CN105612629B - 有机光电子器件 - Google Patents

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Abstract

提出一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有衬底(101)，在所述衬底上设置有第一电极(102)，在所述第一电极上方设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆(103)并且在所述有机功能层堆上方设置有第二电极(104)。在第二电极(104)上方设置有薄膜封装件(107)并且在有机功能层堆(103)和薄膜封装件(107)之间除了第二电极(104)之外设置有至少一个第一中间层(121)，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度。

Description

有机光电子器件
技术领域
提出一种有机光电子器件。
本申请要求德国专利申请10 2013 109 648.8的优先权，其公开内容通过参引并入本文。
背景技术
尤其当有机发光二极管构成为面光源时，所述有机发光二极管相对于三维干扰、例如颗粒是极其易受影响的。
发明内容
特定的实施方式的至少一个目的是：提出一种有机光电子器件，其中降低相对于颗粒的易受影响性。
该目的通过根据一种有机光电子器件来实现，所述所述有机光电子器件具有：-衬底，在所述衬底上设置有第一电极，在所述第一电极上方设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆，并且在所述有机功能层堆上方设置有第二电极；-在所述第二电极上方的薄膜封装件；和-在所述有机功能层堆和所述薄膜封装件之间除了所述第二电极之外的至少一个第一中间层，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度，其中至少一个所述第一中间层设置在所述第二电极和所述薄膜封装件之间并且具有金属或金属合金，或者其中所述第一中间层以直接邻接于所述第二电极的方式设置在所述第二电极的朝向所述有机功能层堆的一侧上，与所述第二电极相比具有更大的硬度，并且具有一种或多种下述材料，所述材料选自：碳化硅、碳化硼、氮化硼和氮化铝钨。。所述有机光电子器件的有利的实施方式和改进形式从下面的描述和附图中得出。
根据至少一个实施方式，有机光电子器件在衬底上具有至少两个电极，在所述电极之间设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆。特别地，在衬底上设置有第一电极，在所述第一电极上方设置有有机功能层堆并且在该有机功能层堆上方设置有第二电极。
位置说明、例如“在……上”、“在……上方”、“在其……上方”、“在……下方”、“在其……下方”在此并且在下文中涉及层在衬底上的通常的设置顺序。如果第一层设置在第二层上或上方，那么这表示：第二层设置在衬底和第一层之间进而第一层从第二层起观察是位于其上方的层。如果第一层设置在第二层下方，那么这表示：第一层设置在衬底和第二层之间，使得从第二层起观察第一层是位于其下方的层。
有机光电子器件例如能够构成为有机发光器件。有机功能层堆在这种情况下具有呈有机电致发光层形式的至少一个有机发光层作为至少一个有机光电子层，所述有机电致发光层在有机发光器件运行时产生光。电极中的至少一个是半透明的，使得在运行时产生的光能够穿过该电极向外放射给周围环境。有机发光器件尤其能够构成为有机发光二极管(OLED)。
替选地或附加地，有机光电子器件也能够构成为有机的检测光的器件。有机功能层堆在这种情况下具有至少一个有机的检测光的层作为至少一个有机光电子层，所述有机的检测光的层在有机的检测光的器件运行时在光入射的情况下产生电流和/或电压。电极中的至少一个是半透明的，使得环境光能够从外部穿过该电极到达有机功能层堆。有机的检测光的器件尤其能够构成为有机光电二极管或有机太阳能电池。
在此并且在下文中用“半透明”表示对于可见光可透过的层。在此，半透明的层能够是透明的、即清晰透光的或者是至少部分散射光的和/或部分地吸收光的，使得半透明的层例如也能够是漫射透光的或乳白色透光的。尤其优选的是，在此称作为半透明的层构成为是尽可能透明的，使得尤其对光的吸收尽可能小。
半透明的电极例如能够是透明导电氧化物(“transparent conductive oxide”，TCO)或者具有透明的金属或由其构成。在其之间存在有机光电子器件的有机功能层堆的两个电极中的另一个能够反射性地构成并且例如具有金属或由其构成。替选于此，这两个电极也能够构成为是半透明的。在这种情况下，有机发光器件尤其能够构成为透明OLED。
根据至少一个另外的实施方式，有机光电子器件具有在有机功能层堆上的封装件和电极、即在第二电极上方的电极。封装件优选尤其能够通过薄膜封装件形成，所述薄膜封装件具有至少一个或多个薄层，所述薄层借助于沉积方法、优选借助于化学气相沉积法、原子层沉积法和/或分子层沉积法施加在电极上和有机功能层堆上。
此外，从衬底起观察，能够在封装件上、尤其在薄膜封装件的情况下设置有借助于粘接层粘贴的覆盖件，所述覆盖件例如能够通过玻璃层或者玻璃板或者也能够通过塑料、金属或组合或者所提到的材料的叠层形成。覆盖件尤其能够以与构成为薄膜封装件的封装件结合的方式用作为机械保护部、尤其用作为防划保护部，而覆盖件本身不必起封装作用。
已表明：具有不同的层序列和层压在其上的例如呈薄膜覆盖件形式的保护层的薄膜封装的有机器件相对于三维干扰、例如设置在上部电极和覆盖件之间的颗粒能够是尤其易受影响的。这种颗粒在制造各个层期间和之间能够以杂质的形式无意地施加到一个层上并且由后续的层遮盖。因此，由于工艺控制能够产生提高的易受颗粒影响性，例如当将压强施加到如下部位上时，在所述部位上或下方，颗粒位于器件的一个层上。从上部的第二电极到薄膜封装件的过渡部例如能够是重要的，因为第二电极上的通常由软材料、例如铝形成的颗粒能够借助于薄膜封装件的层压入到有机层中，这会因短路而导致器件自发失效，其中所述薄膜封装件的层通常由具有大的硬度的材料、例如氮化硅形成。因此需要：提高有机光电子器件的、尤其构成为面光源或面光检测器的这种有机光电子器件的鲁棒性，以便降低这种自发失效概率。
在本文中，尤其能够存在如下问题：在之前进行的用于施加有机光电子器件的不同的层的工艺步骤、例如清洁和掩模更换步骤时，颗粒尤其能够堆积在层的边缘区域中。由于通常在技术上所引起的校正不精确性，例如会附加地造成：上方的第二电极不完全地位于有机功能层堆上方，使得在这些部位处颗粒会尤其容易压入到有机功能层堆中。
除了高的鲁棒性之外也能够需要遵守其他的规定。此外能够需要在生产有机光电子器件时考虑并且尽可能同时满足关于产品规范和工艺控制的一个或多个下述边缘条件：
-光电子(t0)-IVLS-参数，如电压、光密度、效率、色坐标；
-寿命，例如在光密度、色移、电压变化方面的寿命；
-耐储存性(“shelf life(保存期限)”)；
-鲁棒性，例如在自发失效方面的鲁棒性；
-机械稳定性，例如在层脱离和耐温变性方面的机械稳定性；
-设计自由度；
-无颗粒的工艺控制，尤其当通过颗粒可以对器件产生影响时的无颗粒的工艺控制，以便实现高的收益(“yield”)；
-短的工艺时间和快的时钟周期，由此能够实现低的单件成本和少的材料消耗；
-尽可能少的设施或设施更换，这实现低的投资成本。
上述要点彼此相互作用并且会部分相冲突。耐储存性例如能够通过扩大薄膜封装件的层厚度来显著提高。
耐储存性例如能够借助于参数B10和B50来说明，其中B10表示10％的失效并且B50表示50％的失效。因此例如表明：例如借助具有800nm厚的SiN层的薄膜封装件能够达到大约12年的平均耐储存性B50，而借助具有50nm厚度的附加的氧化锌铝层(ATO：“aluminumzink oxide”)能够达到大约22年作为B50。然而，同时寿命由此会在运行时下降和/或上部电极会因应变效应而脱离，由此损坏器件的机械稳定性。
例如，也已知如下措施来提高鲁棒性：
-借助于化学气相沉积(CVD：“chemical vapor deposition”)施加厚度直至5μm的厚层：由此能够在受颗粒负荷的工艺中在EOL中实现B10储存值的显著提高，在评估之后实现大于200％的提高。在此EOL表示“end of line(后端工艺)”并且例如表示涉及封装部分的工艺。然而，由于所需要的低的工艺温度，大约1小时的数量级长的工艺时间是必要的。此外，由于CVD层的应变产生对寿命和机械稳定性的负面的影响。
-发光面的分散和集成的保险元件的集成，例如在参考文献WO 2009/109183 A1中描述的那样：然而对此必要的是极其高的校正精度，由此在校正单元中在FOL中产生高的投资成本。FOL在此表示“front of line(前端工艺)”并且例如表示涉及衬底部分的工艺。
-高的无尘室品质：从中由于在无尘室中的生产而产生极其高的工艺技术耗费和自动化程度。在腔和薄膜封装的器件中使用复杂的测量方法的和衬底清洁引起高的投资和维护成本。
-用于降低颗粒负荷的工艺路线的全自动化：由此也产生高的投资成本。
-用于减少颗粒的少量不同的工艺和少量的设备更换：通过这种措施能够至少部分地不满足储存时间规范。例如已表明：在成本适宜的、极其短的工艺时间中进而以小的厚度在所允许的工艺温度中无法实现足够密封的SiN层，所述SiN层仅借助于CVD并且没有借助于原子层沉积(ALD：“atomic layer deposition”)沉积的叠层的情况下被施加。
-代替薄膜封装件的腔封装件：通过腔封装件能够在一定程度上防止颗粒的压入，然而在腔封装件中通常必须使用吸气材料，由此引起高的成本，这会导致收益问题。
-厚的空穴注入层和/或以湿化学的方式施加的空穴注入层提高鲁棒性，但是限制IVLS参数。通常，厚的有机功能层也能够对寿命和性能以及成本产生影响。在湿化学工艺之后，由于所需要的设施更换还保留易受颗粒影响性。
-具有如从CVD工艺中已知的层序列结构的、例如具有不同的实施方案中的SiNCBOx层序列或具有MLD结构(MLD：“molecular layer deposition(分子层沉积)”)的薄封装件：例如已表明：由SiNC/SiNC构成的层结构比相应的单层更硬。然而也已经表明：尽管在合适的工艺时间中存在通过层结构引起的迷宫效应但是仅借助这种层还是无法建立的充分的耐储存性，这导致不可接受的成本。层序列结构失配于位于其下的上部电极还会引起层脱离，这导致机械稳定性降低。同样地，微米范围中的厚层由于应变会引起上部电极脱离。
-使用ALD方法：借助于ALD施加的层有助于耐储存性，然而其本身单独不引起鲁棒性提高。此外，ALD方法中的工艺会引起寿命降低。
-玻璃层压：玻璃覆盖件的直接的层压提高颗粒压入到有机层堆中的风险。
-应变的SiN薄膜封装层能够提高鲁棒性，然而尤其在设置在基于Ag的电极上时倾向于脱离(颗粒应当沿一个方向弯曲)。
-在多维结构、例如由抗蚀剂构成的多维结构中的低的高度，提高在之前进行的清洁工艺中压入颗粒或破坏抗蚀剂的概率。
由此表明：尽管存在有效的个别措施用于提高鲁棒性，然而这些单独措施本身通常具有缺点，例如降低耐储存性或提高工艺成本。
根据另一个实施方式，有机光电子器件在有机功能层堆和薄膜封装件之间除了第二电极之外还具有至少一个第一中间层，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度。由此，至少一个第一中间层能够设置在第二电极上方或下方。此外，也能够存在多个第一中间层和/或除了至少一个第一中间层外也能够存在至少一个第二中间层。如果存在多个中间层，那么这些中间层能够在有机功能层堆和薄膜封装件之间设置在第二电极上方和/或下方。至少一个第一中间层设立用于保护有机功能层堆防止因杂质颗粒引起的损坏。特别地，至少一个第一中间层设立用于：保护有机功能层堆防止因位于第二电极和薄膜封装件之间的杂质颗粒引起的损坏。如果有机光电子器件具有多个中间层，那么这些中间层能够分别本身单独地或者也能够共同地具有上述保护机制防止位于第二电极和薄膜封装件之间的杂质颗粒。这种杂质颗粒能够在生产有机光电子器件期间无意地施加在第二电极上。这例如能够在设施更换、掩模更换或工艺更换时发生。
杂质颗粒能够具有一系列原因，例如在此能够为灰尘颗粒，所述灰尘颗粒不期望地存在于用于制造有机光电子器件的至少一个层的设施中。此外，在此能够是因摩擦或磨损性工艺从覆层设施内部的部分处脱离的颗粒。也能够可行的是：覆层材料随时间堆积在覆层设施中。如果这种堆积过大，那么该堆积例如能够以颗粒的形式再次脱离。
当杂质颗粒堆积在第二电极上时，所述杂质颗粒能够在常规的有机光电子器件中在例如作用到薄膜封装件上的压力负荷下通过该压力负荷压入到第二电极中，因为通常用于第二电极的材料，例如Al、Ag和Mg是极其软的。在颗粒具有在第二电极和/或薄膜封装件的厚度的数量级中的大小时，即在颗粒具有在100nm和2μm之间的典型大小时，存在如下危险：这些颗粒在压力负荷下挤压穿过第二电极。此外，这种三维干扰此外也能够挤压穿过有机层直至位于下方的第一电极，这会导致有机光电子器件的自发失效。
至少一个第一中间层或也可以是多个第一中间层或也可以是第一和第二中间层的组合在此处描述的有机光电子器件中关于其硬度和其热膨胀系数有针对性地选择用于避免将颗粒这样压入到第二电极中或挤压穿过第二电极。在此并且在下文中描述的中间层能够具有金属、金属合金、半导体、半导体混合物和非导体以及其组合。一个或多个中间层的热膨胀系数选择成，使得能够避免施加在有机物质之上的层的脱离。
用于中间层的示例性的材料能够是：具有23HV10至45HV10的典型硬度的Al；具有43.7HV10的典型硬度的Ag；具有37.7HV10的典型硬度的Mg；具有18HV10的典型硬度的Ga；具有14HV10的典型硬度的In和具有38HV10的典型硬度的Zn。HV10在此表示对于本领域技术人员已知的维氏硬度，即在根据维氏方法进行硬度检查时借助10kp的检查力测量到的硬度。具有小于或等于100HV10硬度的中间层材料下面称作为是“软的”。
此外，中间层例如能够具有如下材料，所述材料选自：具有114HV10的典型硬度的Ni；具有350HV10的典型硬度的Mo；具有475HV10的典型硬度的Pd；具有540HV10的典型硬度的Co；具有540HV10的典型硬度的Rh；具有730HV10的典型硬度的Ir；具有730HV10的典型硬度的Ru；具有795HV10的典型硬度的Ti和具有795HV10的典型硬度的Mn。这种具有在100HV10和1000HV10之间硬度的材料在此并且在下文中称作为“中等硬的”
此外，中间层也能够具有如下材料，所述材料选自：具有1120HV10的典型硬度的V；具有1120HV10的典型硬度的Os；具有1520HV10的典型硬度的Wo和具有1750HV10的典型硬度的Cr。这种具有大于或等于1000HV10的硬度的材料在此并且在下文中也能够称作为是“硬的”。
除了上述软的、中等硬的和硬的金属之外，中间层例如也能够具有陶瓷材料，所述陶瓷材料例如是：具有1000HV10的典型硬度的Al2O3；具有1600HV10的典型硬度的SiN和/或具有2600HV10的典型硬度的SiC。除了这种材料之外，例如SiOx、SiC、BC、BN、AlN、AlWN也可以作为陶瓷的中间层材料。
根据另一个实施方式，至少一个第一中间层设置在第二电极和薄膜封装件之间。在此，至少一个第一中间层与以直接邻接于第一中间层的方式位于其下方的层相比并且与以直接邻接于第一中间层的方式位于其上方的层相比具有更小的硬度。换而言之，至少一个第一中间层位于有机光电子器件的两个具有较大的硬度的层之间。至少一个第一中间层能够具有大于或等于200nm的厚度、大于或等于300nm的厚度、大于或等于500nm的厚度、大于或等于1μm的厚度或者大于或等于2μm的厚度以及小于或等于10μm的厚度或者小于或等于5μm的厚度。在一个优选的实施方式中，第一中间层具有大于或等于2μm且小于或等于5μm的厚度。在这种厚度中，在位于100nm至10μm范围中的典型的颗粒大小中能够实现：在生产时无意地施加在第一中间层的区域中的颗粒压入到第一中间层中，而不挤压穿过第二电极。
根据另一个实施方式，以直接邻接于第一中间层的方式位于其下方的层是第二电极。第二电极例如能够具有Al、Ag、Mg或者其组合，而第一中间层具有In、Ga、Zn或其组合。
根据另一个实施方式，以直接邻接于第一中间层的方式位于其下方的层是第二中间层，所述第二中间层设置在第二电极上并且与第二电极相比具有更大的硬度。第二中间层例如能够直接在第二电极上设置并且与第二电极直接接触地设置。尤其优选地，这种第二中间层具有中等硬度的材料或硬的材料，例如Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。此外，能够施加AlOx、SiC、SiN或与第二电极相比具有更大硬度的其他陶瓷材料作为第二中间层。如果在第二电极中例如存在Al或者第二电极由Al形成，那么能够通过直接地氧化这种Al层在第二电极上制造AlOx。在此，优选的层厚度大于或等于1nm并且小于或等于10nm。此外也能够可行的是：借助于ALD、MLD、溅射或CVD工艺、优选借助于与用于施加第二电极相同的荫罩施加陶瓷层、即例如AlOx层或SiC或SiN层作为第二中间层。也可行的是：施加具有多个层的层序列作为第一和/或第二中间层，所述多个层具有不同的具有所描述的特性的材料。
尤其优选的是：设置在第二电极上方的中间层直接在第二电极的施加工艺之后或甚至在该工艺之内施加，使得尽可能没有颗粒能够到达第二电极上。中间层材料、尤其在金属的情况下例如能够被蒸镀。在此尤其优选的是，使用相同的荫罩用于制造第二电极并且至少用于制造直接邻接于第二电极的中间层。如果随后在施加薄膜封装件之前或其中颗粒无意地被施加，那么第二电极通过至少一个第一中间层或第一和第二中间层的组合来保护。
根据另一个实施方式，以直接邻接于第一中间层的方式位于其上方的层是薄膜封装件的层。换而言之，薄膜封装件直接邻接于至少一个第一中间层，使得直接施加在至少一个第一中间层上的层是薄膜封装件的第一封装层。
根据另一个实施方式，至少一个第一中间层设置在第二电极和薄膜封装件之间，直接邻接于第二电极并且与第二电极相比具有更大的硬度。特别地，至少一个第一中间层在该实施方式中能够具有之前结合第二中间层所描述的特征。
根据另一个实施方式，第一中间层与薄膜封装件的直接邻接于第一中间层的层相比具有更小的硬度。换而言之，薄膜封装件的直接邻接于第一中间层的封装层构成为比至少一个第一中间层更硬，所述第一中间层又构成为比第二电极更硬。例如在工艺更换以沉积薄膜封装件时无意地设置在第一中间层上的颗粒通过较硬的薄膜封装件压入到第一中间层中。尤其优选地，第一中间层在该实施方式中具有如在上文中结合第一中间层所描述的那样的厚度，所述第一中间层比第二电极更软，也就是说，具有大于或等于200nm且小于或等于10μm的厚度并且优选大于或等于2μm且小于或等于5μm的厚度。
根据另一个实施方式，第二电极具有Al、Ag、Mg或者其组合，并且第一中间层具有Ni、Ti、V或与其组合。
根据另一个实施方式，第一中间层与薄膜封装件的直接邻接于第一中间层的层相比具有更大的硬度。特别地，第一中间层在该实施方式中与整个薄膜封装件相比能够具有更大的硬度。在施加第一中间层之后并且在施加直接邻接于第一中间层的薄膜封装件之前或期间无意施加的颗粒在压力作用下压入到薄膜封装件中。尤其优选地，薄膜封装件在此具有如在上文中结合第一中间层所描述的那样的厚度，所述第一中间层比第二电极更软，也就是说，具有大于或等于200nm且小于或等于10μm。
根据另一个实施方式，第二电极具有Al、Ag、Mg或者其组合，而第一中间层具有Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。根据形成第一中间层的或第一中间层所具有的材料，薄膜封装件例如能够具有氧化铝。在使用Cr或硬度大于1600HV10的具有Cr的合金用于第一中间层时，对于薄膜封装件例如也能够选择SiN或SiC或者不同于上述陶瓷材料的材料。
根据另一个实施方式，在硬度比第二电极更大的第一中间层和薄膜封装件之间设置有直接邻接于第一中间层的第二中间层，其中第一中间层与第二中间层相比具有更大的硬度。第二中间层与以直接邻接于第二中间层的方式位于其上方的层相比优选能够具有更小的硬度，所述层例如通过薄膜封装件形成。在此，第二中间层与第二电极相比能够具有更小的硬度或更大的硬度。在使用Al、Ag、Mg或其组合用于第二电极时，第二中间层例如能够具有Al、Ag、Mg、In、Ga、Zn或者其组合。尤其优选的是：在该实施方式中，为第二中间层选择与第二电极相同的材料，使得为了制造第二中间层，与施加第二电极相比，不需要进行工艺更换。第二中间层在该实施方式中能够具有如在上文中结合第一中间层所描述的那样的厚度，所述第一中间层比第二电极更软，也就是说，具有大于或等于200nm且小于或等于10μm的厚度。
根据另一个实施方式，至少一个第一中间层以直接邻接于第二电极的方式设置在第二电极的朝向有机层堆的一侧上，并且与第二电极相比具有更大的硬度。由此，第一中间层在此设置在第二电极下方和有机功能层堆上方。特别地，第一中间层在该实施方式中能够具有无机材料。
根据另一个实施方式，第一中间层在有机功能层堆和第二电极之间通过电绝缘材料形成并且构成为用于电载流子的隧道层。特别地，第一中间层对此能够具有大于或等于1nm或者大于或等于2nm以及小于或等于5nm或者小于或等于3nm的厚度。由于第一中间层的这种小的厚度，该第一中间层优选具有硬的材料。第二电极例如能够具有铝，而第一中间层具有氧化铝。为了制造有机功能层堆和第二电极之间的这种第一中间层，能够将薄的铝层施加在有机功能层堆上，所述薄的铝层通过供给氧直接氧化。这种铝层例如能够为1nm至5nm厚并且优选2nm至3nm厚。特别地，在此能够供给刚好如此多的氧，使得所施加的铝层至少部分地或完全地氧化。此后能够在不添加氧的情况下继续施加铝，以便构成第二电极。
替选于此也能够可行的是：借助于ALD或MLD在有机功能层堆和第二电极之间施加至少一个第一中间层。在此，优选能够选择陶瓷材料、例如由材料体系SiNCOB构成的材料，即例如选择氮化硅、氧化硅、碳化硅、碳化硼、氮化硼、氮化铝、氧化铝、氮化铝钨中的一种或多种材料。
根据另一个实施方式，中间层，例如至少一个第一中间层施加在第二电极上并且完整地覆盖第二电极。换而言之这表示：至少一个第一中间层与第二电极叠合。此外，第二中间层能够施加在至少一个第一中间层上，所述第二中间层完整地覆盖和叠合至少一个第一中间层。替选于此也可行的是：第一中间层施加在第二电极上的第二中间层上，并且第一中间层完整地覆盖和叠合第二中间层。此外也可行的是，薄膜封装件完整地覆盖和叠合至少一个第一中间层和/或至少一个第二中间层和第二电极。特别地，尤其有利的是，施加在有机功能层堆上的层中的每一个完全地覆盖和叠合分别位于其下的层。通过对所述层以分别位于其下的层来改型，也在所述层的侧向的边缘区域中确保颗粒防护。特别地，通过这种层结构也能够在边缘处提高有机光电子器件的鲁棒性，使得不因尤其无意地施加在有机功能层堆的边缘区域中的颗粒引起自发失效。有机光电子器件的鲁棒性因此能够提高，而不使其他主要参数变差，如寿命、耐储存性以及其他在上文中提到的参数。
层在有机功能层堆上的这种完整的覆盖或叠合尤其在与上述中间层结合时是有利的。相应的改型例如能够通过如下方式实现：为了施加层使用阶梯掩模，所述阶梯掩模从衬底起遮盖已经施加的层的边缘区域至一定程度，并且为用于相应的层的各个材料使用具有不同的张角的蒸发源。
在此处描述的有机光电子器件中，能够借助于至少一个第一中间层或者也能够借助于多个第一中间层或者也能够附加地借助于至少一个第二中间层相对于没有这种中间层的有机光电子器件提高鲁棒性。除了提高鲁棒性之外能够实现：同时在生产特性方面的其他主要的边界条件，例如IVLS参数、如光密度、效率、电压和颜色、寿命、耐储存性、机械易受影响性和设计自由度在成本范围和生产时间范围合理的情况下不变差。此外，能够将工艺成本保持得低。
通过在薄膜封装件下方的第二电极的范围中的硬和软的层的适当的交替能够提高鲁棒性，而同时不降低薄膜封装件的密封特性，所述薄膜封装件防止颗粒侵入到有机功能层堆中或者相对于硬的颗粒弯曲。
同样地，在分别位于其下方的层上方以在上文中所描述的方式有针对性地施加第二电极、一个或多个中间层和薄膜封装使得完全地遮盖该层，引起相对于在使用至今常见的工艺系统时的自发失效提高鲁棒性而不使其余的参数变差。
由于在此所描述的措施，使用迄今为止所使用的设施，例如热蒸镀器、CVD设施和ALD设施是可行的。在此，将此处所描述的措施容易地结合到迄今为止的工艺中而衬底与所使用的荫罩不能机械分离，这能够引起颗粒负荷的显著降低。通过所限定的没有随机变化的层表面，能够提高可重现性，其中降低无尘室品质和所使用的设施中的一般颗粒洁净度能够对成本起到可能的正面作用。
此外能够可行的，同时例如通过合金形成和/或适配的薄膜层直接调整上部的第二电极和薄膜封装件的硬度等级和膨胀系数，这能够引起上部电极的脱离概率的降低。
附图说明
其他的优点、有利的实施方式和改进形式从在下文中结合附图所描述的实施例中得出。
附图示出：
图1A示出根据一个实施例的有机光电子器件的示意图，
图1B示出图1A的一部分，
图2A和2B示出根据另外的实施例的有机光电子器件的一部分的示意图，
图3至6示出根据另外的实施例的有机发光器件的一部分的示意图，
图7A和7B示出根据另一个实施例的有机光电子器件的示意图，
图8示出用于制造根据另一个实施例的有机光电子器件的方法的示意图，以及
图9示出根据另一个实施例的有机光电子器件的示意图。
在实施例和附图中，相同的、相类的或起相同作用的元件分别设有相同的附图标记。所示出的元件和其彼此间的大小比例不视为是合乎比例的，更确切地说，为了更好的可视性和/或为了更好的理解能够夸大地示出各个元件，例如层、构件、器件和区域。
具体实施方式
在图1A中示出根据一个实施例的有机光电子器件100，所述有机光电子器件纯示例性地构成为呈有机发光二极管(OLED)形式的有机发光器件。替选地或附加地，有机光电子器件也能够构成为有机的检测光的器件。
有机光电子器件100具有衬底101，在衬底上在第一电极102和第二电极104之间设置有具有至少一个有机发光层的有机功能层堆103。电极102、104中的至少一个构成为半透明的进而对于光构成为是可透过的，使得在器件100运行时在有机功能层堆103中产生的光能够辐射穿过至少一个半透明的电极。
在图1中示出的有机光电子器件100中，衬底101构成为是半透明的，例如以玻璃板或玻璃层的形式构成。替选于此，衬底101例如也能够具有半透明的塑料或玻璃塑料叠层。
施加在衬底101上的第一电极102同样构成为是半透明的并且例如具有透明导电氧化物。透明导电氧化物(“transparent conductive oxide”,TCO)是透明的、传导性的材料，通常为金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟和铟锡氧化物(ITO)。TCO族除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO2或In2O3以外，还包括三元的金属氧化物例如Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且也能够是p型掺杂的或n型掺杂的。此外，半透明的电极例如也能够具有：透明的金属；金属的网状结构或传导性的网络、例如具有银和/或石墨或者含碳的层或者由其构成的传导性的网络；或者具有所提到的透明材料的组合。
施加在有机功能层堆103上的第二电极104在所示出的实施例中构成为是反射性的并且具有下述金属，所述金属选自：铝、钡、铟、银、金、镁、铜、钙和锂以及与其化合物、组合物和合金。特别地，电极104能够具有Al、Ag、Mg或者具有其的合金或层堆，例如Ag/Mg、Ag/Ca、Mg/Al或还有Mo/Al/Mo或者Cr/Al/Cr。替选地或附加地，电极104也能够具有上述TCO材料或具有至少一种TCO和至少一种金属的层堆。
下部的电极102在所示出的实施例中构成为阳极，而上部的电极104构成为阴极。但是相应地选择材料时，关于极性倒置的构造也是可行的。
电极102、104能够大面积地且连续地构成，使得有机光电子器件100能够成形为发光源、尤其成形为面光源。“大面积”在此能够表示：有机光电子器件100具有大于或等于几平方毫米、优选大于或等于以平方厘米并且尤其优选大于或等于一平方分米的面积。
此外，这两个电极102、104或其中一个能够被结构化并且具有能够以彼此电分离的方式接触和控制的区域。例如能够存在具有有针对性选择的形状的区域，所述区域允许示出图形或图示。此外，电极102、104例如也能够分别条带形地借助彼此并排设置的电极条带结构化，其中电极102、104中的一个的电极条带垂直于电极102、104中的另一个的电极条带伸展。这两个电极102、104的电极条带的相交区域在此能够形成像点、即所谓的像素，使得有机光电子器件100也能够构成为显示设备、即例如构成为显示器。此外也可行的是：电极102、104中的一个具有像素状的结构化部，而电极102、104中的另一个能够大面积地结构化或同样像素状地结构化。
为了电接触电极102和104，如在图1A中所示出的那样，设有电极连接件105，所述电极连接件在衬底101上延伸远离相应地接触的电极102、104并且在下文中所描述的封装件107下方经过从电极102、104向外伸展。构成为电接触供给部的电极连接件105能够根据OLED100的放射方向构成为是透明的或不透明的并且例如具有TCO和/或金属或由其构成。电极连接件105例如能够通过金属层或金属层堆形成，例如Mo/Al/Mo、Cr/Al/Cr或Al。也能够可行的是：电极连接件105中的至少一个或多个具有分别与待接触的电极102、104相同的材料。在此，电极和接触该电极的电极连接件也能够一件式地构成。
有机功能层堆103除了至少一个有机发光层之外还能够具有其他的有机层，所述有机层适合于将空穴或电子引导至至少一个有机发光层或者阻挡相应的传输，例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和电荷生成层(“charge generation layer”，CGL)的一个或多个。此外，也能够存在多个有机发光层。有机功能层堆103的层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小分子(“small molecules”)或由其构成的组合。特别地，能够有利的是：有机功能层堆103具有构成为空穴传输层的功能层，以便实现将空穴有效地注入到至少一个有机发光层中。作为用于空穴传输层的材料，叔胺、咔唑衍生物、传导性的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩例如证实为是有利的。电致发光材料适合作为用于至少一个发光层的材料，所述电致发光材料具有基于荧光或磷光的辐射发射，例如为聚芴、聚噻吩或聚亚苯基或者其衍生物、化合物、混合物或共聚物。
此外，如在图1A中所示出的那样，能够存在绝缘体层106，例如具有聚酰亚胺或由聚酰亚胺构成的绝缘体层，所述绝缘体层例如能够将电极102、104彼此电绝缘。根据有机光电子器件100的各个层的设计方案，绝缘体层106不必是强制必须的并且能够是不存在的，例如在用于施加层的相应的掩模工艺中不存在。
在有机功能层堆103和电极102、104上方设置有用于保护有机功能层堆103和电极102、104的薄膜封装件107。当前将构成为薄膜封装件的封装件理解为如下设备：所述设备适合于形成相对于大气物质、尤其相对于湿气和氧和/或相对于其他有害物质、例如腐蚀性气体、例如硫化氢的阻挡件。换而言之，薄膜封装件107构成为，使得其至多能够由极其小的份额的大气物质穿透。这种阻挡作用在薄膜封装件107中基本上通过构成为薄层的阻挡层和/或钝化层产生，所述阻挡层和/或钝化层是封装件的一部分。薄膜封装件107的层通常具有小于或等于几百nm的厚度。特别地，薄膜封装件107能够具有如下薄层或由其构成，所述薄层负责封装件的阻挡作用。薄层例如能够借助于原子层沉积法(“atomic layerdeposition”，ALD)或者分子层沉积法(“molecular layer deposition”，MLD)来施加。适合于封装装置的层的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝以及还有氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化镧、氧化钽和在上文中结合半透明的电极所提出的TCO，例如氧化铝锡和氧化铝锌。优选地，薄膜封装件107具有如下层序列，所述层序列具有多个薄层，所述薄层分别具有在一个原子层和几百nm之间的厚度。
替选于或除了借助于ALD或MLD制造的薄层，封装件能够具有至少一个或多个其他的层，即尤其阻挡层和/或钝化层，所述阻挡层和/或钝化层通过热蒸镀或借助于等离子增强的工艺，例如溅射、化学气相沉积(“Chemical vapor deposition”，CVD)或等离子增强的化学气相沉积(“Plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD))来沉积。适合于此的材料能够是上述材料，尤其氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂铝的氧化锌、氧化铝以及所提出的材料的混合物和合金。一个或多个其他的层例如能够分别具有1nm和5μm之间的并且优选1nm和400nm之间的厚度，其中包括边界值。薄膜封装件例如在参考文献WO 2009/095006 A1和WO 2010/108894 A1中描述，其相应的公开内容就此关于这个方面通过参引完整地并入本文。
此外，从衬底101起观察，如在图1A中所示出的那样，在封装件107上能够设置有借助于粘接层108、例如层压胶粘贴的覆盖件109。覆盖件109例如能够通过玻璃层或玻璃板或还有塑料、金属或所提出的材料的组合或层压来形成，并且尤其在与构成为薄膜封装件的封装件107的结合中用作为机械保护、尤其用作为防划保护，而覆盖件109本身不必起封装作用。替选地或附加地，在封装件107上也能够施加保护漆，例如呈喷漆形式的保护漆。
有机光电子器件100由于半透明的衬底101和半透明的下部的第一电极102构成为所谓的底部发射器并且在运行时放射穿过半透明的电极102和半透明的衬底101的光。为了改进光耦合输出，在衬底101的背离有机功能层堆103的一侧上能够设置有光学耦合输出层110，所述光学耦合输出层例如构成为具有透明基体中的散射颗粒和/或具有散射光的表面结构的散射层。替选地或附加地，耦合输出层例如也能够设置在衬底101和下方的设置在衬底101上的第一电极102之间或设置在呈内部的耦合输出层形式的其他的功能层之间。
替选于所描述的底部发射器配置，背离衬底101设置的上部的第二电极104也能够构成为是半透明的，以便将在运行时在有机功能层堆103中产生的光穿过上部电极104沿背离衬底101的方向放射。在这种情况下，有机发光器件100构成为所谓的顶部发射器。只要穿过衬底101的光放射是所不期望的，那么设置在衬底101和有机功能层堆103之间的下部的电极102也能够构成为是反射的。同样地，在这种情况下，衬底101能够具有不透明的材料，例如不透明的玻璃、不透明的塑料、金属或由其构成的组合。除了上部的电极104之外，在顶部发射器配置中，其他设置在上部的电极上方的层也构成为是透光的。此外，在这种情况下，耦合输出层能够设置在上部的电极104上方，例如设置在覆盖件109上或设置覆盖件109和封装件107之间。
此外，有机光电子器件100也能够同时构成为底部发射器或顶部发射器进而优选构成为透明的OLED并且具有分别在结合顶部和底部发射器配置时所提出的特征的组合。
关于有机光电子器件100的其他特征，例如关于有机功能层堆的、电极的和封装件的构造、层组成和材料，参考文献WO 2010/066245 A1，所述文献关于有机光电子器件的构造和关于图1中示出的有机发光器件的改型和变型在此明确地通过参考并入本文。
在图1B中示出图1A的有机光电子器件的一部分，其中示出有机功能层堆103与设置在其上方的在上文中所描述的层的一部分。通过在将第二电极104施加在有机功能层堆103上之后用于施加薄膜封装件107的工艺和/或设施更换，颗粒，如示例性示出的颗粒900会不期望地施加到第二电极104上。
杂质颗粒900例如能够通过灰尘颗粒、通过覆层设施的部件的磨损的材料由通过之前的施加工艺堆积在覆层设施的部件上的并且再次剥落的材料和类似材料形成。通常的颗粒大小典型地位于100nm至2μm的范围中。在沉积薄膜封装件107时，这种无意堆积的颗粒如示例性示出的颗粒900那样至少部分的改型。因为第二电极104如在上文中所描述那样例如具有Al、Ag、Mg或其他软的金属或者由其形成，那么在作用到由于其由陶瓷层构成的构造而显著比第二电极104更硬的薄膜封装件107上的压力负荷下，颗粒900被压入到第二电极104中或者甚至挤压穿过第二电极进入到有机功能层堆103中。这种干扰也能够挤压穿过有机功能层堆103的有机层直至位于其下方的第一电极102，这可能会引起短路进而引起有机功能器件的自发失效。
结合下面的附图，基于上面的描述来描述如下实施例，其中能够至少降低或甚至防止因杂质颗粒引起的损坏。尽管图1A和1B的实施例涉及构成为有机发光器件的有机光电子器件，但是下面的描述也适用于有机光电子器件，所述有机光电子器件构成为有机的检测光的器件。
为了保护有机功能层堆103防止挤压穿过第二电极104的颗粒，在有机功能层堆103和薄膜封装件107之间除了第二电极104之外还设置有至少一个第一中间层121，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度。如在概述部分中所描述的那样，至少一个第一中间层121设立用于：保护有机功能层堆103免受因颗粒900、尤其是位于第二电极104和薄膜封装件107之间的这种颗粒引起的损坏。
对于在下文中所描述的中间层能够使用金属、金属合金、半导体材料、半导体混合物、电绝缘材料和由其构成的组合。尤其优选地，使用金属或陶瓷材料作为中间层材料。尤其有利的是：至少一个中间层与第二电极直接接触地设置。在下文中所描述的中间层关于其材料选择为，使得其具有在下文中描述的硬度特性与充分的粘附性和适当的膨胀系数。通过适当地选择中间层材料，此外也能够可行的是，进行应力匹配。
在图2A中示出一个实施例，其中在第二电极104和薄膜封装件107之间设置有至少一个第一中间层121，所述第一中间层与以直接邻接于至少一个第一中间层121的方式位于其下方的层和以直接邻接于至少一个第一中间层121的方式位于其上方的层相比具有更小的硬度。在图2B中，示出同一实施例，其中表明杂质颗粒900，所述杂质颗粒能够无意地堆入第二电极104和薄膜封装件107之间并且如结合图1B所描述的那样，在没有在下文中所描述的中间层的情况下，所述杂质颗粒会使作用到薄膜封装件107上的至少一个压力负荷导致第二电极104和设置在其下方的有机功能层堆103的损坏。
在图2A和2B中示出的实施例中，以直接邻接于第一中间层121的方式位于其下方的层通过第二电极104形成，而以直接邻接于至少一个第一中间层121的方式位于其上方的层通过薄膜封装件107形成。如果薄膜封装件107具有多个封装层，那么至少直接邻接于第一中间层的封装层与第一中间层121相比更硬地构成。尤其优选地，全部封装层与第一中间层121相比更硬地构成。薄膜封装件能够具有上述材料中的一种，例如SiN、SiC和/或AlOx。
如果第二电极例如具有Al、Ag、Mg或其组合，那么第一中间层121例如能够具有较软的金属，如In、Ga、Zn或其组合。第一中间层121具有大于或等于可预期的颗粒大小的厚度。在颗粒大小为100nm至10μm的情况下尤其有利的是：第一中间层121具有大于或等于200nm的厚度或者甚至大于或等于300nm的厚度或者大于或等于500nm的厚度或者大于或等于1μm的厚度或者大于或等于2μm的厚度。此外，中间层121的厚度能够小于或等于5μm或者小于或等于10μm。通过这种厚度可行的是：如在图2B中所表明的、无意地设置在第二电极104上的杂质颗粒在压力负荷作用到显著更硬的薄膜封装件107上时压入到第一中间层121中。由此防止杂质颗粒压入到第二电极104中或者甚至挤压穿过第二电极。为了在施加第一中间层121时实现尽可能小的易受颗粒影响性，所述第一中间层优选在使用相同的掩模的条件下来施加，所述掩模也用于施加第二电极。对此示例性的方法在在下文中结合图8和9描述。
替选于比第二电极104和薄膜封装件107更软的第一中间层121，也能够在薄膜封装件107的第二电极104之间设有第一中间层121，所述第一中间层与第二电极104相比具有更大的硬度并且与薄膜封装件107相比具有更小的硬度。如果第二电极104例如具有Al、Ag、Mg或其组合或者由这些材料构成，那么第一中间层121例如能够具有Ni、Ti、V或其组合。优选地，第一中间层121在此具有如在上文中针对较软的材料所描述的厚度。
在图3中示出另一个实施例，所述实施例相对于上述实施例附加地具有第二中间层122。第二中间层122形成以直接邻接于中间层121的方式位于其下方的层，并且与第二电极104相比进而与第一中间层121相比具有更大的硬度。特别地，第二中间层122以直接接触的方式直接施加在第一电极104上。
第二中间层122的厚度能够显著小于第一中间层121的厚度。例如在施加具有中间层121和122的中间层系统之后且在施加薄膜封装件107之前无意施加的颗粒900，在作用到薄膜封装件107上的压力负荷下会压入到第一中间层121中。但是由于较硬的第二中间层122，该颗粒不挤压穿过第二中间层122。
第二中间层122例如能够具有金属，尤其硬的金属，如Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。如已经结合上述实施例所阐述的那样，第二中间层122优选借助于与第二电极104相同的荫罩施加，使得能够通过荫罩更换排除颗粒负荷。
替选于此，第二中间层122例如也能够具有陶瓷材料，所述陶瓷材料例如借助于ALD、MLD或CVD工艺施加，第二中间层122对此例如能够具有借助于ALD施加的AlOx或借助于CVD施加的SiC和/或SiN。此外，出自材料体系SiNCOB的其他的材料也可以用于第二中间层122。多种陶瓷的和/或金属的材料的层组合也可以用于第二中间层122。如果第二电极104具有铝或者其由铝形成，那么第二中间层122也能够通过直接地氧化第二电极104的上侧来制造。对此，在第二电极104的施加工艺期间或之后导入氧气，使得能够氧化层厚度在1nm至10nm范围中的铝层并且形成第二中间层122。
在图4中示出另一个实施例，其中在第二电极104和薄膜封装件107之间以直接邻接于其的方式设有第一中间层121，所述第一中间层与第二电极104和薄膜封装件107相比具有更大的硬度。特别地，第一中间层与薄膜封装件107的直接邻接于第一中间层121的封装层171相比具有更大的硬度。尤其优选地，第一中间层121比薄膜封装件107的所有封装层171都硬。
硬的第一中间层121能够具有如针对根据上述实施例的第二中间层122所描述的材料。此外，图4的实施例的第一中间层121借助相应的在上文中所描述的方法来施加。在施加第一中间层121之后无意堆积在其上的颗粒900在压力作用时压入到薄膜封装件107中，使得第二电极104通过硬的第一中间层121保护。薄膜封装件107对此优选具有借助于ALD、MLD、CVD或溅射施加的层结构，所述层结构的厚度大于或等于可预期的颗粒大小。特别地，薄膜封装件能够具有如上面针对第一中间层121所描述的厚度。由此能够实现：薄膜封装件107即使在颗粒900压入的情况下仍保持是密封的。
在图5中示出另一个实施例，其中除了根据上述实施例的硬的第一中间层122之外在该第一中间层上施加有第二中间层122，所述第二中间层与第一中间层122相比具有更小的硬度。第二中间层122例如能够具有如下材料，所述材料比第二电极104软。在这种情况下，图5的实施例对应于图3的实施例，其中第一和第二中间层关于其附图标记进行交换。
此外，也能够可行的是：第二中间层122在图5的实施例中具有如下材料，所述材料与第二电极104相比具有相同或更大的硬度。因为第二中间层122总是比第一中间层121软，所以颗粒900在压力负荷下压入到该第二中间层中，而不损坏第二电极104。第一中间层121例如能够具有在概述部分中提出的硬的材料，而第二中间层122具有中等硬度的材料。通过使用中等硬度的材料代替软的材料，在压入时相对于颗粒900实现更高的阻力。也能够尤其有利的是：对于第二电极104和第二中间层122使用相同的材料。如果第二电极由如下材料形成，所述材料具有Al、Ag、Mg或其组合或者由其构成，那么对于第二中间层122能够相应地同样使用Al、Ag、Mg或者其组合。
在图6中示出另一个实施例，其中相对于上述实施例，在有机功能层堆103和第二电极104之间设置有至少一个第一中间层121。第一中间层121与第二电极104相比具有更大的硬度。由此能够实现：无意地施加在第二电极104上的颗粒在作用到薄膜封装件107上的压力负荷下虽然挤压穿过第二电极104，然而有机功能层堆103受到第一中间层121的保护。
特别地，第一中间层121如在上述实施例中那样能够由无机材料构成。第一中间层121例如能够通过电绝缘材料形成并且构成为用于电载流子的隧道层。在此，第一中间层具有大于或等于1nm并且小于或等于5nm的厚度，尤其优选大约2nm至3nm的厚度。制造第一中间层121能够如制造图4的实施例的第一中间层121那样进行。特别地，薄的Al层的直接氧化是可行的，在所述薄的Al层上施加另外的铝以制造第二电极104。替选于此，第一中间层121的材料例如能够借助于ALD、MLD或CVD来施加并且具有出自材料体系SiNCOB的材料。第一中间层例如能够具有一种或多种如下材料，所述材料选自：氮化硅、氧化硅、碳化硅、碳化硼、氮化硼、氮化铝、氧化铝、氮化铝钨。
第一中间层121也能够形成为具有多个例如借助ALD或MLD施加的层的层结构。
在图7A中示出有机光电子器件，所述有机光电子器件如根据图1A的实施例的有机光电子器件100那样构成。相对于在图1A示出的理想情况、即第二电极104完整地遮盖有机功能层堆103，图7A示出典型非理想的有机光电子器件，其中由于在施加层时预设的公差，第二电极104不完全地遮盖有机功能层堆103。特别地，在此边缘区域，如示例性示出的边缘区域190受到损害。如图7B中所示出的那样，颗粒900尤其在这种边缘区域190中能够更容易地压入到软的有机功能层堆103中，这会容易引起自发失效。
为了获得有机功能层堆103的尽可能全面的保护，在图8中示出如下方法，其中能够避免在用于有机功能层堆103上方的层的施加工艺中的这种公差并且所述方法同时引起颗粒负荷的最小化。在图8中，对此纯示例地示出如下方法，借助于所述方法将衬底101上的第二电极104完全地用施加在其上的另外的层遮盖，所述另外的层通过薄膜封装件107或中间层121、122形成。有机光电子器件的其他的层，例如第一电极102、有机功能层堆103和另外的例如在图1A中示出的层在图8中为了简化未被示出。
图8示出沿着运输方向209运输经过蒸发源201、201’的一系列衬底中的两个衬底101。也能够分别设有多个蒸发源。在衬底101上方分别施加有荫罩200，所述荫罩构成为阶梯掩模，使得尤其待施加的层的边缘区域通过阶梯掩模的蒸发不足(Unterdampfung)来制造。
虚线表明蒸发源201、201’的相应的张角。如果蒸发源201、201’的张角不同地选择，尤其选择在工艺中靠后的蒸发源201’的张角比在工艺中靠前的蒸发源201的张角更大，那么能够实现：在靠后的蒸发源201’中引起阶梯掩模200的更大的蒸发不足。如在图8中所表明的那样，由此实现：施加在第二电极104上的层107、121、122完全地遮盖该第二电极。不同的张角的设置例如能够通过在本领域技术人员已知的线性源中的相应的孔图案来实现。由于使用具有不同张角的不同的蒸发源，能够有利地在不同的施加步骤中使用相同的荫罩200。由此实现尽可能小的颗粒负荷，因为衬底101与在其上施加的层仅须从一个蒸发源运输至下一个蒸发源。
在图9中示出相应的有机光电子器件100，所述有机光电子器件具有如结合图1A和5描述的那样的层构造，即具有第二电极104和薄膜封装件107之间的第一和第二中间层121、122。通过上述方法可行的是，在多个依次跟随的步骤中将各个层施加在有机功能层堆103上方，使得这些层中的每一个完整地遮盖分别位于其下方的层。由此，在边缘区域中表明的颗粒900不能够如结合图7A和7B所描述的那样引起有机功能层堆103的损坏。
结合附图所描述的特征和实施例能够根据另外的实施例彼此组合，即使这种组合没有明确地借助各个附图描述时也如此。此外，附图中示出的实施例能够具有根据概述的其他的或替选的特征。
本发明不受限于根据所述实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括各个新的特征以及特征的各个组合，即使该特征或该组合本身没有在实施例中明确地说明时也是如此。

Claims (18)

1.一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有：
-衬底(101)，在所述衬底上设置有第一电极(102)，在所述第一电极上方设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆(103)，并且在所述有机功能层堆上方设置有第二电极(104)；
-在所述第二电极(104)上方的薄膜封装件(107)，所述薄膜封装件具有至少一个或多个薄层，所述薄层借助于沉积方法施加在所述第二电极上和所述有机功能层堆上；和
-在所述有机功能层堆(103)和所述薄膜封装件(107)之间除了所述第二电极(104)之外的至少一个第一中间层(121)，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度，
其中至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间并且具有金属或金属合金，或者
其中所述第一中间层(121)以直接邻接于所述第二电极(104)的方式设置在所述第二电极(104)的朝向所述有机功能层堆(103)的一侧上，与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度，并且具有一种或多种下述材料，所述材料选自：碳化硅、碳化硼、氮化硼和氮化铝钨。
2.根据权利要求1所述的有机光电子器件，其中至少一个所述第一中间层(121)设立用于：保护所述有机功能层堆(103)免受因杂质颗粒(900)引起的损坏。
3.根据权利要求2上述的有机光电子器件，其中所述杂质颗粒位于所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中
-至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间，和
-至少一个所述第一中间层(121)与以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层相比并且与以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层上方的层相比具有更小的硬度。
5.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)具有大于或等于200nm并且小于或等于10μm的厚度。
6.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层是所述第二电极(104)。
7.根据权利要求6所述的有机光电子器件，其中所述第二电极(104)具有Al、Ag、Mg或者其组合，并且所述第一中间层(121)具有In、Ga、Zn或其组合。
8.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层下方的层是第二中间层(122)，所述第二中间层设置在所述第二电极(104)上并且与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度。
9.根据权利要求8所述的有机光电子器件，其中所述第二中间层(122)具有Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。
10.根据权利要求4所述的有机光电子器件，其中以直接邻接于所述第一中间层(121)的方式位于所述第一中间层上方的层通过所述薄膜封装件(107)的层形成。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中
-至少一个所述第一中间层(121)设置在所述第二电极(104)和所述薄膜封装件(107)之间，和
-至少一个所述第一中间层(121)直接邻接于所述第二电极(104)并且与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度。
12.根据权利要求11所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)与所述薄膜封装件(107)的直接邻接于所述第一中间层(121)的层相比具有更小的硬度。
13.根据权利要求12所述的有机光电子器件，其中所述第二电极(104)具有Al、Ag、Mg或者其组合，并且所述第一中间层(121)具有Ni、Ti、V或其组合。
14.根据权利要求11所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)与所述薄膜封装件(107)的直接邻接于所述第一中间层(121)的层(171)相比具有更大的硬度。
15.根据权利要求11所述的有机光电子器件，其中所述第二电极(104)具有Al、Ag、Mg或者其组合，并且所述第一中间层(121)具有Cr、Wo、V、Os、Ru、Ir或者其组合。
16.根据权利要求11所述的有机光电子器件，其中在所述第一中间层(121)和所述薄膜封装件(107)之间设置有直接邻接于所述第一中间层(121)的第二中间层(122)，并且所述第一中间层(121)与所述第二中间层(122)相比具有更大的硬度。
17.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中至少一个所述第一中间层(121)完整地覆盖所述第二电极(104)。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的有机光电子器件，其中所述第一中间层(121)以直接邻接于所述第二电极(104)的方式设置在所述第二电极(104)的朝向所述有机功能层堆(103)的一侧上，并且与所述第二电极(104)相比具有更大的硬度，所述第一中间层(121)通过电绝缘材料形成并且构成为用于电载流子的隧道层。
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