CN105628092A - 温度压力传感器模块及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种温度压力传感器模块及其制备方法，该方法包括：1)将热敏电阻粘于内芯上，并且将热敏电阻的引脚贴合与内芯的镀金引线的一端上、固化处理；2)将压力传感器芯片粘于内芯上，且将压力传感器芯片通过金丝连于镀金引线的一端上，进行固化处理以制得内芯结构件；3)将内芯结构件置于内芯的一端的内腔中，且将硅胶灌注内腔中、固化处理；4)将上盖焊于内芯结构件的顶端以封闭热敏电阻与压力传感器芯片；5)将导线的一端焊接于镀金引线的另一端上，且将导线的另一端穿过底筒的通孔，将底筒焊于上盖上以封闭内芯结构件的末端；6)将环氧胶通过通孔向内腔中灌胶、固化处理。该温度压力传感器模块结构小巧、功能多样化、可靠性高。

Description

温度压力传感器模块及其制备方法
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，具体地，涉及一种温度压力传感器模块及其制备方法。
背景技术
近年来，物联网、智能手机、汽车电子等产业的快速发展，加速了对传感器产品的需求。传感器产品的发展也在低功耗、可靠性、稳定性、低成本、小型化、微型化、复合型等技术和经济指标方面提出了更高的要求。
目前，温度压力传感器模块虽然传感性能十分优越，但是仍存在较大的缺陷，要么是结构较大，功能单一；要么是可靠性差。
发明内容
本发明的目的是提供一种温度压力传感器模块及其制备方法，通过该方法制得的温度压力传感器模块结构小巧、功能多样化，并且可靠性高。
为了实现上述目的，本发明提供了本发明提供了一种温度压力传感器模块的制备方法，包括：
1)将热敏电阻粘接于内芯上，并且将所述热敏电阻的引脚贴合与内芯的镀金引线的一端上，然后进行固化处理；
2)将压力传感器芯片粘接于所述内芯上，并且将所述压力传感器芯片通过金丝连接于所述镀金引线的一端上，然后进行固化处理以制得内芯结构件；
3)将所述内芯结构件置于所述内芯的一端的内腔中，并且将硅胶灌注所述内腔中，然后进行固化处理；
4)将上盖焊接于所述内芯结构件的顶端以封闭所述热敏电阻与压力传感器芯片；
5)将导线的一端焊接于所述镀金引线的另一端上，并且将导线的另一端穿过底筒的通孔，然后将所述底筒焊接于所述上盖上以封闭所述内芯结构件的末端；
6)将环氧胶通过所述通孔向所述内腔中灌胶，然后进行固化处理以制得温度压力传感器模块。
本发明还提供了一种温度压力传感器模块，该温度压力传感器模块通过上述的方法制备而得。
通过上述技术方案，本发明通过首先将热敏电阻、压力传感器芯片安装并焊接于内芯上，接着将内芯结构件安装于所述内芯的内腔中并向内腔中灌注硅胶，再接着上盖焊接内芯结构件的顶端，然后将导线焊接于镀金引线(6)上并且将导线穿过底筒的通孔并将底筒焊接于所述上盖上，最后将环氧胶灌注至通孔中以固定和保护导线。本发明通过上述各步骤的协同作用，使得制得的温度压力传感器模块在体积小巧化的前提下仍具有优异的可靠性高，并且功能多样化。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明制得的温度压力传感器模块的结构示意图；
图2是图1中底筒的结构示意图；
图3是图1中上盖的结构示意图；
图4是图3的右视图；
图5是内芯的结构示意图；
图6是图5的左视图；
图7是内芯装配的平面示意图；
图8内芯与上盖的装配示意图。
附图标记说明
1、底筒2、上盖
3、内芯4、压力传感器芯片
5、热敏电阻6、镀金引线
7、引脚8、金丝
9、玻璃釉10、硅胶
11、通孔12、导线
13、环氧胶A、底筒与上盖的焊接处
B、上盖的贯穿孔内缘锥角C、内芯与上盖的焊接处
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供了一种温度压力传感器模块的制备方法，包括：
1)将热敏电阻5粘接于内芯3上，并且将热敏电阻5的引脚7贴合与内芯3的镀金引线6的一端上，然后进行固化处理；
2)将压力传感器芯片4粘接于内芯3上，并且将压力传感器芯片4通过金丝8连接于镀金引线6的一端上，然后进行固化处理以制得内芯结构件；
3)将内芯结构件置于内芯3的一端的内腔中，并且将硅胶10灌注内腔中，然后进行固化处理；
4)将上盖2焊接于内芯结构件的顶端以封闭热敏电阻5与压力传感器芯片4；
5)将导线12的一端焊接于镀金引线6的另一端上，并且将导线12的另一端穿过底筒1的通孔11，然后将底筒1焊接于上盖2上以封闭内芯结构件的末端；
6)将环氧胶13通过通孔11向内腔中灌胶，然后进行固化处理制得温度压力传感器模块(如图1所示)。
本发明通过首先将热敏电阻5、压力传感器芯片4安装并焊接于内芯3上，接着将内芯结构件安装于所述内芯3的内腔中并向内腔中灌注硅胶10，再接着上盖2焊接内芯结构件的顶端，然后将导线12焊接于镀金引线6上并且将导线12穿过底筒1的通孔11并将底筒1焊接于所述上盖2上，最后将环氧胶13灌注至通孔11中以固定和保护导线12。本发明通过上述各步骤的协同作用，使得制得的温度压力传感器模块在体积小巧化的前提下仍具有优异的可靠性高，并且功能多样化。
在本发明的步骤1)中，固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择，但是为了使得热敏电阻5能够更牢固地粘接于内芯3上，优选地，在步骤1)中，固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-150℃，固化时间为1-2h。
同时，在本发明的步骤1)中，粘结的具体方式可以是本领域中任何一种常规的粘结方式，但是为了便于操作，优选地，步骤1)中粘结通过绝缘环氧胶进行。
在本发明的步骤1)中，固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择，但是为了使得压力传感器芯片4能够更牢固地粘接于内芯3上，优选地，在步骤2)中，固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-150℃，固化时间为1-2h。
同时，在本发明的步骤2)中，粘结的具体方式可以是本领域中任何一种常规的粘结方式，但是为了便于操作，优选地，步骤2)中粘结通过绝缘环氧胶进行。
在本发明的步骤3)中，固化处理可以是自然固化，也可以通过采用额外加热的方式进行固化，考虑到硅胶10的固化需要一个循序渐进的过程以使得凝固后的硅胶10具有更优异的理化性质，优选地，在步骤3)中，固化处理为自然固化。
为了防止气泡对硅胶10的影响，优选地，在所述步骤4)中，所述方法还包括对硅胶10进行排泡处理。
在本发明的步骤6)中，固化处理的具体条件可以在宽的范围内选择，但是为了环氧胶13能够充分地固化，优选地，在步骤6)中，固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-120℃，固化时间为1-2h。
在本发明中，为了保证每根导线12之间的绝缘性，优选地，在步骤5)之前，该制备方法还包括：将导线12的外包层去除并上锡，然后套上热缩套管，最后对热缩套管进行热风处理。
同时，为了清除步骤1)中的焊接焊渣，优选地，在步骤1)之后，该方法还包括：将内芯3与热敏电阻5通过酒精进行清洗。
同时，为了清除步骤2)中的焊接焊渣，优选地，在步骤2)之后，该方法还包括：将内芯3通过等离子清洗。为了进一步提高清洗效果，优选地，等离子清洗的装置的功率为450-550W，并且清洗时间为1-3min。
在本发明中，金丝8的直径可以在宽的范围内选择，但是从制得的温度压力传感器模块的性能上考虑，优选地，金丝8的直径为20-30μm。
此外，为了避免元器件避免的灰尘对制得的温度压力传感器模块的性能的影响，优选地，在步骤1)之前，该方法还包括：将内芯3、底筒1和上盖2中的一者或者多者通过酒精进行清洗，然后吹干并烘干。更优选地，烘干至少满足以下条件：烘干温度为90-110℃，烘干时间为10-25min。
在上述内容的基础上，为了提高镀金引线6与内芯3的机械强度，优选地，镀金引线6与内芯3的接触处设置有玻璃釉9。
本发明还提供了一种温度压力传感器模块，该温度压力传感器模块通过上述的方法制备而得。该温度压力传感器模块通过高低温试验、随机振动、气密性测试、冲击等环境试验检测，电性能均合格，指标稳定；由此可知该温度压力传感器模块的可靠性高。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (10)

1.一种温度压力传感器模块的制备方法，其特征在于，包括：
1)将热敏电阻(5)粘接于内芯(3)上，并且将所述热敏电阻(5)的引脚(7)贴合与内芯(3)的镀金引线(6)的一端上，然后进行固化处理；
2)将压力传感器芯片(4)粘接于所述内芯(3)上，并且将所述压力传感器芯片(4)通过金丝(8)连接于所述镀金引线(6)的一端上，然后进行固化处理以制得内芯结构件；
3)将所述内芯结构件置于所述内芯(3)的一端的内腔中，并且将硅胶(10)灌注所述内腔中，然后进行固化处理；
4)将上盖(2)焊接于所述内芯结构件的顶端以封闭所述热敏电阻(5)与压力传感器芯片(4)；
5)将导线(12)的一端焊接于所述镀金引线(6)的另一端上，并且将导线(12)的另一端穿过底筒(1)的通孔(11)，然后将所述底筒(1)焊接于所述上盖(2)上以封闭所述内芯结构件的末端；
6)将环氧胶(13)通过所述通孔(11)向所述内腔中灌胶，然后进行固化处理制得温度压力传感器模块。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤1)中，所述固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-150℃，固化时间为1-2h；
优选地，步骤1)中所述粘结通过绝缘环氧胶进行；
更优选地，在步骤2)中，所述固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-150℃，固化时间为1-2h；
进一步优选地，步骤2)中所述粘结通过绝缘环氧胶进行。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤3)中，所述固化处理为自然固化；
优选地，在所述步骤4)中，所述方法还包括对所述硅胶(10)进行排泡处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤6)中，所述固化处理至少满足以下条件：固化温度为100-120℃，固化时间为1-2h。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制备方法，其中，在步骤5)之前，所述制备方法还包括：将所述导线(12)的外包层去除并上锡，然后套上热缩套管，最后对所述热缩套管进行热风处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，在步骤1)之后，所述方法还包括：将所述内芯(3)与热敏电阻(5)通过酒精进行清洗。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，在步骤2)之后，所述方法还包括：将所述内芯(3)通过等离子清洗；
优选地，所述等离子清洗的装置的功率为450-550W，并且清洗时间为1-3min。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述金丝(8)的直径为20-30μm。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的制备方法，其中，在步骤1)之前，所述方法还包括：将所述内芯(3)、底筒(1)和上盖(2)中的一者或者多者通过酒精进行清洗，然后吹干并烘干；
优选地，所述烘干至少满足以下条件：烘干温度为90-110℃，烘干时间为10-25min；
更优选地，所述镀金引线(6)与内芯(3)的接触处设置有玻璃釉(9)。
10.一种温度压力传感器模块，其特征在于，所述温度压力传感器模块通过权利要求1-9中任意一项所述的方法制备而得。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110516357A (zh) * 2019-08-27 2019-11-29 西安电子科技大学 面向微波组件电性能的金带柔性互联热敏参数确定方法
CN113756872A (zh) * 2021-09-27 2021-12-07 中煤科工集团重庆研究院有限公司 一种煤矿用抗振抗污染压力传感器及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1254833A (zh) * 1999-12-10 2000-05-31 中国科学院上海冶金研究所 绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法
CN201210098Y (zh) * 2008-06-10 2009-03-18 周建红 新型压力传感器
CN101498612A (zh) * 2009-03-13 2009-08-05 上海海华传感器有限公司 局部密封的压力温度传感器及其制造工艺
CN201935774U (zh) * 2010-12-22 2011-08-17 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 新型压力温度传感器封装体
JP2011171663A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形電子制御装置及びその製造方法
CN202362110U (zh) * 2011-11-18 2012-08-01 天津锐意泰克汽车电子有限公司 一种进气温度压力传感器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1254833A (zh) * 1999-12-10 2000-05-31 中国科学院上海冶金研究所 绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法
CN201210098Y (zh) * 2008-06-10 2009-03-18 周建红 新型压力传感器
CN101498612A (zh) * 2009-03-13 2009-08-05 上海海华传感器有限公司 局部密封的压力温度传感器及其制造工艺
JP2011171663A (ja) * 2010-02-22 2011-09-01 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止形電子制御装置及びその製造方法
CN201935774U (zh) * 2010-12-22 2011-08-17 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 新型压力温度传感器封装体
CN202362110U (zh) * 2011-11-18 2012-08-01 天津锐意泰克汽车电子有限公司 一种进气温度压力传感器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110516357A (zh) * 2019-08-27 2019-11-29 西安电子科技大学 面向微波组件电性能的金带柔性互联热敏参数确定方法
CN113756872A (zh) * 2021-09-27 2021-12-07 中煤科工集团重庆研究院有限公司 一种煤矿用抗振抗污染压力传感器及其制作方法

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