚀硅刻蚀选择比为50，因此，若选用硅制作底膜，可以实现降低光刻胶掩膜的消耗量。
优选的，在步骤S5中，干法刻蚀工艺所采用的腔室压力的取值范围在20～50mT；上电极功率的取值范围在400～500W；下电极功率的取值范围在70～80W；SF6的流量的取值范围在40～50sccm；O2的流量的取值范围在25～35sccm。
在步骤S6中，底膜22和光刻胶掩膜23共同用作刻蚀衬底21的掩膜，在选用制作底膜22的特定材料时，选择在被刻蚀时可使光刻胶掩膜的厚度消耗少的基础上，其作为掩膜刻蚀衬底21的刻蚀选择比高的材料。例如，硅，其作为掩膜刻蚀衬底21(Al2O3)的刻蚀选择比(3)高于光刻胶掩膜23作为掩膜刻蚀衬底21的刻蚀选择比(0.8)。这样，借助底膜22，可以在刻蚀衬底21时提高刻蚀选择比，从而可以提高图形的刻蚀高度。
优选的，底膜22的厚度根据在分别进行上述步骤S4和步骤S5时光刻胶掩膜23的消耗量而设定。这样，在进行步骤S6时，由于底膜22和光刻胶掩膜23共同用作刻蚀衬底21的掩膜，因而，底膜22的厚度可以补偿光刻胶掩膜23的厚度损失，从而可以保证掩膜厚度足够获得所需的刻蚀高度，而且不会影响图形形貌。当然，底膜22的厚度也不宜过大，这是因为：如果底膜22的厚度过高，最终获得的衬底图形的顶部会出现平顶，导致无法获得理想的图形形貌(通常希望获得剖面为三角形的图形形貌)。
优选的，底膜的厚度的取值范围在45～55nm。
优选的，上述步骤S6进一步包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，其中，主刻蚀步骤用于在刻蚀衬底的同时，控制刻蚀速率和刻蚀选择比。过刻蚀步骤用于在刻蚀衬底的同时，修饰衬底的图形形貌，以最终获得剖面为三角形的图形形貌。
优选的，主刻蚀步骤进一步包括步骤S61和S62，两个步骤所采用的下电极功率不同，即：步骤S61所采用的下电极功率高于步骤S62所采用的下电极功率，以保证底膜能够被消耗，不容易在刻蚀后出现粘连现象，优选的，步骤S61所采用的下电极功率的取值范围在400～500W。
另外，由于底膜的存在，衬底图形在演变过程中容易出现平顶现象，针对该情况，可以通过在进行过刻蚀步骤时采用较高的下电极功率来解决，优选的，过刻蚀步骤所采用的下电极功率的取值范围在500～700W。
图5为采用本发明实施例提供的衬底刻蚀方法获得的衬底图形演变的过程示意图。如图5所示，左侧第一个图是完成步骤S4后获得的衬底图形；左侧第二个图是完成步骤S5获得衬底图形；左侧第三和第四个图分别是在进行步骤S6时获得的两个衬底图形；左侧第五个图是完成步骤S6最终获得的衬底图形。
需要说明的是，在依次进行主刻蚀步骤和过刻蚀步骤时，均采用下述过程刻蚀衬底，且仅是采用的工艺参数不同。刻蚀衬底的具体过程为，即：向反应腔室通入刻蚀气体，并开启激励电源(例如射频电源)，激励电源向反应腔室施加激励功率，以使反应腔室内的刻蚀气体激发形成等离子体；开启偏压电源，偏压电源向衬底施加偏压功率，以使等离子体刻蚀衬底，直至对衬底刻蚀预定刻蚀深度。工艺参数主要包括刻蚀气体的种类和流量、激励功率、偏压功率、工艺气压(即，反应腔室的腔室压力)以及刻蚀时间等。
优选的，在进行步骤S61时，腔室压力的取值范围在2～5mT；上电极功率的取值范围在1400～2400W；下电极功率大约在500W；刻蚀气体为BCl3，其流量的取值范围在50～150sccm；工艺时间大约1min。
在进行步骤S62时，腔室压力的取值范围在2～5mT；上电极功率的取值范围在1400～2400W；下电极功率大约在150～500W；刻蚀气体为BCl3，其流量的取值范围在50～150sccm；工艺时间的取值范围在2～5min。
在进行过刻蚀步骤时，腔室压力的取值范围在1.5～5mT；上电极功率的取值范围在1400～2400W；下电极功率大约在500～700W；刻蚀气体为BCl3，其流量的取值范围在50～150sccm；工艺时间的取值范围在2～5min。
综上所述，本发明实施例提供的衬底刻蚀方法，其在制备光刻胶掩膜之前增设了一步底膜制备步骤，该底膜通过采用特定材料，可以实现在定义底膜图形时降低光刻胶掩膜的消耗量，以及在刻蚀衬底时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比，从而可以实现在保证获得理想的衬底图形形貌的前提下，提高图形的刻蚀高度。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种衬底刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在所述衬底的表面制备一层采用特定材料制作的底膜；
S2，在所述底膜上制备光刻胶掩膜；
S3，采用纳米压印的方式在所述光刻胶掩膜上制备所需的图形；
S4，去除所述衬底表面未被所述光刻胶掩膜覆盖的区域上残留的光刻胶；
S5，刻蚀所述底膜，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述底膜上；
S6，刻蚀所述衬底，以将所述光刻胶掩膜的图形复制在所述衬底上；
其中，所述底膜用于在进行所述步骤S5时，降低所述光刻胶掩膜的消耗量，以及在进行所述步骤S6时提高掩膜和衬底的刻蚀选择比。
2.如权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述特定材料包括硅。
3.如权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述底膜的厚度根据在分别进行所述步骤S4和步骤S5时所述光刻胶掩膜的消耗量而设定。
4.如权利要求3所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述底膜的厚度的取值范围在45～55nm。
5.如权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，在步骤S5中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述底膜；
所述干法刻蚀工艺所采用的刻蚀气体包括O2和SF6。
6.如权利要求5所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺所采用的腔室压力的取值范围在20～50mT；上电极功率的取值范围在400～500W；下电极功率的取值范围在70～80W；SF6的流量的取值范围在40～50sccm；O2的流量的取值范围在25～35sccm。
7.如权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S6进一步包括：
主刻蚀步骤，用于在刻蚀衬底的同时，控制刻蚀速率和刻蚀选择比；
过刻蚀步骤，用于在刻蚀衬底的同时，修饰所述衬底的图形形貌。
8.如权利要求7所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，下电极功率的取值范围在500～700W。
9.如权利要求7所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤进一步包括步骤S61和S62，
所述步骤S61所采用的下电极功率高于所述步骤S62所采用的下电极功率，以保证所述底膜能够被消耗。
10.如权利要求9所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S61所采用的下电极功率的取值范围在400～500W。
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