KR20140048266A - 발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 Download PDF

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토마스 도베르틴
에르빈 랑
틸로 로이쉬
다니엘-슈테펜 제츠
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 다양한 예시적 실시예들의 발광 컴포넌트(100)에 관한 것이고, 상기 발광 컴포넌트(100)는 제1 반투명 전극(104), 제1 전극(104) 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108), 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108) 상의 또는 그 위의 제2 반투명 전극(112), 제2 전극(112) 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물(116) ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물(116)은 포토루미네선스 재료(120)를 포함함 ―, 및 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물(118)을 포함한다.

Description

발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법{LIGHT-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING COMPONENT}
본 발명은 발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED)들에서, 광은 예컨대 유기 매트릭스 내의 유기 색 센터들(발색단들)의 전기루미네선스(electroluminescence)에 의하여 생성된다. 상기 유기 매트릭스는, 예컨대 기판 상에서, 유기 수송 재료들과 적어도 두 개의 전기 전도성 전극들을 포함하는 층 스택 내에 보통 놓인다. 두 개의 전기 전도성 전극들 중에서, 적어도 하나의 전기 전도성 전극은 반투명(translucent)하고, 예컨대 투명(transparent)하고, 층 스택 및 제2 전기 전도성 전극과 함께, 적절하다면 마찬가지로 유기 발광 다이오드의 일부일 수 있는, 광학 적응을 위한 부가 유전체 층들과 협력하여, 광학 마이크로캐비티(microcavity)를 형성한다.
색 센터들 및 유기 재료들의 선택과 층 스택의 구성은, 예컨대 OLED의 효율성, 수명 및 연색 지수(CRI:color rendering index)와 같은, 상기 OLED의 특징 데이터에 영향을 끼친다. 연색 지수에 대한 색 센터들 및 층 스택의 최적화는 일반적으로, 층 스택 내의 유기 매트릭스 재료들 및 유기 수송 재료들의 어쩌면 복잡한 적응 및 조정과 다른 특징 데이터에 대한 타협들을 요구한다. 특정 고객 바람들을 위해, 하나 또는 복수의 OLED들을 갖는 OLED 타일의 색 온도의 조정은 상대적으로 복잡하다.
유기 발광 다이오드에서, 연색 지수와 색 온도는 유기 시스템 층 스택 및 광학 마이크로캐비티(적절하다면, 마찬가지로 제공되는 전기 전도성 전극들 및 반사방지 층들을 포함함)의 적응에 의해 보통 설정된다. 그러나, 전기 및 광학 특성들의 많은 상호 의존성들 때문에, 이는, 지금까지는 상대적으로 높은 개발 경비로만 달성될 수 있었다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제공한다. 발광 컴포넌트는, 제1 반투명 전극; 제1 전극 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트(electroluminescent) 층 구조물; 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 제2 반투명 전극; 상기 제2 반투명 전극 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물 ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물은 포토루미네선스(photoluminescence) 재료를 포함함 ―; 및 광학 반투명 층 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들은, 발광 컴포넌트의 내부에 포함된 광학 반투명 층 구조물 및 포토루미네선스 재료에 대한 재료 선택에 대하여 고도의 설계 자유도가 획득되는 발광 컴포넌트를 제공하는데, 그 이유는 발광 컴포넌트의 내부에 포함된 이러한 광학 반투명 층 구조물 및 포토루미네선스 재료가 포토루미네선스의 특성만을 요구하고, 전기루미네선스가 선택적으로 마찬가지로 존재할 수 있지만, 상기 전기루미네선스의 특성을 요구하지 않기 때문이다.
그러므로, 다양한 실시예들에서, 예시적으로, 광학 반투명 층 구조물 또는 포토루미네선스 재료는 전기 전류로 펌핑되는 것이 아니라, 대개 또는 오로지 광으로 펌핑된다.
다양한 실시예들에서, 용어 "반투명" 또는 "반투명 층"은 층이 광, 예컨대 하나 또는 그 초과의 파장 범위들에서 예컨대 발광 컴포넌트에 의해 생성된 광, 예컨대 가시광의 파장 범위(예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위)의 광에 투과적임을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 예로서, 다양한 실시예들에서, 용어 "반투명 층"은 실질상 구조물(예컨대, 층)로 커플링(coupling)되는 광의 전체량이 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 또한 커플링 아웃(coupling out)되고, 여기서 광의 일부는 이 경우 산란될 수 있음을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.
다양한 실시예들에서, 용어 "투명 층"은 층이 (예컨대, 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위의) 광에 투과적이고, 여기서 구조물(예컨대, 층)로 커플링되는 광이 실질상 산란 또는 광 변환 없이 상기 구조물(예컨대, 층)로부터 또한 커플링 아웃됨을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 결과적으로, "투명"은 "반투명"의 특별한 경우로서 간주되어야 한다.
예컨대 발광 단색 또는 방출 스펙트럼-제한된 전자 컴포넌트가 제공될 것으로 의도되는 경우에 대해, 광학 반투명 층 구조물이 적어도, 원하는 단색 광의 파장 범위의 부분 범위의 방사선에 대해 또는 제한된 방출 스펙트럼을 위한 방사선에 대해 반투명한 것으로 충분하다.
하나의 구성에서, 제2 전극은 광학 반투명 층 구조물이 유기 전기루미네선트 층 구조물에 광학적으로 커플링되도록 설계될 수 있다.
다른 구성에서, 포토루미네선스 재료는, 아래의 재료 그룹들: 유기 염료 분자들; 무기 인광체들; 나노도트들; 나노입자들 중 적어도 하나로부터의 재료를 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 전기 절연 층이 제2 전극과 광학 반투명 층 구조물 사이에 제공될 수 있다.
다른 구성에서, 장벽 층/박막 캡슐화부가 제2 전극과 광학 반투명 층 구조물 사이에 있을 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물의 굴절률은 유기 전기루미네선트 층 구조물의 굴절률에 실질상 적응될 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물은 부가하여, 하나 또는 복수의 산란 재료들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제공한다. 발광 컴포넌트는 미러 층 구조물; 상기 미러 층 구조물 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물 ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물은 포토루미네선스 재료를 포함함 ―; 상기 광학 반투명 층 구조물 상의 또는 그 위의 제1 반투명 전극; 제1 전극 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물; 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상의 또는 그 위의 제2 반투명 전극을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 제1 반투명 전극과 광학 반투명 층 구조물 사이에 전기 절연 층을 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 발광 컴포넌트는 제1 전극과 광학 반투명 층 구조물 사이에 장벽 층/박막 캡슐화부를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 방법은 제1 반투명 전극을 제공하는 단계; 제1 전극 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계; 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 제2 반투명 전극을 형성하는 단계; 제2 전극 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계 ― 여기서, 포토루미네선스 재료가 상기 광학 반투명 층 구조물 내에 형성됨 ―; 및 광학 반투명 층 상에 또는 그 위에 미러 층 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 제2 전극은, 광학 반투명 층 구조물이 유기 전기루미네선트 층 구조물에 광학적으로 커플링되도록 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 아래의 재료 그룹들: 유기 염료 분자들; 무기 인광체들; 나노도트들; 나노입자들 중 적어도 하나로부터의 재료가 포토루미네선스 재료로서 사용될 수 있다.
다른 구성에서, 방법은 제2 전극 상에 또는 그 위에 전기 절연 층을 형성하는 단계 ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물은 상기 전기 절연 층 상에 또는 그 위에 형성될 수 있음 ― 를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 방법은, 장벽 층을 형성하는 단계(선택적으로, 전기루미네선트 층들을 보호하기 위하여, 박막 캡슐화부를 후속 형성하는 단계)를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물의 굴절률은 유기 전기루미네선트 층 구조물의 굴절률에 실질상 적응될 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물은 부가하여, 하나 또는 복수의 산란 재료들을 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물은 기상 증착에 의하여 형성될 수 있다.
다른 구성에서, 포토루미네선스 재료는 광학 반투명 층 구조물 안으로 제자리에, 예컨대 기상 증착 동안에 제자리에 매립될 수 있다.
다른 구성에서, 광학 반투명 층 구조물은 습식-화학 프로세스에 의하여 형성될 수 있다.
다양한 실시예들은 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 방법은 미러 층 구조물을 제공하는 단계; 상기 미러 층 구조물 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물을 형성하는 단계 ― 여기서, 포토루미네선스 재료가 상기 광학 반투명 층 구조물 내에 형성됨 ―; 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 제1 반투명 전극을 형성하는 단계; 제1 전극 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에 제2 반투명 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
하나의 구성에서, 방법은 상기 광학 반투명 층 구조물 상에 또는 그 위에 전기 절연 층을 형성하는 단계 ― 여기서, 제1 전극은 상기 전기 절연 층 상에 또는 그 위에 형성됨 ― 를 더 포함할 수 있다.
다른 구성에서, 방법은 장벽 층을 형성하는 단계(선택적으로, 전기루미네선트 층들을 보호하기 위하여, 박막 캡슐화부를 추가로 후속 형성하는 단계)를 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예들의 하나의 장점은, 예시적으로, OLED(일반적으로, 발광 컴포넌트)의 전기 기능의 개입 없이, OLED 캐비티로부터 방출되는 광의 색 컴포넌트들을 가변시키기 위한 상이한 자유도들로부터 나온다. 그 결과, 첫째로, 종래의 OLED 층 스택들에서 예전에 가능했던 것보다 더욱 상이한 색 센터들이 광의 생성에 동시에 기여할 수 있다. 둘째로, 다양한 실시예들에 따른 방식은 가능한 발색단들의 선택을 증가시키는데, 그 이유는 상기 방식이 전기 수송 및 전기루미네선스에 대하여 어떠한 제약들도 부과하지 않기 때문이다. 다양한 실시예들에 따른 외부 캐비티(캐비티들) 내의 발색단들의 필수 특성들은 양자 효율성과 여기 및 방출 스펙트럼이다. 예로서, 무기 발색단들이 또한 사용될 수 있다. 상보적 방출 스펙트럼들을 갖는 복수의 색 센터들로부터의 적절한 선택은 높은 연색성과 색 온도의 단순화된 조정 그리고 제품 개발의 경비 감소를 가능케 한다.
다양한 실시예들에 따른 외부 캐비티 내의 색 센터들의 어레인지먼트는, 예컨대 OLED 컴포넌트의 표면 상의 인광체들을 이용하여 가능한 것보다 더 높은 광 변환 효율성을 달성하는 것을 가능하게 한다.
또한, 다양한 실시예들에 따른 외부 캐비티 내의 색 센터들의 어레인지먼트는, 시야각에 걸쳐 색 왜곡의 변동을 획득하는 것을 가능하게 한다. 이 경우 역시, 예전의 순수 전기루미네선트 OLED 층 스택들에서 필요했던 것과 같은 각자의 전기 수송 특성들의 고려 없이, 색 센터들은 순수 광학 기준들에 따라 배열될 수 있다.
다양한 실시예들에 따른 추가의 가능한 장점들은 발광 컴포넌트의 더 높은 효율성 및 더 긴 수명이다. 이는, 제한된 효율성 및 수명을 갖는 전기루미네선트 색 센터들이, 적절하다면 하나 또는 복수의 외부 캐비티들 내의 포토루미네선트 색 센터들로 교체될 수 있다는 사실 때문에 달성될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에서 예시되고, 아래에서 더욱 상세히 설명된다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 4는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 5는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트를 도시한다.
도 6a 내지 도 6f는 발광 컴포넌트의 제조 동안 상이한 시점들에서 다양한 실시예들에 따른 상기 발광 컴포넌트를 도시한다.
아래의 상세한 설명에서, 동반된 도면들이 참조되고, 상기 도면들은 이 설명의 일부를 형성하고, 예시를 위해, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예들을 도시한다. 이 점에서, 예컨대, "상단에", "하단에", "앞쪽에", "뒤쪽에", "앞", "뒤" 등과 같은 방향 용어는 설명된 도면(들)의 배향에 대하여 사용된다. 실시예들의 컴포넌트 부분들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 방향 용어는 예시를 위해 제공되고, 어쨌든 조금도 제약적이지 않다. 본 발명의 보호 범위로부터 벗어남 없이, 다른 실시예들이 사용될 수 있고 구조적 또는 논리적 변경들이 이루어질 수 있음은 말할 필요가 없다. 여기에 설명되는 다양한 실시예들의 피처들이, 구체적으로 그렇지 않다고 표시되지 않는 한, 서로 결합될 수 있음은 말할 필요가 없다. 그러므로, 아래의 상세한 설명은 제약적인 의미로 해석되어서는 안되며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
이러한 설명의 맥락에서, 용어들 "연결된" 및 "커플링된"은 직접 및 간접 연결과 직접 또는 간접 커플링 둘 다를 설명하기 위해 사용된다. 도면들에서, 동일하거나 또는 유사한 엘리먼트들에는, 이것이 편리한 한, 동일한 참조 부호들이 제공된다.
다양한 실시예들에서, 발광 컴포넌트는 유기 발광 다이오드(OLED)로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 구현될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 발광 컴포넌트는 집적 회로의 일부일 수 있다. 또한, 복수의 발광 컴포넌트들이 예컨대 공통 하우징 내에 수용되는 방식으로 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(100)를 도시한다.
유기 발광 다이오드(100) 형태의 발광 컴포넌트는 기판(102)을 가질 수 있다. 기판(102)은 전자 엘리먼트들 또는 층들, 예컨대 발광 엘리먼트들을 위한 예컨대 캐리어 엘리먼트로서의 역할을 할 수 있다. 예로서, 기판(102)은 유리, 석영, 및/또는 반도체 재료 또는 임의의 다른 적절한 재료를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은, 플라스틱 필름 또는 라미네이트 ― 하나의 플라스틱 필름을 포함하거나 또는 복수의 플라스틱 필름들을 포함함 ― 를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 플라스틱은 하나 또는 그 초과의 폴리올레핀들(예컨대, 높거나 또는 낮은 밀도 폴리에틸렌(PE) 또는 폴리프로필렌(PP))을 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 플라스틱은 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스테르 설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)를 포함할 수 있거나, 또는 이들로부터 형성될 수 있다. 또한, 기판(102)은 예컨대 금속 필름, 예컨대 알루미늄 필름, 고급 스틸 필름, 구리 필름 또는 결합 또는 그 상에 층 스택을 포함할 수 있다. 기판(102)은 위에서 언급된 재료들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다. 기판(102)은 반투명, 예컨대 투명, 부분적으로 반투명, 예컨대 부분적으로 투명, 그렇지 않으면 불투명한 것으로서 구현될 수 있다.
(예컨대, 제1 전극 층(104) 형태의) 제1 전극(104)은 기판(102) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다. 제1 전극(104)(이후에, 하단 전극(104)으로서 또한 표기됨)은, 예컨대 금속 또는 투명한 전도성 산화물(TCO), 또는 동일하거나 또는 상이한 금속 또는 금속들 및/또는 동일하거나 또는 상이한 TCO들의 복수의 층들을 포함하는 층 스택과 같은 전기 전도성 재료로부터 형성될 수 있다. 투명한 전도성 산화물들은 투명한 전도성 재료들, 예컨대 아연 산화물, 주석 산화물, 카드뮴 산화물, 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 예컨대 금속 산화물들이다. 예컨대 ZnO, SnO2, 또는 In2O3와 같은 2원계 금속-산소 화합물과 함께, 예컨대 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12, 또는 상이한 투명한 전도성 산화물들의 혼합물들과 같은 3원계 금속-산소 화합물들이 TCO들의 그룹에 또한 속한다. 또한, TCO들이 반드시 화학량론 조성에 대응하는 것은 아니며, 추가로 p-도핑 또는 n-도핑될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 금속, 예컨대 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Au, Ca, Sm 또는 Li, 그리고 이러한 재료들의 화합물들, 결합들 또는 합금들(예컨대, AgMg 합금)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 TCO의 층 상에 금속층의 결합의 층 스택에 의해 또는 그 반대로 형성될 수 있다. 하나의 예는, 인듐 주석 산화물 층(ITO) 상에 적용된 은 층(ITO 상에 Ag), 또는 ITO-Ag-ITO 다층들이다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극은 전술된 재료들에 대한 대안으로서 또는 그에 부가하여, 아래의 재료들: 금속성 나노와이어들 및 나노입자들, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크들; 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크들; 그라핀 입자들 및 그라핀 층들; 반도성 나노와이어들로 구성된 네트워크들 중 하나 또는 복수를 제공할 수 있다.
또한, 상기 전극들은 전도성 폴리머들 또는 전이 금속 산화물들 또는 투명한 전도성 산화물들을 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 발광 다이오드는 소위 상단 에미터로서 그리고/또는 소위 하단 에미터로서 설계될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 상단 에미터는 광이 유기 발광 다이오드로부터 기판의 반대 편에 놓인 면 또는 커버 층을 통해, 예컨대 제2 전극을 통해 방출되는 유기 발광 다이오드인 것으로 이해될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하단 에미터는 광이 유기 발광 다이오드로부터 하단 쪽으로, 예컨대 기판 및 제1 전극을 통해 방출되는 유기 발광 다이오드인 것으로 이해될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 반사적 또는 반투명 또는 투명한 것으로서 구현될 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 기판을 통해 광을 방출하는 경우에 대해, 제1 전극(104)과 기판(102)은 반투명 또는 투명한 것으로서 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(104)이 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 18㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제1 전극(104)은 대략 10㎚ 내지 대략 25㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 18㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚ 내지 대략 18㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 반투명 또는 투명한 제1 전극(104)의 경우에 대해 그리고 제1 전극(104)이 투명 전도성 산화물(TCO)로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 50㎚ 내지 대략 500㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 75㎚ 내지 대략 250㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 150㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 또한, 반투명 또는 투명한 제1 전극(104)의 경우에 대해 그리고 제1 전극(104)이 예컨대, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 금속성 나노와이어들로 구성된, 예컨대 Ag로 구성된 네트워크, 전도성 폴리머들과 결합될 수 있는 탄소 나노튜브들로 구성된 네트워크, 또는 그라핀 층들 및 합성물(composite)들로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 예컨대 대략 1㎚ 내지 대략 500㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 400㎚의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚ 내지 대략 250㎚의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 오로지 상단 쪽으로 광을 방출하는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 또한 불투명 또는 반사적인 것으로서 설계될 수 있다. 제1 전극(104)이 반사적인 것으로서 그리고 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 제1 전극(104)은 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다.
제1 전극(104)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
제1 전극(104)은 제1 전기 단자를 가질 수 있고, (에너지 스토어(114)(예컨대, 전류원 또는 전압원)에 의해 제공되는) 제1 전기 전위가 상기 제1 전기 단자에 인가될 수 있다. 대안적으로, 제1 전기 전위는 기판(102)에 인가될 수 있고, 그런 다음 상기 기판을 통해 제1 전극(104)에 간접적으로 피딩될 수 있다. 제1 전기 전위는 예컨대 접지 전위 또는 어떤 다른 미리정의된 기준 전위일 수 있다.
또한, 발광 컴포넌트(100)는 유기 전기루미네선트 층 구조물을 가질 수 있고, 상기 유기 전기루미네선트 층 구조물은 제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 적용된다.
유기 전기루미네선트 층 구조물은 하나 또는 복수의 에미터 층들(108) ― 예컨대, 형광성 및/또는 인광성 에미터들을 포함함 ― 과 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(106)을 포함할 수 있다.
에미터 층(들)(108)에 대한 다양한 실시예들에 따라 발광 컴포넌트 내에서 사용될 수 있는 에미터 재료들의 예들은, 넌-폴리메트릭 에미터들로서, 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌(예컨대, 2- 또는 2,5-치환된 폴리-p-페닐렌 비닐렌) 및 금속 착물들, 예컨대 이리듐 착물들, 예컨대 청색 인광성 FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium Ⅲ), 녹색 인광성 Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium Ⅲ), 적색 인광성 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6)(tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridine]ruthenium(Ⅲ) 착물) 및 청색 형광성 DPAVBi(4,4-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), 녹색 형광성 TTPA(9,10-bis[N,N-di-(p-tolyl)amino]anthracene) 및 적색 형광성 DCM2(4-dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran)의 유도체들과 같은 유기 또는 유기금속성 화합물들을 포함한다. 그러한 넌-폴리메트릭 에미터들은 예컨대 열적 증발에 의하여 증착될 수 있다. 또한, 폴리머 에미터들을 사용하는 것이 가능하고, 상기 폴리머 에미터들은 특히, 예컨대 스핀 코팅과 같은 습식-화학 방법들에 의하여 증착될 수 있다.
에미터 재료들은 적절한 방식으로 매트릭스 재료 내에 매립될 수 있다.
발광 컴포넌트(100)의 에미터 층(들)(108)의 에미터 재료들은 예컨대 발광 컴포넌트(100)가 백색광을 방출하도록 선택될 수 있다. 에미터 층(들)(108)은 상이한 색들(예컨대, 청색과 황색, 또는 청색, 녹색과 적색)로 방출하는 복수의 에미터 재료들을 포함할 수 있고; 대안적으로, 에미터 층(들)(108)은 복수의 부분 층들, 예컨대 청색 형광성 에미터 층(108) 또는 청색 인광성 에미터 층(108), 녹색 인광성 에미터 층(108)과 적색 인광성 에미터 층(108)으로부터 또한 구성될 수 있다. 상이한 색들을 혼합함으로써, 백색 인상(impression)을 갖는 광의 방출이 생길 수 있다. 대안적으로, 상기 층들에 의해 생성되는 일차 방출의 빔 경로 내에 컨버터 재료를 배열하는 것이 또한 제공될 수 있고, 상기 컨버터 재료는 적어도 부분적으로 일차 방사선을 흡수하고 상이한 파장을 갖는 이차 방사선을 방출하여, 일차 방사선과 이차 방사선의 결합 때문에 (아직 백색이 아닌) 일차 방사선으로부터 백색 인상이 생긴다.
유기 전기루미네선트 층 구조물은 일반적으로, 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들을 포함할 수 있다. 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층들은 유기 폴리머들, 유기 올리고머들, 유기 단위체들, 유기 소형 넌-폴리메트릭 분자들("소분자들") 또는 이러한 재료들의 결합을 포함할 수 있다.
예로서, 유기 전기루미네선트 층 구조물은, 예컨대 OLED의 경우 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효한 홀 주입을 가능케 하기 위하여, 홀 수송 층(106)으로서 구현되는 하나 또는 복수의 기능 층들을 포함할 수 있다.
예컨대, 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물은, 예컨대 OLED의 경우 전기루미네선트 층 또는 전기루미네선트 구역 안으로의 유효한 전자 주입을 가능케 하기 위하여, 전자 수송 층(106)으로서 구현되는 하나 또는 복수의 기능 층들을 포함할 수 있다.
예로서, 삼급 아민(tertiary amine)들, 카바조(carbazo) 유도체들, 전도성 폴리아닐린 또는 폴리에틸렌 다이옥시티오펜(dioxythiophene)이 홀 수송 층(106)을 위한 재료로서 사용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 기능 층들이 전기루미네선트 층으로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 홀 수송 층(106)은 제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있고, 에미터 층(108)은 홀 수송 층(106) 상에 또는 그 위에 적용, 예컨대 증착될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물(다시 말해, 예컨대 수송 층(들)(106)과 에미터 층(들)(108)의 두께들의 합)은 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물은 예컨대 하나의 층 위에 다른 층이 바로 배열되는 복수의 OLED들의 스택을 가질 수 있고, 여기서 각각의 OLED는 예컨대 최대 대략 1.5㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1.2㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 1㎛의 층 두께, 예컨대 최대 대략 800㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 500㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 400㎚의 층 두께, 예컨대 최대 대략 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 다양한 실시예들에서, 유기 전기루미네선트 층 구조물은 예컨대, 하나의 층 위에 다른 층이 바로 배열되는 세 개 또는 네 개의 OLED들의 스택을 가질 수 있고, 상기 경우 예컨대 유기 전기루미네선트 층 구조물은 최대 대략 3㎛의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)는 선택적으로, 추가 유기 기능 층들(도 1에서 층(110)에 의하여 상징화되고, 하나 또는 복수의 에미터 층들(108) 상에 또는 그 위에 배열됨)을 일반적으로 포함할 수 있고, 상기 추가 유기 기능 층들은 발광 컴포넌트(100)의 기능 및 그에 따른 효율성을 추가로 개선시키기 위해 제공된다.
발광 컴포넌트(100)는 "하단 에미터" 및/또는 "상단 에미터"로서 구현될 수 있다.
(예컨대, 제2 전극 층(112) 형태의) 제2 전극(112)은 유기 전기루미네선트 층 구조물 상에 또는 그 위에, 또는 적절하다면, 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층들(110) 상에 또는 그 위에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은 제1 전극(104)과 동일한 재료들을 포함할 수 있거나 또는 이들로부터 형성될 수 있고, 다양한 실시예들에서 금속들이 특히 적절하다.
다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 45㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 35㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 30㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 25㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 20㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 15㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께, 예컨대 대략 10㎚와 동일하거나 또는 그 미만의 층 두께를 가질 수 있다.
제2 전극(112)은 일반적으로, 제1 전극(104)과 유사한 방식으로 또는 제1 전극(104)과 상이하게 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 제2 전극(112)은, 제1 전극(104)과 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 상기 재료들 중 하나 또는 그 초과로부터, 그리고 (제2 전극이 반사적인 것으로서 형성되도록 의도되는지, 반투명한 것으로서 형성되도록 의도되는지 또는 투명한 것으로서 형성되도록 의도되는지에 따라) 각각의 층 두께로 형성될 수 있다.
제2 전극(112)은 애노드로서, 다시 말해 홀-주입 전극으로서, 또는 캐소드, 다시 말해 전자-주입 전극으로서 형성될 수 있다.
이러한 층 두께들의 경우, 아래에 훨씬 더 상세히 설명되는 부가 마이크로캐비티가 하나 또는 복수의 전기루미네선트 층 구조물들에 의해 형성된 마이크로캐비티(마이크로캐비티들)에 광학적으로 커플링될 수 있다.
제2 전극(112)은 제2 전기 단자를 가질 수 있고, 에너지 소스(114)에 의해 제공되는 (제1 전기 전위와 상이한) 제2 전기 전위가 상기 제2 전기 단자에 인가될 수 있다. 제2 전기 전위는 예컨대, 제1 전기 전위에 대한 차이가 대략 1.5V 내지 대략 20V의 범위의 값, 예컨대 대략 2.5V 내지 대략 15V의 범위의 값, 예컨대 대략 5V 내지 대략 10V의 범위의 값을 갖도록, 값을 가질 수 있다.
광학 반투명 층 구조물(116)이 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있다. 광학 반투명 층 구조물(116)은 포토루미네선스 재료(120)를 포함할 수 있다.
광학 반투명 층 구조물(116)은 임의적 재료, 원리적으로, 예컨대 유전체 재료, 예컨대 유기 매트릭스를 형성하는 유기 재료로부터 형성될 수 있고, 예컨대 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 안으로 포토루미네선스 재료(120)가 매립될 수 있다. 미러 층 구조물(118)이 광학 반투명 층 구조물(116) 상에 또는 그 위에 적용된다. 예시적으로, 광학 반투명 층 구조물(116)과 미러 층 구조물(118)은, 발광 컴포넌트(100), 예컨대 OLED ― 하나의 광학 액티브 매체 또는 복수의 광학 액티브 매체를 가짐 ― 의 전기루미네선트 마이크로캐비티에 광학적으로 커플링되는(다시 말해, 예시적으로, 상기 전기루미네선트 마이크로캐비티의 외부에 있는) 포토루미네선트 캐비티, 예컨대 마이크로캐비티를 공동으로 형성한다.
다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(116)은 적어도, 380㎚ 내지 780㎚의 파장 범위의 부분 범위의 방사선에 반투명하다.
이를 위해, 예컨대, 이 실시예에서, "외부" 포토루미네선트 캐비티의 광학 반투명 층 구조물(116)은 OLED 마이크로캐비티의 반투명(translucent)하거나, 투명(transparent)하거나 또는 반투명(semitransparent)한 제2 전극(112)과 접촉된다. "외부" 포토루미네선트 캐비티는 OLED를 통한 전류 수송에 참여하지 않거나 또는 단지 사소하게 참여하고; 다르게 말하면, 전기 전류가 "외부" 캐비티를 통해 그리고 그에 따라 광학 반투명 층 구조물(116) 및 미러 층 구조물(118)을 통해 흐르지 않거나, 또는 무시할 수 있게 작은 전기 전류만이 "외부" 캐비티를 통해 그리고 그에 따라 광학 반투명 층 구조물(116) 및 미러 층 구조물(118)을 통해 흐른다.
위에서 이미 설명된 바와 같이, 다양한 실시예들에서, "외부" 포토루미네선트 캐비티, 그리고 이 경우 특히 광학 반투명 층 구조물(116)은 적절한 유기 매트릭스로 "필링(filling)"될 수 있거나 또는 그러한 유기 매트릭스에 의해 형성될 수 있고, 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 내에 포토루미네선스 재료(120)가 매립될 수 있고; 예컨대, 유기 매트릭스는 유기 또는 무기 발색단들 및 인광체들로 도핑될 수 있다. "외부" 포토루미네선트 캐비티는 두 개의 미러들 또는 미러 층 구조물들을 가질 수 있고, 그들 중 적어도 하나는 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명하다. 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러(또는 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러 층 구조물)는 OLED 마이크로캐비티의 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 제2 전극(112)과 동일할 수 있다(이러한 실시예들이 도면들에서 예시되고; 그러나, 대안적 실시예들에서, 부가의 반투명하거나, 투명하거나 또는 반투명한 미러 층 구조물이 제2 전극(112)과 광학 반투명 층 구조물(116) 사이에 또한 제공될 수 있다).
다양한 실시예들에서, 저분자량 유기 화합물들("소분자들")이 유기 매트릭스를 위한 재료로서 제공될 수 있고, 예컨대 alpha-NPD 또는 1-TNATA와 같은 진공 내에서 예컨대 기상 증착에 의하여 적용될 수 있다. 대안적 실시예들에서, 유기 매트릭스는, 예컨대 광학 투명 폴리메트릭 매트릭스(에폭시드들, 폴리메틸 메타크릴레이트, PMMA, EVA, 폴리에스테르, 폴리우레탄들 등등)를 형성하는 폴리메트릭 재료들로부터 형성될 수 있거나 또는 이들로 구성될 수 있고, 습식-화학 방법(예컨대, 스핀 코팅 또는 프린팅)에 의하여 적용될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 예컨대, 유기 전기루미네선트 층 구조물 내에서 또한 사용될 수 있는 바와 같은 임의의 유기 재료가 유기 매트릭스를 위해 사용될 수 있다. 또한, 대안적 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(116)은 예컨대 저온 증착 방법에 의하여(예컨대, 가스 위상으로부터)(즉, 예컨대 대략 100℃와 동일하거나 또는 그 미만의 온도에서) 무기 반도체 재료, 예컨대 SiN, SiO2, GaN 등을 포함할 수 있거나 또는 이들에 의해 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, OLED 기능 층들(106, 108) 및 광학 반투명 층 구조물(116)의 굴절률들은 가능한 한 많이 서로 적응될 수 있고, 여기서 광학 반투명 층 구조물(116)은 높은 굴절률 폴리머들, 예컨대 최대 n=1.7의 굴절률을 갖는 폴리이미드들 또는 최대 n=1.74의 굴절률을 갖는 폴리우레탄을 또한 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 첨가제들이 폴리머들 내에 제공될 수 있다. 그러므로, 예시적으로, 적절한 첨가제들을 보통의 굴절률을 갖는 폴리메트릭 매트릭스 안으로 혼합함으로써 높은 굴절률 폴리머 매트릭스가 달성될 수 있다. 적절한 첨가제들은 예컨대 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 또는 지르코늄 산화물을 포함하는 나노입자들 또는 화합물들이다.
다양한 실시예들에서, 예컨대 습식-화학 프로세스 동안, 전기적으로 불안정한 재료들을 보호하기 위하여, 예컨대 대략 30㎚ 내지 대략 1.5㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 200㎚ 내지 대략 1㎛의 범위의 층 두께를 갖는 전기 절연 층, 예컨대 SiN이 또한 제2 반투명 전극(112)과 광학 반투명 층 구조물(116) 사이에 적용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 장벽 박막 층/박막 캡슐화부가 선택적으로 또한 형성될 수 있다.
이 출원의 맥락에서, "장벽 박막 층" 또는 "장벽 박막"은, 예컨대, 화학적 불순물들 또는 대기 물질들에 대비하여, 특히 물(수분)과 산소에 대비하여 장벽을 형성하기에 적절한 층 또는 층 구조물을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층은, 물, 산소 또는 용제와 같은 OLED-손상 물질들이 상기 장벽 박막 층을 관통할 수 없도록 또는 상기 물질들 중 기껏해야 매우 작은 비율들이 상기 장벽 박막 층을 관통할 수 있도록 형성된다. 장벽 박막 층의 적절한 구성들은 예컨대 특허 출원들 DE 10 2009 014 543 A1, DE 10 2008 031 405 A1, DE 10 2008 048 472 A1 및 DE 2008 019 900 A1에서 발견될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 개별 층으로서(다르게 말하면, 단일 층으로서) 형성될 수 있다. 대안적 구성에 따라, 장벽 박막 층은 하나의 부분 층이 다른 부분 층의 위에 형성되는 복수의 부분 층들을 포함할 수 있다. 다시 말해, 하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 층 스택으로서 형성될 수 있다. 장벽 박막 층 또는 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 예컨대 적절한 증착 방법에 의하여, 예컨대 하나의 구성에 따라 원자층 증착(ALD) 방법, 예컨대 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 방법 또는 무 플라즈마 원자층 증착(PLALD) 방법에 의하여, 또는 다른 구성에 따라 화학 기상 증착(CVD) 방법, 예컨대 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 방법 또는 무 플라즈마 화학 기상 증착(PLCVD) 방법에 의하여, 또는 대안적으로 다른 적절한 증착 방법들에 의하여 형성될 수 있다.
원자층 증착(ALD) 방법을 이용함으로써, 매우 얇은 층들이 증착되는 것이 가능하다. 특히, 원자층 범위의 층 두께들을 갖는 층들이 증착될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 갖는 장벽 박막 층의 경우, 부분 층들 전부가 원자층 증착 방법에 의하여 형성될 수 있다. ALD 층들만을 포함하는 층 시퀀스가 "나노라미네이트"로서 또한 표기될 수 있다.
대안적 구성에 따라, 복수의 부분 층들을 포함하는 장벽 박막 층의 경우, 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 원자층 증착 방법과 상이한 증착 방법에 의하여, 예컨대 기상 증착 방법에 의하여 증착될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층은 대략 0.1㎚(하나의 원자층) 내지 대략 1000㎚의 층 두께, 예컨대 하나의 구성에 따라 대략 10㎚ 내지 대략 100㎚의 층 두께, 예컨대 하나의 구성에 따라 대략 40㎚를 가질 수 있다.
장벽 박막 층이 복수의 부분 층들을 포함하는 하나의 구성에 따라, 부분 층들 전부가 동일한 층 두께를 가질 수 있다. 다른 구성에 따라, 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 상이한 층 두께들을 가질 수 있다. 다시 말해, 부분 층들 중 적어도 하나는 하나 또는 그 초과의 다른 부분 층들과 상이한 층 두께를 가질 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층 또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들은 반투명 또는 투명 층으로서 형성될 수 있다. 다시 말해, 장벽 박막 층(또는 장벽 박막 층의 개별 부분 층들)은 반투명 또는 투명 재료(또는 반투명하거나 또는 투명한 재료 결합)로 구성될 수 있다.
하나의 구성에 따라, 장벽 박막 층 또는 (복수의 부분 층들을 갖는 층 스택의 경우) 장벽 박막 층의 하나 또는 복수의 부분 층들은 아래의 재료들 중 하나를 포함할 수 있거나 또는 아래의 재료들 중 하나로 구성될 수 있다: 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 란타늄 산화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑된 아연 산화물, 그리고 그 혼합물들 및 합금들.
포토루미네선스 재료(120)는 아래의 재료 그룹들: 유기 염료 분자들; 무기 인광체들; 및/또는 나노도트들 또는 나노입자들 중 적어도 하나로부터의 재료를 포함할 수 있거나 또는 상기 적어도 하나로부터의 재료로 구성될 수 있다.
유기 염료 분자들은, 예컨대, 유기 전기루미네선트 층 구조물, 예컨대 위에서 설명된 전기루미네선트(형광성 또는 인광성) 재료들 내에서 또한 사용될 수 있는 분자들 전부를 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 그러나, 유기 염료 분자들은, 대개 또는 오로지 포토루미네선트 특성들을 갖는 분자들을 또한 포함한다. 유기 염료 분자들은, 예컨대 염료 레이저들 내에서 사용되거나 또는 예컨대 형광성 염료들: 쿠머린들, 나프탈들, 옥사졸들, 페릴렌들, 페릴렌 비시미드들, 피렌들, 스틸벤들, 스티릴들, 크산탄들과 같은 형광 마커들로서 사용되는 염료들을 또한 포함할 수 있다.
예컨대, 무기 인광체들은, 예컨대 발광 다이오드(LED) 내에서, 또는 예컨대 아래와 같은 형광 튜브 내에서 광 변환을 위해 사용되는 재료들 전부를 의미하는 것으로 이해되어야 한다
· 예컨대 YAG:Ce3 +에 기초한 인광체들과 같이, LED들을 위한 본질적으로 통상적인 인광체들; 여기서 Eu, Tb, Gd 또는 추가 희토류들이 Ce 대신 또한 도핑될 수 있고, 여기서 Al의 부분들이 Ga, 예컨대:
Figure pct00001
; 희토류들로 도핑된 β-SiAlON; GaAlSiN3-기반 인광체들; 및 이러한 재료들의 혼합물들 및 합금들로 교체될 수 있다; 또는
· 예컨대
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
, 그리고 이러한 재료들의 혼합물들 및 합금들과 같은, 형광 램프들을 위한 본질적으로 통상적인 인광체들.
나노도트들은, 예컨대, 나노도트들, 예컨대 반도성 나노입자들, 예컨대 실리콘 나노도트들 또는 화합물 반도체들로 구성된 나노도트들, 예컨대 카드뮴 또는 아연과 같은 금속들의 예컨대 칼코게나이드들(셀렌화물들 또는 설파이드들 또는 텔루라이드들)(CdSe 또는 ZnS, 구리 인듐 갈륨 디셀레니드, 예컨대 소위 코어-쉘 나노도트들을 포함하는 구리 인듐 디셀레니드, 또는 CuInS2/ZnS)로서 사용될 수 있는 재료들 전부를 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 나노입자들은 예컨대 인광체 나노입자들을 또한 포함할 수 있다.
일반적으로, 광 파장을 변환하도록 설계되는 임의의 임의적인 적절한 광 변환 재료가 포토루미네선스 재료(120)로서 사용될 수 있다.
포토루미네선스 재료(120)는, 광학 반투명 층 구조물(116) 내에서, 대략 0 체적퍼센트% 내지 대략 50 체적퍼센트%의 범위, 예컨대 대략 1 체적퍼센트% 내지 대략 20 체적퍼센트%의 범위, 예컨대 대략 1 체적퍼센트% 내지 대략 10 체적퍼센트%의 범위의 농도(concentration)로 존재할 수 있다.
포토루미네선스 재료(120)는, 포토루미네선스 때문에, OLED 캐비티로부터 방출된 광의 색 컴포넌트들을 가변시킬 수 있는 색 센터들을 제공할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 포토루미네선스 재료(120)는, 광학 반투명 층 구조물(116) 안으로(예컨대, 유기 매트릭스 안으로) 도입되는, 예컨대 소형 인광체 입자들 또는 양자 도트들(나노도트들) 또는 나노입자들과 같은 무기 발색단들을 또한 포함할 수 있다.
포토루미네선트 재료(120) 이외에(다시 말해, 예시적으로, 예컨대 형광성 또는 인광성 구성성분들 이외에), 광학 반투명 층 구조물(116)은 부가 산란 입자들, 예컨대 실리콘 산화물(SiO2), 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO), 갈륨 산화물(Ga2Oa), 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물과 같은 예컨대 금속 산화물들과 같은 예컨대 유전체 산란 입자들을 포함할 수 있다. 다른 입자들이 반투명 층 구조물의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는다면, 상기 다른 입자들, 예컨대 에어 버블들, 아크릴레이트, 또는 중공 유리 구슬(hollow glass bead)들이 또한 적절할 수 있다. 추가로, 예컨대 금, 은, 철 나노입자들 등등과 같은 금속들을 포함하는 예컨대 금속성 나노입자들이 제공될 수 있고, 여기서 산란 입자들은 코팅될 수 있거나 또는 코팅되지 않을 수 있다. 발광 컴포넌트(100)에 의해 방출된 광의 각분포를 가변시키기 위해 그리고 적절하다면 또한 시야각을 이용하여 색 변이(shift)를 개선하기 위해 산란 입자들이 설계될 수 있거나 또는 제공될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 광학 반투명 층 구조물(116)은 대략 10㎚ 내지 대략 200㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 100㎚ 내지 대략 100㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 대략 500㎚ 내지 대략 50㎛의 범위의 층 두께, 예컨대 1μ 내지 25㎛를 가질 수 있다. 광학 반투명 층 구조물(116)이 매우 얇게 만들어진다면, 포토루미네선스 재료(120)는 광계(light field)에 광학적으로 강하게 커플링된다(이 경우, 외부 캐비티가 외부 마이크로캐비티로서 또한 표기될 수 있다). 그러나, 광학 반투명 층 구조물(116)이 더 두껍게 만들어진다면, 예컨대, 시야각에 걸쳐 낮은 색 각도 왜곡을 달성하는 것이 가능하다(이 경우, 외부 캐비티는 외부 인코히어런트 캐비티로서 또한 표기될 수 있다).
매우 얇고 매우 투명하거나 또는 반투명한 외부 캐비티의 제한적인 경우는, 광학 반투명 층 구조물(116) 내(다시 말해, 예컨대, 매트릭스 내)의 포토루미네선스 재료(120)(다시 말해, 예컨대, 포토루미네선트 발색단들)가 상단 접촉부(예컨대, 제2 반투명 전극(112)) 상에 직접 적용되거나 또는 하단 접촉부(예컨대, 제1 전극(104))와 기판(102)(아래에 훨씬 더 상세히 설명되는 실시예에서와 같음) 사이에 있는 것에서 볼 수 있다. 외부 캐비티의 "제2" 미러 또는 "제2" 미러 층 구조물이 이 경우 생략될 수 있다.
본질적으로 완성된 발광 컴포넌트의 외면 상에 BEOL(back-end-of-line) 프로세스에 의해 적용된 캐비티와 비교할 때, 다양한 실시예들에서 FEOL(front-end-of-line) 프로세스들에서 "외부" 포토루미네선트 캐비티를 또한 형성하는 이러한 어레인지먼트의 하나의 가능한 장점은, OLED 하단 접촉부(예컨대, 제1 전극(104)) 또는 OLED 상단 접촉부(예컨대, 제2 전극(112))의 플라스몬(plasmon)들로의 포토루미네선스 재료(120)(다시 말해, 예컨대, 발색단들)의 강한 광학 커플링에서 볼 수 있다.
유기 발광 다이오드(100)는 하단 에미터로서 또는 상단 에미터로서 또는 상하단 에미터로서 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(118)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(116) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은, 유기 발광 다이오드(100)가 상단 에미터로서 구현되는지 그리고/또는 하단 에미터로서 구현되는지에 따라, 반사적일 수 있거나, 반투명할 수 있거나, 또는 투명할 수 있거나, 또는 반투명할 수 있다. 재료들은 제1 전극에 대해 위에서 언급된 바와 같은 재료들로부터 선택될 수 있다. 층 두께들 역시, 유기 발광 다이오드(100)의 바람직한 실시예에 따라, 제1 전극에 대해 위에서 설명된 바와 같은 범위들 내에서 선택될 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 대개 또는 오로지 상단(상단 에미터) 쪽으로 광을 방출하고 미러 층 구조물이 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 미러 층 구조물(118)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(116) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은 하나 또는 복수의 얇은 금속 필름들(예컨대, Ag, Mg, Sm, Ca, 그리고 이러한 재료들의 다층들 및 합금들)을 포함할 수 있다. 상기 하나 또는 복수의 금속 필름들은 (각각의 경우) 40㎚ 미만의 범위의 층 두께, 예컨대 25㎚ 미만의 범위의 층 두께, 예컨대 15㎚ 미만의 범위의 층 두께를 가질 수 있다.
발광 컴포넌트(100)가 대개 또는 오로지 기판(102)을 통해 하단 쪽으로 광을 방출하고 미러 층 구조물이 금속으로부터 형성되는 경우에 대해, 그러면 미러 층 구조물(118)은 예컨대 대략 40㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께, 예컨대 대략 50㎚와 동일하거나 또는 그 초과의 층 두께를 가질 수 있다.
다양한 실시예들에서, 미러 층 구조물(118)(또는, 적절하다면, 광학 반투명 층 구조물(116) 아래에, 제2 반투명 전극(112) 상에 또는 그 위에 제공될 수 있는 미러 층 구조물)은 하나 또는 복수의 유전체 미러들을 가질 수 있다.
미러 층 구조물(118)은 하나 또는 복수의 미러들을 가질 수 있다. 미러 층 구조물(118)이 복수의 미러들을 갖는다면, 각각의 미러들은 각각의 유전체 층에 의하여 서로 분리된다.
또한, 유기 발광 다이오드(100)는 또한 캡슐화 층들을 가질 수 있고, 상기 캡슐화 층들은 예컨대 BEOL(back-end-of-line) 프로세스의 환경에서 적용될 수 있고, 여기서 다양한 실시예들에서 외부 캐비티가 여전히 FEOL(front-end-of-line) 프로세스의 환경에서 형성됨이 주의되어야 한다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(200)를 도시한다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)와 실질상 동일하고, 이러한 이유로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)와 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100) 사이의 차이들만이 아래에 더욱 상세히 설명되고; 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 나머지 엘리먼트들에 대하여, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 관한 위의 설명들이 참조된다.
도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 대조적으로, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 경우, 외부 캐비티가 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 형성되는 것이 아니라, 제1 전극(104) 아래에 형성된다.
이러한 실시예들에서, 에너지 소스(114)는 제1 전극(104)의 제1 전기 단자 및 제2 전극(112)의 제2 전기 단자에 연결된다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)는 하단 에미터로서 또는 상단 에미터로서 또는 상하단 에미터로서 형성될 수 있다.
도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)의 경우, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)의 광학 반투명 층 구조물(116)과 동일하게 구성된 광학 반투명 층 구조물(202)이 제1 전극(104) 아래에 배열된다. 또한, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)의 미러 층 구조물(118)과 동일하게 구성된 미러 층 구조물(204)이 광학 반투명 층 구조물(202) 아래에 배열된다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(300)를 도시한다.
도 3에 따른 유기 발광 다이오드(300)는 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200)와 실질상 동일하고, 이러한 이유로, 도 3에 따른 유기 발광 다이오드(300)와 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200) 사이의 차이들만이 아래에 더욱 상세히 설명되고; 도 3에 따른 유기 발광 다이오드(300)의 나머지 엘리먼트들에 대하여, 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200) 및 도 1에 따른 유기 발광 다이오드에 관한 위의 설명들이 참조된다.
또한, 도 3에 따른 유기 발광 다이오드(300)는 부가하여 기판(102)을 포함한다. 미러 층 구조물(204)이 이러한 실시예들에 따라 기판(102) 상에 또는 그 위에 배열된다.
도 4는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(400)를 도시한다.
도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)는 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)와 실질상 동일하고, 이러한 이유로, 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)와 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100) 사이의 차이들만이 아래에 더욱 상세히 설명되고; 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)의 나머지 엘리먼트들에 대하여, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 관한 위의 설명들이 참조된다.
도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)의 엘리먼트들에 관련하여(기판(102)이 이러한 실시예들에서 생략됨이 주의되어야 함), 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)의 경우, 부가 외부 캐비티가 제1 전극(104) 아래에 또한 제공된다.
이러한 실시예들에서, 에너지 소스(114)는 제1 전극(104)의 제1 전기 단자 및 제2 전극(112)의 제2 전기 단자에 연결된다.
도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)는 하단 에미터로서 또는 상단 에미터로서 또는 상하단 에미터로서 형성될 수 있다.
도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)의 경우, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)의 광학 반투명 층 구조물(116)과 동일하게 구성된 부가 광학 반투명 층 구조물(204)이 제1 전극(102) 아래에 부가하여 배열된다. 또한, 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)의 미러 층 구조물(118)과 동일하게 구조화된 부가 미러 층 구조물(204)이 광학 반투명 층 구조물(204) 아래에 부가하여 배열된다.
도 5는 다양한 실시예들에 따른 발광 컴포넌트의 구현으로서 유기 발광 다이오드(500)를 도시한다.
도 5에 따른 유기 발광 다이오드(500)는 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400)와 실질상 동일하고, 이러한 이유로, 도 5에 따른 유기 발광 다이오드(500)와 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400) 사이의 차이들만이 아래에 더욱 상세히 설명되고; 도 5에 따른 유기 발광 다이오드(500)의 나머지 엘리먼트들에 대하여, 도 4에 따른 유기 발광 다이오드(400), 도 2에 따른 유기 발광 다이오드(200) 및 도 1에 따른 유기 발광 다이오드(100)에 관한 위의 설명들이 참조된다.
또한, 도 5에 따른 유기 발광 다이오드(500)는 부가하여 기판(102)을 포함한다. 미러 층 구조물(204)은 이러한 실시예들에 따라 기판(102) 상에 또는 그 위에 배열된다.
그러므로, 예시적으로, 하나 또는 복수의 외부 캐비티들이 OLED 아래에(즉, 기판 상에) 그리고/또는 OLED 상에(즉, 상단 면 상에) 배열될 수 있다. 차례로, 하나 또는 복수의 외부 캐비티들은, 위에서 설명된 바와 같은, 하나 또는 복수의 포토루미네선스 재료들(예컨대, 발색단들) 및 산란체들을 포함하는 하나 또는 복수의 매트릭스 재료들로부터 구성될 수 있다.
도 6a 내지 도 6f는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 상이한 시점들에서 다양한 실시예들에 따른 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다. 다른 발광 컴포넌트들(200, 300, 400, 500)은 대응하는 방식으로 제조된다.
도 6a는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제1 시점(600)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 제1 전극(104)이 기판(102)에 적용되는데, 예컨대 CVD 방법(화학 기상 증착)에 의하여 또는 PVD 방법(물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 기판 상에 예컨대 증착된다.
다양한 실시예들에서, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PE-CVD) 방법이 CVD 방법으로서 사용될 수 있다. 이 경우, 엘리먼트 ― 적용될 층이 상기 엘리먼트에 적용되도록 의도됨 ― 둘레 그리고/또는 그 위의 체적에서 플라즈마가 생성될 수 있고, 여기서 적어도 두 개의 기체 출발 화합물들이 체적에 피딩되고, 상기 화합물들은 상기 플라즈마 내에서 이온화되고, 서로 반응하도록 여기된다. 플라즈마의 생성은, 예컨대 유전체 층을 제조하는 것을 가능하게 하기 위하여 엘리먼트의 표면이 가열되어야 할 온도가 무 플라즈마 CVD 방법과 비교할 때 감소될 수 있음을 가능하게 할 수 있다. 상기는, 예컨대, 엘리먼트, 예컨대 형성될 발광 전자 컴포넌트가 최대 온도를 초과하는 온도에서 손상받을 경우 유리할 수 있다. 최대 온도는 예컨대 다양한 실시예들에 따라 형성될 발광 전자 컴포넌트의 경우 대략 120℃일 수 있고, 그래서 예컨대 유전체 층이 적용되는 온도는 120℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있고 예컨대 80℃와 동일하거나 또는 그 미만일 수 있다.
도 6b는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제2 시점(602)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(106)이 제1 전극(104)에 적용되는데, 예컨대 CVD 방법(화학 기상 증착)에 의하여 또는 PVD 방법(물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 제1 전극 상에 예컨대 증착된다.
도 6c는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제3 시점(604)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 하나 또는 복수의 에미터 층들(108)이 하나 또는 복수의 홀-전도 층들(106)에 적용되는데, 예컨대 CVD 방법(화학 기상 증착)에 의하여 또는 PVD 방법(물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 홀-전도 층(들) 상에 예컨대 증착된다.
도 6d는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제4 시점(606)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 복수의 추가 유기 기능 층들(110)이 하나 또는 복수의 에미터 층들(108)에 적용되는데, 예컨대 CVD 방법(화학 기상 증착)에 의하여 또는 PVD 방법(물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 층(들) 상에 예컨대 증착된다.
도 6e는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제5 시점(608)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 제2 전극(112)이 하나 또는 복수의 추가 유기 기능 층들(110)(존재한다면) 또는 하나 또는 복수의 에미터 층들(108)에 적용되는데, 예컨대 CVD 방법(화학 기상 증착)에 의하여 또는 PVD 방법(물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터링, 이온-보조 증착 방법 또는 열적 증발)에 의하여, 대안적으로 도금 방법; 딥 코팅 방법; 스핀 코팅 방법; 프린팅; 블레이드 코팅; 또는 스프레잉에 의하여, 상기 층(들) 상에 예컨대 증착된다.
도 6f는 발광 컴포넌트(100)의 제조 동안 제6 시점(610)에서 상기 발광 컴포넌트(100)를 도시한다.
이 시점에서, 광학 반투명 층 구조물(116)이 제2 전극(112)에 적용되고, 포토루미네선스 재료(120)가 광학 반투명 층 구조물(116) 안으로 도입된다.
이는, 상이한 방식들로 이루어질 수 있다:
1. 하나의 구현에 따라, 재료 또는 재료들, 예컨대 유기 재료들이 제2 전극(112) 상에 기상-증착될 수 있고, 여기서 포토루미네선스 재료(120)는 광학 반투명 층 구조물(116)의 재료 안으로 제자리에 매립된다. 미러 층 구조물(118)이 후속하여 기상-증착될 수 있고, 여기서 기상 증착 프로세스들 둘 다는 동일한 머신 내에서 수행될 수 있다.
2. 추가 구현에 따라, 재료 또는 재료들, 예컨대 유기 재료들이 제2 전극(112)(또는 제2 전극(112)을 화학적으로 보호하기 위한, 그 상에 적용된 박막 장벽) 상에 습식-화학적으로 적용될 수 있다. 이러한 구현에서, 포토루미네선스 재료(120)는 습식-화학적으로 적용된 재료 안으로 (부분적으로 지역적으로) 혼합(확산)될 수 있다.
광학 반투명 층 구조물(116, 204)이 복수의 층들을 갖는 경우에 대해, 포토루미네선스 재료(120)가 하나 또는 복수의 층들 내에 도입될 수 있지만, 모든 층들 내로 도입될 필요는 없음이 주의되어야 한다. 이러한 방식으로, 예컨대, 포토루미네선스 재료(120)와 미러 층 구조물(118, 204) 사이의 거리가 단순한 방식으로 정의될 수 있다. 이는, 포토루미네선스의 증폭 및/또는 색 변환 효율성의 개선을 유도할 수 있다. 또한, 시야각 의존성의 설정이 가능하게 될 수 있다.

Claims (17)

  1. 발광 컴포넌트(100)로서,
    제1 전극(104);
    상기 제1 전극(104) 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트(electroluminescent) 층 구조물(106, 108);
    상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108) 상의 또는 그 위의 제2 반투명 전극(112);
    제2 전극(112) 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물(116) ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물(116)은 포토루미네선스(photoluminescence) 재료(120)를 포함함 ―; 및
    상기 광학 반투명 층 구조물(116) 상의 또는 그 위의 미러 층 구조물(118)
    을 포함하는,
    발광 컴포넌트(100).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 전극(112)과 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 사이의 전기 절연 층; 및/또는
    상기 제2 전극(112)과 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 사이의 장벽 또는 캡슐화 층
    으로부터 선택된 하나 또는 복수의 층들을 더 포함하는,
    발광 컴포넌트(100).
  3. 발광 컴포넌트(200)로서,
    미러 층 구조물(204);
    상기 미러 층 구조물(204) 상의 또는 그 위의 광학 반투명 층 구조물(202) ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물(202)은 포토루미네선스 재료(120)를 포함함 ―;
    상기 광학 반투명 층 구조물(116) 상의 또는 그 위의 제1 반투명 전극(104);
    제1 전극(104) 상의 또는 그 위의 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108); 및
    상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108) 상의 또는 그 위의 제2 전극(112)
    을 포함하는,
    발광 컴포넌트(200).
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 전극(104)과 상기 광학 반투명 층 구조물(202) 사이의 전기 절연 층; 및/또는
    상기 제1 전극(104)과 상기 광학 반투명 층 구조물(202) 사이의 캡슐화 또는 장벽 층
    으로부터 선택된 하나 또는 복수의 층들을 더 포함하는,
    발광 컴포넌트(200).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포토루미네선스 재료(120)는 아래의 재료 그룹들:
    유기 염료 분자들;
    무기 인광체들; 및/또는
    나노도트들 또는 나노입자들
    중 적어도 하나로부터의 재료를 포함하는,
    발광 컴포넌트(100, 200).
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 반투명 층 구조물(116, 202)은 하나의 또는 복수의 산란 재료들을 부가하여 포함하는,
    발광 컴포넌트(100, 200).
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 발광 다이오드로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 설계되는,
    발광 컴포넌트(100, 200).
  8. 발광 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법으로서,
    제1 전극(104)을 제공하는 단계;
    상기 제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108)을 형성하는 단계;
    상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108) 상에 또는 그 위에 제2 반투명 전극(112)을 형성하는 단계;
    제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물(116)을 형성하는 단계 ― 여기서, 포토루미네선스 재료(120)가 상기 광학 반투명 층 구조물(116) 내에 형성됨 ―; 및
    광학 반투명 층(116) 상에 또는 그 위에 미러 층 구조물(118)을 형성하는 단계
    를 포함하는,
    발광 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 전극(112) 상에 또는 그 위에 전기 절연 층을 형성하는 단계 ― 여기서, 상기 광학 반투명 층 구조물(116)은 상기 전기 절연 층 상에 또는 그 위에 형성됨 ― 를 더 포함하는,
    발광 컴포넌트(100)를 제조하기 위한 방법.
  10. 발광 컴포넌트(200)를 제조하기 위한 방법으로서,
    미러 층 구조물(204)을 제공하는 단계;
    상기 미러 층 구조물(204) 상에 또는 그 위에 광학 반투명 층 구조물(202)을 형성하는 단계 ― 여기서, 포토루미네선스 재료(120)가 상기 광학 반투명 층 구조물(202) 내에 형성됨 ―;
    상기 광학 반투명 층 구조물(202) 상에 또는 그 위에 제1 반투명 전극(104)을 형성하는 단계;
    제1 전극(104) 상에 또는 그 위에 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108)을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 전기루미네선트 층 구조물(106, 108) 상에 또는 그 위에 제2 전극(112)을 형성하는 단계
    를 포함하는,
    발광 컴포넌트(200)를 제조하기 위한 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    아래의 단계들:
    상기 광학 반투명 층 구조물(202) 상에 또는 그 위에 전기 절연 층을 형성하는 단계 ― 여기서, 상기 제1 전극(104)은 상기 전기 절연 층 상에 또는 그 위에 형성됨 ―; 및/또는
    상기 제1 전극(104)과 상기 광학 반투명 층 구조물(202) 사이에 캡슐화 또는 장벽 층을 형성하는 단계
    중 하나 또는 둘 다를 더 포함하는,
    발광 컴포넌트(200)를 제조하기 위한 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    아래의 재료 그룹들:
    유기 염료 분자들;
    무기 인광체들; 및/또는
    나노도트들 또는 나노입자들
    중 적어도 하나로부터의 재료가 포토루미네선스 재료(120)로서 사용되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 반투명 층 구조물(116, 202)은 하나의 또는 복수의 산란 재료들을 부가하여 포함하는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 반투명 층 구조물(116, 202)은 기상 증착에 의하여 형성되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 포토루미네선스 재료(120)는 상기 광학 반투명 층 구조물(116, 202) 안에 제자리에 매립되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  16. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 반투명 층 구조물(116, 202)은 습식-화학 프로세스에 의하여 형성되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
  17. 제 8 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    발광 컴포넌트(100, 200)는 유기 발광 다이오드로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 설계되는,
    발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013110024B9 (de) * 2013-09-12 2023-11-09 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel
TWI472059B (zh) * 2013-10-09 2015-02-01 Cheng Sheng Tsung A method of forming a surface plasma using a microstructure
US9166188B1 (en) * 2014-06-10 2015-10-20 Arolltech Co., Ltd. Organic light emitting diode device
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管
CN109659443B (zh) * 2017-10-10 2024-03-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和改善显示面板色偏的方法
CN110358237B (zh) * 2018-04-09 2021-01-01 致晶科技（北京）有限公司 一种聚合物基纳米复合材料及基于其的滤光片

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717176B1 (en) * 2002-11-12 2004-04-06 Opto Tech Corporation White light emitting organic electro-luminescent device and method for fabricating the same
US7079748B2 (en) * 2003-01-10 2006-07-18 Interuniveristair Microelekktronica Centrum (Imec) Integrated optical device and method of making the same
JP2004296219A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
US7367691B2 (en) * 2003-06-16 2008-05-06 Industrial Technology Research Institute Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same
DE102004042461A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
US7321193B2 (en) * 2005-10-31 2008-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
JP5176459B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-03 大日本印刷株式会社 白色発光素子
DE102008019900A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung
DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
WO2010064165A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Oled device with adjustable color appearance
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
FR2954590B1 (fr) * 2009-12-23 2012-07-13 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une electrode a nanostructures metallique et dielectrique pour le filtrage colore dans une oled et procede de fabrication d'une oled.

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